JPS5955417A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS5955417A JPS5955417A JP57166088A JP16608882A JPS5955417A JP S5955417 A JPS5955417 A JP S5955417A JP 57166088 A JP57166088 A JP 57166088A JP 16608882 A JP16608882 A JP 16608882A JP S5955417 A JPS5955417 A JP S5955417A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック世象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、敬
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞り機措等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
円＋−のエレクトロクロミック素子に閂するものである
。
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック世象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、敬
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞り機措等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
円＋−のエレクトロクロミック素子に閂するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子よ、透明な基板
１の土に、透明導電体膜よりなる第１電上２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体験より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
１の土に、透明導電体膜よりなる第１電上２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体験より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
脣た、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陽極側発色層である第２の工レフトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陽極側発色層である第２の工レフトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
上記の＋迄においで、基板１に一般的にガラス板＝よっ
て形成されるが、これはがラス仮に限らず、プラスブッ
ク板またはアクリル反等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上二あってもよいし、目的に応して（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両則に設けてもよい。た
とし、これらの場合に応じて、第２山俸５を透明導電膜
にしこり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。
て形成されるが、これはがラス仮に限らず、プラスブッ
ク板またはアクリル反等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上二あってもよいし、目的に応して（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両則に設けてもよい。た
とし、これらの場合に応じて、第２山俸５を透明導電膜
にしこり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。
ぴて上記の全固体型エレクトロクロミツク素子に−般的
に用いられている腔の材料の代表例を列挙する。第１電
極２を構成する透明導電膜は、ＩＴＯ膜（Ｉｎ２Ｏ３中
に５％のＳｎ０２を含むもの）やネリ膜でまる。陰極側
発色層であるエレクトロクロミック！３に、二酸化タン
グスデン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、
二酸化モリブチン（＋ｏ０２）、三酸化モリブデン（Ｒ
ｏＯｓ）、五物化パヲノウム（Ｖ２Ｏ５）＠を用いて形
成する。誘電体腔である絶縁層４は、二酸化プルコン（
Ｚｒ０２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ゲイ素（５
ｉ０２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０５）等に代表され
る！化勿、あるい−フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化
マグネシウム（ＭｇＦ２）等に代衣されるフッ化物より
戊る。
に用いられている腔の材料の代表例を列挙する。第１電
極２を構成する透明導電膜は、ＩＴＯ膜（Ｉｎ２Ｏ３中
に５％のＳｎ０２を含むもの）やネリ膜でまる。陰極側
発色層であるエレクトロクロミック！３に、二酸化タン
グスデン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、
二酸化モリブチン（＋ｏ０２）、三酸化モリブデン（Ｒ
ｏＯｓ）、五物化パヲノウム（Ｖ２Ｏ５）＠を用いて形
成する。誘電体腔である絶縁層４は、二酸化プルコン（
Ｚｒ０２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ゲイ素（５
ｉ０２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０５）等に代表され
る！化勿、あるい−フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化
マグネシウム（ＭｇＦ２）等に代衣されるフッ化物より
戊る。
第２電極５には、例えばΔｕの半透明導電膜が使用され
る。弓だ、第２図に示すものにおいて、陽極則発色層で
ある第２のエレクトロクロミック層６は、酸化クロノ（
Ｃｒ２Ｏ３）、水酸化イリジウム（Ｉｒ（Ｏｎ）２）、
水酸化ニツクル（Ｎ１（ＯＴ）２）等を用いて形成する
。
る。弓だ、第２図に示すものにおいて、陽極則発色層で
ある第２のエレクトロクロミック層６は、酸化クロノ（
Ｃｒ２Ｏ３）、水酸化イリジウム（Ｉｒ（Ｏｎ）２）、
水酸化ニツクル（Ｎ１（ＯＴ）２）等を用いて形成する
。
この電な構造をもつ全国本型工しクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
にまり電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色構造は、例えば、第１のエレクトロクロミック層３
へのカチオンと電子のダブルインジェクションによるブ
ロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、エ
レクトロクロミック物質として、Ｗｏ３を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色
する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
にまり電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色構造は、例えば、第１のエレクトロクロミック層３
へのカチオンと電子のダブルインジェクションによるブ
ロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、エ
レクトロクロミック物質として、Ｗｏ３を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色
する。
ＷＯ３＋ｘＨ＋＋ｘｅ−■ＨｘＷＯ３（１）（１）式に
Ｋって、タングステンブロンズＨｘＷ０３が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態どなる
。しかし、この様な構造の全固体型エレクトロクロミッ
ク素子は、発色時に所望の応答速度や着色濃度が得られ
ないなどの欠点を持っている。
Ｋって、タングステンブロンズＨｘＷ０３が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態どなる
。しかし、この様な構造の全固体型エレクトロクロミッ
ク素子は、発色時に所望の応答速度や着色濃度が得られ
ないなどの欠点を持っている。
本発明の目的は、上記のような従来のエレクトロクロミ
ック素子における欠点を改善し、所望の応答速度および
着色濃度の発色が得られる全固体型エレクトロクロミッ
ク素子を得ることにある。
ック素子における欠点を改善し、所望の応答速度および
着色濃度の発色が得られる全固体型エレクトロクロミッ
ク素子を得ることにある。
本発明による全固体型エレクトロクロミック暑子の特徴
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陽極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミツク累イにおいて、上記の２つのエレクトロクロミッ
ク層の一方または両刀を、肪厚のすい司重のエレクトロ
クロミック勿質の層とそれらの間に配置された絶縁層の
積層体によっで構成したＣとにある。
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陽極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミツク累イにおいて、上記の２つのエレクトロクロミッ
ク層の一方または両刀を、肪厚のすい司重のエレクトロ
クロミック勿質の層とそれらの間に配置された絶縁層の
積層体によっで構成したＣとにある。
第１図および第２図に示す従来の全固体＋エレクトロク
ロミツク素イにおりる着色反応は絶＋層との界面て生ず
るものである。従って、エレクトロクロミック物質と絶
縁勿質を交互に稈層すれば、着色濃度の向上オよひ応老
全艮の白土を図ることができる。しかし、この際に問題
になるのは絶縁層が■極間に余り多く入ると、分権がう
まくいかず、発消色不勇能となる。ゴだ、逆に余り辻く
すると、電子を辺蔽することができず、発消色不可甫と
なる。こりらの欠点をう寸くカバーし、エレクトロクロ
ミック物質の性−の向−を図ったのが本発明で、すなわ
ち、小１図および第２図に示すエレクトロクロミック素
子における囲枠側発光層であるエレクトロクロミック層
寸たは陽極側発光層であるエレクトロクロミック層また
はその両者を、同付のエレクトロクロミック物門の層の
間に甫子遮＋層（絶縁層）として非常に薄い膜厚の絶縁
勿力を積層することによって形成されだ通常のエレクト
ロクロミック層と回じかほぼ同程度の膜斤の復合構造の
ものとしたのである。
ロミツク素イにおりる着色反応は絶＋層との界面て生ず
るものである。従って、エレクトロクロミック物質と絶
縁勿質を交互に稈層すれば、着色濃度の向上オよひ応老
全艮の白土を図ることができる。しかし、この際に問題
になるのは絶縁層が■極間に余り多く入ると、分権がう
まくいかず、発消色不勇能となる。ゴだ、逆に余り辻く
すると、電子を辺蔽することができず、発消色不可甫と
なる。こりらの欠点をう寸くカバーし、エレクトロクロ
ミック物質の性−の向−を図ったのが本発明で、すなわ
ち、小１図および第２図に示すエレクトロクロミック素
子における囲枠側発光層であるエレクトロクロミック層
寸たは陽極側発光層であるエレクトロクロミック層また
はその両者を、同付のエレクトロクロミック物門の層の
間に甫子遮＋層（絶縁層）として非常に薄い膜厚の絶縁
勿力を積層することによって形成されだ通常のエレクト
ロクロミック層と回じかほぼ同程度の膜斤の復合構造の
ものとしたのである。
以下、本発明の実施態様につへて出明する。第３図は、
本発明を上己の第１図に示す構造のエレクトロクロミッ
クズ素子に滴几した木発明の第１の実施態様を示す。こ
のエレクトロクロミック層素子は、第１図に示すものと
同様に、透明な基板１の十に、乏明導電体膜よりなる第
１電極２，陰極側発色層であるエレクトロクロミック層
３、誘電体願からなる絶＃＃４、Ａｎ等の漕電体膜より
なろ第２電極５を順次に積層してなるものであるが、エ
レクトロクロミック層３は、膜厚の湧い同種のニレクト
ロクロミック物＋の層３ｎおよび３ｃとそれらの間に配
置された絶縁層３ｂの積層体にヨッて構成されている。
本発明を上己の第１図に示す構造のエレクトロクロミッ
クズ素子に滴几した木発明の第１の実施態様を示す。こ
のエレクトロクロミック層素子は、第１図に示すものと
同様に、透明な基板１の十に、乏明導電体膜よりなる第
１電極２，陰極側発色層であるエレクトロクロミック層
３、誘電体願からなる絶＃＃４、Ａｎ等の漕電体膜より
なろ第２電極５を順次に積層してなるものであるが、エ
レクトロクロミック層３は、膜厚の湧い同種のニレクト
ロクロミック物＋の層３ｎおよび３ｃとそれらの間に配
置された絶縁層３ｂの積層体にヨッて構成されている。
Ｆりえ、第１電極２はＩＴＯ、層３ａはｗｏ３、層３ｂ
はＴａ２Ｏ５、層３ｃはＶ０５、絶縁層４はＴａ２０５
、第２電極５は半透明導電膜であるＡｕ膜より成る。
はＴａ２Ｏ５、層３ｃはＶ０５、絶縁層４はＴａ２０５
、第２電極５は半透明導電膜であるＡｕ膜より成る。
第４図は本発明を上記の第２図に示す構造のエレクトロ
クロミック素子こ適用シた木発明の第２の実施態様を示
す。このエレクトロクロミックオ子は第３図に示すエレ
クトロクロミック素子によける絶縁層４と第２電極５と
の間に、さらに陽極側発色層である第２のエレクトロク
ロミック層６を積層したものであるか、第４図の実施例
において幻、エレクトロクロミック層３および第２のエ
レクトロクロミック層６のいずシも、それぞれ、膜厚の
薄い同稗のエレクトロクロミック物質の層とそれらの間
に画面された絶＃層の積層体によって構成芒れていて、
エレクトロクロミック層３はエレクトロクロミック勿質
の＋３ａ、３ｃとその間の絶縁層３ｂより成り、エレク
トロクロミック層６はエレクトロクロミック吻質の層６
ａ、６ｃとその間の絶縁層６ｂより成る。この構造にお
いて、例えば、第１電極はＩＴＯ、層３ａはＷＯｇ、層
３ｂはＴａ２０５、層３ＣはＷＯ３、絶縁層４はＴａ２
０５、層６ａはＩｒ（ＯＨ）２、層６ｂはＴＲ２０５、
層６ｃはＩｒ（０Ｈ）２より成り、第２電極は半透明Ａ
ｕ膜より成る。
クロミック素子こ適用シた木発明の第２の実施態様を示
す。このエレクトロクロミックオ子は第３図に示すエレ
クトロクロミック素子によける絶縁層４と第２電極５と
の間に、さらに陽極側発色層である第２のエレクトロク
ロミック層６を積層したものであるか、第４図の実施例
において幻、エレクトロクロミック層３および第２のエ
レクトロクロミック層６のいずシも、それぞれ、膜厚の
薄い同稗のエレクトロクロミック物質の層とそれらの間
に画面された絶＃層の積層体によって構成芒れていて、
エレクトロクロミック層３はエレクトロクロミック勿質
の＋３ａ、３ｃとその間の絶縁層３ｂより成り、エレク
トロクロミック層６はエレクトロクロミック吻質の層６
ａ、６ｃとその間の絶縁層６ｂより成る。この構造にお
いて、例えば、第１電極はＩＴＯ、層３ａはＷＯｇ、層
３ｂはＴａ２０５、層３ＣはＷＯ３、絶縁層４はＴａ２
０５、層６ａはＩｒ（ＯＨ）２、層６ｂはＴＲ２０５、
層６ｃはＩｒ（０Ｈ）２より成り、第２電極は半透明Ａ
ｕ膜より成る。
第５シは木発明の第３の実楕什様を示す。この！施例は
、第３図に示すものと同様に、透明な井板１の上に、透
明導電本膜より彦る第１電極２と、陰極側発色層である
エレクトロクロミック層３と、誘電体腔よりなる絶縁層
４と、勇重体クリよりなる第２電極５とを順次に積層し
たものであるが、エレクトロクコミック層３ば、膜厚の
蔑い同租のエレクトロクロミック物質の層３ａ、３ｃ、
３ｅと絶縁層３ｂ、３ｄを交互に積層することによって
構成されでいる。例えげ、第１電極２、絶縁層４、第２
電極５は第３図に示すものと同村のものによって構成さ
れるが、エレクトロクロミック層３けＷＯ３の層３ａ、
Ｔａ２０５の層３ｂ、ＷＯ３の層３ｃ、ＺｒＯ２の層３
ｄ、ＷＯ３の層３ｅを積層しこものによって構成される
。
、第３図に示すものと同様に、透明な井板１の上に、透
明導電本膜より彦る第１電極２と、陰極側発色層である
エレクトロクロミック層３と、誘電体腔よりなる絶縁層
４と、勇重体クリよりなる第２電極５とを順次に積層し
たものであるが、エレクトロクコミック層３ば、膜厚の
蔑い同租のエレクトロクロミック物質の層３ａ、３ｃ、
３ｅと絶縁層３ｂ、３ｄを交互に積層することによって
構成されでいる。例えげ、第１電極２、絶縁層４、第２
電極５は第３図に示すものと同村のものによって構成さ
れるが、エレクトロクロミック層３けＷＯ３の層３ａ、
Ｔａ２０５の層３ｂ、ＷＯ３の層３ｃ、ＺｒＯ２の層３
ｄ、ＷＯ３の層３ｅを積層しこものによって構成される
。
次に本発明に上る全固体型エレクトロクコミック素子の
実！＋について説明する。
実！＋について説明する。
実施例１
千３図に示ず繁造の全固体型エレクトロクロミック素子
に赴いて、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１上に
、適当ん引出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ嘆
よりなる第１電極２を形成し、その上に、真空蒸着法に
よって、ＷＯ５の層３ａ、Ｔａ２０５の層３ｂ、ＷＯ５
の層３ｃ、Ｔａ２０５の層４を積／し、エレクトロクロ
ミック吻質と絶縁吻門の層が交互に配代ざれた積層体を
構成シ、その一にＡｕの半透明導電膜より成る第２電極
５を形人した。
に赴いて、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１上に
、適当ん引出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ嘆
よりなる第１電極２を形成し、その上に、真空蒸着法に
よって、ＷＯ５の層３ａ、Ｔａ２０５の層３ｂ、ＷＯ５
の層３ｃ、Ｔａ２０５の層４を積／し、エレクトロクロ
ミック吻質と絶縁吻門の層が交互に配代ざれた積層体を
構成シ、その一にＡｕの半透明導電膜より成る第２電極
５を形人した。
これらの膜厚は、層３ａカ２０００Ａ、層３ｂカ５００
Ａ、層３ｃカ８００Ａ、層４カ３０００Ａで、第２電極
５が３ｏｏＡであった。蒸着灸件よ、真空度２．０Ｘ１
．０−５Ｔｏｒｒで、蒸着速度は１０Ａ／ｓｅｃてあっ
た。
Ａ、層３ｃカ８００Ａ、層４カ３０００Ａで、第２電極
５が３ｏｏＡであった。蒸着灸件よ、真空度２．０Ｘ１
．０−５Ｔｏｒｒで、蒸着速度は１０Ａ／ｓｅｃてあっ
た。
この−にして得られた、全円本型エレクトロクロミック
素子を第１、第２電極の間に２２Ｖを印加して駆動じた
ところ、着色渡度がΔＯＤで０．４、応答速度が７００
ｍｓｅｃ！得ることかできた。
素子を第１、第２電極の間に２２Ｖを印加して駆動じた
ところ、着色渡度がΔＯＤで０．４、応答速度が７００
ｍｓｅｃ！得ることかできた。
ちなみに、第１図に示すエレクトロクロミック素了は、
ΔＯＤ０．３のを色濃度を得ルのに９００ｍｓｅｃかか
る。
ΔＯＤ０．３のを色濃度を得ルのに９００ｍｓｅｃかか
る。
実施例２
第３図に示す構造の全固体型エ＋クトロクロミック素子
において．厚さ０．７ｍｍの硼硅酸ガラスの＋板１土に
、適当な引き出し電極部及びソード部を備えたＩＴＯ膜
よりなる第１電極２を形成し、その＋に真？蒸着法によ
ってｖ２０５の層３ｎ、ＺｒＯ２の＋３ｈ、Ｖ２Ｏ５の
層３Ｃ、Ｔａ２０５の層４を積層し、エレクトロクロミ
ック吻質と絶縁物質の層カ交互に配置された積層体を構
成し、その上にＡｕの半透明導電膜より成る第２電極５
肴形成した。
において．厚さ０．７ｍｍの硼硅酸ガラスの＋板１土に
、適当な引き出し電極部及びソード部を備えたＩＴＯ膜
よりなる第１電極２を形成し、その＋に真？蒸着法によ
ってｖ２０５の層３ｎ、ＺｒＯ２の＋３ｈ、Ｖ２Ｏ５の
層３Ｃ、Ｔａ２０５の層４を積層し、エレクトロクロミ
ック吻質と絶縁物質の層カ交互に配置された積層体を構
成し、その上にＡｕの半透明導電膜より成る第２電極５
肴形成した。
これらの膜厚に、層３ｎが２０００Ａ、層３ｂが３００
Ａ、−３ｃが１０００λ、層４が３０００入で第２山不
５が３００Ａであった。然着条件は、−空度２．０Ｘ１
０−５Ｔｏｒｒで、が着連度は１０λ／ｓｅｃてＣった
。
Ａ、−３ｃが１０００λ、層４が３０００入で第２山不
５が３００Ａであった。然着条件は、−空度２．０Ｘ１
０−５Ｔｏｒｒで、が着連度は１０λ／ｓｅｃてＣった
。
この様にしでＮられた、全同陣型エレクトロクロミンク
素子全第１、第２電版間に２．２Ｖを印加して駆動した
ところ、着色象度がΔＯＤで、０．３６、旧名速度が８
００ｍｓｅｃを得ることがてきこ。
素子全第１、第２電版間に２．２Ｖを印加して駆動した
ところ、着色象度がΔＯＤで、０．３６、旧名速度が８
００ｍｓｅｃを得ることがてきこ。
実施例３
第４図に示す構造の全固体型エレクトロクロミソダ素子
において、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１上に
、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、ＩＴＯ
膜よりなる第１電極２を形青し、その二に、真空蒸着法
によってＷＯ５の層３ａ、Ｔａ２０５の層３ｂ、ｗｏ５
の層３Ｃ、Ｔａ２Ｏ５の層４、Ｉｒ（ＯＮ）２の層６ｎ
、Ｔａ２０５の層６ｂ、Ｉｒ（ＯＭ）２の層Ｇｃを和層
Ｌ、エレク−＋クロミック勿＋と絶緑物質の層が交互に
配防された積層体を構成し、ぞの土にＡｕの半透明＋電
膜より成る第２電極５を月成した。これらの膜厚は、層
３ａが１５００Ａ層３ｂが３００人、／３ｃが８００Ａ
、層４が２５００Ｘ、層６ａが８００Ｘ、層６ｂが３０
０Ｘ、層６ｃが１５００人であった。
において、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１上に
、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、ＩＴＯ
膜よりなる第１電極２を形青し、その二に、真空蒸着法
によってＷＯ５の層３ａ、Ｔａ２０５の層３ｂ、ｗｏ５
の層３Ｃ、Ｔａ２Ｏ５の層４、Ｉｒ（ＯＮ）２の層６ｎ
、Ｔａ２０５の層６ｂ、Ｉｒ（ＯＭ）２の層Ｇｃを和層
Ｌ、エレク−＋クロミック勿＋と絶緑物質の層が交互に
配防された積層体を構成し、ぞの土にＡｕの半透明＋電
膜より成る第２電極５を月成した。これらの膜厚は、層
３ａが１５００Ａ層３ｂが３００人、／３ｃが８００Ａ
、層４が２５００Ｘ、層６ａが８００Ｘ、層６ｂが３０
０Ｘ、層６ｃが１５００人であった。
蒸着条件は真空度２．ＯＸ１０−５Ｔｏｒｒで蒸着速度
１０Ｘ／ｓｅｃであった。−だし、１ｒ（ＯＨ）２は反
応性スパッタで行なった。
１０Ｘ／ｓｅｃであった。−だし、１ｒ（ＯＨ）２は反
応性スパッタで行なった。
この様にして待られだ、−固体型エレクトロクロミック
不予を第１電極曲に２．２Ｖを印加シてお＜顛したとこ
ろ着色濃度がΔ０Ｄで０．５、応ネ速度が４００ｍｓｅ
ｃを？ることができた。
不予を第１電極曲に２．２Ｖを印加シてお＜顛したとこ
ろ着色濃度がΔ０Ｄで０．５、応ネ速度が４００ｍｓｅ
ｃを？ることができた。
−見例４
第５図に示す構造の全固体型エレク−−クロミンク素子
において、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１土に
、適当な引き−Ｌ電極部及びリード部を＋備えたＩＴＯ
膜上りなる第１電極２を形成し、卜の＋＋真空蒸着法に
よってＷＯ２の層３ａ、Ｔａ２Ｏ５の層３ｎ、ＷＯ５の
八３ｃ、ＺｒＯ２σ／３ｄ、ＷＯ３の層３ｅ、Ｔｓ２０
５の層１を桔層し、エレクトロクロツクツ物質と絶縁物
質の層が交互に配置された積層体を構成し、七の二にＡ
ｕの半透明導電模より戊る＋２電極５を形成した。こし
らの膜圧は、層１ａが２０００Ｘ、層３ｂが３００Ａ、
層３ｃが１０００Ａ、層３ｄが３００λ、／３ｅが１０
００λ、層４が３０００Ａであった。蒸着条件は、真空
度２．０Ｘ１０−５Ｔｏｒｒで蒸着速度は１０Ａ／ｓｅ
ｃであった。
において、厚さ０．７ｍｍの硼珪酸ガラスの基板１土に
、適当な引き−Ｌ電極部及びリード部を＋備えたＩＴＯ
膜上りなる第１電極２を形成し、卜の＋＋真空蒸着法に
よってＷＯ２の層３ａ、Ｔａ２Ｏ５の層３ｎ、ＷＯ５の
八３ｃ、ＺｒＯ２σ／３ｄ、ＷＯ３の層３ｅ、Ｔｓ２０
５の層１を桔層し、エレクトロクロツクツ物質と絶縁物
質の層が交互に配置された積層体を構成し、七の二にＡ
ｕの半透明導電模より戊る＋２電極５を形成した。こし
らの膜圧は、層１ａが２０００Ｘ、層３ｂが３００Ａ、
層３ｃが１０００Ａ、層３ｄが３００λ、／３ｅが１０
００λ、層４が３０００Ａであった。蒸着条件は、真空
度２．０Ｘ１０−５Ｔｏｒｒで蒸着速度は１０Ａ／ｓｅ
ｃであった。
この−にして告られた、全固体〜エレクトロクロミソク
素子を？１電極間に２．２Ｖを印力して駆動シたところ
、小色濃度がΔＯＤで０．４４、応答速ルが７００＋ｓ
ｅｃを得ることができた。
素子を？１電極間に２．２Ｖを印力して駆動シたところ
、小色濃度がΔＯＤで０．４４、応答速ルが７００＋ｓ
ｅｃを得ることができた。
以上説明したように、木発明によれば着色濃度および応
答速度の優オた、全円本型エレクトロクロミック素子が
得られる。
答速度の優オた、全円本型エレクトロクロミック素子が
得られる。
４ 図而の叡単奈疫明
第１図および第２図は従来の全固体型エレクトロクロミ
ック素子の２例を示す構造断面図、第３図、第４図およ
び第５図は、それぞれ、本発明による全固体型エレクト
ロクロミック！子の実施態様を示す構造断面図である。
ック素子の２例を示す構造断面図、第３図、第４図およ
び第５図は、それぞれ、本発明による全固体型エレクト
ロクロミック！子の実施態様を示す構造断面図である。
１・・・基板、 ２・・・第１＋枠、３・
・・エレクトロクロミックＭ、
・・エレクトロクロミックＭ、
Claims (1)
- ２、導電体膜上り成る第１電極と、陰極側発色層である
エレクトロクロミック層と、秀電本からなる！縁層と、
導電体膜よりなる第２市極を順次積層し、或いは上記の
絶縁層と第２電極の間にさらに陽極側発色層である第２
のエレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エレ
クトロクロミック素子において、上記の２つのエレクト
ロクロミック層の一方または両方を、膜厚の薄い同極の
エレクトロクロミック物質の層とそれらの間に配置され
た絶縁層の積層体によって構成したことを特徴とする全
敗体型エレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166088A JPS5955417A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166088A JPS5955417A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955417A true JPS5955417A (ja) | 1984-03-30 |
Family
ID=15824764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166088A Pending JPS5955417A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955417A (ja) |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57166088A patent/JPS5955417A/ja active Pending
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