JPS5954287A - 混成集積回路の保護装置 - Google Patents
混成集積回路の保護装置Info
- Publication number
- JPS5954287A JPS5954287A JP57165825A JP16582582A JPS5954287A JP S5954287 A JPS5954287 A JP S5954287A JP 57165825 A JP57165825 A JP 57165825A JP 16582582 A JP16582582 A JP 16582582A JP S5954287 A JPS5954287 A JP S5954287A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- hybrid integrated
- temperature
- semiconductor element
- output
- Prior art date
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)技術分野
本発明は混成集積回路の保護装置、特に熱的に検出を行
う惺砕装置A1に関する。
う惺砕装置A1に関する。
(ロ) 従来技術
出力回路の保護装置としては第1図に示す如く、コンプ
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧等、■を検出し、電圧等
、V;が一定値を超えると保砕回路が働いてコンプリメ
ンクリ−出力トランジスタを遮断する方法が採られて℃
・イ)。
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧等、■を検出し、電圧等
、V;が一定値を超えると保砕回路が働いてコンプリメ
ンクリ−出力トランジスタを遮断する方法が採られて℃
・イ)。
斯る方法では正常状態にも拘らず大信号入力時に出力回
路に過大電流がyllu ttて惺護回路力爾IJ作す
る場合がある。これは′r11圧検出方法による保護装
置は応答速I7!がきわめて速し・ことに起因している
0そこで出力トランジスタの発熱を検出して情i護回路
を動作させる方法を提案する。この方法に依才1は出力
トランジスタの発熱をIt知1゛4)ので大信号入力時
に保護回路が働(不都合を除去できろ。
路に過大電流がyllu ttて惺護回路力爾IJ作す
る場合がある。これは′r11圧検出方法による保護装
置は応答速I7!がきわめて速し・ことに起因している
0そこで出力トランジスタの発熱を検出して情i護回路
を動作させる方法を提案する。この方法に依才1は出力
トランジスタの発熱をIt知1゛4)ので大信号入力時
に保護回路が働(不都合を除去できろ。
その具体的構造を第2図に示す。アルミニウムの如き金
属基板(11)の表面に酸化アルミニウム膜の如き絶縁
t1・4層(12)を設けた混成44”、積回路基板(
1)上に銅箔よりなる導電路(2)を設け、導電路(2
)上にヒートシンク(3)を介して出力1’l’J ト
ランジスタ(4)を同着し、更に感温半導体素子(5)
は近隣の導電路(2)上に固着して℃・る。しかしなが
ら斯るTtM造では出力トランジスタ(4)の発熱はヒ
ー トシンク(3)→導電路(2)→絶縁薄層02→金
属基板(11)→絶線薄層圓→導電路(2)の経路で感
温半導体素子(5)に伝達さλLるので、検知時間も長
く且つ熱抵抗も大きくなり出力トランジスタ(4)の発
熱を正確に検出できない欠点がある。
属基板(11)の表面に酸化アルミニウム膜の如き絶縁
t1・4層(12)を設けた混成44”、積回路基板(
1)上に銅箔よりなる導電路(2)を設け、導電路(2
)上にヒートシンク(3)を介して出力1’l’J ト
ランジスタ(4)を同着し、更に感温半導体素子(5)
は近隣の導電路(2)上に固着して℃・る。しかしなが
ら斯るTtM造では出力トランジスタ(4)の発熱はヒ
ー トシンク(3)→導電路(2)→絶縁薄層02→金
属基板(11)→絶線薄層圓→導電路(2)の経路で感
温半導体素子(5)に伝達さλLるので、検知時間も長
く且つ熱抵抗も大きくなり出力トランジスタ(4)の発
熱を正確に検出できない欠点がある。
(ハ)発明の開示
不発1工1〕は切点に鑑みてなさiシ、良好な温度検出
方法による混成集積回路の保護装置を4是供するもので
ある。
方法による混成集積回路の保護装置を4是供するもので
ある。
本発明に依る混成集積回路の保6り6装置直は第3図に
示す如く、良熱伝導性金属基板01)の表面(lこ絶縁
薄層02)を設けた混成集積回路基板(1目二に所望の
導電路(2)を設け、導電路(2)上にヒートシンク(
3)を介して出力トランジスタ(11)を設け、出力ト
ランジスタ(4)の近傍の絶縁N層(I2)を除去(−
2て露1tl l、た基板(11)上に感温半導体素子
(5)を固>k L、出力トランジスタ(4)の発熱を
感温半導体素子(5)C検出して出力回路の電流を遮断
する様に構成されている。
示す如く、良熱伝導性金属基板01)の表面(lこ絶縁
薄層02)を設けた混成集積回路基板(1目二に所望の
導電路(2)を設け、導電路(2)上にヒートシンク(
3)を介して出力トランジスタ(11)を設け、出力ト
ランジスタ(4)の近傍の絶縁N層(I2)を除去(−
2て露1tl l、た基板(11)上に感温半導体素子
(5)を固>k L、出力トランジスタ(4)の発熱を
感温半導体素子(5)C検出して出力回路の電流を遮断
する様に構成されている。
(ロ)実施例
混成集積回路基板(1)は、アルミニウムの如き良熱伝
導性金属基根囲の表面を陽極酸化により生成した酸化ア
ルミニウムの如き絶縁薄層(12)で被覆して形成され
る。斯る混成集積回路基板(1)は放熱慴に富むので出
力回路の組込みに最適でス・)る。
導性金属基根囲の表面を陽極酸化により生成した酸化ア
ルミニウムの如き絶縁薄層(12)で被覆して形成され
る。斯る混成集積回路基板(1)は放熱慴に富むので出
力回路の組込みに最適でス・)る。
斯る混成集積回路基板(1)上には年1箔より成る導電
路(2)を所望のパターンにエツチングにより形成する
。
路(2)を所望のパターンにエツチングにより形成する
。
導電路(2)上にはヒートシンク(3)を介して出力ト
ランジスタ(4)を固着している。また出力トランジス
タ(4)の近傍の絶縁薄層(12)をエンドミルで研削
して基板的)を露出し、基板(叩上に感温半導体素子(
5)を銀ペーストで固着する。感温半導体素子(5)と
してはノリコンプレーナー型トランジスタあるし・はシ
リコンダイオード等を用いる。l)N接合のもつ一2m
V/pの温度係数を利用しているからである。
ランジスタ(4)を固着している。また出力トランジス
タ(4)の近傍の絶縁薄層(12)をエンドミルで研削
して基板的)を露出し、基板(叩上に感温半導体素子(
5)を銀ペーストで固着する。感温半導体素子(5)と
してはノリコンプレーナー型トランジスタあるし・はシ
リコンダイオード等を用いる。l)N接合のもつ一2m
V/pの温度係数を利用しているからである。
出力トランジスタ(4)の発熱は感温半導体素子(5)
で検出され、その出力で出力トランジスタ(4)を流れ
る電流を遮断する様に働く。具体的には出力トランジス
タ(4)とそのドライバ一段の間の電源ラインにリレー
(力を挿入し7て、感温半導体素子(5)の出力でこの
リレー(力を3#i 11;j’rする。
で検出され、その出力で出力トランジスタ(4)を流れ
る電流を遮断する様に働く。具体的には出力トランジス
タ(4)とそのドライバ一段の間の電源ラインにリレー
(力を挿入し7て、感温半導体素子(5)の出力でこの
リレー(力を3#i 11;j’rする。
第4図に更に具体化された保勲装(1〆1゛を示す。感
温半導体素子(5)としてI) N P l−ランジス
タを月1い、PNP)ランジスタのペースも、l−ツノ
−ノー−’(H,JEケ抵抗R7およびR2で分圧した
′電圧で191定の(、j、、護動作温度に対応してバ
イアスしていイ)。出力トランジスタ(4)の温度上昇
に伴いI)NI) )ランジスタのペースエミッタ電圧
V、1.が減少し設定電圧以下になると、PNPトラン
ジスタは導通しリレー(7)は遮断して出力トランジス
タ(4+(Jの電流を遮断する。
温半導体素子(5)としてI) N P l−ランジス
タを月1い、PNP)ランジスタのペースも、l−ツノ
−ノー−’(H,JEケ抵抗R7およびR2で分圧した
′電圧で191定の(、j、、護動作温度に対応してバ
イアスしていイ)。出力トランジスタ(4)の温度上昇
に伴いI)NI) )ランジスタのペースエミッタ電圧
V、1.が減少し設定電圧以下になると、PNPトラン
ジスタは導通しリレー(7)は遮断して出力トランジス
タ(4+(Jの電流を遮断する。
(ホ) 効果
本発明に依れば出力トランジスタ(4)(4)の過大電
流による発熱を感温半導体素子(5)で検出【7てい2
)ので、過大電流を検知するまでの若干の猶予ができ瞬
間的に大信号が入力されたときに1111 (:に;そ
れはな(なり過保護を防止できる。
流による発熱を感温半導体素子(5)で検出【7てい2
)ので、過大電流を検知するまでの若干の猶予ができ瞬
間的に大信号が入力されたときに1111 (:に;そ
れはな(なり過保護を防止できる。
更に感温半導体素子(5)は直接基板(11)に固着さ
れるので出力トランジスタ(4)の発熱を早(検知でき
確実に保護+lij作できる。
れるので出力トランジスタ(4)の発熱を早(検知でき
確実に保護+lij作できる。
更にまた従来用いた高ワツトのセメント抵抗を不要とし
、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に寄与する。
、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に寄与する。
第1Nは従来例’X i+S1’明する回路図、第2図
は従来の構造を説明する断面図、第31¥1は本発明の
詳細な説明する断面図、第4図は本発明の具体化さt’
tた保護装置aを説明する回路図で、15)る。 主な図番の説明 (1)・・・混成集積回路基板、 (,2)・・・4′
j1(j路、 (3)・・・ヒートシンク、(4)・・
・出力トランジスタ、(5)・・・感温半導体素子。
は従来の構造を説明する断面図、第31¥1は本発明の
詳細な説明する断面図、第4図は本発明の具体化さt’
tた保護装置aを説明する回路図で、15)る。 主な図番の説明 (1)・・・混成集積回路基板、 (,2)・・・4′
j1(j路、 (3)・・・ヒートシンク、(4)・・
・出力トランジスタ、(5)・・・感温半導体素子。
Claims (1)
- 1、良熱伝導性金属基板の表面に絶縁薄層を設けた混成
集積回路基板上に所望の導電路を設は該導電路上に出力
用半導体素子を設けた出力1回路を有する混成集積回路
において、前記出力用半導体素子の近傍の前記絶RR層
を除去して露出1−だ金属基板表面上に感温半導体素子
を伺%”(L、、ifl !!旧11力用半導体素子の
温度上昇を前記感温半2jj;休素子で検出して出力回
路の電流を遮断することを特徴とする混成集積回路の保
護装置f’f。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57165825A JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57165825A JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5954287A true JPS5954287A (ja) | 1984-03-29 |
JPH0355992B2 JPH0355992B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=15819711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57165825A Granted JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5954287A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5146254A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-20 | Nanba Press Kogyo Kk |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57165825A patent/JPS5954287A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5146254A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-20 | Nanba Press Kogyo Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0355992B2 (ja) | 1991-08-27 |
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