JPS5954032A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は磁気記録媒体に係り、さらＣユ詳しくはフレキ
シブルディスクタイプの磁気記録媒体に関するものであ
る。

従来技術 従来の磁気記録方式は、面内方向の磁化を利用したもの
が主流である。この記録方式を採用すると記録波長が短
かくなる程、記録媒体の残留時間（ユ作用する反磁界が
大きくなるという性質がある。

このため自己減磁の増大や媒体磁化の位相ずれによる損
失等が生じる欠点がある。

このような悪影響をなくし、高密度記録を可能にするに
は記録媒体の磁性層の保持力を高めるど共Ｃ二、磁性層
の厚みを薄くすることが不可欠であり、酸化鉄或いは合
金粉末等の磁性粉をバインダ中に分散させてコーティン
グを行なういわゆる塗布型のものから、バインダを存在
させない磁性層を有するいわゆる金属薄膜型の磁気記録
媒体が採用されるよう（−なった。

この金属薄膜型媒体は主として真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法等により作製され、サ
ブミクロン以下の極めて薄い磁性層を簡単に形成するこ
とが可能となった。

一方、上述した面内方向の磁化を利用した磁気記録方式
の他（−１高密度の磁気記録が可能な方式として磁性膜
面に対し垂直方向の磁化を利用した（３） 垂直磁気記録方式が提案されている。

この記録方式は記録波長が短かくなればなる程残留時間
（−作用する反磁界が減少するため、木質的に高密度記
録に適した方式である。この垂直磁気記録方式に用いら
れる磁性膜としては垂直磁気異方性を有するＣｏ−Ｃｒ
合金をスパッタリングした薄膜が知られている。

このよう（−１磁気記録分野Ｃユおける高密度化に伴な
い、磁気記録媒体として真空蒸着法やスパッタリング法
等の物理的手法（二より磁性層を薄く、かつ緻密に形成
した記録媒体或いは磁性層として垂直磁化膜を用いた垂
直磁気記録方式が主流（−なりつつある。

しかし、真空蒸着法やスパッタリング法等の物理的手段
により可撓性の高分子フイ）ｖムから成る支持体上の片
面に磁性層を形成する場合記録媒体がカールするという
欠点がある。

このカールの発生原因は金属磁性膜の持っている内部応
力が考えられるが、この他に真空蒸着法では蒸発源から
の輻射熱があり、スパッタリング（４） 法では基板の温度」二昇、基板への電子の衝突による衝
撃等に起因する熱的歪が主な原因と考えられている。

カールが生じた場合（二は、テープ状の磁気記録媒体で
は走行性が悪くなり、〜ラドタッチの不良のため、十分
な高密度の磁気記録、再生を行うことができないという
欠点を有する。

第１図（ａ）、　（ｂ）はそれぞれカールの状態を説明
するもので、両図中符号１はスパッタ法（ユより可撓性
高分子フィルムから成る支持体２の一方の側面に形成さ
れている。

第１図（ａ）は磁性層１を外側にしてカールした場合、
第１図（ｂ）は磁性層１を内側にしてカールを生じた場
合を示しである。

磁性層１をどちら側（ユしてカールするか否かは磁性層
１および支持体２としてどのような材料を使用するか（
ユよって異なり、また、磁性層１の生成条件、特（二生
成温度により異なる。

たとえば支持体２として７０μｍの厚さのポリエステル
フィルムを使用し、磁性層１として垂直磁は第１図（ａ
）に示すように磁性層１を外側Ｃ二してカールを生じる
。

従って、カールを生じさせないためには原理的（＝は何
等かの手段によって平面状態を支持する必要がある。

このような欠点を解消する方法として可撓性高分子フィ
ルムから成る支持体の両面（−磁性層を形成する方法が
考えられるが、この方法でカールを無くすためには磁性
層を形成するための厳密な作製条件のコントロールが必
要である。従って、手間がかかる上に高度な技術を必要
とし、さら（二支持体両面に金属磁性膜を形成すると記
録媒体としてかなり剛性が大きなものとなるため、たと
えばフロッピーディスクに用いられているような可撓性
のある磁気記録媒体としては不同きである。

一方、金属磁性薄膜を用いた磁気記録媒体としてアルミ
ニュウム等の金属性の合体基板上に磁性層を形成したハ
ードディスクタイプのものも提案されている。

このハードディスクタイプのものは記録面が回転むらや
振動の影響を受は易いため、ディスク装置として高精度
の回転機構を必要とし、合体基板表面の鏡面仕」二げ加
工が必要となり、製造−Ｉ−極めて手間がかかる。

さらにハードディスクタイプでは磁気ヘッドは磁性面（
ユ接触させないいわゆる浮動型ヘッドにしカ使工ず、こ
の結果記録面との間のスペーシングロス（二より自ら高
密度記録（ユ限界があるという欠点があった。

目　　的 本発明は以上のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、金属磁性薄膜を有するフレキシブルで極め
てカールの少ない高密度記録に適した磁気記録媒体を提
供することを目的としている。

本発明Ｃユおいては上記の目的を達成するために、（７
） 支持体よりも硬質の高分子層を形成した構造を採用した
。

以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細な説明す
る。

実施例 〔第１実施例〕 第２図は本発明の一実施例を説明するもので、図Ｃ−お
いて符号１で示すものは金属磁性薄膜から料、たとえば
ショア硬度りで高分子フィルム支持体２よりも２０〜３
０程大きな高分子材料から成る層である。

本実施例（二おいては、厚さ４０μｍのポリエステルフ
ィルム・から成る支持体２」二Ｃ−磁性層１として真空
蒸着法Ｃ二よりＣｏ−Ｎ１−Ｐ薄膜を約０３μｍ厚みに
形成した。この磁性層１を蒸着した状態では第１図（ａ
）　＋ユ示すように磁性層１を外側にしてカールを生じ
ている。

そこで、本実施例にあっては、磁性層１を定着（８） して形成した後、支持体２の磁性層１と反対側の側面（
二支持休２よりもやや硬質の８０μｍ程度の厚みを有す
る強化ポリエステルフィルムをラミネート加工（二より
接合させた。これが硬質高分子層３である。

このように硬質高分子層３を形成することによ凡 り、カールは見かけ上、←どなくなる事が確められた。

なお、ラミネート加工（二より接合させた硬質高分子層
３は、第１の実施例では厚さ８０μｍの強化ポリエステ
ルフィルムを用いたが、支持体２よりも硬質であれば、
ポリエチレン系、ポリカーボネイト系、ポリプロピレン
系、ポリイミド系、無過素塩化ビニール系の１種または
２種以」二から成る高分子フィルムを使用することが可
能であり、そのフィルムの厚みは１０〜２００μｍ、好
ましくは２０〜１２０μｍ程度が適当である。

また、ラミネートされた硬質高分子層３は支持体２Ｃ″
−用いた高分子フィルム（−比較してわずかに硬質であ
るが、ラミネートしたことによる記録媒体としての可撓
性はなお維持されたままであり、磁気記録媒体をフレキ
シブル磁気ディスク等として使用する場合Ｃ−も十分（
ユ耐え得るものである。

さら（二、ラミネート方法としては、オツドメルトラミ
ネート法、ドライラミネート法、ウェットラミネート法
、あるいは超音波接合、高周波接合等名種の方法が利用
できる。

また、上述した実施例（ユおいては、磁性層１を形成し
た支持体２へ硬質高分子層３をラミネート接合したが、
磁性層１を形成する前にラミネート接合を行なっても、
カールが大幅に減少するという効果は同一である。

〔第２実施例〕 本実施例Ｃ−おいては、支持体２として厚さ５０μｍの
ポリエステルフィルムを用い、このフィルム」二（ユ磁
性層１として真空蒸着法によりＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ薄膜を
約０．５μｍの厚さに形成した。この磁性層１を形成し
た状態では、第１図（イ）（ユ示すように、磁性層１を
外側じしてカールを生じている。

このよう（ユして磁性層１を形成した後、支持体２の磁
性層１の形成されていない側の側面にポリ塩化ビニール
樹脂を溶剤で溶かしたものを溶液流延法によって厚さ約
１００μｍ程度（二塗布形成し、８０℃（二で真空加熱
乾燥を行なって硬質高分子層３とした。

ポリ塩化ビニール樹脂を溶剤で溶かしたものは、たとえ
ばポリ塩化ビニールレジン５０Ｉ、可塑剤どしてフタル
酸ジオクチル１０ｇ、溶剤として■Ｋ（メチルエチルケ
トン）２５０ＣＣ，、）ルエン５０ＣＣを用いた。

このようＣ二して得られたものは、見かけ上はとんどカ
ールのない、かつ平面性に優れたものであった。

ところで、支持体２に形成した硬質高分子層３は第２の
実施例（ユおいては有機溶剤で溶融したポリ塩化ビニー
ル樹脂を用いたが、ビニール系樹脂のみならず、他の熱
可塑性樹脂、たとえばポリスチレン系、ポリエチレン系
、アクリル系、ナイロン系、セルロース系、ポリウレタ
ン系、ポリエステル系の１種または２種以上から成る熱
可塑性樹（１１） 脂、もしくはフェノール系、メラミン系、エポキシ系、
アルキド系、キシレン系、フラン系、シリコーン系、ジ
アリルフタレート系の１種または２種以」二から成る熱
硬化性樹脂を用いることもできる。

塗布形成せしめる層の厚みは１０〜２００μｍの範囲で
あれば良いが、好ましくは２０〜１５０μｍ程度が適当
である。

また、第２の実施例で用いられた高分子樹脂（ポリ塩化
ビニール樹脂）はＭＥＫ、　　トルエン等の有機溶剤で
溶融したが、この場合Ｃ二は支持体２として有機溶剤に
十分耐える材質を選ぶことが必要でての溶剤に耐えるこ
とができる。

また、熱可塑性樹脂を加熱溶融して支持体の裏面へ塗布
形成することも可能であるが、この場合（−は樹脂の溶
融温度が高分子フィルムから成る支持体２の溶融温度よ
りも十分低いことが必要となる。

（１２） 」二連した例では支持体２はポリエステルフィルムから
成りその溶融温度は２４０℃、ポリ塩化ビニールは約８
０℃であり、上述した用件をすべて満たしている。

〔第３実施例〕 第３図は本発明の第３の実施例を説明するもので、第３
図（二おいて磁性層１は厚さ５０μｍのポリエステルフ
ィルム支持体２上Ｃユ形成されており、かつ磁性層１の
上部層は垂直磁気異方性を有する厚さ０．５μｍのＣｏ
　−Ｃｒスパッタ薄膜、下層部は厚さ０．６μｍのＦｅ
−Ｎｉスパッタ薄膜から成っている。

従って、ポリエステルフィルム支持体２へ直接接してい
る層はＦｅ−Ｎｉスパッタ薄膜である。

また、硬質高分子層３は支持体２よりもやや硬質の塩化
ビニールフィルムから成り、このフィルムをラミネート
接合の接着力を強める為（二支持体２のラミネート面へ
接着剤、例えばテトラアルキルチタネート重合物を塗布
した厚さ１０〜２０μｍのいわゆるプライマーコート層
４を介してラミネート接合されている。

このプライマーコート層４を設けたこと（二より、支持
体２とラミネートフィルムである硬質高分子層３との接
着力が強まり、耐久性が著しく向上される。

このようにして得られた磁気記録媒体はほとんどカール
のない均一なものとなった。

ここで、第３の実施例（ユ示した磁気記録媒体の製造方
法について第４図（ａ）、　（ｂ）と共に説明する。

まず、ポリエステルフィルムから成る厚さ５０μｍの支
持体１の一方の面に磁性層１を形成する。

この磁性層１は前述したよう（ユ上層部は０．５μｍの
厚みのＣｏ−Ｃｒスパッタ薄膜、下層部は０．６μｍの
厚みのＦｅ−Ｎｉスパッタ薄膜から成る。

この上うＣユニ層構造から成る磁性層１と支持体２だけ
では第１図（ａ）に示すようＣ二磁性層側を外側にして
カールしてしまい、磁気ディスクとして使用できない。

そこで、磁性層１の表面をカバーフィルム２′で覆った
後、その表面及び支持体２の他方の側面を厚さ８０μｍ
のポリエステルフィルムをプライマ−コート層４を介し
てラミネートし、硬質高分子層３を形成する。

しかる後、第４図ら）に示すようにカバーフィルム２′
でラミネートされた部分、すなわち、磁性層１の支持体
２と反対側の層のすべてを剥離する。

このよう（−シて片面ラミネート状態のカールのない磁
気記録媒体を得ることができる。

このようにして得られた磁気記録媒体の素材を直径ｉ１
ｏｍｍの円形（−打ち抜き、フレキシブル磁気ディスク
とした。そして、第５図（−示すようにこの磁気ディス
ク１１をはさんで磁性層１１ａ側に主磁極１３を配置し
、硬質高分子層１１ｂ側（二補助磁極１４を配置し、駆
動装置１２により回転させ、垂直磁気記録方式（−より
記録再生を行ったところ、記録波長約０５μｍの高密度
磁気記録再生を効率良く行えた。

なお、上述した実施例はフレキシブルな磁気ディスクＣ
ユ適用するものとして説明したが、磁気テープ（二連用
した場合にも十分な効果が得られる。

効果 （１５） 以」二の説明から明らかなように本発明しよれば、可撓
性高分子フィルムから成る支持体の一方の側面に金属磁
性薄膜を形成し、他方の面に支持体よりも硬質の硬質高
分子層を形成した構造を採用している為、カールがほと
んど生じない磁気記録媒体を得ることができ、ヘッドタ
ッチが良好となり、高密度の磁気記録、再生に適した磁
気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）はカールの発生状態を示す説明
図、第２図及び第３図は本発明のそれぞれ異なった実施
例を説明する縦断側面図、第４図（ａ）、　（ｂ）は第
３１図に示す実施例の製造方法を示す説明図、第５図は
本発明（二なる磁気記録媒体を用いて記録再生を行う状
態を示す説明図である。 １・・・磁性層　　　　　　２・・・支持体３・・・硬
質高分子層　　　４・・・プライマーコート層１１・・
・磁気記録媒体　　　１２・・・駆動装置１３・・・主
磁極　　　　　１４・・・補助磁極（１６） 区　　　　　　　　　　　　　　　　　区Ｆ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ぐ・−Ｌ
−系先ネ市　−１Ｅ　書　（自効昭和５７年１２月２２
１］ 特ｔ１庁長官殿 ■、・１１件の表示 昭和　５７　年４□穎り願第　１６３１７０　　号２、
発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 名　　称　　　　　（１００）　　キャノン株式会社４
、代理人　　　　　電話　０３　（２６８）２４８１　
（イり明Ａ１１ｌｉ’ｆの発明の詳細な説明の欄６、補
正の内容 別紙の通り 補正の内容 ■）明細書第３頁第２行目の「残留時間」を「残留磁化
」に訂正する。 ２）同第４頁第３行目の「残留時間」を「残留磁化」に
訂正する。 ３）同第２０行目の「輻射熱があり、」を１幅用熱に基
づく基板の熱的歪み、また」に訂正する。 ４）同第５頁第１行目の「基板の温度上昇、」を削除す
る。 ５）同第２行１］の「熱的歪」を「基板の熱的歪」に訂
正する。 ６）同第１１行目の「形成されている。」を「形成され
た金属磁性層である。」に訂正する。 ７）同第６頁第１９行目の「合体」を「剛体」に訂正す
る。 ８）同第７頁第４行目の「合体」を「剛体」に訂正する
９）同第８頁第２０行目の「定着」を「蒸着」に訂正す
る。 １０）同第９頁第１３行目から第１４行目の「無過素塩
化ビニール」を「無可塑塩化ビニール」に訂正する。 １１）同ｔ５１０頁第４行目の「オットメル」を「ホッ
トメル」に訂１■二する。 １２）同第１４頁第１０行目の「支持体１」を「支持体
２」に訂正する。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）可撓性高分子フィルムから成る支持体の一方の側
   面に金属磁性薄膜を形成し、他方の側面に支持体より硬
   質の高分子層を形成したことを特徴とする磁気記録媒体
   。
2. （２）金属磁性薄膜としてＦｅ−ＣｏまたはＣｏ−Ｎｉ
   またはＣｏ−Ｃｒを主成分とする合金薄膜を用いたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
   。
3. （３）金属磁性薄膜として下層部（ユＦｅ−Ｎｉ合金薄
   膜を、上層部にＣｏ−Ｃｒ合金薄膜を形成した二層構造
   の合金薄膜を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の磁気記録媒体。
4. （４）硬質高分子層としてポリエチレン、ポリカーボネ
   イト、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリイミド、塩
   化ビニールの１種または２種以」−から成る高分子フィ
   ルムを厚さ２０〜１２０μｍのものな用いたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項〜第３項いずれか１項記載
   の磁気記録媒体。
5. （５）硬質高分子層としてビニール系、ポリスチレン系
   、ポリエチレン系、アクリル系、ナイロン系、セルロー
   ス系、ポリウレタン系、ポリエステル系の１種または２
   種以上から成る熱可塑性樹脂。 あるいはフェノール系、メラミン系、エポキシ系。 アルキド系、キシレン系、フラン系、シリコーン系、ジ
   アリルフタレート系の１種または２種以」−から成る熱
   硬化性樹脂を用い、支持体の一方の側面へ２０〜１５０
   μｍの厚み（−塗布形成したことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項〜第３項のいずれか１項（二記載の磁気記
   録媒体。