JPS5950176A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5950176A JPS5950176A JP16250682A JP16250682A JPS5950176A JP S5950176 A JPS5950176 A JP S5950176A JP 16250682 A JP16250682 A JP 16250682A JP 16250682 A JP16250682 A JP 16250682A JP S5950176 A JPS5950176 A JP S5950176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polymer film
- roll
- gun
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜を連続的にしわなく形成することを目的
としたスパッタリング装置に関するものである。
としたスパッタリング装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来スパッタリング装置は、マグネトロン方式により、
連続的に高速で、しかも基板温度上バを少なく薄膜の形
成が行なえるという特徴をいかして、高分子フィルムま
たは紙等の連続した基板上に金属膜等を連続形成するこ
とに用いられてきた。
連続的に高速で、しかも基板温度上バを少なく薄膜の形
成が行なえるという特徴をいかして、高分子フィルムま
たは紙等の連続した基板上に金属膜等を連続形成するこ
とに用いられてきた。
以下図面fg照し々がら、従来のスパッタリング装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
第1図は従来のスパッタリング装置の真空槽内部の構造
を示す正面図である。図において、1は円筒状のキャン
、2はキャン1に巻き付けられた高分子フィルム、3は
キャン1に対向して設置されたスパッタガンである。
を示す正面図である。図において、1は円筒状のキャン
、2はキャン1に巻き付けられた高分子フィルム、3は
キャン1に対向して設置されたスパッタガンである。
以上のよう々スパッタリング装置では、キャン1が一定
速度で回転することによって、キャン1に巻き付けられ
た高分子フィルム2が、スパッタガン3の上音一定速度
で通過するとき、スパッタガン3から飛び出した金属が
高分子フィルム2の上に付着することによって、高分子
フィルム2の上に連続的に金属膜を形成することができ
る。
速度で回転することによって、キャン1に巻き付けられ
た高分子フィルム2が、スパッタガン3の上音一定速度
で通過するとき、スパッタガン3から飛び出した金属が
高分子フィルム2の上に付着することによって、高分子
フィルム2の上に連続的に金属膜を形成することができ
る。
しかしながら、」1記のようなスパッタリンク装置て附
1、スパッタガン3からの輻射熱のために高分子フィル
ム2が、キャン1の回転方向つ−まり高分子フィルム2
の送り方向と1.そ、f′L、に垂直り幅方向に延びる
。しかしながら高分子フィルム2にはう(r、びてもた
るまないように、供給ロールと巻き取りロールの両方に
よって張力を加えであるため、送り方向の延びは吸収さ
れるが、幅方向の延びは、吸収されず、逆にjダり方向
の張力(でよって、送り方向にゝ1付1、つ寸り高分子
フィルム2の長さ方向に平行なしわを発生させるという
欠点をイ1していた。
1、スパッタガン3からの輻射熱のために高分子フィル
ム2が、キャン1の回転方向つ−まり高分子フィルム2
の送り方向と1.そ、f′L、に垂直り幅方向に延びる
。しかしながら高分子フィルム2にはう(r、びてもた
るまないように、供給ロールと巻き取りロールの両方に
よって張力を加えであるため、送り方向の延びは吸収さ
れるが、幅方向の延びは、吸収されず、逆にjダり方向
の張力(でよって、送り方向にゝ1付1、つ寸り高分子
フィルム2の長さ方向に平行なしわを発生させるという
欠点をイ1していた。
発明の目的
本発明は、以上のような従来の問題点を解決するために
なされたもので、従来のスパックリンク装置のように輻
射熱によるしわが発止しないスパッタリンク装置を提供
゛することを目的とする。
なされたもので、従来のスパックリンク装置のように輻
射熱によるしわが発止しないスパッタリンク装置を提供
゛することを目的とする。
発明の構成
(・発、flll・;による枯木構成は、円筒状のキャ
ンとスパッタカンとギ1゛1分J′フィルム供給ロール
と巻取りロールとをそなえ、キャンと高分子−フイシン
・との接触部分の中央より供給ロール側にスパッタガン
を設置し、スパッタリングして金属膜イー・1着後も、
高分子フィルムをキャンに十分接触さぜるようにL7し
わが発生しないようにしたものである。
ンとスパッタカンとギ1゛1分J′フィルム供給ロール
と巻取りロールとをそなえ、キャンと高分子−フイシン
・との接触部分の中央より供給ロール側にスパッタガン
を設置し、スパッタリングして金属膜イー・1着後も、
高分子フィルムをキャンに十分接触さぜるようにL7し
わが発生しないようにしたものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第2図は本発明の一実施例におけるスパックリンク装置
の真空槽内部の正面図である。円筒状のキャ711に1
供給ロール14から送り出された高分子フィルム12が
巻きつけられ1、さらに巻き取りロール15に巻き取ら
ね5る。このとき、キャン11の高分子フィルム12の
接触部の中央より供給ロール側の対向部にスパッタガン
13が1基設置されている。
の真空槽内部の正面図である。円筒状のキャ711に1
供給ロール14から送り出された高分子フィルム12が
巻きつけられ1、さらに巻き取りロール15に巻き取ら
ね5る。このとき、キャン11の高分子フィルム12の
接触部の中央より供給ロール側の対向部にスパッタガン
13が1基設置されている。
以]−のよう(/こ構成されたスパッタリンク装置りこ
ついて、以下その動作を説明する。供給ロール14から
送り出された高分子フィルム12は、キャン11に巻き
つけられ、キャン11が一定速1埃て回転しているため
、巻きつけられた高分子フィルム12は一定速度で送ら
れて、巻取りローラVC巻きとら)1−7:Doこのと
き、高分子フィルム12ti、キャン11に対向して設
置されているスパッタガン13のにヲ通過j〜て、金属
膜が連続的に形成される。この金属膜形成後も高分子フ
ィルム12は、キャン11VrC巻きついており、その
後、巻き取りロールに巻き取られる。
ついて、以下その動作を説明する。供給ロール14から
送り出された高分子フィルム12は、キャン11に巻き
つけられ、キャン11が一定速1埃て回転しているため
、巻きつけられた高分子フィルム12は一定速度で送ら
れて、巻取りローラVC巻きとら)1−7:Doこのと
き、高分子フィルム12ti、キャン11に対向して設
置されているスパッタガン13のにヲ通過j〜て、金属
膜が連続的に形成される。この金属膜形成後も高分子フ
ィルム12は、キャン11VrC巻きついており、その
後、巻き取りロールに巻き取られる。
以上のような実施例によれば、金属膜形成中のスパッタ
ガン130輻射熱によって、高分子フィルム12が長さ
方向および幅方向に延びても、キャン1に長く巻きつい
ているために、巻き取りロール15の張力が、緩和され
平均化されて高分子フィルム12に加わるため、しわが
発生することなく連続的に金属1漠の形成を行なうこと
ができる。
ガン130輻射熱によって、高分子フィルム12が長さ
方向および幅方向に延びても、キャン1に長く巻きつい
ているために、巻き取りロール15の張力が、緩和され
平均化されて高分子フィルム12に加わるため、しわが
発生することなく連続的に金属1漠の形成を行なうこと
ができる。
な2、スパッタガンは、1基と限らず、第3図に示すよ
うに2基のスパッタガン13A、13Bを設けてもよい
。なお、第3図(・て2いて、第2図の実施例と同じ部
分V?Cは同じ符号を付し、その説明(弓、省く1、こ
つよう(・て構成することによって、多層金属i14.
tを同時にしかもしわなく形成することかできる。
うに2基のスパッタガン13A、13Bを設けてもよい
。なお、第3図(・て2いて、第2図の実施例と同じ部
分V?Cは同じ符号を付し、その説明(弓、省く1、こ
つよう(・て構成することによって、多層金属i14.
tを同時にしかもしわなく形成することかできる。
また、以上の実施例では、キャ/11の温度を規定しな
かったが、高分子フィルム12として、ポリエステルフ
ィルムを用いた場合には、キャン11の温度を80〜1
40’GK(呆っておくことによって、スパッタガン1
30輻射熱によって延びた高分子フィルム12が、途々
に冷却さノ9.るためしわが1つたく発生せず、連続的
に金属膜形成を行なうことができる。
かったが、高分子フィルム12として、ポリエステルフ
ィルムを用いた場合には、キャン11の温度を80〜1
40’GK(呆っておくことによって、スパッタガン1
30輻射熱によって延びた高分子フィルム12が、途々
に冷却さノ9.るためしわが1つたく発生せず、連続的
に金属膜形成を行なうことができる。
発明の詳細
な説明したように本発明は、供給ロールから送り出され
た高分子フィルムがと円筒状のキャンとの接触部分の中
央より供給ロール側のギ・、・ンとの対向部にスパッタ
ガンがあるため、スパッタガンの輻射熱によって高分子
フィルムが延びても、高分子フィルムはキャンに長く巻
きつくことになり、巻き取りロールの張力を緩和し平均
化することによって、高分子フィルムの長さ方向に平行
なしわが発生しないという優ハ、た効果がr)られる。
た高分子フィルムがと円筒状のキャンとの接触部分の中
央より供給ロール側のギ・、・ンとの対向部にスパッタ
ガンがあるため、スパッタガンの輻射熱によって高分子
フィルムが延びても、高分子フィルムはキャンに長く巻
きつくことになり、巻き取りロールの張力を緩和し平均
化することによって、高分子フィルムの長さ方向に平行
なしわが発生しないという優ハ、た効果がr)られる。
第1区は従来のスパッタリング装置の真空41□ij内
部の正面図、第2図および第3図は本発明の実施例にお
けるスパッタリンク装置の真空セフ1+内部の正面図で
ある。 1.11・・・東]筒状キャン、2,12・・・・・高
分子フィルム、3,13.13A;13B・・・・スパ
ッタガン、4.14・・・・・供給ロール、5.15
・・・巻き取りロール。 代Jjlj人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1
名h 第 2 口 5 [33図 476
部の正面図、第2図および第3図は本発明の実施例にお
けるスパッタリンク装置の真空セフ1+内部の正面図で
ある。 1.11・・・東]筒状キャン、2,12・・・・・高
分子フィルム、3,13.13A;13B・・・・スパ
ッタガン、4.14・・・・・供給ロール、5.15
・・・巻き取りロール。 代Jjlj人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1
名h 第 2 口 5 [33図 476
Claims (2)
- (1)真空槽内に円筒状のキャンを設け、供給ロールか
ら送り出される高分子フィルムが前記キャンに接触し、
巻き取りロールに巻き取られ るように構成され、かつ
前記キャンと高分子フィルムとの接触部の中火より供給
ロール側に前記キャンに対向してスパッタガンを配置し
たことを特徴とするスパッタリング装置。 - (2)高分子フィルムとしてポリエステルフィルムを用
い、前記キャンの温度を80〜140°Cとすることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスパッタリング
装置0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16250682A JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16250682A JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5950176A true JPS5950176A (ja) | 1984-03-23 |
JPH0258351B2 JPH0258351B2 (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=15755911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16250682A Granted JPS5950176A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5950176A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101663A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | Apparatus for forming thin film |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16250682A patent/JPS5950176A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101663A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Olympus Optical Co Ltd | Apparatus for forming thin film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0258351B2 (ja) | 1990-12-07 |
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