JPS5950168A - 研磨層の製造方法 - Google Patents
研磨層の製造方法Info
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- JPS5950168A JPS5950168A JP15965282A JP15965282A JPS5950168A JP S5950168 A JPS5950168 A JP S5950168A JP 15965282 A JP15965282 A JP 15965282A JP 15965282 A JP15965282 A JP 15965282A JP S5950168 A JPS5950168 A JP S5950168A
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- silicon oxide
- gas
- polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に゛タイアモントやサファイア等の硬脆性
材の微細な研磨加工を行う研磨層に使用される酸化ケイ
素からなる研磨層の製造方法に関するものである。
材の微細な研磨加工を行う研磨層に使用される酸化ケイ
素からなる研磨層の製造方法に関するものである。
例えは、ヒテオティスクプレーヤにおいて使用される再
生針の先端は、ヒデオティスクのスパイラル／Ｉ１１冒
こ圧接し、相対的に高速走行するために、ダイアモンド
やサファイア等の耐摩耗性の高い硬脆性４／１′Ａ！＝
Ｉにより作られている。この再生針の製造において、研
磨層を使用する加工工程は数工程あるか、その一つに平
坦加工がある。これは、第１図に示すように、直径０．
２ ｍｍ程度の微小な硬脆性４Ａ’ Ｉをシャンク２の
先端にろう付けし、機械研磨により三角錐の形状にして
から、シャンク２を高速回転する研磨層３に押し付けて
、−］−記硬脆性材１を含む先端を平坦状に研磨加工す
る工程である。
生針の先端は、ヒデオティスクのスパイラル／Ｉ１１冒
こ圧接し、相対的に高速走行するために、ダイアモンド
やサファイア等の耐摩耗性の高い硬脆性４／１′Ａ！＝
Ｉにより作られている。この再生針の製造において、研
磨層を使用する加工工程は数工程あるか、その一つに平
坦加工がある。これは、第１図に示すように、直径０．
２ ｍｍ程度の微小な硬脆性４Ａ’ Ｉをシャンク２の
先端にろう付けし、機械研磨により三角錐の形状にして
から、シャンク２を高速回転する研磨層３に押し付けて
、−］−記硬脆性材１を含む先端を平坦状に研磨加工す
る工程である。
この研磨層３は、研磨時における被研磨材のチッピ／り
を防ぐため、塩化ヒニルのような弾性を有する研磨層下
地部４に酸化ケイ素化合物等の研磨層を蒸着して研磨層
５を形成したものである。イｉＪ１磨層としての酸化ケ
イ素膜の製造方法としては、飛、１′開昭５５−７６０
５９壮公報で提案されている。これは、第２図に示すよ
うなグロー放電装置を用いたものである。すなわち、反
応気体［有］入口１０．１１．１２からモノンランＳｉ
０．１と酸素０２あるいは酸素を含む気体化合物を真空
槽７内に導き、電極９と電極１４の間に電源８により高
周波電圧を印加することによりグロー放電を発生さぜ、
研磨層丁地皿１；３七に酸化ケイ素膜を形成している。
を防ぐため、塩化ヒニルのような弾性を有する研磨層下
地部４に酸化ケイ素化合物等の研磨層を蒸着して研磨層
５を形成したものである。イｉＪ１磨層としての酸化ケ
イ素膜の製造方法としては、飛、１′開昭５５−７６０
５９壮公報で提案されている。これは、第２図に示すよ
うなグロー放電装置を用いたものである。すなわち、反
応気体［有］入口１０．１１．１２からモノンランＳｉ
０．１と酸素０２あるいは酸素を含む気体化合物を真空
槽７内に導き、電極９と電極１４の間に電源８により高
周波電圧を印加することによりグロー放電を発生さぜ、
研磨層丁地皿１；３七に酸化ケイ素膜を形成している。
この方法によれば、酸化ケイ素膜研磨層をプラスチック
、金属、カラス等に形成できるが、高い研磨性を保ちな
から、耐熱性のない、例えは４５℃以下の温度で製膜す
る必要性のある塩化ビニルを被膜することは、はなはた
困つ１１１である。一方、塩化ビニルのような耐熱性の
ない研磨層下地部」−に酸化ケイ素膜を得る方法として
、５ｉ０２を蒸着源とし、これを電子線加熱することに
より酸化ケイ素膜を得る電子線蒸着法や、Ｓｉを蒸着源
として酸素雰囲気中で蒸着する反応性蒸着法がある。し
かし、これらの方法では、Ｓ１過剰となるばかりか水を
含み、基板とのＪ、ｔ、着性も悪い。また、Ｓｌを酸素
プラズマ中で蒸着する方法も考えられるが、４５℃以下
ではＳ１過剰となる。
、金属、カラス等に形成できるが、高い研磨性を保ちな
から、耐熱性のない、例えは４５℃以下の温度で製膜す
る必要性のある塩化ビニルを被膜することは、はなはた
困つ１１１である。一方、塩化ビニルのような耐熱性の
ない研磨層下地部」−に酸化ケイ素膜を得る方法として
、５ｉ０２を蒸着源とし、これを電子線加熱することに
より酸化ケイ素膜を得る電子線蒸着法や、Ｓｉを蒸着源
として酸素雰囲気中で蒸着する反応性蒸着法がある。し
かし、これらの方法では、Ｓ１過剰となるばかりか水を
含み、基板とのＪ、ｔ、着性も悪い。また、Ｓｌを酸素
プラズマ中で蒸着する方法も考えられるが、４５℃以下
ではＳ１過剰となる。
従って、」１記の各方法で形成した酸化ケイ素膜には、
砥粒となるＳ】０２の含有量か少なく、研磨層としては
優れていない。
砥粒となるＳ】０２の含有量か少なく、研磨層としては
優れていない。
本発明の目的は、」二足した従来技術の欠点をなくし、
ダイアモンドやサファイア等の硬脆性材料に対する研磨
性か高く、かつ長寿命な研磨層の製造方法を提供するに
ある。上記目的を達成するため、本発明では、研磨層相
の蒸着利料として酸化ケイ素５ｉＯ＝のうち、０．８≦
Ｘ≦１．５なる組成のものを選び、さらに反応気体とし
ては酸素と酸素化合物気体との混合気体を用い、酸素化
合物気体を分解し、反応を促進するためにグロー放電を
用いている。すなわち、前記酸化ケイ素５ｊＯＸを加熱
することにより発生した蒸気流とプラズマによって活性
化した酸素とを反応させる際、０２より解離エネルギの
小さな酸素化合物気体を添加しておくことにより、より
活性な酸素を発生させ、前記蒸気流の酸化反応を促進し
て、酸化ケイ素膜よりなる研磨層をｆ＋ＪＦ磨層下地皿
−１−に蒸着形成することを特徴としている。
ダイアモンドやサファイア等の硬脆性材料に対する研磨
性か高く、かつ長寿命な研磨層の製造方法を提供するに
ある。上記目的を達成するため、本発明では、研磨層相
の蒸着利料として酸化ケイ素５ｉＯ＝のうち、０．８≦
Ｘ≦１．５なる組成のものを選び、さらに反応気体とし
ては酸素と酸素化合物気体との混合気体を用い、酸素化
合物気体を分解し、反応を促進するためにグロー放電を
用いている。すなわち、前記酸化ケイ素５ｊＯＸを加熱
することにより発生した蒸気流とプラズマによって活性
化した酸素とを反応させる際、０２より解離エネルギの
小さな酸素化合物気体を添加しておくことにより、より
活性な酸素を発生させ、前記蒸気流の酸化反応を促進し
て、酸化ケイ素膜よりなる研磨層をｆ＋ＪＦ磨層下地皿
−１−に蒸着形成することを特徴としている。
以下、本発明の詳細な説明する。ダイアモンドやサファ
イア等の硬脆性イ′）Ｊ別の研磨層の研磨層下地部とし
ては、研磨１１１のチッピング防止や研磨溝を有する下
地皿の量産性から、耐熱性の乏しい有機材料を用いるこ
とが多い。従って、硬脆訃イ２料の研磨において、被加
工物と砥粒との間の反応か重要な役割を果たしていると
考えると、反応性に富む５ｉ０２超微小粒を高密度で含
み、水含有量の小さい酸化ケイ素膜を低温（研磨層下地
部として塩化ビニルを用いる場合４５℃以下）で、下地
皿との接着性を失わすに形成する必要かある。本願発明
者らは先に、０．８≦Ｘ≦１５なる組成範囲の酸化ケイ
素５１０Ｘを蒸着源とし、酸素プラズマを用いた反応性
蒸着法によって形成した酸化ケイ素膜か１−述した研磨
層としての条件を満たすことを見いたし、特許出願した
。しかし、この方法は、反応気体と放電持続気体カ月ｊ
１１−であることから、プロセス安定性に問題かあり、
形成した酸化ケイ素膜の酸化度が低く、バッチごとてハ
ラつ（等改善しなければならない問題も含んでいた。そ
こで、本発明では、酸素プラズマ１−１舅と酸素より解
ｆ’：ｌｌＪエネルギの小さい酸素化合物気体、例えは
Ｈ２Ｏを添加することにより反応性に富むＯを発生させ
、酸化ケイ素の酸化反応を促進することによって、酸化
度低下による研磨性低下およびバッチ間の酸化ケイ素膜
の膜質のバラつきを小さなものとしている。
イア等の硬脆性イ′）Ｊ別の研磨層の研磨層下地部とし
ては、研磨１１１のチッピング防止や研磨溝を有する下
地皿の量産性から、耐熱性の乏しい有機材料を用いるこ
とが多い。従って、硬脆訃イ２料の研磨において、被加
工物と砥粒との間の反応か重要な役割を果たしていると
考えると、反応性に富む５ｉ０２超微小粒を高密度で含
み、水含有量の小さい酸化ケイ素膜を低温（研磨層下地
部として塩化ビニルを用いる場合４５℃以下）で、下地
皿との接着性を失わすに形成する必要かある。本願発明
者らは先に、０．８≦Ｘ≦１５なる組成範囲の酸化ケイ
素５１０Ｘを蒸着源とし、酸素プラズマを用いた反応性
蒸着法によって形成した酸化ケイ素膜か１−述した研磨
層としての条件を満たすことを見いたし、特許出願した
。しかし、この方法は、反応気体と放電持続気体カ月ｊ
１１−であることから、プロセス安定性に問題かあり、
形成した酸化ケイ素膜の酸化度が低く、バッチごとてハ
ラつ（等改善しなければならない問題も含んでいた。そ
こで、本発明では、酸素プラズマ１−１舅と酸素より解
ｆ’：ｌｌＪエネルギの小さい酸素化合物気体、例えは
Ｈ２Ｏを添加することにより反応性に富むＯを発生させ
、酸化ケイ素の酸化反応を促進することによって、酸化
度低下による研磨性低下およびバッチ間の酸化ケイ素膜
の膜質のバラつきを小さなものとしている。
また、酸化ケイ素研磨層の製造プロセスの安定化を図る
ためには、放電持続気体と反応気体とを分１亜ずれは良
い。すなわち、蒸着源から発生する蒸気流の蒸発速度、
プラズマ形成電力、基板（研磨層下地肌）温度が決まれ
ば反応にあずかる酸素原子の数はほぼ決定されるので、
反応に必要な流量の反応気体と、安定なグロー放電を励
起することのできる圧力を達成する程度の流量の酸素よ
りもイオン化ボテンンアルの高い気体（例えばＡｒ）と
の混合気体を真空槽内に導入し、高周波グロー放電の安
定化を実現できる。これか、特許請求の範囲第３項の内
容である。
ためには、放電持続気体と反応気体とを分１亜ずれは良
い。すなわち、蒸着源から発生する蒸気流の蒸発速度、
プラズマ形成電力、基板（研磨層下地肌）温度が決まれ
ば反応にあずかる酸素原子の数はほぼ決定されるので、
反応に必要な流量の反応気体と、安定なグロー放電を励
起することのできる圧力を達成する程度の流量の酸素よ
りもイオン化ボテンンアルの高い気体（例えばＡｒ）と
の混合気体を真空槽内に導入し、高周波グロー放電の安
定化を実現できる。これか、特許請求の範囲第３項の内
容である。
以下、本発明による研磨層の製造方法の実施例を説明す
る。
る。
〔実施例１〕
第：３図に、本発明による研磨層の製造を可能にするに
置の−・例を示す。以下、これについて説明する。まず
、排気口２７を通じて１刈Ｑ−”Ｐａ以下の圧力まで、
拡散ポンプ等の真空排気系（図示せず）により真空槽２
０内を排気する。また、蒸着用るつぼ２５には、蒸着源
２４として酸化ケイ素ＳｉＯ＼（０８≦Ｘ ＜１．５）
をチャージしておき、それと対向した位置にある基板ホ
ルダ２１上に研磨層下地肌２２を設置する。酸素を気体
導入口２つより、また酸素化合物気体を気体導入口３０
より、それぞれ気体混合器３１に導入して混合し、気体
導入口２８を通して真空槽２０内に導く。ついて、高周
波コイル２３により高周波（例えば１３．５６ ＭＨｚ
）電界を印加し、クロー放電を励起する。電子銃２６
により前記蒸着源２４を電子線加熱することにより蒸発
させ、発生した蒸気流と前記クロー放電によって活性化
した酸素および酸素化合物気体が分解することにより発
生した活性酸素とを反応さぜ、前記研磨層下地肌２２−
Ｊ−，に酸化ケイ素からなる研磨層を形成させる。この
場合、前記蒸気流と酸素の化合により、真空槽内の圧力
が低下するが、圧力が１．３３ Ｘ １Ｏ−４Ｐａ −
０，０３Ｐａになるように反応気体の導入量を調整し、
クロー放電の安定化を図る。
置の−・例を示す。以下、これについて説明する。まず
、排気口２７を通じて１刈Ｑ−”Ｐａ以下の圧力まで、
拡散ポンプ等の真空排気系（図示せず）により真空槽２
０内を排気する。また、蒸着用るつぼ２５には、蒸着源
２４として酸化ケイ素ＳｉＯ＼（０８≦Ｘ ＜１．５）
をチャージしておき、それと対向した位置にある基板ホ
ルダ２１上に研磨層下地肌２２を設置する。酸素を気体
導入口２つより、また酸素化合物気体を気体導入口３０
より、それぞれ気体混合器３１に導入して混合し、気体
導入口２８を通して真空槽２０内に導く。ついて、高周
波コイル２３により高周波（例えば１３．５６ ＭＨｚ
）電界を印加し、クロー放電を励起する。電子銃２６
により前記蒸着源２４を電子線加熱することにより蒸発
させ、発生した蒸気流と前記クロー放電によって活性化
した酸素および酸素化合物気体が分解することにより発
生した活性酸素とを反応さぜ、前記研磨層下地肌２２−
Ｊ−，に酸化ケイ素からなる研磨層を形成させる。この
場合、前記蒸気流と酸素の化合により、真空槽内の圧力
が低下するが、圧力が１．３３ Ｘ １Ｏ−４Ｐａ −
０，０３Ｐａになるように反応気体の導入量を調整し、
クロー放電の安定化を図る。
第４図に、酸素化合物気体としてｌ−Ｉ２０を用いた場
合の赤外スペクトルを示す。導入気体としてＯ７のみを
用いたのかＡで、さらにＩ２０を添加したのかＢである
。吸収ピーク４］がＳｉ−○結合ホントの伸縮振動吸収
を示し、ピークの位置が酸化ケイ素の化学量論組成に依
存する。吸収ピーク４２はＳｉＣ２に特徴的なピ一つて
あり、４３はＳｉ−○−８１結合ホントの変角振動吸収
ピークを示している。吸収ピーク４２は１Ｂの方がＡよ
り高エネルギ側に存在するとともに、スペクトル全体の
形状もＳｉＣ２に類似したものとなっている。このこと
より、Ａに比べてＢの方の酸化度か−にかり、５ｉ０２
に近くなっていることがわかる。
合の赤外スペクトルを示す。導入気体としてＯ７のみを
用いたのかＡで、さらにＩ２０を添加したのかＢである
。吸収ピーク４］がＳｉ−○結合ホントの伸縮振動吸収
を示し、ピークの位置が酸化ケイ素の化学量論組成に依
存する。吸収ピーク４２はＳｉＣ２に特徴的なピ一つて
あり、４３はＳｉ−○−８１結合ホントの変角振動吸収
ピークを示している。吸収ピーク４２は１Ｂの方がＡよ
り高エネルギ側に存在するとともに、スペクトル全体の
形状もＳｉＣ２に類似したものとなっている。このこと
より、Ａに比べてＢの方の酸化度か−にかり、５ｉ０２
に近くなっていることがわかる。
第５図に、酸素化合物として添加したｌ−Ｉ２０の分圧
と、ビテオディスク用のダイアモンド再生針に対する研
磨能率との関係を示す。ここで、研磨能率とは、被加工
針を所定の荷重で押え、研磨皿を所定の速度で回転させ
、被加工針の研磨皿に対する相え１的な走行距剣、があ
る所定の値に達したときの液加１．１１の研ｊ刊量であ
る。ｆｉＪＦ １！”ｉ層形成１１１Ｊの月、力はずへ
て酸素導入量を調整し、０．０１ Ｐａとなるようにし
ている。図から、ト■２０添加により研１ｊｔｉ能率か
太き（なっていくことがわかるか、添加−１１１をあま
り増やすと酸化ケイ素の水含イＪＦにか増えるのに対し
て研磨能率か下かる。従って、Ｉ２０添加ｊ１（：には
適量範囲があるが、導入する０２の圧力、高周波電力、
酸化ケイ素膜の形成速度等により決定する必要がある。
と、ビテオディスク用のダイアモンド再生針に対する研
磨能率との関係を示す。ここで、研磨能率とは、被加工
針を所定の荷重で押え、研磨皿を所定の速度で回転させ
、被加工針の研磨皿に対する相え１的な走行距剣、があ
る所定の値に達したときの液加１．１１の研ｊ刊量であ
る。ｆｉＪＦ １！”ｉ層形成１１１Ｊの月、力はずへ
て酸素導入量を調整し、０．０１ Ｐａとなるようにし
ている。図から、ト■２０添加により研１ｊｔｉ能率か
太き（なっていくことがわかるか、添加−１１１をあま
り増やすと酸化ケイ素の水含イＪＦにか増えるのに対し
て研磨能率か下かる。従って、Ｉ２０添加ｊ１（：には
適量範囲があるが、導入する０２の圧力、高周波電力、
酸化ケイ素膜の形成速度等により決定する必要がある。
」―記のように、酸素からなるクロー放電中にＩ２０を
添加することにより、酸化度の大きな酸化ケイ素膜を４
５℃以Ｆの低温ても形成てきるようになり、ダイアモン
ドに対する研磨性の高い研磨１１１ｔを提供てきるよう
になる。同様の効果は、酸素の解離工不ルキより低い解
１汀１１エイ、ルキを有する酸素化合物気体を酸素から
なるクロＪｊ’１．市中に添加することによって得られ
るか、Ｉ２０、■１２０２、Ｎ２０、ＮＯ２の場合か効
果的である。なお、Ｎ２０、ＮＯ２を用いた場合には、
形成した酸化ケイ素膜の水分計有量を減少させるという
効果もある。
添加することにより、酸化度の大きな酸化ケイ素膜を４
５℃以Ｆの低温ても形成てきるようになり、ダイアモン
ドに対する研磨性の高い研磨１１１ｔを提供てきるよう
になる。同様の効果は、酸素の解離工不ルキより低い解
１汀１１エイ、ルキを有する酸素化合物気体を酸素から
なるクロＪｊ’１．市中に添加することによって得られ
るか、Ｉ２０、■１２０２、Ｎ２０、ＮＯ２の場合か効
果的である。なお、Ｎ２０、ＮＯ２を用いた場合には、
形成した酸化ケイ素膜の水分計有量を減少させるという
効果もある。
〔実施例２〕
酸素プラスマのみて酸化ケイ素研磨層を形成する際の５
ｉＯ＝ （０，８≦ｘ＜１．５）蒸発源から発生した蒸
気流の酸素ケツタ量か圧力換算で０．Ｏｌ Ｐａの場合
に本発明による製造方法を適用する。この場合、ます０
２を０．０１． Ｐａとなるように導入し、ついて不活
性気体例えは八ｒを導入し、クロー放電を励起する。Ａ
ｒ圧力を調整することにより真空槽内の圧力を一定にす
る。酸素のみを導入した場合には、蒸発源からの突ｄｊ
；や真空槽内壁からのフレーク等により放電か不安定と
なり、研磨性の優れた研磨層を提供できなくなることか
ある。それに対し、本発明を適用することにより、突沸
等が起こっても酸素のケッタ量か０．０１ Ｐａ相当と
限られるため圧力変動も小さくなり、クロー放電か安定
する。このため、バッチごとの酸化ケイ素研磨層の膜質
変化も小さなものとなり、例えは、尋人気体として０２
のみを用いた場合の研磨層の研磨能率か、５割近く変動
することかあったか、本発明の適用により２割弱とする
ことかできた。
ｉＯ＝ （０，８≦ｘ＜１．５）蒸発源から発生した蒸
気流の酸素ケツタ量か圧力換算で０．Ｏｌ Ｐａの場合
に本発明による製造方法を適用する。この場合、ます０
２を０．０１． Ｐａとなるように導入し、ついて不活
性気体例えは八ｒを導入し、クロー放電を励起する。Ａ
ｒ圧力を調整することにより真空槽内の圧力を一定にす
る。酸素のみを導入した場合には、蒸発源からの突ｄｊ
；や真空槽内壁からのフレーク等により放電か不安定と
なり、研磨性の優れた研磨層を提供できなくなることか
ある。それに対し、本発明を適用することにより、突沸
等が起こっても酸素のケッタ量か０．０１ Ｐａ相当と
限られるため圧力変動も小さくなり、クロー放電か安定
する。このため、バッチごとの酸化ケイ素研磨層の膜質
変化も小さなものとなり、例えは、尋人気体として０２
のみを用いた場合の研磨層の研磨能率か、５割近く変動
することかあったか、本発明の適用により２割弱とする
ことかできた。
〔実施例３−研磨層の応用例〕
第６図にビデオディスクプレーヤにおいて使用される再
生針先端の研磨例を示す。すなわち、出生針は、ダイア
モンドスタイラスを（ｉｌ→６？→６３の順に研磨する
ことによって得られる。この場合使用される研磨層の研
磨層を本発明による製造方法（こよって形成することに
より、６１→６２を５秒以内、６２→６３を１０秒前後
で研磨することが可能となった。
生針先端の研磨例を示す。すなわち、出生針は、ダイア
モンドスタイラスを（ｉｌ→６？→６３の順に研磨する
ことによって得られる。この場合使用される研磨層の研
磨層を本発明による製造方法（こよって形成することに
より、６１→６２を５秒以内、６２→６３を１０秒前後
で研磨することが可能となった。
なお、この研磨層は、ダイアモンドはかりてなくザファ
イア等の他の硬脆性利料の研磨に適用できる。また、研
磨層下地皿に種々の形状の加Ｉ−溝を設けることにより
、硬脆性材料の先端を種々の形状に加工することかでき
る。
イア等の他の硬脆性利料の研磨に適用できる。また、研
磨層下地皿に種々の形状の加Ｉ−溝を設けることにより
、硬脆性材料の先端を種々の形状に加工することかでき
る。
以−１−説明したように、本発明による製造方法によれ
は、４５℃以下の低温でも、酸化度か高（Ｓｉ○２成分
の多い酸化ケイ素膜からなる研磨層を形成できるように
なるとともに、製造プロセスの安定化か迷成てき、Ｓｉ
Ｏｘ （０，８＜ ｘ ＜ １．５ ）なる酸化ケイ素
の蒸着源と酸素プラスマを用いて作製した、従来、クイ
アモント等の硬脆性イＡイ′１に７・］する研磨性か最
も（Ｒれていた研ＩＳ’ｒ冊に比べて、１，５倍の研磨
性のある研磨層を提供することかできる。
は、４５℃以下の低温でも、酸化度か高（Ｓｉ○２成分
の多い酸化ケイ素膜からなる研磨層を形成できるように
なるとともに、製造プロセスの安定化か迷成てき、Ｓｉ
Ｏｘ （０，８＜ ｘ ＜ １．５ ）なる酸化ケイ素
の蒸着源と酸素プラスマを用いて作製した、従来、クイ
アモント等の硬脆性イＡイ′１に７・］する研磨性か最
も（Ｒれていた研ＩＳ’ｒ冊に比べて、１，５倍の研磨
性のある研磨層を提供することかできる。
第１図は硬脆性４Ａを研磨する研磨層を示す斜視図、第
２図は従来用いられた研磨層形成装置の例を示す概略断
面図、第３図は本発明による研磨層の製造方法をｉｊｆ
能にする製膜装置の例を示す概略断面図、第・１図は酸
化ケイ素膜の赤外スペクトル、第５図は研磨能率とｌ−
１２０分圧との関係を示すグラフ、第６図はヒデオティ
スクプレーヤ用再生全１の加１′、例を示す斜視図であ
る。 符シじの説明 １・・硬脆性４４ ２・・ンヤンク：う・研磨層
・１・研磨層下地皿５ 研磨層 ７・
・真空槽 ８・電源 ９．１／ｌ・・電極１０．１１．
１２・反応気体導入に１ １：３・・研磨層下地層 ２０・真空槽２１・・基板
ボルタ ２２・・研磨層下地皿２：３・高周波コイ
ル ２４ 蒸着源２５ 蒸着用るつぼ ２Ｇ
電子銃２７・−ＪｉＪ＋−気［１２８，２９，３ｏ・
気体導入１１３１・気体混合器 代理人弁理士 中村純之助 第１ｒセ１ ｔ２ 図 十３図 ｔ４ｆ’ｍ 彼 教 ν〔、アー・］ 矛５ ｒＩＡ Ｈ２Ｏ分圧 ［Ｐユ］ 卆６図
２図は従来用いられた研磨層形成装置の例を示す概略断
面図、第３図は本発明による研磨層の製造方法をｉｊｆ
能にする製膜装置の例を示す概略断面図、第・１図は酸
化ケイ素膜の赤外スペクトル、第５図は研磨能率とｌ−
１２０分圧との関係を示すグラフ、第６図はヒデオティ
スクプレーヤ用再生全１の加１′、例を示す斜視図であ
る。 符シじの説明 １・・硬脆性４４ ２・・ンヤンク：う・研磨層
・１・研磨層下地皿５ 研磨層 ７・
・真空槽 ８・電源 ９．１／ｌ・・電極１０．１１．
１２・反応気体導入に１ １：３・・研磨層下地層 ２０・真空槽２１・・基板
ボルタ ２２・・研磨層下地皿２：３・高周波コイ
ル ２４ 蒸着源２５ 蒸着用るつぼ ２Ｇ
電子銃２７・−ＪｉＪ＋−気［１２８，２９，３ｏ・
気体導入１１３１・気体混合器 代理人弁理士 中村純之助 第１ｒセ１ ｔ２ 図 十３図 ｔ４ｆ’ｍ 彼 教 ν〔、アー・］ 矛５ ｒＩＡ Ｈ２Ｏ分圧 ［Ｐユ］ 卆６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （月 真空槽内において、０８≦Ｘ≦１５なる組成範囲
の酸化ケイ素Ｓｉαを蒸発源とし、さらに酸素と酸素化
合物気体の混合気体を導入し高周波電界をΦ：畳するこ
とによりグロー放電を励起し、前記酸化ケイ素蒸発源を
加熱することにより発生した蒸気流と、前記酸素あるい
は前記酸素化合物気体が分解して発生した酸素との反応
をグロー放電によって促進し、被蒸着体である研磨層下
地面−１−に酸化ケイ素からなる研磨層を蒸着形成する
ことを特徴とする研磨層の製造方法。 ｆ２］ ＃、ｒ許請求の範囲第１項に記載の研磨層の
製造方法において、酸素化合物気体がＮ２０、ＮＯ２、
■−（２０、■−１２０２のうちの少なくとも４つの気
体により’ｔｉｌｉ成されることを特徴とする研磨層の
製造方法。 （３）真空槽内において、０．８ ＜ ｘ ＜１．５な
る組成範囲の酸化ケイ素Ｓｉｎ、を蒸発源とし、さらに
不活性気体と、Ｎ２０、ＮＯ２、Ｎ２０、■−■２０２
のうちの少な（とも］つの気体により構成される酸素化
合物気体あるいは酸素との混合気体を導入し高周波電界
を重畳することによりグロー放電を励起し、前記酸化ケ
イ素蒸発源を加熱することにより発生した蒸気流と、前
記酸素化合物気体か分解して発生した酸素あるいは前記
酸素との反応をクロー放電によって促進し、被蒸着体で
ある研磨層下地面１−に酸化ケイ素からなる研磨層を蒸
着形成することを特徴とする研磨層の製造方法。 （４）特許請求の範囲第３項に記載の研磨層の製造方法
において、不活性気体かｆ−Ｉｅ、 Ｎｅ、 Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ、ＣＯ２、Ｎ２のうちの少なくとも１つから
構成されることを特徴とする研磨層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15965282A JPS5950168A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 研磨層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15965282A JPS5950168A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 研磨層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950168A true JPS5950168A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15698383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15965282A Pending JPS5950168A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 研磨層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360646A (en) * | 1992-09-10 | 1994-11-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP15965282A patent/JPS5950168A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360646A (en) * | 1992-09-10 | 1994-11-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film |
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