JPS5945995A - 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS5945995A JPS5945995A JP15433482A JP15433482A JPS5945995A JP S5945995 A JPS5945995 A JP S5945995A JP 15433482 A JP15433482 A JP 15433482A JP 15433482 A JP15433482 A JP 15433482A JP S5945995 A JPS5945995 A JP S5945995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- chamber
- melt
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
化合物半導体単結晶を液体カプセル法により引上げる方
法およびその装置に関するものである。
法およびその装置に関するものである。
これらの化合物半導体は成分中に揮発性の成分を含むの
で、単結晶の組成を化学量論的組成に保つため、例えば
ＧａＡｓ半導体では第１図に例を示すような装置により
単結晶が引上げられる（特開昭５４−１２３５８５号参
照）。図において、口２の小さい石英製ルツボｌ内にＧ
ａＡｓ原刺融液３が収容され、その表面がＢ２０３ｍ液
４でおおわれ、これらはヒーター５で加熱される。１５
は黒鉛ルツボである。
で、単結晶の組成を化学量論的組成に保つため、例えば
ＧａＡｓ半導体では第１図に例を示すような装置により
単結晶が引上げられる（特開昭５４−１２３５８５号参
照）。図において、口２の小さい石英製ルツボｌ内にＧ
ａＡｓ原刺融液３が収容され、その表面がＢ２０３ｍ液
４でおおわれ、これらはヒーター５で加熱される。１５
は黒鉛ルツボである。
６は引・上軸で、そ゛の先端には種結晶７が取付けられ
、回転しつつ引上げられることにより、原料融液３から
ＧａＡｓ単結晶８が引上げられる。この場合、ルツボ１
の口２内の引上軸６の運動を自由にするため、口２と引
上軸６の間に隙間が設けられ、さらにこの隙間はＢ２Ｏ
３融液９によりシールされている。１０は外部チャンバ
ー、１１はＢ２Ｏ３の加熱ヒーター、１２はシールの受
皿で、１３はのぞき窓、１４は耐熱材である。
、回転しつつ引上げられることにより、原料融液３から
ＧａＡｓ単結晶８が引上げられる。この場合、ルツボ１
の口２内の引上軸６の運動を自由にするため、口２と引
上軸６の間に隙間が設けられ、さらにこの隙間はＢ２Ｏ
３融液９によりシールされている。１０は外部チャンバ
ー、１１はＢ２Ｏ３の加熱ヒーター、１２はシールの受
皿で、１３はのぞき窓、１４は耐熱材である。
このように構成された単結晶引上装置によると、揮発性
成分のＡｓは石英製ルツボ１内にのみ閉じこめられるの
で、ＡＳの制御性が良く、化学量論的組成を維持し、低
圧中の単結晶引上げが可能である。
成分のＡｓは石英製ルツボ１内にのみ閉じこめられるの
で、ＡＳの制御性が良く、化学量論的組成を維持し、低
圧中の単結晶引上げが可能である。
しかし、ルツボの口２と引上軸６の隙間は、単結晶引上
げのため精度が必要であるが、隙間が太きいと、Ｂ２０
Ｂ 融液９が引上軸６を伝って下に流れ、又隙間が小さ
いと、軸６とルツボの口２が当り、種結晶７およびルツ
ボ１が振動するので、引上げが困難である。又引上軸６
．ルツボ１．ルツボｌの口２のセンターが一致しない限
り、単結晶引上げは不可能であり、このセツティング調
整が難しい。その上成長した単結晶８全石英製ルシボ１
から取出すには、取出しが難しく、シかもルツボ１を毎
回破損しなければならぬので高価となる等の欠点があっ
た。
げのため精度が必要であるが、隙間が太きいと、Ｂ２０
Ｂ 融液９が引上軸６を伝って下に流れ、又隙間が小さ
いと、軸６とルツボの口２が当り、種結晶７およびルツ
ボ１が振動するので、引上げが困難である。又引上軸６
．ルツボ１．ルツボｌの口２のセンターが一致しない限
り、単結晶引上げは不可能であり、このセツティング調
整が難しい。その上成長した単結晶８全石英製ルシボ１
から取出すには、取出しが難しく、シかもルツボ１を毎
回破損しなければならぬので高価となる等の欠点があっ
た。
本発明は、上述の欠点を解消するため成されたもので、
外部チャンバー内にルツボと成長した単結晶を密閉する
吊り鐘状内部チャンバーを設けて、その上端を引−１：
ＩＩ＋に密封固着し、その円筒下部を適当に７−ルす
ることにより、単結晶引上げ前のセツティングが簡単で
あり、低圧で引上げができ、単結晶の取出しに部品を破
損する必要がなく、かつ転位が少なく、結晶性の良い単
結晶を引上げ得る方法およびその装置を提供せんとする
ものである。
外部チャンバー内にルツボと成長した単結晶を密閉する
吊り鐘状内部チャンバーを設けて、その上端を引−１：
ＩＩ＋に密封固着し、その円筒下部を適当に７−ルす
ることにより、単結晶引上げ前のセツティングが簡単で
あり、低圧で引上げができ、単結晶の取出しに部品を破
損する必要がなく、かつ転位が少なく、結晶性の良い単
結晶を引上げ得る方法およびその装置を提供せんとする
ものである。
本発明の第１の発明は、外部チャンバー内で化合物半導
体単結晶を液体カプセル法により引上げる方法において
、前記外部チャンバー内に、ルツボと成長した単結晶を
密閉する、下部を開口した内部チャンバーを設け、該内
部チャンバーは上端を引上軸に密封固着シ、かつ下部を
Ｂ２Ｏ８融液でシールすることにより完全密閉型とし、
前記内部チャンバーを引上軸と−しよに引上げながら前
記単結晶を引」二げることを特徴とする化合物半導体単
結晶の引上方法である。
体単結晶を液体カプセル法により引上げる方法において
、前記外部チャンバー内に、ルツボと成長した単結晶を
密閉する、下部を開口した内部チャンバーを設け、該内
部チャンバーは上端を引上軸に密封固着シ、かつ下部を
Ｂ２Ｏ８融液でシールすることにより完全密閉型とし、
前記内部チャンバーを引上軸と−しよに引上げながら前
記単結晶を引」二げることを特徴とする化合物半導体単
結晶の引上方法である。
本発明の第２の発明は、上述の第１の発明に用いる装置
であって、加熱装置を含むホットゾーン全体を密閉する
外部チャンバーと、ルツボと成長した単結晶を密閉する
、前記ルツボの外径より少し大きい内径を有する、下部
を開口した石英製内部チャンバーと、該内部チャンバー
の円筒下部を浸漬してシールするＢ２Ｏ３融液を収容す
るリング状溝型容器と、前記Ｂ２Ｏ３を加熱する加熱装
置とを具備し、前記内部チャンバーは、上端を引上軸に
密封固着されて引上軸と−しよに移動し、かつ前記リン
グ状溝型容器は、単結晶引上げに伴なう前記内部チャン
バーの移動時のシールに十分な高さを有するよう構成さ
れたこと全特徴とする化合物半導体単結晶の引上装置で
ある。
であって、加熱装置を含むホットゾーン全体を密閉する
外部チャンバーと、ルツボと成長した単結晶を密閉する
、前記ルツボの外径より少し大きい内径を有する、下部
を開口した石英製内部チャンバーと、該内部チャンバー
の円筒下部を浸漬してシールするＢ２Ｏ３融液を収容す
るリング状溝型容器と、前記Ｂ２Ｏ３を加熱する加熱装
置とを具備し、前記内部チャンバーは、上端を引上軸に
密封固着されて引上軸と−しよに移動し、かつ前記リン
グ状溝型容器は、単結晶引上げに伴なう前記内部チャン
バーの移動時のシールに十分な高さを有するよう構成さ
れたこと全特徴とする化合物半導体単結晶の引上装置で
ある。
本発明により引上げる化合物半導体単結晶は、例えばＧ
ａ Ａ ｓ 、 Ｉ ｎ Ａ ｓ ＋ Ｔ ｎ Ｐ
＋ Ｇ ａ Ｐ 等の周期律表の旧−Ｖ族化合物半導体
又はそれらの混晶半導体などの揮発性成分を含む化合物
半導体より成るものである。
ａ Ａ ｓ 、 Ｉ ｎ Ａ ｓ ＋ Ｔ ｎ Ｐ
＋ Ｇ ａ Ｐ 等の周期律表の旧−Ｖ族化合物半導体
又はそれらの混晶半導体などの揮発性成分を含む化合物
半導体より成るものである。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第２図は本発明の単結晶引上装置の実施例を示す縦断面
図である。図において第１図と同一の符号はそわ、それ
同一の部分ケ示す。図において、ｌｏは加熱装置ケ含む
ホットゾーン全体を密閉するステンレス鋼製外部チャン
バーで、Ｎ２．Ａｒ２ガス等の不活性ガス１６が充満さ
れる。外部チャンバー１０内には、石英ルツボ１７、黒
鉛ルツボ】５、成長した単結晶８を密閉する石英製内部
チャンバー１８が、その上端２５で引上１１ｉ１１１６
に密封固着され、引上軸６の回転、上下に伴ない−しよ
に運動するようになっている。内部チャンバー１８は下
部を開口したつり鐘状のもので、ルツボ１５の外径より
少し大きい内径を有し、円周１部は長く延び、石英製リ
ング状溝型容器１９の溝に入るようになっている。この
容器１９はリング状溝゛全有し、この中にＢ２０Ｂ融液
２０を収容し、これに内部チャンバー１８の円筒下部を
浸漬、して／−ルするように々つでいる。又この場合、
内部チャンバー１８の下部は単結晶引上げに伴ない上下
移動するので、その間Ｂ２０ａ Ｈ液２０による７−ル
が維持されるよう、リング状溝の高さおよび融液の高さ
を十分な寸法にする必要がある。
図である。図において第１図と同一の符号はそわ、それ
同一の部分ケ示す。図において、ｌｏは加熱装置ケ含む
ホットゾーン全体を密閉するステンレス鋼製外部チャン
バーで、Ｎ２．Ａｒ２ガス等の不活性ガス１６が充満さ
れる。外部チャンバー１０内には、石英ルツボ１７、黒
鉛ルツボ】５、成長した単結晶８を密閉する石英製内部
チャンバー１８が、その上端２５で引上１１ｉ１１１６
に密封固着され、引上軸６の回転、上下に伴ない−しよ
に運動するようになっている。内部チャンバー１８は下
部を開口したつり鐘状のもので、ルツボ１５の外径より
少し大きい内径を有し、円周１部は長く延び、石英製リ
ング状溝型容器１９の溝に入るようになっている。この
容器１９はリング状溝゛全有し、この中にＢ２０Ｂ融液
２０を収容し、これに内部チャンバー１８の円筒下部を
浸漬、して／−ルするように々つでいる。又この場合、
内部チャンバー１８の下部は単結晶引上げに伴ない上下
移動するので、その間Ｂ２０ａ Ｈ液２０による７−ル
が維持されるよう、リング状溝の高さおよび融液の高さ
を十分な寸法にする必要がある。
２】はこのＢ２Ｏ３を加熱する下部ヒー ターで、２６
は底板（石英、製等）である。
は底板（石英、製等）である。
黒鉛ルツボ１５は支持軸２２上に設置されて回転、上下
自由である。その中に原料融液３が収容され、その表面
がＢ２Ｏ３融液４でおおわｎｌこれらは上部ヒーター２
３で加熱される。２４は加熱部の外側に設けられた耐熱
相である。
自由である。その中に原料融液３が収容され、その表面
がＢ２Ｏ３融液４でおおわｎｌこれらは上部ヒーター２
３で加熱される。２４は加熱部の外側に設けられた耐熱
相である。
このように内部チャンバー１８ヲ構成すると、ルツボ１
７内の原料融液３と単結晶８は、外部チャンバー１０内
からはＢ２Ｏ３融液２０のシールによる完全な密閉型と
なり、このシールにより内部チャンバー１８内外のガス
圧のバランスが取れることになる。
７内の原料融液３と単結晶８は、外部チャンバー１０内
からはＢ２Ｏ３融液２０のシールによる完全な密閉型と
なり、このシールにより内部チャンバー１８内外のガス
圧のバランスが取れることになる。
次に、かように構成された単結晶引上装置を用いて単結
晶を引上げる方法について述べる。
晶を引上げる方法について述べる。
先ず第２図に示す石英ルツボ１７内に化合物半導体原料
（例、ＧａＡＳ多結晶）および８２０ａ ｋ装入し、種
結晶７を引−Ｌ軸６の先端に取付ける。又リング状溝型
容器１９内にＢ２Ｏ３を装入する。しかる後、外部チャ
ンバー１０内および内部チャンバー１８内の空気を排気
して真空にした後、不活性ガス１６を充満する。
（例、ＧａＡＳ多結晶）および８２０ａ ｋ装入し、種
結晶７を引−Ｌ軸６の先端に取付ける。又リング状溝型
容器１９内にＢ２Ｏ３を装入する。しかる後、外部チャ
ンバー１０内および内部チャンバー１８内の空気を排気
して真空にした後、不活性ガス１６を充満する。
次いで溝型容器１９内のＢ２Ｏ３を下部ヒーター２１に
より約５００℃以上に加熱して溶解し、シールした後、
ルツボ１５内の原料およびＢ２Ｏ３を上部ヒーター２３
により加熱して溶解すると、原料融液３の表面がＢ２Ｏ
３融ｆｌｉ、４におおわれる。この状態で原料融液３の
７−ルはＢ２０Ｂ融液４および２０の二重となるので、
低圧の単結晶引上げが可能となる。
より約５００℃以上に加熱して溶解し、シールした後、
ルツボ１５内の原料およびＢ２Ｏ３を上部ヒーター２３
により加熱して溶解すると、原料融液３の表面がＢ２Ｏ
３融ｆｌｉ、４におおわれる。この状態で原料融液３の
７−ルはＢ２０Ｂ融液４および２０の二重となるので、
低圧の単結晶引上げが可能となる。
次に種結晶７ｆｆ下げて原料融液３表面に接触させ、な
じませた後、引上軸６を回転させながら引上げて単結晶
８ｆ引上げる。ルツボ１５も回転する。
じませた後、引上軸６を回転させながら引上げて単結晶
８ｆ引上げる。ルツボ１５も回転する。
この際内部チャンバー１８は引上軸６と共に引上げられ
るが、溝型容器＋９内の８２０８融ｉ２０は十分な高さ
を有するので、ソールが破れることがない。
るが、溝型容器＋９内の８２０８融ｉ２０は十分な高さ
を有するので、ソールが破れることがない。
単゛結晶８の引上げが終れば、冷却した後、内部チャン
バー１８ヲ破損することなく、単結晶８全容易に取出す
ことができる。
バー１８ヲ破損することなく、単結晶８全容易に取出す
ことができる。
実施例：
第２図に示したような装置を使用し、ＧａＡｓ半導体の
単結晶ｋ ＜１００＞方向に引上げた。
単結晶ｋ ＜１００＞方向に引上げた。
ク ・
石英ルツボ１８として４ｆｔ 、ｌ；のものを用い、こ
れにＧａＡｓ多結晶１．５ ＫＦ／およびＢ２０３２５
０ ！ ｋ装入し、溶解した後、引上速度１０ ｍｍ
／時で＜１００＞方向に引上け、直径５０ ｍｍ ％長
さ１００ｍｍのＧａＡｓ単結晶ケ成長させた。
れにＧａＡｓ多結晶１．５ ＫＦ／およびＢ２０３２５
０ ！ ｋ装入し、溶解した後、引上速度１０ ｍｍ
／時で＜１００＞方向に引上け、直径５０ ｍｍ ％長
さ１００ｍｍのＧａＡｓ単結晶ケ成長させた。
得られた単結晶について、（１００）面のエッチピット
密度（転位密度）を測定した結果は第３図に示す通りで
ある。
密度（転位密度）を測定した結果は第３図に示す通りで
ある。
なおエッチピット密度は、単結晶の（１００）面ウェハ
ーを研磨し、エッチャントとしてＫＯＨ溶液を用いてエ
ツチングした後、顕微鏡ケ用いて観察した。
ーを研磨し、エッチャントとしてＫＯＨ溶液を用いてエ
ツチングした後、顕微鏡ケ用いて観察した。
第３図において、横軸はウェハー°の中心から＜１１０
＞方向の距離ケ示（〜、縦軸はＩ ｃｒｄ当りのエッチ
ピット数（転位密度）ｆ示す。
＞方向の距離ケ示（〜、縦軸はＩ ｃｒｄ当りのエッチ
ピット数（転位密度）ｆ示す。
第３図より、本発明による単結晶は従来法によるものに
比べ、全面に亘り転位密度が低く、かつバラツキが少な
く、結晶性が良くなることが分った。
比べ、全面に亘り転位密度が低く、かつバラツキが少な
く、結晶性が良くなることが分った。
なお、単結晶引上げ時の引上速度、引上軸およびルツボ
の回転速度を変化させることにより、更に品質分向」ニ
させることが可能である。
の回転速度を変化させることにより、更に品質分向」ニ
させることが可能である。
以上述べたように、本発明方法は、外部チャンバー内で
化合物半導体単結晶ヲ故体力グセル法により引上げる方
法において、前述のように、前記外部チャンバー内に下
部全開口した内部チャンバーを設け、該内部チャンバー
は上端を引上軸に密封固着し、かつ下部全Ｂ２Ｏ３融液
でシールすることにより完全密閉型とし、前記内部チャ
ンバーを引上軸と−しよに引上げながら前記単結晶を引
上げるため、内部チャンバーと引上軸の七ツター合せが
ほとんど不要で、単結晶引上げ前のセツティングが簡単
で容易であり、又原料融液はその表面のＢ２Ｏ３祠液７
−ルと゛内部チャンバーの下部の８２０３１ｄｋ液シー
ルによる２重シールとなっているので、低、圧の単結晶
引上げが可能である効果がある。
化合物半導体単結晶ヲ故体力グセル法により引上げる方
法において、前述のように、前記外部チャンバー内に下
部全開口した内部チャンバーを設け、該内部チャンバー
は上端を引上軸に密封固着し、かつ下部全Ｂ２Ｏ３融液
でシールすることにより完全密閉型とし、前記内部チャ
ンバーを引上軸と−しよに引上げながら前記単結晶を引
上げるため、内部チャンバーと引上軸の七ツター合せが
ほとんど不要で、単結晶引上げ前のセツティングが簡単
で容易であり、又原料融液はその表面のＢ２Ｏ３祠液７
−ルと゛内部チャンバーの下部の８２０３１ｄｋ液シー
ルによる２重シールとなっているので、低、圧の単結晶
引上げが可能である効果がある。
又、内部チャンバーは下部が開口しているため、成長し
た単結晶はこれを破損せずに容易に取出すことができる
ので、何回も再使用でき、製造コストが安くなる利点が
ある。
た単結晶はこれを破損せずに容易に取出すことができる
ので、何回も再使用でき、製造コストが安くなる利点が
ある。
又、低圧で、しかも引上結晶近傍の不活性ガスの対流域
が小さいため、単結晶の転位密度を少なくし得、結晶性
が良くなる効果がある。
が小さいため、単結晶の転位密度を少なくし得、結晶性
が良くなる効果がある。
又使用後の内部チャンバー（石英製）はエツチングする
か、同じものを入替えて再使用し得るため、引上後の清
掃が簡単であり、又引上前のセツティングおよび引上後
の後処理が簡単であるから、引上サイクルの所要時間が
短かくなり、作業能率が向上する利点がある。
か、同じものを入替えて再使用し得るため、引上後の清
掃が簡単であり、又引上前のセツティングおよび引上後
の後処理が簡単であるから、引上サイクルの所要時間が
短かくなり、作業能率が向上する利点がある。
次に本発明の単結晶引上装置は、前述のような、外部チ
ャンバーと、石英製内部チャンバーと、リング状溝型容
器と、Ｂ２Ｏ３加熱装置を具備し、前記内部チャンバー
は、上端ケ引上軸に密封固着されて引上軸と−しよに移
動し、かつ前記リング状溝型容器は、引上時の内部チャ
ンバーのシールに十分々高さを有するよう構成さ、ｆ′
Ｌタタめ、上述の第１の発明を支障な〈実施するのに最
適な装置を提供するものであり、上述と同様の利点を有
するものである。
ャンバーと、石英製内部チャンバーと、リング状溝型容
器と、Ｂ２Ｏ３加熱装置を具備し、前記内部チャンバー
は、上端ケ引上軸に密封固着されて引上軸と−しよに移
動し、かつ前記リング状溝型容器は、引上時の内部チャ
ンバーのシールに十分々高さを有するよう構成さ、ｆ′
Ｌタタめ、上述の第１の発明を支障な〈実施するのに最
適な装置を提供するものであり、上述と同様の利点を有
するものである。
なお本発明に用いる引」ニ装置は第２図に示した装置に
限定されるものではない。
限定されるものではない。
第１図は従来の単結晶引上装置の例を示す縦断面図、で
ある。 第２図は本発明装置の実施例を示す縦断面図である。 第３図は本発明実施例および従来法により製造した単結
晶の転位密度を示す図である。 １・・・石英製ルツボ、２ 口、３・・・厚相１）液、
４．９．２０・・・Ｂ２Ｏ３融液、５．１１．２１．２
３・・・ヒーター、６・・・引上軸、７・・・種結晶、
８・・単結晶、１０・・外部チャンバー、１２・・受皿
、１３・・のぞき窓、１４、２４ ・・耐熱材、＋５
・・黒鉛ルツボ、１６・・・不活性カス、１７・・・石
英ルツボ、１８・・内部チャンバー、１９・リング状溝
型容器、２２・・支持軸、２５・・・上端、２６・底板
。 ７１図 千 ７２図 牟 ア３図
ある。 第２図は本発明装置の実施例を示す縦断面図である。 第３図は本発明実施例および従来法により製造した単結
晶の転位密度を示す図である。 １・・・石英製ルツボ、２ 口、３・・・厚相１）液、
４．９．２０・・・Ｂ２Ｏ３融液、５．１１．２１．２
３・・・ヒーター、６・・・引上軸、７・・・種結晶、
８・・単結晶、１０・・外部チャンバー、１２・・受皿
、１３・・のぞき窓、１４、２４ ・・耐熱材、＋５
・・黒鉛ルツボ、１６・・・不活性カス、１７・・・石
英ルツボ、１８・・内部チャンバー、１９・リング状溝
型容器、２２・・支持軸、２５・・・上端、２６・底板
。 ７１図 千 ７２図 牟 ア３図
Claims (2)
- （１） 外部チャンバー内で化合物半導体単結晶を液
体カプセル法により引上げる方法において、前記外部チ
ャンバー内にルツボと成長した単結晶を密閉する、下部
を開口した内部チャンバーを設け、該内部チャンバーは
上端を引上軸に密封固着し、かつ下部全Ｂ２Ｏ３融液で
。シールすることにより完全密閉型とし、前記内部チャ
ンバーを引上軸と−しよに引上げながら前記単結晶を引
上げることを特徴とする化合物半導体単結晶の引上方法
。 - （２） 加熱装置を含むホットゾーン全体を密閉する
外部チャンバーと、ルツボと成長した単結晶を密閉する
、前記ルツボの外径より少し大きい内径を有する、下部
を開口した石英製内部チャンバーと、談内部チャンバー
の円筒下部を浸漬してシールするＢ２０８ｒａ液を収容
するリング状溝型容器と、前記Ｂ２Ｏ３を加熱する加熱
装置とを具備し、前記内部チャンバーは、上端を引上軸
に密封固着されて引上軸と−しよに移動し、かつ前記リ
ング状溝型容器は、単結晶引上げに伴なう前記内部チャ
ンバーの移動時のシールに十分な高さを有するよう構成
されたことを特徴とする化合物半導体単結晶の引上装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15433482A JPS5945995A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15433482A JPS5945995A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945995A true JPS5945995A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15581875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15433482A Pending JPS5945995A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60264390A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の育成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227881U (ja) * | 1975-08-19 | 1977-02-26 | ||
| JPS54123585A (en) * | 1978-03-20 | 1979-09-25 | Mitsubishi Metal Corp | Method and apparatus for growing high dissociation pressure compound single crystal for semiconductor by pulling double-sealed melt |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15433482A patent/JPS5945995A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227881U (ja) * | 1975-08-19 | 1977-02-26 | ||
| JPS54123585A (en) * | 1978-03-20 | 1979-09-25 | Mitsubishi Metal Corp | Method and apparatus for growing high dissociation pressure compound single crystal for semiconductor by pulling double-sealed melt |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60264390A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の育成方法 |
| JPH0142919B2 (ja) * | 1984-06-08 | 1989-09-18 | Sumitomo Electric Industries |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3857679A (en) | Crystal grower | |
| US4650540A (en) | Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements | |
| US4652332A (en) | Method of synthesizing and growing copper-indium-diselenide (CuInSe2) crystals | |
| US4619811A (en) | Apparatus for growing GaAs single crystal by using floating zone | |
| JPS5945995A (ja) | 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 | |
| JPS6117798B2 (ja) | ||
| JP2635472B2 (ja) | Ｆｚ法半導体単結晶製造装置 | |
| EP0355833A2 (en) | Method of producing compound semiconductor single crystal | |
| JPS60176995A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS6021900A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JP2585276B2 (ja) | ＣｄＴｅ結晶の製造装置 | |
| JP2830315B2 (ja) | 高解離圧単結晶の製造装置 | |
| JPS6041037B2 (ja) | 半導体用高解離圧化合物単結晶の製造装置 | |
| JPH05319973A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH0450188A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JPS59141494A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH02124792A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS61281100A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH01122995A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPS62197397A (ja) | 単結晶の製造法 | |
| JPS58151398A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の引上方法 | |
| JPS5988834A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH03247582A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置 | |
| JPH0558772A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS60195082A (ja) | 半導体結晶の製造装置 |