JPS5941877A - フオトトランジスタ - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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-
- H—ELECTRICITY
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトトランジスタに係り、特に高速で高感度
な半導体装置に関する。従来のバイポーラ構造のp−n
−pないしはn−pn 構造のフォトトランジスタは、
ベース抵抗が大きく、又コレクタ・ベース容量、エミッ
タ・ベース容量が大きい為に、感度が悪く。
な半導体装置に関する。従来のバイポーラ構造のp−n
−pないしはn−pn 構造のフォトトランジスタは、
ベース抵抗が大きく、又コレクタ・ベース容量、エミッ
タ・ベース容量が大きい為に、感度が悪く。
又高速でないという欠点を有している。
第1図は従来のバイポーラフォトトランジスタの一例で
あり、4はエミッタ電極、1はエミッタ領域、5はベー
ス電極、2はベース領域、6はコレクタ電極、3はコレ
クタ領域である。1oは先入力を示している。ベース電
極5はフローティングにする場合もある。
あり、4はエミッタ電極、1はエミッタ領域、5はベー
ス電極、2はベース領域、6はコレクタ電極、3はコレ
クタ領域である。1oは先入力を示している。ベース電
極5はフローティングにする場合もある。
7はS t Ox膜等の絶縁物である。
この例に示される様にバイポーラフォトトランジスタは
、ベース領域2の部分において引き出し抵抗R2がベー
スfV谷が低いこと及び幅が狭いことにより大きく、か
つその他の抵抗分もあるのでこれらの抵抗分を含め抵抗
値が非常に大きいものである。
、ベース領域2の部分において引き出し抵抗R2がベー
スfV谷が低いこと及び幅が狭いことにより大きく、か
つその他の抵抗分もあるのでこれらの抵抗分を含め抵抗
値が非常に大きいものである。
n−p−n構造のフォトトランジスタの電子電流密度△
Inの全電流密度に対する比つまり電流増幅率△1./
Iは次式で与えられる。
Inの全電流密度に対する比つまり電流増幅率△1./
Iは次式で与えられる。
ここてり、、、D、は電子、正孔の拡散係数、Lpは正
孔の拡散長、Wtはベース厚み、n、はエミッタの不純
物密度、 Phはベースの不純物密度である。
孔の拡散長、Wtはベース厚み、n、はエミッタの不純
物密度、 Phはベースの不純物密度である。
(1)式はちょうどエミッタ接合の注入比重。
/■Pであり、注入率の大きいトランジスタ程電流増幅
率が太き(なるということである電流増幅率を高めるた
めには、エミ・ンタの不純物密度を高くシ、ベースの不
純物密度を低くすること、ベースの厚みを薄くすること
が考えられるが、ベースの不純物密度を下げ、ベースの
厚みを薄くすることは、ベース抵抗が大きくなり)第1
・トランジスタとして望ましくない。
率が太き(なるということである電流増幅率を高めるた
めには、エミ・ンタの不純物密度を高くシ、ベースの不
純物密度を低くすること、ベースの厚みを薄くすること
が考えられるが、ベースの不純物密度を下げ、ベースの
厚みを薄くすることは、ベース抵抗が大きくなり)第1
・トランジスタとして望ましくない。
次にフォトトランジスタの動作速度を考えてみると、立
上り、立下りの時定数は概路次ここで+φ、6はベース
・エミッタ間の拡散電位である。時定数はLp/D、を
小さくすれば小さくなるが、(1)式より電流増幅率は
低下する。ベースの厚みWbを小さくすると時定数は小
さくなり、電流増幅率は増大する。十φ、bはベースと
エミッタの不純物密度で決まる拡散電位で小さくすれば
時定数は小さくなる。
上り、立下りの時定数は概路次ここで+φ、6はベース
・エミッタ間の拡散電位である。時定数はLp/D、を
小さくすれば小さくなるが、(1)式より電流増幅率は
低下する。ベースの厚みWbを小さくすると時定数は小
さくなり、電流増幅率は増大する。十φ、bはベースと
エミッタの不純物密度で決まる拡散電位で小さくすれば
時定数は小さくなる。
+φ、bはnlまたはPbを小さくすれば小さくなるが
、電流増幅率が小さくならないためには、 P6を小さ
くすれば良い。
、電流増幅率が小さくならないためには、 P6を小さ
くすれば良い。
以上のことから従来のバイポーラトランジスタのフォト
トランジスタは、電流増幅度を大きくして速度を早くす
るためには結局ベース厚みWhを薄くして、ベースの不
純物密度を下げるしかない。しかしこれは前述のよう1
こ、ベース抵抗を増し、性能の限界値が存在し、極めて
不満足な結果しか得られない。現在光検出の素子として
は、p−1z−nフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等が良く用いられているが、二端子のダイ
オードでは1次段とのアイソレーションがよくない等の
欠点がある。又アバランシェフォトダイオードは比較的
高電圧(数十V)を要し、また雑音が大きいという大き
な欠点をも有している。
トランジスタは、電流増幅度を大きくして速度を早くす
るためには結局ベース厚みWhを薄くして、ベースの不
純物密度を下げるしかない。しかしこれは前述のよう1
こ、ベース抵抗を増し、性能の限界値が存在し、極めて
不満足な結果しか得られない。現在光検出の素子として
は、p−1z−nフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等が良く用いられているが、二端子のダイ
オードでは1次段とのアイソレーションがよくない等の
欠点がある。又アバランシェフォトダイオードは比較的
高電圧(数十V)を要し、また雑音が大きいという大き
な欠点をも有している。
本発明の目的は、叙上の従来のバイポーラのフォトトラ
ンジスタの欠点をなくした新規な高感度で高速なフォト
トランジスタを提供することにある。
ンジスタの欠点をなくした新規な高感度で高速なフォト
トランジスタを提供することにある。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明をする。高感度
、高速なフォトトランジスタを得るためには、ベース抵
抗を減らすと共に。
、高速なフォトトランジスタを得るためには、ベース抵
抗を減らすと共に。
ベースまわりの容量を減らす必要がある。
本発明ではベース抵抗を減少させる為に。
ベース不純物密度を全体に均一ではなく所要のある領域
に限って多量にするとベース抵抗を非常に小さくできる
事を利用するものである。ベースの不純物密度の低い領
域はエミッタからの少数キャリアが流入し易いようにす
る。これは前述のベースの不純物密度の高い領域はエミ
ッタとの拡散電位φ、bか前述のベース領域の不純物密
度の低い領域とエミッタする。前記の二つにわかれたベ
ース領域は互に電気的に接続されていることになり、実
効的なベース抵抗は減少する。
に限って多量にするとベース抵抗を非常に小さくできる
事を利用するものである。ベースの不純物密度の低い領
域はエミッタからの少数キャリアが流入し易いようにす
る。これは前述のベースの不純物密度の高い領域はエミ
ッタとの拡散電位φ、bか前述のベース領域の不純物密
度の低い領域とエミッタする。前記の二つにわかれたベ
ース領域は互に電気的に接続されていることになり、実
効的なベース抵抗は減少する。
光が照射されると、生成した電子・正孔対のうち正孔は
不純物密度の高いベース領域に蓄積され、電子は不純物
密度の低いベース領域を通過してコレクタのn領域へ流
れる。正孔はベース領域で、不純物密度の高い領域を正
に充電させ、ベース・エミッタ間の拡散電位φabを△
V6bだけ下げるからエミッタから多くの自由電子がベ
ース領域の不純物密度の低い方へ流れこみ易くなり、(
1)式から明らかなように、光による電流増幅率は通常
のパイボーラフA1〜トランジスタよりも非常に大きく
なる。
不純物密度の高いベース領域に蓄積され、電子は不純物
密度の低いベース領域を通過してコレクタのn領域へ流
れる。正孔はベース領域で、不純物密度の高い領域を正
に充電させ、ベース・エミッタ間の拡散電位φabを△
V6bだけ下げるからエミッタから多くの自由電子がベ
ース領域の不純物密度の低い方へ流れこみ易くなり、(
1)式から明らかなように、光による電流増幅率は通常
のパイボーラフA1〜トランジスタよりも非常に大きく
なる。
第2 図+alは本発明のフォトトランジスタの半導体
装置の一実施例である。まず構造について説明すると、
11はn型の高不純物密度のエミッタ領域、12はn型
の比較的低不純物密度なエミッタ領域、13はn型の比
較的低不純物密度なコレクタ領域、14はn型の高不純
物密度なコレクタ領域、15はエミッタ電極、17はコ
レクタ電極、18は表面保護膜で8102等の絶縁膜で
ある。
装置の一実施例である。まず構造について説明すると、
11はn型の高不純物密度のエミッタ領域、12はn型
の比較的低不純物密度なエミッタ領域、13はn型の比
較的低不純物密度なコレクタ領域、14はn型の高不純
物密度なコレクタ領域、15はエミッタ電極、17はコ
レクタ電極、18は表面保護膜で8102等の絶縁膜で
ある。
16はベース電極である。ベース領域はエミッタとコレ
クタの間の領域で、p型の高不純物密度な領域20とp
型紙不純物密度な領域21よりなり、かつ高不純物密度
領域20の幾何学的形状は低不純物密度領域21よりも
大きく形成している。
クタの間の領域で、p型の高不純物密度な領域20とp
型紙不純物密度な領域21よりなり、かつ高不純物密度
領域20の幾何学的形状は低不純物密度領域21よりも
大きく形成している。
動作について説明すると、このよう1こベース領域を形
成することによって、前述したように光入力10が照射
されたとき、正孔は高−ス領域21を通して行なわれる
ことにより光に対する電流増幅率は大きくなり、又高不
純物密度なベース領域20によりベース抵抗は単に低不
純物密度なベース領域21て形成されているよりも非常
に小さくなるので、スイッチング時間も非常tこ短くな
るという特徴を有する。更にエミッタeベース間、ベー
ス・コレクタ間に比較的低不純物密度な領域をそう人し
、ていることから、エミッタ・ベース間容量、及びベー
ス・コレクタ間の容量が減少するので、スイッチング特
性が更に向上することに寄与している。
成することによって、前述したように光入力10が照射
されたとき、正孔は高−ス領域21を通して行なわれる
ことにより光に対する電流増幅率は大きくなり、又高不
純物密度なベース領域20によりベース抵抗は単に低不
純物密度なベース領域21て形成されているよりも非常
に小さくなるので、スイッチング時間も非常tこ短くな
るという特徴を有する。更にエミッタeベース間、ベー
ス・コレクタ間に比較的低不純物密度な領域をそう人し
、ていることから、エミッタ・ベース間容量、及びベー
ス・コレクタ間の容量が減少するので、スイッチング特
性が更に向上することに寄与している。
以上の説明から本発明のフォトトランジスタはベース抵
抗が減少すること、エミッタからの注入効率が高いこと
、ベース・エミッタ間容量及びベース・コレクタ間の容
n1が小さいことから、高感度で高速なフォトトランジ
スタを実現できる。
抗が減少すること、エミッタからの注入効率が高いこと
、ベース・エミッタ間容量及びベース・コレクタ間の容
n1が小さいことから、高感度で高速なフォトトランジ
スタを実現できる。
第2図tb+乃至((1)は別の実施例でベースの形状
を変えたものである。第2図fblはベース・エミッタ
接合は平らで、ベース・コレクタ接1゜金側ヘベースの
p+領領域突出させている。第2図+CIは、第2図(
+))とは逆にベースのp4領域をエミッタ側へ突出さ
せている。第2図fdlはベースの厚みを均一にした実
施例である。
を変えたものである。第2図fblはベース・エミッタ
接合は平らで、ベース・コレクタ接1゜金側ヘベースの
p+領領域突出させている。第2図+CIは、第2図(
+))とは逆にベースのp4領域をエミッタ側へ突出さ
せている。第2図fdlはベースの厚みを均一にした実
施例である。
第2図(alに示すフォトトランジスタは次のようにし
て製造される。Siのn゛基板1×e−3 10cmシ1.J:、)上に、5ict!t とH2ガ
スによは算つ竺シ り気相成長法により、13の高抵抗なn−眉を10μn
2エピタキシヤル成長させる。次にS型の高抵抗層X2
を3μm程度成長させる。
て製造される。Siのn゛基板1×e−3 10cmシ1.J:、)上に、5ict!t とH2ガ
スによは算つ竺シ り気相成長法により、13の高抵抗なn−眉を10μn
2エピタキシヤル成長させる。次にS型の高抵抗層X2
を3μm程度成長させる。
エピタキ/ヤル成長時に不純物密度の低いp率
層は形成される。S x Oz膜による選択拡散法−ス
のp3領域まで化学エツチングを施してplのベース領
域を露出させる。酸化をして、ベース、エミッタの電極
領域をマスク法により露出させ、高真空中でA/を両面
に蒸着する。表面はAJの選択エツチングを施すことに
より、エミッタvベース電極を形成する。裏面はコレク
タ電極となる。
のp3領域まで化学エツチングを施してplのベース領
域を露出させる。酸化をして、ベース、エミッタの電極
領域をマスク法により露出させ、高真空中でA/を両面
に蒸着する。表面はAJの選択エツチングを施すことに
より、エミッタvベース電極を形成する。裏面はコレク
タ電極となる。
ベースのp+領領域エミッタのn+領領域格子歪が生じ
ないように格子歪みを緩和する為に第■族の7元素を添
加する方法を採用することが望ましい。キャリアの寿命
が短いと、エミッタからコレクタへの到達率か落ちるの
で。
ないように格子歪みを緩和する為に第■族の7元素を添
加する方法を採用することが望ましい。キャリアの寿命
が短いと、エミッタからコレクタへの到達率か落ちるの
で。
キラーとなる重金属の混入は、極力防ぐ必要があり、製
造工程の最終段階で1重金属のゲッタリングを施した方
が良い。ベースのpへ形成は、イオン注入法あるいはボ
ロンドープの多結晶シリコンを拡散源とする方法等にょ
り実理てきる。
造工程の最終段階で1重金属のゲッタリングを施した方
が良い。ベースのpへ形成は、イオン注入法あるいはボ
ロンドープの多結晶シリコンを拡散源とする方法等にょ
り実理てきる。
第3図(a)〜(C)は本発明の更に別の実施例である
。エミッタからの注入効率を高める為にベースの低不純
物密度領域を高抵抗なp−領域、24,25.26はそ
れぞれエミッタ、ベース、コレクタ電極である。ベース
抵抗を下げる為にベース電極は各々配線している。
。エミッタからの注入効率を高める為にベースの低不純
物密度領域を高抵抗なp−領域、24,25.26はそ
れぞれエミッタ、ベース、コレクタ電極である。ベース
抵抗を下げる為にベース電極は各々配線している。
第3図(b)は、ベース壷エミッタ間のブレーク電圧の
向上、エミッタ・ベース間の容量の減少、及び光の照射
面積を増すために、ベースの高不純物密度なpJJj域
まで堀下げた構造の実施例である。p+のベース領域ま
での堀下げは、化学エツチング、結晶の異方性を利用し
た化学エツチング、Siの窒化膜と酸化膜による方法、
あるいはプラズマエツチング等の方法により形成できる
。
向上、エミッタ・ベース間の容量の減少、及び光の照射
面積を増すために、ベースの高不純物密度なpJJj域
まで堀下げた構造の実施例である。p+のベース領域ま
での堀下げは、化学エツチング、結晶の異方性を利用し
た化学エツチング、Siの窒化膜と酸化膜による方法、
あるいはプラズマエツチング等の方法により形成できる
。
フォトトランジスタを多数個並べたフォトトランジスタ
の上面図であって、ベース、エミッタの電極を櫛形の配
線パターンとした実施例である。
の上面図であって、ベース、エミッタの電極を櫛形の配
線パターンとした実施例である。
第4図fat、fblは本発明のフォトトランジスタの
使用法を示す実施例である。+alはエミッタ接地、(
b)はベース接地の例である。
使用法を示す実施例である。+alはエミッタ接地、(
b)はベース接地の例である。
30は本発明の第2図乃至は第3図に示すフォトトラン
ジスタ、31はベース電極に接続された可変の外部ベー
ス抵抗、32はベース・エミッタ電源、33はコレクタ
の負荷抵抗RL、34はコレクタ・エミッタ電源、35
は出力端子、1oは光入力を示している。
ジスタ、31はベース電極に接続された可変の外部ベー
ス抵抗、32はベース・エミッタ電源、33はコレクタ
の負荷抵抗RL、34はコレクタ・エミッタ電源、35
は出力端子、1oは光入力を示している。
本発明のフォトトランジスタはベース抵抗を極力下げる
構造を有している為に、ベース電極に接続されたベース
可変抵抗31により、非常に広範囲にわたって、実効的
なベース抵抗を調節できることによって、光検出回路の
要求に応じて、ベース可変抵抗31を設定できるという
従来のバイポーラフォトトランジスタにはない特徴を有
している。第4図(blは第4図(Qlのエミッタ接地
に対して、ベース接地とした場合の本発明の実施例であ
る。
構造を有している為に、ベース電極に接続されたベース
可変抵抗31により、非常に広範囲にわたって、実効的
なベース抵抗を調節できることによって、光検出回路の
要求に応じて、ベース可変抵抗31を設定できるという
従来のバイポーラフォトトランジスタにはない特徴を有
している。第4図(blは第4図(Qlのエミッタ接地
に対して、ベース接地とした場合の本発明の実施例であ
る。
第5図ta+ 、 fbl 、 iclはそれぞれ、ベ
ース、エミッタ、コレクタ電極にコンデンサを接続した
本発明のフォトトランジスタの実施例を示す。フォトト
ランジスタ30の各電極にコンデンサ41..42.4
3を接続することにより1本発明のフォトトランジスタ
は光入力10による光信号を、各電極に接続されたコン
デンサに蓄積することができる。このような機能を有す
る第5図に示す実施例のフォトトランジスタは、1トラ
ンジスタ/1ピクセル方式の光情報のランダムアクセス
イメージセンサ、光情報の記憶機能を有する各種のイメ
ージセンサに応用できることになるのはいうまでもない
。
ース、エミッタ、コレクタ電極にコンデンサを接続した
本発明のフォトトランジスタの実施例を示す。フォトト
ランジスタ30の各電極にコンデンサ41..42.4
3を接続することにより1本発明のフォトトランジスタ
は光入力10による光信号を、各電極に接続されたコン
デンサに蓄積することができる。このような機能を有す
る第5図に示す実施例のフォトトランジスタは、1トラ
ンジスタ/1ピクセル方式の光情報のランダムアクセス
イメージセンサ、光情報の記憶機能を有する各種のイメ
ージセンサに応用できることになるのはいうまでもない
。
第6 図fat 、 +1)lは1本発明のフォトトラ
ンジスタのベースにコンデンサ41と抵抗51を接続し
た本発明の一実例である。ベースのコンデンサによるC
R時定数により、フォトトランジスタとしての機能は拡
大する。
ンジスタのベースにコンデンサ41と抵抗51を接続し
た本発明の一実例である。ベースのコンデンサによるC
R時定数により、フォトトランジスタとしての機能は拡
大する。
第7図伸)乃至fdlは更にエミッタ、コレクタにC−
2時定数を有する実施例である。
2時定数を有する実施例である。
本発明のフォトトランジスタは反対導電型のp” −p
−−n+−n−−p+にもできることは勿論である。
−−n+−n−−p+にもできることは勿論である。
本発明のフォトトランジスタは材料は81に限らずGe
、ないしはIII−V族の化合物半導体であるG a
A s 、 G a P 、 A 、e A s 、
Inpあるいはそれらの混晶であるG a +−x
A LAs等でも良いし、 n−Vl族の化合物半導体
であっても良い。
、ないしはIII−V族の化合物半導体であるG a
A s 、 G a P 、 A 、e A s 、
Inpあるいはそれらの混晶であるG a +−x
A LAs等でも良いし、 n−Vl族の化合物半導体
であっても良い。
本発明の目的とするところは、ベース抵抗を極力下げて
、エミッタがらベースを通過して、コレクタへの注入効
率を増したことを特徴とするフォトトランジスタであっ
て、従来のバイポーラフォトトランジスタにはない新規
なバイポーラフォトトランジスタを提供し、有用なもの
である。
、エミッタがらベースを通過して、コレクタへの注入効
率を増したことを特徴とするフォトトランジスタであっ
て、従来のバイポーラフォトトランジスタにはない新規
なバイポーラフォトトランジスタを提供し、有用なもの
である。
第1図は従来型バイポーラフォトトランジスタの断面概
略図、第2図fat乃至(dlはベースの構造を種々番
こ変えた本発明実施例の断面構造図、第3図(al乃至
tC)は本発明の別な実施例、第4図(a)及びfbl
はエミッタ接地及びベース接地による本発明の実施例の
動作回路例、第5図(al乃至fclはベース、エミッ
タ、コレクタにコンデンサをつけた本発明光トランジス
タ実施例の動(′1回路例、第6図fa+及びfblは
ベース電極に外部からコンデンサと抵抗の直列及び並列
回路を接続して機能を増大させた動作回路例、第7図+
a+乃至fd+はエミッタ及びコレクタに外部から抵抗
とコンデンサの直列乃至は並列回路を接続した動作回路
例である。 第1 図 1θ <−6−’) つ2つ /θ <C) 0 第2窃
略図、第2図fat乃至(dlはベースの構造を種々番
こ変えた本発明実施例の断面構造図、第3図(al乃至
tC)は本発明の別な実施例、第4図(a)及びfbl
はエミッタ接地及びベース接地による本発明の実施例の
動作回路例、第5図(al乃至fclはベース、エミッ
タ、コレクタにコンデンサをつけた本発明光トランジス
タ実施例の動(′1回路例、第6図fa+及びfblは
ベース電極に外部からコンデンサと抵抗の直列及び並列
回路を接続して機能を増大させた動作回路例、第7図+
a+乃至fd+はエミッタ及びコレクタに外部から抵抗
とコンデンサの直列乃至は並列回路を接続した動作回路
例である。 第1 図 1θ <−6−’) つ2つ /θ <C) 0 第2窃
Claims (1)
- (1) エミッタ、コレクタ、ベースよりなるトラン
ジスタにおいて、ベース部分の不純物−密度に不均一を
つけ、該ベースの不純物密度の大きなところに少数キャ
リアを蓄積させ、該ベースの不純物密度の小さいところ
は多数キャリアか抜は易いよう1こして1両者の電圧が
互いに結合せしめてなることを特徴としたフォトトラン
ジスタ。 ′(2) ベース近傍のエミッタ、
コレクタ側の低不純物な領域の伝導型が反転している前
記特許請求の範囲第一項記載のフォトトランジスタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151950A JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
DE8383902822T DE3381666D1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor. |
PCT/JP1983/000290 WO1984001055A1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor |
EP83902822A EP0116652B1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor |
US06/903,890 US4720735A (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor having a non-homogeneously base region |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151950A JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5941877A true JPS5941877A (ja) | 1984-03-08 |
JPH0381312B2 JPH0381312B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=15529742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57151950A Granted JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4720735A (ja) |
EP (1) | EP0116652B1 (ja) |
JP (1) | JPS5941877A (ja) |
DE (1) | DE3381666D1 (ja) |
WO (1) | WO1984001055A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016535A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Opnext Japan Inc | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IES20010616A2 (en) * | 2001-06-28 | 2002-05-15 | Nat Microelectronics Res Ct | Microelectronic device and method of its manufacture |
CN108039363A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-15 | 电子科技大学 | 光驱动SiC/GaN基半导体器件及其制作工艺 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5732437A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Mirror unit of camera |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3532945A (en) * | 1967-08-30 | 1970-10-06 | Fairchild Camera Instr Co | Semiconductor devices having a low capacitance junction |
FR2050630A5 (ja) * | 1969-06-19 | 1971-04-02 | V Elektrotekhni | |
JPS526076B1 (ja) * | 1971-04-28 | 1977-02-18 | ||
GB1502165A (en) * | 1974-04-10 | 1978-02-22 | Sony Corp | Semiconductor devices |
US4086610A (en) * | 1974-06-28 | 1978-04-25 | Motorola, Inc. | High reliability epi-base radiation hardened power transistor |
FR2299727A1 (fr) * | 1975-01-28 | 1976-08-27 | Alsthom Cgee | Thyristor a caracteristiques de commutation ameliorees |
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US4178190A (en) * | 1975-06-30 | 1979-12-11 | Rca Corporation | Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration |
JPS525273A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-14 | Hitachi Ltd | Transistor |
JPS53124086A (en) * | 1975-10-21 | 1978-10-30 | Semiconductor Res Found | Semiconductor device |
US4047217A (en) * | 1976-04-12 | 1977-09-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High-gain, high-voltage transistor for linear integrated circuits |
DE2728845A1 (de) * | 1977-06-27 | 1979-01-18 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines hochfrequenztransistors |
US4151540A (en) * | 1977-12-08 | 1979-04-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High beta, high frequency transistor structure |
US4427990A (en) * | 1978-07-14 | 1984-01-24 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor photo-electric converter with insulated gate over p-n charge storage region |
JPS55128870A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-06 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor and semiconductor device |
US4295058A (en) * | 1979-06-07 | 1981-10-13 | Eaton Corporation | Radiant energy activated semiconductor switch |
JPS5685848A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Toshiba Corp | Manufacture of bipolar integrated circuit |
JPS5946103B2 (ja) * | 1980-03-10 | 1984-11-10 | 日本電信電話株式会社 | トランジスタ |
US4381953A (en) * | 1980-03-24 | 1983-05-03 | International Business Machines Corporation | Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process |
JPS5895877A (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-07 | Semiconductor Res Found | 半導体光電変換装置 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151950A patent/JPS5941877A/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-31 WO PCT/JP1983/000290 patent/WO1984001055A1/ja active IP Right Grant
- 1983-08-31 EP EP83902822A patent/EP0116652B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-31 DE DE8383902822T patent/DE3381666D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-31 US US06/903,890 patent/US4720735A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5732437A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Mirror unit of camera |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008016535A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Opnext Japan Inc | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4720735A (en) | 1988-01-19 |
DE3381666D1 (en) | 1990-07-19 |
WO1984001055A1 (en) | 1984-03-15 |
EP0116652A4 (en) | 1986-09-04 |
JPH0381312B2 (ja) | 1991-12-27 |
EP0116652A1 (en) | 1984-08-29 |
EP0116652B1 (en) | 1990-06-13 |
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