JPS5939341A - 薄板状被処理物の加熱処理装置 - Google Patents

薄板状被処理物の加熱処理装置

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JPS5939341A
JPS5939341A JP14858382A JP14858382A JPS5939341A JP S5939341 A JPS5939341 A JP S5939341A JP 14858382 A JP14858382 A JP 14858382A JP 14858382 A JP14858382 A JP 14858382A JP S5939341 A JPS5939341 A JP S5939341A
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植原 晃
Hisashi Nakane
中根 久
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土方 勇
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Tokyo Denshi Kagaku KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウニ・・−などを加熱して、CVD(C
hemical Vapor Deposition 
)熱硬化或いは拡散処理を行なう装置に関する。
反応室内で予じめ加熱し1こ基板上に膜形成のための元
素を含んだ混合反応ガスを送り込み、基板上の熱化学反
応を利用して所望の膜を形成するようにしたCVDは減
圧状態下、或いはプラズマ状態下で行なわれるようにな
ってきている。このため、最近では内部を減圧に保って
且つプラズマ発生用−0)電極を内部に配したチャンバ
ーの周囲に加熱コイルを巻回した装置が提供されている
しかしながら、従来の装置は基板等の被処理物を1枚ず
つチャンバー内に入れ、加熱処理を行なうようにしてい
るので非能率的であり、処理時間も多(要し、処理後の
チャンバー内が高温となっている場合があるので被処理
相を取り出す際に細心の注意を払わなければならない。
またこれを自動化して行なう場合には装置自体が大型化
し且つ機構も複雑となる。そのため自動的に加熱処理が
行なえ且つコンパクトな加熱処理装置が望まれている。
本発明は上記要望に応えるべくなされたものであり、そ
の目的とするところは、手作業によることな(自動的に
多数枚の薄板状被処理物を知時間で加熱処理でき、且つ
コンパクトな加熱処理装置を提供するにある。
上記目的を迷惑すべ(本発明に係る加熱処理装置は、装
置本体内にチャンバーを縦方向に配設し、このチャンバ
ーの周囲に高周波誘導加熱コイルなどの加熱部材を設け
、該チャンバーに対して複数の薄板状被処理物を保持し
得る保持体を挿抜可能としたことをその要旨としている
以下に本発明の実施例を添付図面に基いて詳述する。
第1図は本発明に係る加熱処理装置をプラズマCVD用
の装置として適用した例を示すものであり、略々ボック
ス状をなす装置本体1内には石英からなる円筒状のプラ
ズマ発生用のチャンバー2を縦方向、即ちチャンバー2
の軸が上下方向となるように配設し、このチャンバー2
の上端部を閉塞し、下端部を開口するとともに、外周部
には加熱部材である高周波誘導加熱コイル3を巻回して
いる。そしてチャンバー2の周囲には図示しない電極板
を固定し、本体1内に高周波電源4を配設し、高周波を
印加することでチャンバー2内にプラズマを発生せしめ
るようにしている。
また、本体1の前面下半部には張り出し部5を一体的に
形成し、この張り出し部5の上面6に各種操作ボタン7
・・・を設けるとともに、上1面6の左右に薄板状の被
処理物である半導体ウェハー8を25枚収納し得る収納
カセット9.9を配設している。
この収納カセット9は第2図の内部構造図にも示すよう
に、アルミ或いはテフロンなどからなる2枚の板体9a
、9aを対向し上端部を棒材10゜10で接続してなり
、板体9aの下端を板状の支持部材11上に載置し、こ
の支持部材11の昇降動につれて収納カセット9が上面
6に形成した孔12を介して張り出し部5に対し昇降動
するようにしている。
また上記張り出し部5の上面6には左右方向に伸びる開
口13を形成し、この開口13内に一対の搬送部材であ
る無端ベル)14.14を配設している。この無端ベル
ト14の基部14aは上記収納カセット9の下部に位置
し、夫々の無端ベルト14の先部14bは離間して対向
して騒・る。そして無端ベルト14の上面は張り出し部
5の上面6よりも若干上方に位置し、収納カセット9が
下降した際に最下段のウェハー8が無端ベルト14上に
載るようにしている。
また上記開口13の中央から装置本体1内に伸びる関口
15が形成され、この開口15にシリンダユニット16
によって昇降動せしめられる昇降部材170基部を臨ま
せている。この昇降部材17はシリンダユニット16が
引込み動をした場合にはその上面が無端ベルト14の上
面よりも若干下方に位置するようにして(・る。そして
昇降部材17の基部には窓18を形成し、この窓18内
にウェハー8を昇降部材17上に容易に乗り移らすため
のローラ19を設け、更に昇降部材1γの両側には昇降
部月17の基部に乗り移ったウニ・・−を先部に移送す
るための無端ベルト20を設けている。
そしてこの無端ベルト20の外側にはアーム部材21を
設けている。このアーム部材21はその基部の上端から
棒状部21aを延出するとともに基部下端に取り付けた
キャスター22によってガイドレール23上を移動可能
とされている。
一方、本体1の底面には2本のガイド棒24゜24が立
設され、このガイド棒24.24に前記プラズマ発生用
チャンバー2の蓋体25を摺動自在に挿着している。こ
の蓋体25にはネジ部を刻設したロッド26が螺合挿通
され、このロッド26をモータ27で回転せしめること
で、蓋体25がガイド棒24,24に沿って昇降動する
ようにしている。
そして、蓋体25の上面にはウニ・・−保持体28を立
設している。この保持体28は4本の柱29・・・とこ
れら柱29・・・の上端部を結合する棒材30・・・と
からなり、保持体28は平面から見て台形をなすように
している。そして上記柱29・・・には上下方向に等間
隔で溝部31・・・を複数(本実施例では50本)穿設
し、この溝部31にウニ・・−8の端部が嵌り込んで係
止するようにしている。
以上において、先ず25枚のウェハー8・・・を収納し
た左側のカセット9を若干降下せしめ、カセット9に収
納されているウェハー8・・・のうち最下段に位置する
ウェハーを無端ベルト14上に載せる。するとウェハー
8は無端ベルト14によって昇降部材17上まで送り出
される。このときリミットスイッチによってシリンダユ
ニット16が作動し、昇降部材17が上昇し、無端ベル
ト20によってウニ・・−8が昇降部材17の先端部ま
で搬送される。
そしてウェハー8が昇降部材17の先端部までくるとリ
ミットスイッチにより無端ベルト20の駆動が停止し、
昇降部材17がもとの位置まで下降する。すると、ウエ
ノ・−8はアーム部材21゜21の先端部に乗り移る。
次いでアーム部材21゜21はウエノ・−保持体28に
向って移動し、ウニ・・−を保持体28の柱29に形成
した溝部31に係止せしめる。この場合、保持体28は
最も下った位置とし、最初のウエノ・−8は保持体28
の最上段に保持されるようにする。
次いでモータ27を駆動して保持体28を一段分、即ち
溝部31の一間隔分だけ上昇せしめる。
すると、アーム部材21の先端部からウニ・・−8が離
れ、この後アーム部材21はもとの位置まで戻り、装置
は最初の状態になる。
この後、左側のカセット9が更に一段分降下し2枚目の
ウエノ・−を送り出し、このウエノ・−を前記同様の操
作で保持体28の2段目の溝部に保持せしめる。そして
この操作を繰り返し、左側のカセット9内のウェハー8
・・・の全て(25枚)を保持体28内に保持せしめた
ら、今度は右側のカセット9についても同様の操作を行
なって合計50枚のウェハー8・・・を保持体28内に
保持せしめる。
次いで、モータ27を駆動して保持体28をチャンバー
2内に収納するとともに蓋体25によってチャンバー2
の下端開口部を塞ぐ。この後、高周波電源4によってチ
ャンバー2内にプラズマを発生せしめるとともに、高周
波誘導加熱コイル3によって被処理物であるウェハー8
にプラズマCVD処理を行なう。
この後、前記した操作と逆の操作によってチャンバー2
内で処理したウエノ・−8・・・をカセット9内に一枚
ずつ戻す。
第3図乃至第6図は別実施例を示すものであり、前記実
施例と同一の部材については同一の番号を付している。
即ち装置本体1内には縦方向にチャンバー2を配設し5
、このチャンバー2の周囲に高周波誘導加熱コイル3を
巻回している。そして本体1内には高周波電源4を設は
電極板を弁してチャンノ(−2内にプラズマを発生せし
めるようにしている。
また本体1の前面には張り出し部5を形成するとともに
、本体1の内部には支持板32を固着し、この支持板3
2の上下端にブラケット33.33を取付け、これらブ
ラケット33.33間にネジ部を形成したロッド34を
モータによって回転せしめられるように支持している。
そして、上記ロッド34に支持台35を螺合し、ロッド
34の回転によって支持台J5が図示しない案内ロッド
に沿って昇降動するようにしている。そして支持台35
には前記実施例と同様の蓋体25が設けられており、こ
の蓋体25の上面にウニ・・−の保持体28が立設され
ている。
また、本体1内の中央には横方向に支持板36を架設し
、この支持板36の上面左右に一対の回転板37.37
を設け、この回転板37.37の先端にウエノ・−収納
用のカセット9を載置するようにしている。
そして回転板37の下方に、&工移し換え音す材38を
配設している。この移し換え部材38&工第4図及び第
5図に示す如く、アングル片390つ起立音b39aの
裏面に多数の先端二股状となった舌状片40・・・ン上
下方向に連続的に取り付けており、該アングル片390
基部を本体1内に自己設したシ1ノンダニニット410
ロッド42に固着して(する。
一方シリンダユニット41は本体1内の前後方+oJに
架設された案内ロッド43.43に摺動自在に挿通した
支持台44に固設され、こσ)支持台44ヲシリンダユ
ニツト45で案内、oツ)’43.43に沿って移動せ
しめるようにして(する。而して、移し換え部材38は
シリンダユニット41σ)作動で昇降動し、シリンダユ
ニット45のイ/「動でiiJ後動するようになってい
る。
以上において、ウニ、−、8・’Y収納した−)Jセッ
ト9ヶカセット9の板体9a力(本体1の=1面と平行
となるようにして回転板37上に載置して第4図の状態
とする。次いでモータを駆動してロット。
34を回転し、支持台35、蓋体25及び保持体28を
一体的に降下せしめ最下端に位置せしめる。
そしてこれと同時に一方の回転板37を約90°回転せ
しめ、カセット9を保持体28の上部近傍に位置せしめ
る。
次いでシリンダユニット41を作動して移し換え部材3
8を上昇せしめ、移し換え部材38の舌状片40・・・
の夫々がカセット9内に収納したウェハー8・・・の中
間に位置する高さで停止する。この状態を第6図で示し
ている。
次いでシリンダユニット45を作動せしめて移し換え部
材を図中右方へ移動せしめる。すると、各舌状片40・
・・はウエノ・−8・・・の間に挿入されることとなる
。そしてこの状態となった時点でシリンダ45の作動を
停止し、シリンダユニット41を再度作動し、移し換え
部材38を若干上昇せしめる。すると、舌状片40・・
・がカセット9内のウニ・・−8・・・を持ち上げるこ
ととなる。
そして、舌状片40・・・上にウエノ・−8・・・が載
置されたならば、シリンダユニット41の作動を停止し
、再度シリンダユニット45を作動せしめる。
すると、ウニ・・−8・・・は移し換え部材38によっ
て保持体28内に送られ、保持体28の柱29に形成し
た溝部31内にウェハー8の端部が嵌り込み、複数(例
えば25枚)のウニ・・−8・・・は同時に保持体28
に係止されることとなる。この後シlJyダニニット4
1.45v作動せしめることで移し換え部材38を元の
位置に戻す。そして、上記と同様の操作を他方の回転板
37上に載置したカセット9内のウェハーにも行なうこ
とで、保持体28内にカセット2個分(例えば50枚)
のウェハー8を保持せしめる。
この状態から更にロッド34Y回転せしめ、蓋体25が
チャンバー2の下端開口部を塞ぐまで支持台35を上昇
せしめる−これにより保持体28はウェハー8を保持し
た状態で密閉状態のチャンバー2内に装填されることと
なる。
斯る状態にて高周波電源4によってチャンバー2内にプ
ラズマを発生せしめ且つ高周波誘導コイル3によって、
チャンバー2内のウエノ・−8にプラズマCVD処理を
行なう。
そして斯る処理が終了したならば、前記と逆の操作によ
り、チャンバー2内のウェハー8を半分ずつカセット9
内に戻して処理が完了する。
尚、以上に示したものは本発明の実施の一例に過キス、
チャンバー2の周囲に巻回する加熱部材は高周波誘導加
熱コイルに限らず、抵抗加熱コイル或いは加熱ランプ等
を配設してもよい。また実施例にあってはプラズマCV
D処理用として本発明に係る装置7示したが、本発明に
係る装置は薄板状の被処理物に熱硬化処理或いは拡散処
理する一合にも用いることができるのは勿論である。
以上の説明で明らかな如く本発明によれば、チャンバー
を縦方向に配置するようにしたので、コンパクト化が図
れ、またチャンバー内で多数枚の被処理物を同時に処理
するようにしたので、処理時間を大巾に短縮することが
でき、更に被処理物の保持体への被処理物の送り、及び
取り出し等を自動的に行なうようにしたので、従来の手
作業に比べ作業能率が向上するとともに被処理物を傷付
けるおそれも少なくなり、製品歩留りも大巾に向上する
等多くの効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すものであり、第1図は本発
明に係る加熱処理装置の概略構造を示す斜視図、第2図
は同加熱処理装置の内部構造を示す斜視図、第3図は別
実施例の正面図、第4図は同別実施例の内部構造を示す
側面図、第5図は移し換え部材の斜視図、第6図は同別
実施例の作用を説明した側面図である。 尚、図面中1は装置本体、2はチャンノ(−13は加熱
部材、8は薄板状被処理物、28は保持体である。 特許出願人 東京電子化学株式会社 代理人 弁理士   下  1) 容一部間  弁理士
   大  橋   邦  産量  弁理士   小 
 山      有第2図 第4図 ノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 装置本体内に縦方向に配置されたチャンバーと、このチ
    ャンバーの外周に配設された加熱部材と、複数の薄板状
    被処理物を保持し得るとともに上記チャンバー内に挿抜
    可能とされた保持体とを備えてなる薄板状被処理物の加
    熱処理装置。
JP57148583A 1981-10-05 1982-08-27 薄板状被処理物の加熱処理装置 Expired - Lifetime JPH0650756B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57148583A JPH0650756B2 (ja) 1982-08-27 1982-08-27 薄板状被処理物の加熱処理装置
US06/424,287 US4550242A (en) 1981-10-05 1982-09-27 Automatic plasma processing device and heat treatment device for batch treatment of workpieces
US06/424,503 US4550239A (en) 1981-10-05 1982-09-27 Automatic plasma processing device and heat treatment device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57148583A JPH0650756B2 (ja) 1982-08-27 1982-08-27 薄板状被処理物の加熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5939341A true JPS5939341A (ja) 1984-03-03
JPH0650756B2 JPH0650756B2 (ja) 1994-06-29

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ID=15455985

Family Applications (1)

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JP57148583A Expired - Lifetime JPH0650756B2 (ja) 1981-10-05 1982-08-27 薄板状被処理物の加熱処理装置

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