JPS5938165B2 - 立方晶窒化ほう素の製造法 - Google Patents
立方晶窒化ほう素の製造法Info
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- JPS5938165B2 JPS5938165B2 JP4056481A JP4056481A JPS5938165B2 JP S5938165 B2 JPS5938165 B2 JP S5938165B2 JP 4056481 A JP4056481 A JP 4056481A JP 4056481 A JP4056481 A JP 4056481A JP S5938165 B2 JPS5938165 B2 JP S5938165B2
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- Japan
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- boron nitride
- nitride
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- cubic boron
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は立方晶窒化はう素の製造法に関する。
立方晶窒化はう素はダイヤモンド類似型結晶構造をもつ
高硬度物質であることは知られている。
高硬度物質であることは知られている。
硬度の点ではダイヤモンドに劣るが、一方熱的、化学的
・性質はダイヤモンドのそれより優れているので、焼入
鋼、特殊鋼、セラミックス等の新しい研摩、切削材とし
ての用途が開発されている。
・性質はダイヤモンドのそれより優れているので、焼入
鋼、特殊鋼、セラミックス等の新しい研摩、切削材とし
ての用途が開発されている。
また適当な元素をその結晶格子中にドープすることによ
り、Ｐ型Ｎ型両性半導体の製造が可能で、その優れた熱
伝導率を生かして電子材料としての応用への期待も大き
い。
り、Ｐ型Ｎ型両性半導体の製造が可能で、その優れた熱
伝導率を生かして電子材料としての応用への期待も大き
い。
このような観点から所望の粒径ならびに結晶形態をもつ
高純度高品質の立方晶窒化はう素の単結晶が要望されて
いる。
高純度高品質の立方晶窒化はう素の単結晶が要望されて
いる。
従来、立方晶窒化はう素は六方晶窒化はう素に触媒物質
を用いて変換させる製造法が知られている。
を用いて変換させる製造法が知られている。
その触媒物質としては、元素周期律表におけるＩａ、Ｉ
［ａ、Ｈａ族元素と、それらの窒化物あるいは合金が主
として用いられていた。
［ａ、Ｈａ族元素と、それらの窒化物あるいは合金が主
として用いられていた。
他に錫、鉛、アンチモンの単体または合金、尿素、アン
モニウム塩等も知られている。
モニウム塩等も知られている。
しかしながら、前記の金属触媒を使用すると、不安定は
う化物、遊離はう素が副生成され、得られる立方晶窒化
はう素の結晶中に、はう素が混入され結晶は黒色、不透
明で、その粒子強度も著しく小さくなる欠点がある。
う化物、遊離はう素が副生成され、得られる立方晶窒化
はう素の結晶中に、はう素が混入され結晶は黒色、不透
明で、その粒子強度も著しく小さくなる欠点がある。
才だ窒化物を使用すると未反応窒化物が残留し、得られ
る立方晶窒化はう素結晶中にも窒化物がとじ込められ、
高品質のものが得られなかった。
る立方晶窒化はう素結晶中にも窒化物がとじ込められ、
高品質のものが得られなかった。
一方、尿素またはアンモニウム塩を使用すると、得られ
る立方晶窒化はう素の粒子径は０．１〜０．５ミクロン
と極めて小さいものしか得られず、加えてこれらの触媒
で六方晶窒化はう素から立方晶窒化はう素への変換する
機構が未だ解明されず、所望の結晶を得る条件の設定が
困難である欠点がある。
る立方晶窒化はう素の粒子径は０．１〜０．５ミクロン
と極めて小さいものしか得られず、加えてこれらの触媒
で六方晶窒化はう素から立方晶窒化はう素への変換する
機構が未だ解明されず、所望の結晶を得る条件の設定が
困難である欠点がある。
また、Ｂａ３Ｎ２．５ｒ３Ｎ２ を触媒として使用する
ことも知られているが、ＨＢＮと窒化物との反応が均一
でないため、未反応窒化物が残留し、得られるＣＢＮ結
晶中にこれらが閉じ込められたり、過剰な窒素が不純物
として含有される。
ことも知られているが、ＨＢＮと窒化物との反応が均一
でないため、未反応窒化物が残留し、得られるＣＢＮ結
晶中にこれらが閉じ込められたり、過剰な窒素が不純物
として含有される。
その結果、高品位な結晶が得難く、且つ粒子強度が小さ
くなる欠点がある。
くなる欠点がある。
さきに、本発明者らは六方晶窒化はう素を立方晶窒化は
う素・＼変換させる方法として、六方晶窒化はう素の溶
媒となる窒化はう素カルシウムを用いて、その溶融状態
を実現する温度以上、立方晶窒化はう素の熱力学的安定
圧力域下で処理する方法を発明した。
う素・＼変換させる方法として、六方晶窒化はう素の溶
媒となる窒化はう素カルシウムを用いて、その溶融状態
を実現する温度以上、立方晶窒化はう素の熱力学的安定
圧力域下で処理する方法を発明した。
この方法により、高品質、高純度の単結晶が得られた。
。しかし、この方法により、良質結晶状態
や面の整った立方晶窒化はう素結晶を得ようとすると、
立方晶窒化はう素と六方晶窒化はう素の相平衡線の極く
近傍（温度にして３０℃以内）にある圧力と温度の下に
、この反応系を数十分間保持することが必要である。
や面の整った立方晶窒化はう素結晶を得ようとすると、
立方晶窒化はう素と六方晶窒化はう素の相平衡線の極く
近傍（温度にして３０℃以内）にある圧力と温度の下に
、この反応系を数十分間保持することが必要である。
しかし、一般に立方晶窒化はう素の製造は５００００気
圧以上の高圧力の下で行われるので、このような超高圧
を加えつつ、その上相平衡線の近傍の温度以内に保つこ
とは難かしく再現性に乏しい。
圧以上の高圧力の下で行われるので、このような超高圧
を加えつつ、その上相平衡線の近傍の温度以内に保つこ
とは難かしく再現性に乏しい。
加うるに、より大粒の立方晶窒化はう素の単結晶を得よ
うとすると、数十時間所定の温度、圧力の条件に保持す
る必要があり、そのためには特別な注意を払うことが要
求される１４しかしながら、実際には立方晶窒化はう素
の製造に際し、熱電対を高圧、反応容器内に挿入して温
度を直接測定することが困難なので、加熱温度を供給す
る電力法により制御する手段等によらざるを得なく、そ
のため温度制御が不正確となる。
うとすると、数十時間所定の温度、圧力の条件に保持す
る必要があり、そのためには特別な注意を払うことが要
求される１４しかしながら、実際には立方晶窒化はう素
の製造に際し、熱電対を高圧、反応容器内に挿入して温
度を直接測定することが困難なので、加熱温度を供給す
る電力法により制御する手段等によらざるを得なく、そ
のため温度制御が不正確となる。
従って、この製造法では精密な温度および圧力制御が達
成されない限り、技術的な限界がある。
成されない限り、技術的な限界がある。
本発明はこれらの問題点を解消しようとするものであり
、その目的は結晶粒子の大きい立方晶窒化はう素を容易
に製造し得られる方法を提供するにある。
、その目的は結晶粒子の大きい立方晶窒化はう素を容易
に製造し得られる方法を提供するにある。
本発明は窒化はう素ストロンチウム
（Ｓｒ３Ｂ２Ｎ４）または窒化はう素バリウム（５ａ３
Ｂ２Ｎ４ ）と六方晶窒化はう素とを、立方晶窒化はう
素の熱力学的安定圧力の下で、立方晶窒化はう素の種結
晶の存在下で、１２５０°Ｃ以上の温度で加熱すること
により解決し得た。
Ｂ２Ｎ４ ）と六方晶窒化はう素とを、立方晶窒化はう
素の熱力学的安定圧力の下で、立方晶窒化はう素の種結
晶の存在下で、１２５０°Ｃ以上の温度で加熱すること
により解決し得た。
本発明の方法によると、温度、圧力領域の許容値幅が広
いので、結晶粒成長速度の制御が容易であり、しかも種
結晶が存在するため、そのため、大粒径で高純度、良質
の立方晶窒化はう素の単結晶を容易に製造することがで
きる優れた効果を有する。
いので、結晶粒成長速度の制御が容易であり、しかも種
結晶が存在するため、そのため、大粒径で高純度、良質
の立方晶窒化はう素の単結晶を容易に製造することがで
きる優れた効果を有する。
本発明において使用する窒化はう素ストロンチウムは金
属ストロンチウムまたは窒化ストロンチウムと六方晶窒
化はう素とをストロンチウム対はう素のモル比で３対２
０割合で混合し、窒素気流中で９５０〜１２００℃で２
時間以上加熱することによって得られる。
属ストロンチウムまたは窒化ストロンチウムと六方晶窒
化はう素とをストロンチウム対はう素のモル比で３対２
０割合で混合し、窒素気流中で９５０〜１２００℃で２
時間以上加熱することによって得られる。
また窒化はう素バリウムも前記のストロンチウムに代え
バリウムを用いることによって同様にして得られる。
バリウムを用いることによって同様にして得られる。
本発明の製造原料としては窒化はう素ストロンチウムま
たは窒化はう素バリウムに六方晶窒化はう素を混和する
か、あるいは、窒化はう素ストロンチウムまたは窒化は
う素バリウムを前記の方法で製造する際に過剰量の六方
晶窒化はう素を予め使用し、過剰分の六方晶窒化はう素
を含有せしめたものが使用される。
たは窒化はう素バリウムに六方晶窒化はう素を混和する
か、あるいは、窒化はう素ストロンチウムまたは窒化は
う素バリウムを前記の方法で製造する際に過剰量の六方
晶窒化はう素を予め使用し、過剰分の六方晶窒化はう素
を含有せしめたものが使用される。
六方晶窒化はう素の混合割合は、窒化はう素ストロンチ
ウムまたは窒化はう素バリウムに対して３５重量％以上
であることが好ましい。
ウムまたは窒化はう素バリウムに対して３５重量％以上
であることが好ましい。
本発明における立方晶窒化はう素の合成可能な温度、圧
力条件の関係は第１図に示す通りである。
力条件の関係は第１図に示す通りである。
図中、１３は窒化はう素ストロンチウムを使用した場合
における立方晶窒化はう素の合成可能域と安定域との境
界曲線、１４に窒化はう素バリウムを使用した場合にお
ける同じ境界曲線、１５は立方晶窒化はう素と六方晶窒
化はう素との熱力学的平衡線を示す。
における立方晶窒化はう素の合成可能域と安定域との境
界曲線、１４に窒化はう素バリウムを使用した場合にお
ける同じ境界曲線、１５は立方晶窒化はう素と六方晶窒
化はう素との熱力学的平衡線を示す。
Ａ域は立方晶窒化はう素の合成可能域、Ｂ域は立方晶窒
化はう素の安定域、Ｃ域は六方晶窒化はう素の安定域で
ある。
化はう素の安定域、Ｃ域は六方晶窒化はう素の安定域で
ある。
図面で明らかなように、約１３５０℃、１２５０℃はそ
れぞれ、窒化はう素ストロンチウム、窒化はう素バリウ
ムを用いて得られる立方晶窒化はう素の合成下限温度で
ある。
れぞれ、窒化はう素ストロンチウム、窒化はう素バリウ
ムを用いて得られる立方晶窒化はう素の合成下限温度で
ある。
また原料である六方晶窒化はう素は高純度で、酸素含有
量が２〜３重量重量上以下ることが好ましい。
量が２〜３重量重量上以下ることが好ましい。
従って、例えは１気圧の窒素ガス雰囲気中で約２０００
℃の温度にさらすと酸素含有量は１重量製以下に減少さ
せることができる。
℃の温度にさらすと酸素含有量は１重量製以下に減少さ
せることができる。
比較例 １
第２図、第３図および第４図は試料構成の縦断面図を示
す。
す。
第２図に示す試料構成で試験を行った。
図中１は黒鉛抵抗発熱体、２は黒鉛円板で、交流または
直流電流をその両端に印加して所定の温度を反応室内部
に供給する。
直流電流をその両端に印加して所定の温度を反応室内部
に供給する。
３および４はそれぞれ食塩円筒および円板で、高温下で
反応室内の圧力の均一性をはかる。
反応室内の圧力の均一性をはかる。
反応室は５および６のモリブデン円筒および円板により
囲まれ、食塩との直接の接触を防いでいる。
囲まれ、食塩との直接の接触を防いでいる。
７は六方晶窒化はう素円板または栓、８は窒化はう素ス
トロンチウム粉末を錠剤成型器により２．０トン／ｃｒ
ｉｔの荷重で加圧成形したもので、六方晶窒化はう素円
板と交互に積層して充填する。
トロンチウム粉末を錠剤成型器により２．０トン／ｃｒ
ｉｔの荷重で加圧成形したもので、六方晶窒化はう素円
板と交互に積層して充填する。
窒化はう素ストロンチウムと六方晶窒化はう素の割合は
、重量で１対３の割合とする。
、重量で１対３の割合とする。
これをベルト型高温高圧装置により５４０００気圧、１
３５０℃で約６０分間処理した。
３５０℃で約６０分間処理した。
その後加熱電源を切り、容器の温度を急速に下げ、除圧
後結晶を取り出した。
後結晶を取り出した。
得られた結晶をＸ線回折法、超硬合金板への引かき試験
および顕微鏡観察したところ、立方晶窒化はう素結晶で
あることが確認された。
および顕微鏡観察したところ、立方晶窒化はう素結晶で
あることが確認された。
反応生成物中に含まれる窒化はう素ストロンチウムは弱
酸により容易に分解するために、これによる処理により
容易に取り除かれる。
酸により容易に分解するために、これによる処理により
容易に取り除かれる。
また未反応六方晶窒化はう素との境界に晶出した立方晶
窒化はう素結晶は熱濃硫酸中に弗化ナトリウムを加えた
溶液で溶解分離し、その後、重液により比重分離を行っ
た。
窒化はう素結晶は熱濃硫酸中に弗化ナトリウムを加えた
溶液で溶解分離し、その後、重液により比重分離を行っ
た。
得られた立方晶窒化はう素は六面体と八面体の合わさっ
た形状をもつ淡黄色透明、約１７０ミクロン径の単結晶
であり、そのＨＢＮからＣＢＮ−＼の変換率は４５％前
後であった。
た形状をもつ淡黄色透明、約１７０ミクロン径の単結晶
であり、そのＨＢＮからＣＢＮ−＼の変換率は４５％前
後であった。
なお、本比較例での圧力の値は、室温下におけるビスマ
ス、タリウム、バリウムの相転移圧点を、各々２５．５
キロバール、３７キロバール、５５キロバールとして作
成された荷重−圧力発生曲線に基づくものである。
ス、タリウム、バリウムの相転移圧点を、各々２５．５
キロバール、３７キロバール、５５キロバールとして作
成された荷重−圧力発生曲線に基づくものである。
また試料部中央の温度は、白金−白金１３係ロジウム熱
電対を用いて温度−消費電力曲線を作成、黒鉛抵抗発熱
体に印加した電力値により所定の温度を推定した。
電対を用いて温度−消費電力曲線を作成、黒鉛抵抗発熱
体に印加した電力値により所定の温度を推定した。
比較例 ２
比較例１において用いた食塩円筒の代りに、六方晶窒化
はう素円筒を用いた試料構成第３図のもので実験を行っ
た。
はう素円筒を用いた試料構成第３図のもので実験を行っ
た。
窒化はう素バリウム粉末を錠剤成型器により約２．０ト
ン／ｃｒＡの荷重で成形したもの８を、六方晶窒化はう
素円板７と交互に積層し、六方晶窒化はう素円筒９内に
充填した。
ン／ｃｒＡの荷重で成形したもの８を、六方晶窒化はう
素円板７と交互に積層し、六方晶窒化はう素円筒９内に
充填した。
これを５７０００気圧、１５００℃で約７０分間高温高
圧処理し、立方晶窒化はう索車結晶を実施例１と同様に
して得た。
圧処理し、立方晶窒化はう索車結晶を実施例１と同様に
して得た。
結晶粒径は大で約８０ミクロン（多くは６０ミクロン以
下）、無色透明結晶（淡黄色透明結晶も１都合まれてい
る）で、主として八面体からなり、各（１１１）面は全
く平滑な美しい結晶であった。
下）、無色透明結晶（淡黄色透明結晶も１都合まれてい
る）で、主として八面体からなり、各（１１１）面は全
く平滑な美しい結晶であった。
ＨＢＮからＣＢＮ−＼の変換率は３０％前後であった。
実施例 １
比較例１に用いた試料構成と同様なもので、３および４
はそれぞれ食塩円筒および円板で、六方晶窒化はう素か
ら立方晶窒化はう素の変換時に生ずる体積減少に基づく
見掛けの発生圧力の低下をさける目的で、これらを第４
図に示す試料構成器内に挿入した。
はそれぞれ食塩円筒および円板で、六方晶窒化はう素か
ら立方晶窒化はう素の変換時に生ずる体積減少に基づく
見掛けの発生圧力の低下をさける目的で、これらを第４
図に示す試料構成器内に挿入した。
黒鉛抵抗発熱体１の中央部と底部とには温度勾配を生ず
るので、六方晶窒化はう素と立方晶窒化はう素の微細結
晶（大きさ約１〜３ミクロン）を混和成形したものを高
温部７に配置し、低温部に立方晶窒化はう素（約４ｏｏ
ミクロン）の種子結晶１０を配置した。
るので、六方晶窒化はう素と立方晶窒化はう素の微細結
晶（大きさ約１〜３ミクロン）を混和成形したものを高
温部７に配置し、低温部に立方晶窒化はう素（約４ｏｏ
ミクロン）の種子結晶１０を配置した。
従ってこの試料構成においては下半分のみが有効試料空
間を形成している。
間を形成している。
下半分に充填するもの１１および１２は、六方晶窒化は
う素、パイロフィライト、滑石、シリカガラス、食塩等
であってもよいが、高温高圧条件下で相転移または分解
を伴い体積減少しないものを用いることが好ましい。
う素、パイロフィライト、滑石、シリカガラス、食塩等
であってもよいが、高温高圧条件下で相転移または分解
を伴い体積減少しないものを用いることが好ましい。
本実施例では１１に食塩円板、１２に六方晶窒化はう素
円板を用いた。
円板を用いた。
なお、Ｆｅ−ＡＡ１０％合金薄板を窒化はう素ストロン
チウムと立方晶窒化はう素種子結晶の間に挿入した。
チウムと立方晶窒化はう素種子結晶の間に挿入した。
これは反応初期好ましくは、窒化はう素が窒化はう素ス
トロンチウム溶液に飽和されるまで、種子結晶が窒化は
う素ストロンチウムに溶解するのをさけるために用いた
。
トロンチウム溶液に飽和されるまで、種子結晶が窒化は
う素ストロンチウムに溶解するのをさけるために用いた
。
これを５５０００気圧、１５７０℃で約２４時間処理し
た。
た。
得られた立方晶窒化はう素結晶は約２．２叫径まで種子
結晶表面から成長している状況が観察された。
結晶表面から成長している状況が観察された。
この結晶は（１００）面を持つ八面体結晶で黄色透明で
あった。
あった。
第１図は立方晶窒化はう素の合成可能域の温度と圧力と
の関係図、第２図、第３図および第４図は試料構成の断
面図を示し、第２図及び第３図は比較例、第４図は本発
明の実施態様を示す。 、１：黒鉛抵抗発熱体、２：黒鉛円板、３：食塩円筒、
４：食塩円板、５：モリブデン円筒、６：モリブデン円
板、７：六方晶窒化はう素円板、８：溶媒部（Ｓｒ３Ｂ
２Ｎ４或いはＢａ３Ｂ２Ｎ４ ）、９：六方晶窒化はう
素円筒、１０：立方晶窒化はう素種子結晶、１１：食塩
円板、１２：六方晶窒化はう素円板、Ａ：立方晶窒化は
う素の合成可能域、Ｂ：立方晶窒化はう素の安定域、Ｃ
：六方晶窒化はう素の安定域。
の関係図、第２図、第３図および第４図は試料構成の断
面図を示し、第２図及び第３図は比較例、第４図は本発
明の実施態様を示す。 、１：黒鉛抵抗発熱体、２：黒鉛円板、３：食塩円筒、
４：食塩円板、５：モリブデン円筒、６：モリブデン円
板、７：六方晶窒化はう素円板、８：溶媒部（Ｓｒ３Ｂ
２Ｎ４或いはＢａ３Ｂ２Ｎ４ ）、９：六方晶窒化はう
素円筒、１０：立方晶窒化はう素種子結晶、１１：食塩
円板、１２：六方晶窒化はう素円板、Ａ：立方晶窒化は
う素の合成可能域、Ｂ：立方晶窒化はう素の安定域、Ｃ
：六方晶窒化はう素の安定域。
Claims (1)
- １ 窒化はう素ストロンチウムオたは窒化はう素バリウ
ムと六方晶窒化はう素とを、立方晶窒化はう素の種結晶
の存在下で、立方晶窒化はう素の熱力学的安定圧力下、
１２５０℃以上で加熱することを特徴とする立方晶窒化
はう素の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4056481A JPS5938165B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 立方晶窒化ほう素の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4056481A JPS5938165B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 立方晶窒化ほう素の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57156399A JPS57156399A (en) | 1982-09-27 |
| JPS5938165B2 true JPS5938165B2 (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12583957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4056481A Expired JPS5938165B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 立方晶窒化ほう素の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938165B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5973410A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-25 | Showa Denko Kk | 立方晶窒化ホウ素の製造法 |
| JPS6168398A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-08 | Showa Denko Kk | 立方晶型窒化硼素結晶の成長法 |
| DE3770889D1 (de) * | 1986-07-30 | 1991-07-25 | De Beers Ind Diamond | Herstellung von kubischem bornitrid. |
-
1981
- 1981-03-20 JP JP4056481A patent/JPS5938165B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57156399A (en) | 1982-09-27 |
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