JPS5930202B2 - 光フアイバ付光電変換素子 - Google Patents
光フアイバ付光電変換素子Info
- Publication number
- JPS5930202B2 JPS5930202B2 JP8955777A JP8955777A JPS5930202B2 JP S5930202 B2 JPS5930202 B2 JP S5930202B2 JP 8955777 A JP8955777 A JP 8955777A JP 8955777 A JP8955777 A JP 8955777A JP S5930202 B2 JPS5930202 B2 JP S5930202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- optical fiber
- conversion element
- recess
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光ファイバが結合された光電変換素子に関し
、特に光電変換素子と光ファイバとの相互位置決めを容
易にし、さらに光電変換効率を改善しようとするもので
ある。
、特に光電変換素子と光ファイバとの相互位置決めを容
易にし、さらに光電変換効率を改善しようとするもので
ある。
光電変換素子に光ファイバを結合して光の検出を行なう
構成を組立てる場合に、光ファイバと光電変換素子との
相互の位置決めは光ファイバの径が小さく、かつ光電変
換素子の受光面も小さくなるに従つて困難となつてくる
。
構成を組立てる場合に、光ファイバと光電変換素子との
相互の位置決めは光ファイバの径が小さく、かつ光電変
換素子の受光面も小さくなるに従つて困難となつてくる
。
特に第１図に示すように半導体基板１０の一面に受光層
１１が複数形成され、必要に応じてこれ等受光層１１を
含む基板１０上に保護膜１２が形成され、更に各受光層
１１とそれぞれ接触した電極が形成され、また基板１０
に共通電極１４が形成されて構成された光電変換素子の
アレイの各素子に光ファイバ２０を１対１で結合させる
場合は光電変換素子の受光層１１の面積が小さくなり、
かつ間隔も小さくなると光ファイバの結合が一層困難に
なる。この発明はこのような点より光７アイバの径より
も大きい開口を持つ凹部が基板の表面に形成され、この
凹部の内面、即ち側面又は底面に光電変換素子の受光面
が形成され、かつ光ファイバの端面がその受光面と対向
するように光ファイバ端部が凹部内に挿入される。
１１が複数形成され、必要に応じてこれ等受光層１１を
含む基板１０上に保護膜１２が形成され、更に各受光層
１１とそれぞれ接触した電極が形成され、また基板１０
に共通電極１４が形成されて構成された光電変換素子の
アレイの各素子に光ファイバ２０を１対１で結合させる
場合は光電変換素子の受光層１１の面積が小さくなり、
かつ間隔も小さくなると光ファイバの結合が一層困難に
なる。この発明はこのような点より光７アイバの径より
も大きい開口を持つ凹部が基板の表面に形成され、この
凹部の内面、即ち側面又は底面に光電変換素子の受光面
が形成され、かつ光ファイバの端面がその受光面と対向
するように光ファイバ端部が凹部内に挿入される。
第２図はこの発明による光ファイバ付光電変換素子の一
実施例を示し、例えば半導体基板１０の一面に、これと
直角な軸心をもつ四角錐形状凹部１５が複数個配列して
形成される゜この凹部１５の内面に受光層１１が形成さ
れ、これは半導体基板上表面にまで延長され、その延長
部に電極１３がそれぞれ形成される。
実施例を示し、例えば半導体基板１０の一面に、これと
直角な軸心をもつ四角錐形状凹部１５が複数個配列して
形成される゜この凹部１５の内面に受光層１１が形成さ
れ、これは半導体基板上表面にまで延長され、その延長
部に電極１３がそれぞれ形成される。
凹部１５の基板表面側の径は光ファイバ２０の径よりも
大とされる。光ファイバ２０の一端部がその軸心が凹部
１５の四角錐の軸心とほゞ一致するように各凹部１５内
に挿入される。従つて光ファイバ２０のその挿入端部は
基板１０の上表面に沿つては動かず光ファイバ２０の端
面は固定されている。この状態で図に示してないが樹脂
等でモールドして１個の部品として組立てられる。一方
第１図に示した従来のものでは光ファイバはその一本一
本の位置を決めながら基板１０に接着しなければ、全体
の平面方向の動きがある場合には相互位置がづれて光フ
ァイバと受光層との光結合が不完全になつてしまう。
大とされる。光ファイバ２０の一端部がその軸心が凹部
１５の四角錐の軸心とほゞ一致するように各凹部１５内
に挿入される。従つて光ファイバ２０のその挿入端部は
基板１０の上表面に沿つては動かず光ファイバ２０の端
面は固定されている。この状態で図に示してないが樹脂
等でモールドして１個の部品として組立てられる。一方
第１図に示した従来のものでは光ファイバはその一本一
本の位置を決めながら基板１０に接着しなければ、全体
の平面方向の動きがある場合には相互位置がづれて光フ
ァイバと受光層との光結合が不完全になつてしまう。
しかしこの発明の素子では上述したようにそのようなこ
とがない。この発明の素子は、更に第２図に示したよう
に光フアイバ２０から凹部１５内に投射された光Ｌは凹
部１５の斜面で反射をし、凹部の軸心に対し反対側の受
光層に入射することになり、光フアイバ２０によつて伝
達された光は有効に光電変換されるＯ第２図に示した実
施例では光電変換素子は受光層１１と基板１０との障壁
を含んだ部分で実質的に構成されている例を示し、更に
具体的には受光層１１と基板１０とはＰＮ接合を形成し
ている場合が一般的である。
とがない。この発明の素子は、更に第２図に示したよう
に光フアイバ２０から凹部１５内に投射された光Ｌは凹
部１５の斜面で反射をし、凹部の軸心に対し反対側の受
光層に入射することになり、光フアイバ２０によつて伝
達された光は有効に光電変換されるＯ第２図に示した実
施例では光電変換素子は受光層１１と基板１０との障壁
を含んだ部分で実質的に構成されている例を示し、更に
具体的には受光層１１と基板１０とはＰＮ接合を形成し
ている場合が一般的である。
しかしこの発明では光電変換素子は半導体基板中で、い
わゆる分離された形で凹部に形成された形でもよいし、
またトランジスタ構成でもよく、光フアイパと結合しな
い部分において種々の電子回路が形成されていてもよい
。また凹部としては角錐形のみならず円錐形、更にこれ
等錐形の頂部が底面とほと平行とされた形状など各種の
ものとしてもよい。光電変換素子はアレイでなく単独の
ものにも適用できる。以上説明したようにこの発明によ
れば、光フアイバと光電変換素子との相互位置決めが簡
単でしかも組立ても容易で光電変換効率の高い光フアイ
バ付光電変換素子を得ることができる。
わゆる分離された形で凹部に形成された形でもよいし、
またトランジスタ構成でもよく、光フアイパと結合しな
い部分において種々の電子回路が形成されていてもよい
。また凹部としては角錐形のみならず円錐形、更にこれ
等錐形の頂部が底面とほと平行とされた形状など各種の
ものとしてもよい。光電変換素子はアレイでなく単独の
ものにも適用できる。以上説明したようにこの発明によ
れば、光フアイバと光電変換素子との相互位置決めが簡
単でしかも組立ても容易で光電変換効率の高い光フアイ
バ付光電変換素子を得ることができる。
第１図は従来の光フアイバ付光電変換素子を示す断面図
、第２図はこの発明による光フアイバ付光電変換素子の
実施例を示す断面図である。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・受光層、１２
・・・・・・保護膜、１３，１４・・・・・・電極、１
５・・・・・・凹所、２０・・・・・・光フアイバ。
、第２図はこの発明による光フアイバ付光電変換素子の
実施例を示す断面図である。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・受光層、１２
・・・・・・保護膜、１３，１４・・・・・・電極、１
５・・・・・・凹所、２０・・・・・・光フアイバ。
Claims (1)
- １ 一面に対して軸を直角にし頂点を内部側に位置させ
て複数の錐体状の凹部が形成された基板と、前記凹部内
周面に沿つて前記基板との間に光電変換障壁を形成して
配設された受光層と、前記受光層の前記凹部周辺への延
長部にそれぞれ取り付けられた電極と、前記基板の他面
に形成された共通電極と、前記凹部に前記錐体の軸と端
面を直角にして一端部分が挿入された光ファイバとから
なる光ファイバ付光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955777A JPS5930202B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 光フアイバ付光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955777A JPS5930202B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 光フアイバ付光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5436775A JPS5436775A (en) | 1979-03-17 |
| JPS5930202B2 true JPS5930202B2 (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=13974113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8955777A Expired JPS5930202B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 光フアイバ付光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930202B2 (ja) |
-
1977
- 1977-07-25 JP JP8955777A patent/JPS5930202B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5436775A (en) | 1979-03-17 |
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