JPS5928158A - 露光マスク素材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は露光マスクの製造方法に関し、特に、半導体装
置等の製造忙使用されるハードマスクと称されるホトマ
スクの製造方法に関するものである。

従来、無機薄膜材料を用いたハードマスクが露光処理に
使用されているが、表面強度が大きくて繰返し使用が可
能である点で有用視されている。

この種のハードマスクとしては、化学的気相成長技術（
ＣＶＤ）で形成されたアモルファスシリコン（以下、ａ
−８ｉと称する。）を遮光膜とするものが知られ【いる
。　とのａ−８１膜はレースルー性が良好であって半導
加工時に下地パターンが透けて見える（即ち、可視光に
対してはある程度透明である。）という性質と同時に、
半導体加工用の特定波長（例えばａａｏｏＸや４３００
Ｘ）の露光ビームに対しては遮光性を示すものである。

この遮光性の程度は、次の光学濃度（ｏｐｔｉｃａｌｄ
ｅｎｓｉｔｙ）で示される。

光学濃度−ｌｏｇ　（Ｉｏ　／　Ｉ　）（但、１０は入
射光の光量、■は透過光の光量）ところが、上記の通常
使用されているａ−８ｔ膜の光学濃度はせいぜい１．２
〜１．４であって、一定量の入射光は透過してしまうの
で、完全な露光マスクとはなり得ない。　従って、遮光
性を充分にするにばａ−８ｔ膜の膜厚を大きくすること
が考えられるが、この場合には、マスク素材から所定の
マスクパターンｉｌ？：ａ−８ＩＩＩＭをエノグーング
加工する際にその膜厚を太き（すると、エツチング精度
が悪くなり、特にウェットエツチング時にサイドエツチ
ングが進行しすぎてマスクパターンが不良となり易い。

このような状況下で、本発明者は、薄くてエツチング加
工性が良（かつ光学濃度が充分なａ−Ｓｔを得るべく鋭
意検討を重ねた結果、次の興味ある事実を見出した。

即ち、ａ−８１０製膜時においては、ペルジャー内又は
製膜槽内に残留する酸素（０，）がａ−８１膜中に混入
し、これが原因してａ−８ｔ膜の酸化等によりその膜質
が低下してしまう。　この結果、ａ−８ｌ膜の光学濃度
が低下し、ホトマスクとしての遮光性が悪くなることが
分った。　この現象は、ペルジャー又は製膜槽内をかな
り高真空にしても１０−１０〜ｌ　Ｏ”　Ｔｏｒｒ　　
程度の酸素が不可避的に残留するために、従来のもので
は実用的生産レベル罠おいて、避けることのできないの
である。

ところが、本発明者は、ａ−８ｉ膜の製膜時（特に蒸着
法による場合）に水素、特に活性化又はイオン化された
水素を存在せしめ、ａ−８ｌ膜中に所定量の水素原子が
導入されるよ５にすれば、上記した如き酸素原子の混入
を効果的に防止し、薄くても光学濃度の高い膜が得られ
ることをつぎ止めた。

本発明は、こうした新規な認識に基いてなされたもので
あって、光学的に透明な基体と半導体材料１ｆ’にシリ
コン、必要に応じてゲルマニウム、シリコンとゲルマニ
ウムとの双方）蒸発源とを蒸着槽内に配置し、水素ガス
の存在下で前記蒸発源を加熱して半導体材料を蒸発せし
め、前記基体上にアモルファス水素化半導体層を形成し
、これ忙よって前記基体と前記アモルファス水素化半導
体層とからなる露光マスク素材を得ることを特徴とする
露光マスク素材の製造方法に係るものである。

本発明の製造方法によれば、基体上に蒸着される７モル
７アス半導体層中に水素原子を導入しているために、酸
素が混入する割合を極度に減少させ、逆に水素原子によ
って蒸着層の膜質（即ち、光学濃度）を向上させ、特九
使用波長での遮光性に優れた露光マスク素材を製造する
ことができる。

従って、遮光膜としてのアモルファス水素化半導体層の
膜厚を薄くしても充分な遮光性を示すために、次の露光
マスクへのエツチング加工の精度が向上する。　しかも
、この遮光膜ｉよ水素ガス存在下での蒸着圧よって形成
しているので、基体の温度はＣＶＤ法による場合に比べ
て低くてよく、かつ製膜速度も大幅に向上する。　この
場合、水素ガスを活性化又はイオン化して蒸着を行なう
と、更に遮光性の良い膜を効率良く形成することができ
、特に水素ガスを放電によって活性化又はイオン化する
のがよい。

水素ガスは蒸着槽内で活性化又はイオン化してよいが、
水素ガスのみを活性化又はイオン化して基体面に供給す
る方が効果的である。

本発明の方法は、上記の如き活性化水素又は水素イオン
の存在下での蒸着、直流イオンブレーティング法、ＲＦ
イオンブレーティング法のいずれに基いても実施可能で
ある。　但、基体を室温〜子を基体へ吸引し易く、アモ
ルファス水素化半導体層の形成に有利である。

また、蒸着槽内の水素ガス圧は、目的とする光学濃度妊
応じて決めるのがよく、Ｉ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ〜８
Ｘ１０’Ｔｏｒｒとするのが望ましい。

以下、本発明を図面に示した実施例について更に詳細に
説明する。

まず、第１図〜第８図について、本発明による方法で製
造される各種のホトマスク素材を例示する。

第１図のマスク素材１は、光学的に透明な石英板（ｓｉ
ｏ、板）２上に水素原子含有アモルファスシリコン（以
下、ａ−８１：Ｈと称する。）ｆ＃３が設けられたもの
である。　基板としてのＳｔＯ，の厚みは０．５〜３ｍ
ｍ（望ましくは１〜２．５　ｍｍ　）であり、またａ−
ｓ＋　：Ｈ層３　のｐａ厚はａｏｏ　〜５０００Ｘ　＜
望まＬ＜　は７００〜ａｏｏｏＸ）である。このマスク
素材１は、後述の方法で製造され、かつ所望の露光マス
クに加工される。

第１図の例では、ａ−８ｉと熱膨張係数の近いものが選
択可能な非石英板（例えば、ソーダライム、ホウ珪酸系
）を基板として用いることもできる。

第２図は、ソーダライム、ホウ珪酸系等の非石英板１２
上忙まずｓｉｏ、膜４が厚さ１００〜５０００Ｘ（望ま
しくは２００〜３０００Ｘ）Ｋ形成され、この上Ｋ　ａ
　−８ｉ　：　Ｈ層３が設げられている。　この場合、
ＳｔＯ，膜４は、基板１２からａ　−８ｉ　：　ＨＭ　
ヘＮａ等の不純物が混入してａ−８ｌ：Ｈ層３が汚染さ
れるのを防止するものである。

第３図は、ａ　−８ｉ　：　Ｈ層３と基板２との間に透
明導電膜（例えばＩ　Ｔ　Ｏ：　Ｉｎｄｌｕｍ　Ｔｉｎ
　０ｘｉｄｅ　）　５を境界膜として介在せしめた例を
示す。　この透明導電膜５の存在によって、後述するマ
スクパターンへのドライエツチング時の放電下で基板上
の電位を安定に保持し、かつ後述する半導体加工時に半
導体クエへと密着させたときに同ウェハ表面上での放電
を防止し、マスクエツジの損傷を防ぐ作用を有している
。　つまり、透明導電膜５を通じての電荷の移動によっ
て、電荷の蓄積又は固定現象を防ぐことができる。

第４図は、第２図及び第３図の例を組合せたものであっ
て、ａ−８１：Ｈ層３と基板２との間に透明導電膜５及
びＳ１０．膜４を設けている。

以上の第１図〜第４図のマスク素材はいずれも反射防止
手段を設けてはいないが、後述する半導体表面の加工時
に同表面からの反射光が更にマスク面で反射されて半導
体表面上のホトレジスト膜を不測に感光せしめ、ないよ
うに、反射防止膜を設けておくのがよい。

第５図は、ａ−８１：Ｈ層３上に、酸素原子を含有する
ａ−８１：Ｈ又は酸素原子を含有するａ−８ｌからなる
反射防止膜６を設け、この反射防止膜によって反射光を
マスクの層中へ導びくようにし、マスク面で再反射され
ることを防止した例を示している。　反射防止膜５の膜
厚は、露光時の使用波長忙応じて、反射が最小となるよ
うな値に設定される。

第６図は、上記の如き反射防止膜６をａ−８ｔ：Ｈ層３
と基板２又は１２との間にも設けた例を示す。

上記した各側の露光マスク素材（又は後述の露光マスク
）の外形は、処理されるべき半導体ウニへのサイズ尤応
じ、第７図の如くに正方形状であってよく、また第８図
の如くにウェハと同形であってもよい。

上記に例示した本発明による方法で得られる露光マスク
素材１は、所定量（特に０．１〜３０原子％）の水素原
子を含有したａ−８１：Ｈ層３を具備しているために、
従来のａ−８ｌ系シースルーマスクに比較して使用波長
での光学濃度が大幅に向上している。　即ち、第９図に
示すデータ（使用波長はａ３ｏｏＸ、　ａ−８１：Ｈ層
の厚みはｘｏｏｏＸ　）　Ｋよれば、水素含有量に応じ
て光学濃度が変化し、特に０．３〜２５原子チの範囲で
は従来のマスクの光学１８度（１，２〜１．４）以上と
なり、０．５〜２０原子俤では２〜４倍にも　向上する
ことが分る。　水素含有量が少ない範囲で光学濃度が急
激に高くなっていることは注目すべきであり、本発明に
従ってａ−８ｌ中に水素原子を積極的に導入することの
優位性が顕著に表われている。　なお、ａ−８１：Ｈ層
中の水素含有量は、同質の膜を高抵抗Ｓ１ウエハー上に
形成してその膜の赤外線吸収スペクトルによって求めた
（この場合のウェハ厚みは例えば〜５００μｍ。

ａ−８１：Ｈ膜厚は例えば１〜５μｍ　）　ｏ　　また
ａ−８ｔ：Ｈ層自体は後記（第１３図）の蒸着法で製膜
したものを用いた。　なお、上記赤外線吸収スペクトル
の一例を第１０図に示したが、赤外吸収の積分強度Ｉ　
＝　３福ρｄωを、特定の赤外吸収帯（例えば１９００
〜２２５０儒　）にわたる８１−Ｈの伸縮振動に注目し
て求める。　そして、水素濃度Ｎ（ｃｉ３）は、Ｎ＝Ｋ
ＸＩ（Ｋは定数）関係式から求めると、図示の例では１
０原子チ程度と見積られる。　但、これは−例であり、
また他の公知の方法忙基いて水素濃度を求めることもで
きる。

このように、ａ−８ｌ：Ｈ層は所定量の水素原子の含有
量よって高い光学濃度を示すものとなっているから、そ
の膜厚を薄くすることができ、次に述べるエツチング加
工精度又はシャープネスが大幅に向上する。

即ち、第１１Ａ図の如くに、ａ−８ｔ：Ｉ（層３上に公
知のホトレジスト２８を一様に塗布し、次いで第１１Ｂ
図の如くに、予め製作し・た露光マスク７を配して露光
する。　露光ビーム８はマスク７の非マスク部９を通し
て下地のホトレジスト２８を所定パターンに感光せしめ
る。

次にホトレジスト２８の例えば非露光部分をエツチング
で除去し、第１１Ｃ図の如きパターンに残す。　そして
、第°１１Ｄ図の如く、ホトレジスト２８をマスクにし
てプラズマエツチング等で下地のａ−８１：Ｈ層３をエ
ツチングし、バターニングする。　この際、上述の透明
導電膜５が存在していれば、プラズマによる電荷が集中
し難くなり、電位の安定性を保持できる。

第１１Ｅ図は、こうして製作された露光マスク１１を示
している。

この露光マスクの製造プロセスにおいて、特に第１１Ｄ
図のエツチング段階で、プラズマエツチング法尋のドラ
イプロセスでａ−８ｉ：Ｈ層３をエツチングする際、上
記したよ５Ｋａ−８１：Ｈ層３の膜厚は例えば１ｏｏｏ
Ｘ程度と薄くできるために、そのエツチング加工精度が
極めて良好となる。　従って、従来回避できなかつたサ
イドエツチングを防止して、露光マスクとしてのパター
ン精度を格段に向上させることができる。　また、この
エツチングにフッ虞酸系のエッチャントを用いたウェッ
トプロセスを適用した場合、上記のサイドエツチングが
進行し易いが、これも本発明による方法で形成された水
素含有ａ−８ｔ層においては充分に防止することができ
る。

本発明による露光マスクは、特に、半導体ＩＣ１ＬＳＩ
等における微細化プロセスに非常に有用である。　半導
体製造は本発明による露光マスクを適用した例を概略的
に述べると、第１１Ｆ図の如（、シリコンウェハ１０の
一主面に公知の熱酸化技術で形成したＳｔＯ，膜１３上
にホトレジスト１４を塗布し、このホトレジスト上に露
光マスク１１を配する。　この際、マスク１１のａ−８
ｌ：Ｈ層３は可視光に対しある程度透明であるから、ウ
ェハ１０の表面上に既に何らかのパターン（例えば素子
分離用のフィールドＳ１０．膜等）が存在している場合
には、そのパターンを観察でき、従ってマスク合せをよ
り正確に行なうことができる。　また、上述した透明導
電膜５を設けてお（１ば、マスク１１上での電荷の蓄積
を少なくし、ウェハ１０との間での放電をなくし、マス
ク破壊、ウェハの静電破壊を防げる。　次に、使用波長
が３０００〜４４００にの例えば紫外光１５を２００Ｗ
程度の超高圧水銀灯より照射し、マスク層３の存在しな
い非マスク部分下のホトレジス）１４を選択的に露光す
る。

ａ−８ｔ：Ｈからなるマスク層３は上記使用波長域では
光１５を通さず、充分な遮光性を示す。　更に、第１１
Ｇ図の如く、現像処理のホトレジスト１４をマスクに、
下地の５ｉＯ１膜１３をプラズマエツチング（ドライプ
ルセス）や、フッ酸、フッ化アンモニウム水溶液（ウェ
ットプルセス）等でエツチングし、ウェハｌＯ上圧所望
のパターンに残す。

こうして５ｌｏｔ膜１３に例えば電極又は配線被着用の
コンタクトホール１６を形成できる。

第１２図は、第１１Ｄ図のエツチング工程で使用可能な
プラズマエツチング装置を示すものであって、１７は基
板２を保持するホルダ、１８はシールド用メツシュチュ
ーブ、１９はプラズマ発生室、２０は高周波電極、２１
は高周波電源である。　例えば、ＣＦ４等のエッチャン
トガス２２をエツチング槽２３内に導入し、高周波電圧
によってプラズマラジカルを発生せしめ、このラジカル
をメッシェチェーブ１８の網目から反応室２４内の基板
２へ導入する。　これＫよって、基板２上のａ−８ｌ：
Ｈ層を上述した如＜Ｋしてプラズマエツチングする。　
なお、このプラズマエツチングは図示した装置に限らず
、公知の平行平板型のプラズマエツチング装置でも可能
であり、またプラズマエツチング以外にも反応性イオン
エツチング等の他のドライエツチングを適用することも
できる。　尚、シースルー性を重視しない場合には、シ
リコンにゲルマニウムを添加して（添加量が増すにつれ
て光学濃度が上る。）光学濃度をさらに上げるとか、あ
るいは、シリコンに代え膜をゲルマニウムで作製するこ
とも価値がある。

次に、本発明による方法で露光マスク素材、例えば第１
図〜第６図の露光マスク素材を製造する装置を説明する
。

第１３図は、上述したａ−８ｌ：Ｈ層３を製膜するだめ
の真空蒸着装置を示す。　即ち、真空槽を形成するペル
ジャー３０にバタ７ライバルズ３２　を有する排気路３
８を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これによ
り当該ペルジャー３ｏ内を予メ例えハ１０　’〜１０　
’　Ｔｏｒｒの高真空状態としておく。　当該ペルジャ
ー３０内には基板２を配置してこれをヒーター３４によ
り温度６００℃以下、好ましくは３００℃以下に加熱す
ると共に、放電管３７付きのガス導入管３６により活性
化又はイオン化された水素ガスをペルジャー３０内に導
入しながら、（水素ガス圧はＩ　Ｘ　１０−６〜８Ｘ　
１０　’　Ｔｏｒｒ　）、基板２と対向するよう前記ペ
ルジャー３０内に配されたシリコン蒸発源２５からシリ
コンを加熱蒸発せしめる。　この加熱手段は電子銃加熱
装置２６による電子ビーム２７又は抵抗加熱方式によっ
てもよい。　また、基板２（実際にはその背後電極（図
示せず））Ｉｃは負のバイアス電圧、例えば−１０Ｖ以
上、−１０ｋＶ以下の直流電圧３５を　必要に応じて印
加することができる。

前記水素ガス放電管３７は、第１４図に示すよう罠、ガ
ス人口４１を有する筒状の一方の電極部材４２と、この
一方の電極部材４２を一端に設けた、放電空間４３を囲
続する例えば筒状ガラス製の放電空間部材４４と、この
放電空間部材４４　の他端＆Ｃａｌた、出口４５を有す
るリング状の他方の電極部材４６とより成り、前記一方
の電極部材４２と他方の電極部材４６との間に直流又は
交流の電圧が印加されることにより、ガス人口４１を介
して供給された水素ガスが放電空間４３においてグロー
放電を生じ、これにより電子エネルギー的釦賦活された
水素原子若しくは分子より成る活性水素及びイオン化さ
れた水素イオンが出口４５より排出される。　この図示
の例の放電空間部材４４は二重管構造であって冷却水を
流過せしめ得る構成を有し、４７．４８が冷却水入口及
び出口を示す。　４９は一方の電極部材２２の冷却用　
フィンである。

上配水累ガス放電管３７における電極間距離は１０〜１
５αであり、印加電圧は５００〜ｓ　ｃｉ　ｏｖ、放電
空間４３の圧力は１０−２Ｔｏｒｒ程度とされる。

このような蒸着装置においては、水素ガスを放電により
活性化して導入し、かつ基板２に吸収用の負電圧を印加
すると共に基板２を加熱しているために、基板２上に堆
積するａ−８１膜中に水素原子が効果的かつ充分に取込
まれ、しかも膜中に入り込もうとする酸素が効果的に排
除される。　従っ【、得られたａ−８％：Ｈ膜の遮光性
が　向上する。

ペルジャー内での水素ガス圧はｌＸ１０’Ｔｏｒｒ未満
では効果がなく、８Ｘ１０’Ｔｏｒｒを越えると却って
Ｓｉの蒸着の妨げとなる。　また、基板２の加熱温度は
公知のＣＶＤ装置の場合に比べて低温（但、６００℃以
上ではａ−８ｉの結晶化が進み、光学濃度が低下する）
でよく、或いは基板２は加熱せず忙常温で操作しても差
支えない。　いずれにしても、この蒸着装置を用いれば
、大きな製膜速度（０，１〜２０ｏＸ／ｓｅｅ、好まし
くは０．３−８０　Ｘ　／　ｓｅｃ　）で所望量の水素
を含むａ−８ｔ等の蒸着膜を堆積させることができる。

なお、上述した酸素含有ａ−８ｉ層６又は５ｉＯ１層４
（第２図、第５図等参照）を形成するには、第１２図の
ペルジャー内にＯｌを導入すればよいが、この部会水素
ガスは供給停止するか或いは供給量を減らす。　ＳｔＯ
，層４は更に、酸素導入下での８１０．　ｓｔｏｗの蒸
着膜よって形成してもよい。

なお、上述の透明導電膜５を形成する罠は、Ｉｎｋ　Ｏ
８：　Ｓｎ、　５ｎｏ＝を公知のスパッタ法で付着せし
めたり、或いは酸素ガス存在下でＩｎ、０．：Ｓｎ。

ＳｎＯ，、Ｉｎ、　Ｉｎ＋Ｓｎ、ＳｎＯ等又はこれらの
組合せ材料を蒸着してもよい。

第１３図の装置では、水素のみを放電管３７で活性化し
たが、この放電管の代りに第１４図に示す如き直流式（
ＤＣ）イオン銃５７で水素ガスを活性化又はイオン化し
てペルジャー内に導入してもよい。　第１５図はイオン
銃の要部のみを示したが、コイル５０を巻回した第１の
引出し電極５１内に水素ガスを導入し、その出口側の第
２の引出し電極５２との間で直流電圧（引出し電圧）を
印加して水素ガスをペルジャー側へ導出する構造で、さ
ら罠引出し電極５１内の放電電極５３の箇　所でＡとＢ
の間に、放電用直流電圧を印加して放電せしめ、電荷担
体をコイル５０を流れる直流電流尤よって作られる磁場
により磁気的処集中せしめ、放電によりイオン化した水
素を製膜空間に引き出す。　なお、ここではＤＣイオン
銃忙ついて述べたが、ＲＦ（交流）電圧で作動するＲＦ
イオン銃（図示せず）を用いることもできる。　尚、前
述の装置で、ｓｔｏｗ膜、透明導電膜等を作ることもで
きる。

第１６図は、上述のａ−８１：Ｈ層３（更にはｓｉｏ。

膜、透明導電膜等）をＤＣイオンブレーティング法に基
いて蒸着する装置を示す。　この装置圧よれば、シリコ
ン蒸発源２５上に、タングステンフィラメントからなる
熱電子６２供給電極６０と、直流電圧６３の印加される
グルー放電用電極６１とを対向配置し、加熱蒸発したシ
リコンを両Ｎ、極６０−６１間で活性化又はイオン化し
て基板２方向へ飛翔させると同時圧、ガス導入管３６か
もの未活性水素ガスも活性化又はイオン化する。　これ
によって、水素原子を効率良く取込んだ状態でシリコン
がａ−８１：ｌ（とじて基板２上に付着する。　なお、
基板の背後電極に、必要に応じて、−１０Ｖ〜−１ｏｋ
ｖの電圧を印加してもよい。

第１７図は、ＲＦイオンブレーティング法による蒸着装
置の要部を示すものであるが、必要釦応じて基板２の背
後電極に所定の電圧（−ｉｏｖ〜−１０ｋＶ）を印加す
る一方、シリフン蒸発源２５上に配したコイル電極７０
に交流電圧７１を印加し、（尚、交流の周波数は任意で
あるが、高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ　）を使用す
ると、放電の安定性が良い。）これによって基板２−電
極７０間に生じるグルー放電でシリコン蒸気と共に未活
性水素ガスの各原子を活性化又はイオン化し、ａ−８ｉ
：Ｈ層を基板ｚ上に堆積させる。

上記した各蒸着装置はいずれも、活性ガス中でシリコン
を蒸着させるものであるが、通常の蒸着装置を用い、活
性化又はイオン化されていない水素ガス中でシリコンを
加熱蒸発させても、所望のａ−８１：Ｈを蒸着すること
ができる。　又、前記各側において、□　ａ−８ＩＧｅ
：Ｈあるいはａ−Ｇｏ：Ｈを作製するためには、蒸発源
として、ＳｌとＧｏを　用いるか、あるいは、Ｇｏを用
いることＫより、目的が達成される。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図、第２図
、第３図、第４図、第５図、第６図は露光マスク素材の
各側の断面図、 第７図、第８図は露光マスク素材又は露光マスクの各側
の外形を示す平面図、 第９図はａ−８ｌ中の水素原子含有量とその光学濃度と
の関係を示すグラフ、 第１０図はａ−８ｌ：Ｈの赤外線吸収スペクトル図、第
１１Ａ図〜第１１Ｅ図は露光マスクの贋造方法を工穆順
に示す断面図、 第１１Ｆ図及び第１１Ｇ図は露光マスクを用いて半導体
を加工するときの主要工程の各断面図、第１２図はプラ
ズマエツチング装置の概略断面図、 第１３図は真空蒸着装置の概略断面図、第１４図はガス
放電管の断面図、 第１５図はＤＣイオン銃の概略図、 第１６図は別の真空蒸着装置（ＤＣイオンブレーティン
グ方式）の概略断面図、 第１７図はＲＦイオンブレーティング方式による真空蒸
着装置の要部概略断面図 である。 なお、１面に示された符号において、 １・・・・・・・・・・・・・・・露光マスク素材２・
・・・・・・・・・・・・・・基　板３・・・・・・・
・・・・・・・・ａ−８ｌ：Ｈ層５・・・・・・・・・
・・・・・・透明導電膜６・・・・・・・・・・・・・
・・Ｓｉｎ！膜２５・・・・・・・・・・・・・・・シ
リコン蒸発源２６・・・・・・・・・・・・・・・電子
銃３６・・・・・・・・・・・・・・・水素ガス導入管
３７・・・・・・・・・・・・・・・ガス放電管５１．
５２・・・・・・・・・引出し電極５７・・・・・・・
・・・・・・・・ＤＣイオン銃６０・・・・・・・・・
・・・・・・熱電子供給電極６１・・・・・・・・・・
・・・・・グロー放電用電極７０・・・・・・・・・・
・・・・・コイル（グルー放電用）電極である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第９）図 ａ　Ｓｉ中の水鬼原各含有量（ａｔｏｒｎｉｃ　’１０
　）第１０図 ヲ皮藪ω（ａｍ’） ￥月Ａ図 童１４１図 第７５図 １７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光学的忙透明な基体と半導体材料蒸発源とを蒸着槽
   内に配置し、水素ガスの存在下で前記蒸発源を加熱して
   半導体材料を蒸発せしめ、前記基体上にアモルファス水
   素化半導体層を形成し、これ釦よって前記基体と前記ア
   モルファス水素化半導体層とからなる露光マスク素材を
   得ることを特徴とする露光マスク素材の製造方法。 ２、蒸着槽内圧存在する水素ガスが活性化又はイオン化
   せしめられている、特許請求の範囲の第１項に記載した
   方法。 ３、水素ガスが放電によって活性化又はイオン化せしめ
   られている、特許請求の範囲の第２項に記載した方法。 ４、水素ガスのみを活性化又はイオン化して基体面に供
   給した状態でアモルファス水素化半導体層を特徴する特
   許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載し
   た方法。 ５、直流イオンブレーティング法に基いてアモルファス
   水素化半導体層を特徴する特許請求範囲の第１項〜第３
   項いずれか１項に記載した方法。 ６、ＲＦイオンブレーティング法に基いてアモルファス
   水素化半導体層を特徴する特許請求の範囲の第１項〜第
   ３項のいずれか１項に記載した方法。 ７、基体を室温〜６００℃の範囲に加熱する、特許請求
   の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項に記載した方法
   。 ８、基体の背後電極に一１０Ｖ〜−１０ｋＶの負電圧を
   特徴する特許請求の範囲の第１項〜第７項のいずれか１
   項に記載した方法。 ９、蒸着槽内の水素ガス圧力をｌＸｌ０　　’Ｉ’ｏｒ
   ｒ〜８Ｘ１０’Ｔｏｒｒとする、特許請求の範囲の第１
   項〜第８項のいずれか１項に記載した方法。 ｌＯ１半導体材料としてシリコン、ゲルマニウム、又は
   シリコンとゲルマニウムとの双方を使用し、基体上にア
   モルファス水素化シリコン、ゲルマニウム又はシリコン
   ゲルマニウム層を特徴する特許請求の範囲の第１項〜第
   ９項のいずれか１項に記載した方法。