JPS5927122B2 - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
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- JPS5927122B2 JPS5927122B2 JP14589378A JP14589378A JPS5927122B2 JP S5927122 B2 JPS5927122 B2 JP S5927122B2 JP 14589378 A JP14589378 A JP 14589378A JP 14589378 A JP14589378 A JP 14589378A JP S5927122 B2 JPS5927122 B2 JP S5927122B2
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- microwave integrated
- mic
- waveguide
- dielectric
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯における発振器やミキサなどに用
いられるマイクロ波集積回路装置に関し、特に誘電体基
体上に形成されたマイクロ波集積回路(以下、MICと
称す)と導波管を結合させた導波管結合MIC装置に関
するものである。
いられるマイクロ波集積回路装置に関し、特に誘電体基
体上に形成されたマイクロ波集積回路(以下、MICと
称す)と導波管を結合させた導波管結合MIC装置に関
するものである。
従来、この種のMIC装置として用いられている導波管
結合MIC発振器を第1図aおよびbに示して説明する
。
結合MIC発振器を第1図aおよびbに示して説明する
。
第1図aおよびbにおいて、1は銅張積層テフロン基板
上にフォトエツチングにより伝送線路や回路素子などが
形成されたマイクロスl−IJツブ線路MIC基板、2
はこのMIC基板1上に装着されたカリウム砒素メタル
セミコンダクタ電界効果トランジスタ(以下、Ga A
sMESFETと称す)等のマイクロ波半導体素子、
3はマイクロ波半導体素子2の各電極に電源を供給する
ための貫通コンデンサ等のバイアス端子、4は前記MI
C基板1を外界から遮へいするためのMIC基板筐木1
SはMIC基板筐体用フタ、6はマイクロ波半導体素子
2とマイクロストリップ線路MIC基板1よりなるMI
C発振回路と導波管とを電磁的に結合するアンテナポス
ト等のMIC−導波管変換アンテナ、7はこの変換アン
テナ6をMIC基板筺木4に固定しかつ該筐体内を気密
にするためにテフロン等よりなる低損失誘電体、8は一
端が短絡されて他端が負荷に接続されるように開放され
た導波管である。
上にフォトエツチングにより伝送線路や回路素子などが
形成されたマイクロスl−IJツブ線路MIC基板、2
はこのMIC基板1上に装着されたカリウム砒素メタル
セミコンダクタ電界効果トランジスタ(以下、Ga A
sMESFETと称す)等のマイクロ波半導体素子、
3はマイクロ波半導体素子2の各電極に電源を供給する
ための貫通コンデンサ等のバイアス端子、4は前記MI
C基板1を外界から遮へいするためのMIC基板筐木1
SはMIC基板筐体用フタ、6はマイクロ波半導体素子
2とマイクロストリップ線路MIC基板1よりなるMI
C発振回路と導波管とを電磁的に結合するアンテナポス
ト等のMIC−導波管変換アンテナ、7はこの変換アン
テナ6をMIC基板筺木4に固定しかつ該筐体内を気密
にするためにテフロン等よりなる低損失誘電体、8は一
端が短絡されて他端が負荷に接続されるように開放され
た導波管である。
このように構成された導波管結合MIC発振器において
は、マイクロ波半導体素子2とマイクロストリップ線路
MIC基板1とよりなるMIC発振回路によってマイク
ロ波電力を発振させることにより、その発振出力が導波
管8内に挿入されているMIC−導波管変換アンテナ6
を通して導波管8に導かれるようになっている。
は、マイクロ波半導体素子2とマイクロストリップ線路
MIC基板1とよりなるMIC発振回路によってマイク
ロ波電力を発振させることにより、その発振出力が導波
管8内に挿入されているMIC−導波管変換アンテナ6
を通して導波管8に導かれるようになっている。
しかしながら、マイクロストリップ線路MIC基板を用
いた従来の導波管結合MIC発振器では、MIC基板筐
体4にはそのMIC基板1の表面にマイクロ波エネルギ
ーが存在できるような空隙を形成する必要があるため、
このような空間をもつ筐体4と導波管8との組立が構造
上複雑になるさともに、流度に対する発振周波数のヒス
テリシス現象を除去するように前記筐体4に乾燥不活性
ガスを充填させるためにその筐体を気密構造にしたり、
あるいは外界と電磁的にシールドするようにバイアス端
子に高価な貫通コンデンサを用いる必要があることなど
から、回路構成が複雑になったりして、装置全体が高価
になる欠点があった。
いた従来の導波管結合MIC発振器では、MIC基板筐
体4にはそのMIC基板1の表面にマイクロ波エネルギ
ーが存在できるような空隙を形成する必要があるため、
このような空間をもつ筐体4と導波管8との組立が構造
上複雑になるさともに、流度に対する発振周波数のヒス
テリシス現象を除去するように前記筐体4に乾燥不活性
ガスを充填させるためにその筐体を気密構造にしたり、
あるいは外界と電磁的にシールドするようにバイアス端
子に高価な貫通コンデンサを用いる必要があることなど
から、回路構成が複雑になったりして、装置全体が高価
になる欠点があった。
また、低損失誘電体で支持されたMIC−導波管変換部
において、マイクロストリップ線路−非対称トリブレー
ト線路−導波管内アンテナと急激な線路変換を行なう構
造になっているため、回路損失が生じやすく、その特性
上の工部ばがあった。
において、マイクロストリップ線路−非対称トリブレー
ト線路−導波管内アンテナと急激な線路変換を行なう構
造になっているため、回路損失が生じやすく、その特性
上の工部ばがあった。
本発明は、このような従来装置の欠点を除去するために
なされたもので、一方の面に接地導体が形成された誘電
体基体上に伝送線路や回路素子を構成するMIC回路と
導波管変換部およびこれらの各導波管変換部、MIC回
路をシールドするように形成された外囲導体を設け、前
記基体上にその面を被うように一方に誘電体面が形成さ
れかつ他方に接地導体が形成された基体を積層してトリ
プレート線路MIC基板を構成し、このMIC基板の両
面をフランジ付き導波管により挾持してこれら各導波管
の間に前記導波管変換部を配置して結合させることによ
り、装置全体を小型にして価格の低兼化をはかるととも
に、信頼性を向上させることができるマイクロ波集積回
路装置を提供するものである。
なされたもので、一方の面に接地導体が形成された誘電
体基体上に伝送線路や回路素子を構成するMIC回路と
導波管変換部およびこれらの各導波管変換部、MIC回
路をシールドするように形成された外囲導体を設け、前
記基体上にその面を被うように一方に誘電体面が形成さ
れかつ他方に接地導体が形成された基体を積層してトリ
プレート線路MIC基板を構成し、このMIC基板の両
面をフランジ付き導波管により挾持してこれら各導波管
の間に前記導波管変換部を配置して結合させることによ
り、装置全体を小型にして価格の低兼化をはかるととも
に、信頼性を向上させることができるマイクロ波集積回
路装置を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明するっ
第2図aおよびbは本発明をMIC発振器に適用したと
きの一実施例を示す外観斜視図および■n/線断面図で
ある。
きの一実施例を示す外観斜視図および■n/線断面図で
ある。
第2図において、10は2枚の銅張積層誘電体11.1
2より構成されるトリプレート線路MIC基板であり、
一方の誘電体11上には伝送線路や回路素子を構成する
MIC回路と該MIC−導波管変換アンテナおよびこれ
ら各変換アンテナ、MIC回路のバイアス端子を除く部
分を電磁気的にシールドするように設けられた外囲導体
がそれぞれ所定のパターンを有して形成されている。
2より構成されるトリプレート線路MIC基板であり、
一方の誘電体11上には伝送線路や回路素子を構成する
MIC回路と該MIC−導波管変換アンテナおよびこれ
ら各変換アンテナ、MIC回路のバイアス端子を除く部
分を電磁気的にシールドするように設けられた外囲導体
がそれぞれ所定のパターンを有して形成されている。
そして、前記誘電体11の裏面には銅箔よりなる接地導
体13が形成され、この接地導体13のは×゛中央部に
は後述するフランジ付導波管の開口端に相当する大きさ
の矩形パターンが銅箔のエツチングにより形成されてい
る。
体13が形成され、この接地導体13のは×゛中央部に
は後述するフランジ付導波管の開口端に相当する大きさ
の矩形パターンが銅箔のエツチングにより形成されてい
る。
他方の誘電体12の一面は前記誘電体11と同じく銅箔
よりなる接地導体14が形成され、かつこの誘電体12
のはゾ中央部には後述するフランジ付導波管の開口端に
相当する大きさの誘電体部分を打抜き窓が形成されてい
る。
よりなる接地導体14が形成され、かつこの誘電体12
のはゾ中央部には後述するフランジ付導波管の開口端に
相当する大きさの誘電体部分を打抜き窓が形成されてい
る。
また、20は前記誘電体11上に半田付されたGaAs
MESFETなどのマイクロ波半導体素子であり、
この半導体素子20の対向する前記誘電体12の部分に
は貫通した穴部18が施されている。
MESFETなどのマイクロ波半導体素子であり、
この半導体素子20の対向する前記誘電体12の部分に
は貫通した穴部18が施されている。
15は前記誘電体11に対応して形成されたフランジ部
15aを有するフランジ付き導波管で、その一端部が短
絡されている。
15aを有するフランジ付き導波管で、その一端部が短
絡されている。
16は前記誘電体12に対応して形成されたフランジ部
16aを有するフランジ付き導波管で、その一端部が開
放されて負荷に接続されるようになっている。
16aを有するフランジ付き導波管で、その一端部が開
放されて負荷に接続されるようになっている。
そして、前記各導波管15゜16は、2つの接地導体1
3と14の間に配置するように一方の誘電体11に他方
の誘電体12が積層されて構成されたトリプレート線路
MIC基板10の各接地面にフランジ部15a、16a
を接合させてネジ体17によりそれぞれネジ止めするこ
とにより、前記MIC基板10を一体的に固定するよう
に設けられている。
3と14の間に配置するように一方の誘電体11に他方
の誘電体12が積層されて構成されたトリプレート線路
MIC基板10の各接地面にフランジ部15a、16a
を接合させてネジ体17によりそれぞれネジ止めするこ
とにより、前記MIC基板10を一体的に固定するよう
に設けられている。
第3図は第2図のトリプレート線路MIC基板を構成し
ている2枚の銅張積層誘電II 1 、12に形成され
ている発振器パターンの具体例を示すものであり、第3
図aおよびbは一方の誘電体11の表面と裏面のパター
ン、第3図Cおよびdは他方の誘電体12の表面と裏面
のパターンをそれぞれ示す。
ている2枚の銅張積層誘電II 1 、12に形成され
ている発振器パターンの具体例を示すものであり、第3
図aおよびbは一方の誘電体11の表面と裏面のパター
ン、第3図Cおよびdは他方の誘電体12の表面と裏面
のパターンをそれぞれ示す。
ここで、パターンの白い部分は主に各銅張積層誘電体の
銅箔がエツチングされてその表面が誘電体のみの部分を
示している。
銅箔がエツチングされてその表面が誘電体のみの部分を
示している。
第3図において、20は一方の誘電体11上に装着され
たGaAs ME S F ETなどのマイクロ波半
導体素子、21a〜21cはこのマイクロ波半導体素子
20の各電極に対応して形成されたバイアス端子、22
a〜22cは低域通過用フィルタ、23はドレイン接地
用1/4λストIJツブ線路、24はゲート共振用スl
−IJツブ線路、25は整合用スl−IJツブ線路、2
6は信号伝送用ストリップ線路、27はMIC−導波管
変換プリントアンテナ、28はMIC回路を外界と電磁
気的にシールドするように形成された外囲導体、29は
前記プリントアンテナ27を通じてMIC発振回路の発
振出力が導波管内に反射なく伝達されるよう誘電体11
の接地導体13を導波管の開口面さ同じ面積だけエツチ
ングした矩形パターンであり、30は前記矩形パターン
29と同じ<MIC発振出力が導波管内に反射なく伝達
されるように誘電体12の中央部を導波管開口面と同じ
面積だけ打抜き窓である。
たGaAs ME S F ETなどのマイクロ波半
導体素子、21a〜21cはこのマイクロ波半導体素子
20の各電極に対応して形成されたバイアス端子、22
a〜22cは低域通過用フィルタ、23はドレイン接地
用1/4λストIJツブ線路、24はゲート共振用スl
−IJツブ線路、25は整合用スl−IJツブ線路、2
6は信号伝送用ストリップ線路、27はMIC−導波管
変換プリントアンテナ、28はMIC回路を外界と電磁
気的にシールドするように形成された外囲導体、29は
前記プリントアンテナ27を通じてMIC発振回路の発
振出力が導波管内に反射なく伝達されるよう誘電体11
の接地導体13を導波管の開口面さ同じ面積だけエツチ
ングした矩形パターンであり、30は前記矩形パターン
29と同じ<MIC発振出力が導波管内に反射なく伝達
されるように誘電体12の中央部を導波管開口面と同じ
面積だけ打抜き窓である。
この場合、打抜き窓30は銅箔のみエツチングされた窓
で代えることもできる。
で代えることもできる。
なお、31.32は前記各誘電体11および12にそれ
ぞれ形成されたネジ穴であり、第3図において第2図と
同一部分には同一記号を用いている。
ぞれ形成されたネジ穴であり、第3図において第2図と
同一部分には同一記号を用いている。
このようなMIC発振器によると、トリプレート線路上
に各パターンが写真製版により同時に形成されたトリプ
レート線路MIC基板10をフランジ付き導波管11,
12により装着して結合させるようにしたので、構造が
簡単でしかも安価に製造できる。
に各パターンが写真製版により同時に形成されたトリプ
レート線路MIC基板10をフランジ付き導波管11,
12により装着して結合させるようにしたので、構造が
簡単でしかも安価に製造できる。
しかも、従来のようにマイクロ波エネルギーの存在する
空間をもつ筐体を導波管に装着することはなく、その組
立が容易になる。
空間をもつ筐体を導波管に装着することはなく、その組
立が容易になる。
また、MIC−導波管変換部が誘電体上に一体的に形成
されているので、構造上弱い部分がなく、信頼性の向上
に有利である。
されているので、構造上弱い部分がなく、信頼性の向上
に有利である。
さらには、従来のように上記筐体内に乾燥不活性ガスを
封入する煩雑もなく、大きな容量をもつ外囲導体28に
より外界とシールドされているため、バイアス端子に高
価な貫通コンデンサを用いることもなく、誘電体基板」
二にプリントされた平面構造のバイアス端子が使用でき
、小型化、低兼化の点で有利である。
封入する煩雑もなく、大きな容量をもつ外囲導体28に
より外界とシールドされているため、バイアス端子に高
価な貫通コンデンサを用いることもなく、誘電体基板」
二にプリントされた平面構造のバイアス端子が使用でき
、小型化、低兼化の点で有利である。
第4図は第2図および第3図に示したMIC発振器をゲ
ート長IHI”:::1μm1ゲ一ト幅1w=300μ
mのパッケージ入りGaAs MESFETと2枚の銅
張積層テフロン基板より構成したときの発振特性の実測
結果を示したものであり、横軸にトレインバイアスVD
(■olt)を、縦軸に発振出力P o (mW )、
発振周波数幅移へf (MHz)発振効率η(%)を示
す。
ート長IHI”:::1μm1ゲ一ト幅1w=300μ
mのパッケージ入りGaAs MESFETと2枚の銅
張積層テフロン基板より構成したときの発振特性の実測
結果を示したものであり、横軸にトレインバイアスVD
(■olt)を、縦軸に発振出力P o (mW )、
発振周波数幅移へf (MHz)発振効率η(%)を示
す。
この発振器の発振周波数foは10.4 GHzであり
、これははS’MIC回路によって決定される。
、これははS’MIC回路によって決定される。
ただし、MIC−導波管変換アンテナと導波管の短絡面
の距離を変化させることにより、発振周波数を数百MH
z程度調整することもできる。
の距離を変化させることにより、発振周波数を数百MH
z程度調整することもできる。
この特性において本発明lとよって得られた発振出力、
発振効率を上記構造を有する従来のものと比較した場合
、この発振出力、発振効率共に従来と同程度又はそれ以
上の良好な結果が得られた。
発振効率を上記構造を有する従来のものと比較した場合
、この発振出力、発振効率共に従来と同程度又はそれ以
上の良好な結果が得られた。
第5図は本発明の他の実施例を示す要部構成図であり、
負荷側のフランジ付き導波管16にその長手方向並びに
それと直角方向に上下に移動可能に支持された周波数調
整用ネジ33を装着することにより、発振周波数を可変
するようにしたものである。
負荷側のフランジ付き導波管16にその長手方向並びに
それと直角方向に上下に移動可能に支持された周波数調
整用ネジ33を装着することにより、発振周波数を可変
するようにしたものである。
この実施例では、上記のX帯における実験結果によると
、周波数調整用ネジ33を導波管の長手方向に沿って前
後に変化させることにより発振周波数を数百MHz、
またそれ吉直角方向に沿って上下に変化させることによ
り発振周波数を数十MHz程度可変することができた。
、周波数調整用ネジ33を導波管の長手方向に沿って前
後に変化させることにより発振周波数を数百MHz、
またそれ吉直角方向に沿って上下に変化させることによ
り発振周波数を数十MHz程度可変することができた。
したがって、このような周波数調整機能を備えたMIC
発振器によるとFETなとの素子の特性上のバラツキや
MICパターンの寸法バラツキに起因する発振周波数の
バラツキを調整できるので、同一の発振周波数をもつ発
振器を量産化でき、製造上有利である。
発振器によるとFETなとの素子の特性上のバラツキや
MICパターンの寸法バラツキに起因する発振周波数の
バラツキを調整できるので、同一の発振周波数をもつ発
振器を量産化でき、製造上有利である。
第6図は本発明のその他の実施例を示す要部構成図であ
り、トリプレート線路MIC基板10と結合した導波管
16の出力側の所定位置にアイリス34を設けて空胴共
振器35を形成し、MIC−導波管変換アンテナからの
発振出力を前記空胴共振器35を通して負荷側に導出す
るようにしたものである。
り、トリプレート線路MIC基板10と結合した導波管
16の出力側の所定位置にアイリス34を設けて空胴共
振器35を形成し、MIC−導波管変換アンテナからの
発振出力を前記空胴共振器35を通して負荷側に導出す
るようにしたものである。
この実施例では、Q値の高い空胴共振器35を備えてい
るので、負荷のインピーダンス変化による発振周波数の
変動を抑制できるとともに、発振スペクトルが尖鋭とな
り、雑音(特にFM雑音)を低減でき、したがって、低
雑音ミサキの局発源として有用である。
るので、負荷のインピーダンス変化による発振周波数の
変動を抑制できるとともに、発振スペクトルが尖鋭とな
り、雑音(特にFM雑音)を低減でき、したがって、低
雑音ミサキの局発源として有用である。
なお、上記実施例では、MIC発振器のマイクロ波半導
体素子としてGaAsMESFETについて示したが、
この半導体素子としてはその他のガンダイオード、イン
バットダイオードや高周波トランジスタなどの能動素子
であればよい。
体素子としてGaAsMESFETについて示したが、
この半導体素子としてはその他のガンダイオード、イン
バットダイオードや高周波トランジスタなどの能動素子
であればよい。
また、MIC回路として発振器回路について示したが、
/ヨットキダイオードを含むミキサ回路などその他のM
IC回路にも、本発明が適用できることは言うまでもな
い。
/ヨットキダイオードを含むミキサ回路などその他のM
IC回路にも、本発明が適用できることは言うまでもな
い。
以上説明したように、本発明によれば、伝送線路や回路
素子を構成するMIC回路と該MIC−導波管変換アン
テナおよび外囲導体を同一の誘電体基板上に形成してこ
の基板を2枚の接地導体により介在してなるトリプレー
ト線路MIC基板を構成し、このMIC基板を一対のフ
ランジ付き導波管により直接結合させるようにしたので
、装置全体の小型化、価格の低兼化をはかることができ
るとともに、信頼性を向上させることができるという効
果がある。
素子を構成するMIC回路と該MIC−導波管変換アン
テナおよび外囲導体を同一の誘電体基板上に形成してこ
の基板を2枚の接地導体により介在してなるトリプレー
ト線路MIC基板を構成し、このMIC基板を一対のフ
ランジ付き導波管により直接結合させるようにしたので
、装置全体の小型化、価格の低兼化をはかることができ
るとともに、信頼性を向上させることができるという効
果がある。
第1図aおよびbは従来の導波管結合MIC発振器の一
例を示す構成図およびI−I′線断面図、第2図aおよ
びbは本発明をMIC発振器に適用したときの一実施例
を示す外観斜視図およびn −■′線断面図、第3図a
乃至dは第2図に示すトリプレート線路MIC基板の各
パターンを示す正面図、第4図は上記実施例により得ら
れた発振特性図、第5図および第6図は本発明の他の実
施例を示す要部構成図である。 10・・・・・・トリプレート線路マイクロ波集積回路
基板、11,12・・・・・・銅張積層誘電体、13,
14・・・・・・接地導体、15,16・・・・・・フ
ランジ付導波管、17・・・・・・ネジ体、33・・・
・・・周波数調整用ネジ、34・・・・・・アイリス、
35・・・・・・空胴共振器。
例を示す構成図およびI−I′線断面図、第2図aおよ
びbは本発明をMIC発振器に適用したときの一実施例
を示す外観斜視図およびn −■′線断面図、第3図a
乃至dは第2図に示すトリプレート線路MIC基板の各
パターンを示す正面図、第4図は上記実施例により得ら
れた発振特性図、第5図および第6図は本発明の他の実
施例を示す要部構成図である。 10・・・・・・トリプレート線路マイクロ波集積回路
基板、11,12・・・・・・銅張積層誘電体、13,
14・・・・・・接地導体、15,16・・・・・・フ
ランジ付導波管、17・・・・・・ネジ体、33・・・
・・・周波数調整用ネジ、34・・・・・・アイリス、
35・・・・・・空胴共振器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一方の誘電体面に接地導体が形成されかつ他方の誘
電体面に伝送線路や回路素子を構成するマイクロ波集積
回路と該集積回路−導波管変換アンテナおよびこれら各
変換アンテナ、マイクロ波集積回路をシールドするよう
に外囲導体が形成された第1基体と該基体の他方の面を
被うように一方に誘電体が形成されかつ他方に接地導体
が形成されるとともに、前記第]基体のマイクロ波集積
回路−導波管変換アンテナを被う部分の誘電体を打抜い
た窓を有する第2基体とを積層してトリプレート線路マ
イクロ波集積回路基板を構成し、該マイクロ波集積回路
基板の両面に接合するようにフランジ部がそれぞれ形成
された一対のフランジ付き導波管を設け、これら各導波
管により前記マイクロ波集積回路基板を挾持することに
より前記変換アンテナを前記各導波管の間に配置して結
合させるようにしたことを特徴とするマイクロ波集積回
路装置。 2 マイクロ波集積回路はマイクロ波発振回路であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波
集積回路装置。 3 負荷側の一方のフランジ付き導波管は、その長手方
向および上下に移動可能な周波数調整用ネジを有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のマイクロ波
集積回路装置。 4 負荷側の一方のフランジ付き導波管にアイリスを装
着して共振器を形成することを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載のマイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14589378A JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14589378A JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5571301A JPS5571301A (en) | 1980-05-29 |
JPS5927122B2 true JPS5927122B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=15395479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14589378A Expired JPS5927122B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927122B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1189581A (en) * | 1983-05-16 | 1985-06-25 | Northern Telecom Limited | Mounting a semiconductor device in a microwave cavity oscillator |
JPH06132708A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-05-13 | Nec Corp | マイクロ波icモジュール |
JP4588648B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | 導波管/マイクロストリップ線路変換器 |
-
1978
- 1978-11-22 JP JP14589378A patent/JPS5927122B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5571301A (en) | 1980-05-29 |
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