JPS5927031B2 - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents
磁気バブル記憶装置Info
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- JPS5927031B2 JPS5927031B2 JP9064679A JP9064679A JPS5927031B2 JP S5927031 B2 JPS5927031 B2 JP S5927031B2 JP 9064679 A JP9064679 A JP 9064679A JP 9064679 A JP9064679 A JP 9064679A JP S5927031 B2 JPS5927031 B2 JP S5927031B2
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- Japan
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- magnetic
- bubble
- magnetic bubble
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶装置に関するものであり、更に
詳しくはメジヤーマイナー構成の磁気バブル記憶装置に
関する。
詳しくはメジヤーマイナー構成の磁気バブル記憶装置に
関する。
半導体集積回路技術をはじめとする電子技術の著しい発
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速化さ
れている。
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速化さ
れている。
また、その信頼度も回路素子のソリッドステート化によ
つて著しく向上している。
つて著しく向上している。
さらに、電子計算機の利用が進むにつれて記憶装置の記
憶容量も年々増加の一途を辿つており、記憶に対する単
価の低減とアクセス時間の短縮が強く要望されている。
大容量の情報を確実に記憶保持するためには信頼度の高
い不揮発生の大容量メモリ装置が必要であるが、揮発生
の半導体メモリをもつて実現することは不可能であり、
また、不揮発生ながらも磁気テープ装置、磁気ディスク
装置などは可動部分を有するという致命的な欠陥を有し
ており、これも信頼度の面でニーズに適合したメモリ装
置と言い難い。
憶容量も年々増加の一途を辿つており、記憶に対する単
価の低減とアクセス時間の短縮が強く要望されている。
大容量の情報を確実に記憶保持するためには信頼度の高
い不揮発生の大容量メモリ装置が必要であるが、揮発生
の半導体メモリをもつて実現することは不可能であり、
また、不揮発生ながらも磁気テープ装置、磁気ディスク
装置などは可動部分を有するという致命的な欠陥を有し
ており、これも信頼度の面でニーズに適合したメモリ装
置と言い難い。
以上のような技術的背景に鑑みて発明されたのが磁気バ
ブルである。
ブルである。
一軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
イト等の磁性薄板に垂直に適当な大きさのバイアス磁界
を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生する。
イト等の磁性薄板に垂直に適当な大きさのバイアス磁界
を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生する。
この磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行
う磁気バブル利用装置は、不揮発生であること、全固体
素子であること、大容量化が可能であること、比較的高
速であること等の理由からこれらの特性を生かした分野
においてその実用化が急速に進められている。
う磁気バブル利用装置は、不揮発生であること、全固体
素子であること、大容量化が可能であること、比較的高
速であること等の理由からこれらの特性を生かした分野
においてその実用化が急速に進められている。
この磁気バブル利用装置においては、磁気バブルの発生
、転送、分割、拡大、検出、消去等の各種機能が必要と
される。
、転送、分割、拡大、検出、消去等の各種機能が必要と
される。
さらにはまた磁気バブルを磁性導板内において安定に存
在させるためのバイアス磁界印加手段、磁気バブルを磁
性導板内において磁性導板上に形成された磁性体パター
ンの基に移動させるための回転磁界印加手段を必要とす
る。第1図に磁気バブル利用装置に使用される磁気バブ
ルチツプの代表的な構成例を示す。
在させるためのバイアス磁界印加手段、磁気バブルを磁
性導板内において磁性導板上に形成された磁性体パター
ンの基に移動させるための回転磁界印加手段を必要とす
る。第1図に磁気バブル利用装置に使用される磁気バブ
ルチツプの代表的な構成例を示す。
図示された構成は所謂メジャ一、マイナーループ構成と
称されるもので、図中1はメジヤーループ、2はマイナ
ーループ、3は検出器、4は発光器、5は複製器、6は
消滅器、7はトランスフアゲートを夫々示している。
称されるもので、図中1はメジヤーループ、2はマイナ
ーループ、3は検出器、4は発光器、5は複製器、6は
消滅器、7はトランスフアゲートを夫々示している。
尚、図において実線は磁気バブル磁性導板上に形成され
たパーマロイパターンによる磁気バブル転送路、破線は
同じく薄板上に形成された金等からなる導体パターンで
ある。
たパーマロイパターンによる磁気バブル転送路、破線は
同じく薄板上に形成された金等からなる導体パターンで
ある。
動作は次のようにして行なわれる。
先ず書込むべき情報に応じて発生器4を構成する導体パ
ターンのループ内にバイアス磁界を実効的に弱める方向
に電流を供給して該ループ内に磁気バブルを発生させる
。
ターンのループ内にバイアス磁界を実効的に弱める方向
に電流を供給して該ループ内に磁気バブルを発生させる
。
発生した磁気バブルは、磁性薄板の面内方向において回
転する駆動磁界によりメジャーループ1上を転送され各
マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば1
ワード分)整列される。このときトランスフアゲート7
を構成する導体パターンに電流を供給してメジヤールー
プ1上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送り込
む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブルは
駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回しはじめ情報
の格納が終了する。次に情報の読出しは読出すべき各マ
イナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲート
7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに通電
してメジヤーループ1上へ転送する。メジャーループ上
に転送された磁気バブル列は駆動磁界により順次転送さ
れて複製器5VC至る。複製器5では到来する磁気バブ
ルを2個に分割し、1個をパーマロイパターンに沿つて
検出器3へ、他の1個をメジヤーループ1を介して再び
マイナーループへ送り出す。検出器3は順次到来する磁
気バブルを検出効率を上げるために拡大し、例えばこれ
が到来したことによる磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧の変化として読出す。尚、読出した後、その情報を消
去し新たな別の情報を書込む場合は、分割後の磁気バブ
ルをメジャーループ上の消滅器6によつて消去するとと
もに新たな別の情報を発生器4により書込む。第2図は
第1図に示す実施例を改良した磁気バブル記憶装置を示
す。
転する駆動磁界によりメジャーループ1上を転送され各
マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば1
ワード分)整列される。このときトランスフアゲート7
を構成する導体パターンに電流を供給してメジヤールー
プ1上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送り込
む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブルは
駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回しはじめ情報
の格納が終了する。次に情報の読出しは読出すべき各マ
イナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲート
7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに通電
してメジヤーループ1上へ転送する。メジャーループ上
に転送された磁気バブル列は駆動磁界により順次転送さ
れて複製器5VC至る。複製器5では到来する磁気バブ
ルを2個に分割し、1個をパーマロイパターンに沿つて
検出器3へ、他の1個をメジヤーループ1を介して再び
マイナーループへ送り出す。検出器3は順次到来する磁
気バブルを検出効率を上げるために拡大し、例えばこれ
が到来したことによる磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧の変化として読出す。尚、読出した後、その情報を消
去し新たな別の情報を書込む場合は、分割後の磁気バブ
ルをメジャーループ上の消滅器6によつて消去するとと
もに新たな別の情報を発生器4により書込む。第2図は
第1図に示す実施例を改良した磁気バブル記憶装置を示
す。
本実施例は第1図図示の実施例に対して書き換えが容易
で且つアクセスタイムの短縮された、磁気バブル記憶装
置である。
で且つアクセスタイムの短縮された、磁気バブル記憶装
置である。
図において、11はメジャ一転送路、12はマイナール
ープ、13は検出器、14は発生器、15はレプリケー
ト/トランスフアゲート、16は消去器、17はゲート
15に電流を供給するとともにゲート15の一部を構成
する導体パターン、18はトランスフアゲート、19は
トランスフアゲートに電流を供給するとともにトランス
フアゲート18の一部を構成する導体パターン、20は
ガードレールである。
ープ、13は検出器、14は発生器、15はレプリケー
ト/トランスフアゲート、16は消去器、17はゲート
15に電流を供給するとともにゲート15の一部を構成
する導体パターン、18はトランスフアゲート、19は
トランスフアゲートに電流を供給するとともにトランス
フアゲート18の一部を構成する導体パターン、20は
ガードレールである。
図中ゲート15は、一般にレプリケート/トランスフア
ゲートと称せられるもので、その拡大図を第3図aに示
す。
ゲートと称せられるもので、その拡大図を第3図aに示
す。
また、図中トランスフアゲート18の拡大図を第3図b
に示す。
に示す。
動作は次のようにして行なわれる。
先ず書き込み動作は、書込むべき情報に応じて発生器1
4を構成する導体パターンのループ内にバイアス磁界を
実効的に弱める方向に通電を行ない、該ループ内にバブ
ルを発生させる。
4を構成する導体パターンのループ内にバイアス磁界を
実効的に弱める方向に通電を行ない、該ループ内にバブ
ルを発生させる。
発生したバブルは、磁性薄板の面内方向において回転す
る駆動磁界により順次第1のメジャ一転送路111上に
転送され、各マイナーループ12の対向する位置に1情
報分整列される。ここで導体パターン19に通電してト
ランスフアゲート18を作動させ、メジャ一転送路11
−1上にあるバブル群を各マィナーループ12内へ送り
込む。各マイナーループ12内へ送り込まれた磁気バブ
ルは駆動磁界によりマイナーループ12内を巡回しはじ
め情報の格納が終了する。情報の読出しは、読出すべき
各マイナーループ12内のバブル群がトランスフアゲー
ト18側と反対側の位置に配置されたゲート15に対向
する位置に到来した時点である位相期間、所定のタイミ
ングで導体パターン17に通電して、各バブルを2個に
分割し一方のバブルをマイナーループ12側へ再び戻す
一方、他方のバブルを第2のメジャ一転送路11−2上
に転送する。
る駆動磁界により順次第1のメジャ一転送路111上に
転送され、各マイナーループ12の対向する位置に1情
報分整列される。ここで導体パターン19に通電してト
ランスフアゲート18を作動させ、メジャ一転送路11
−1上にあるバブル群を各マィナーループ12内へ送り
込む。各マイナーループ12内へ送り込まれた磁気バブ
ルは駆動磁界によりマイナーループ12内を巡回しはじ
め情報の格納が終了する。情報の読出しは、読出すべき
各マイナーループ12内のバブル群がトランスフアゲー
ト18側と反対側の位置に配置されたゲート15に対向
する位置に到来した時点である位相期間、所定のタイミ
ングで導体パターン17に通電して、各バブルを2個に
分割し一方のバブルをマイナーループ12側へ再び戻す
一方、他方のバブルを第2のメジャ一転送路11−2上
に転送する。
第2のメジヤ一転送路11−2上に転送されたバブル列
は駆動磁界により順次転送されて検出器13に至る。検
出器13は第1図に示す実施例と同様に順次到来するバ
ブルを拡大し、例えば磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧変化として読出す。読出された後のバブルは消去器1
6に送られ消滅する。
は駆動磁界により順次転送されて検出器13に至る。検
出器13は第1図に示す実施例と同様に順次到来するバ
ブルを拡大し、例えば磁気抵抗素子の磁気抵抗変化を電
圧変化として読出す。読出された後のバブルは消去器1
6に送られ消滅する。
ゲート15は第3図aに示されるように、例えばハーフ
デイスクパターンと称されるパーマロイパターンと金等
の導体パターンとより構成される。図中の番号は全て第
2図に対応して付してある。尚、こXに示すゲートは既
に公知であり、こXでは詳しい動作説明を省略するが、
必要があればP.I.BOny′HardandJ.L
.Smith:1976MMM−1ntermagJ0
intC0nf11A−3(1976)を参照されたい
。
デイスクパターンと称されるパーマロイパターンと金等
の導体パターンとより構成される。図中の番号は全て第
2図に対応して付してある。尚、こXに示すゲートは既
に公知であり、こXでは詳しい動作説明を省略するが、
必要があればP.I.BOny′HardandJ.L
.Smith:1976MMM−1ntermagJ0
intC0nf11A−3(1976)を参照されたい
。
また情報を書換える場合は、先ず各マイナーループ12
上の書換えるべきアドレスに保持されたバブル群がゲー
ト15に到来した時点で分割動作時とは異なる位相およ
びタイミングで導体パターン17に通電して各ゲート1
5を機能させ、バブル群を第2のメジャ一転送路11−
2上に転送する。
上の書換えるべきアドレスに保持されたバブル群がゲー
ト15に到来した時点で分割動作時とは異なる位相およ
びタイミングで導体パターン17に通電して各ゲート1
5を機能させ、バブル群を第2のメジャ一転送路11−
2上に転送する。
このときゲート15はレプリケート動作を行なわず、ト
ランスフア動作を行なう。第2のメジャ一転送路11−
2上に転送された旧情報であるバブル群は検出器13を
介して消去器16へ送られ順次消去される。
ランスフア動作を行なう。第2のメジャ一転送路11−
2上に転送された旧情報であるバブル群は検出器13を
介して消去器16へ送られ順次消去される。
勿論消去器を用いる代わりにそのまk不要となつたバブ
ル群を図示されざるガードレールに送り出すことも可能
である。一方、バブル群の抜かれた各マイナーループの
空き番地は順次回転磁界によつて移動し、トランスフア
ゲート18に対応する位置まで転送される。
ル群を図示されざるガードレールに送り出すことも可能
である。一方、バブル群の抜かれた各マイナーループの
空き番地は順次回転磁界によつて移動し、トランスフア
ゲート18に対応する位置まで転送される。
こkで導体パターン19に電流を供給してトランスフア
ゲート18を機能させる。このとき、第1のメジヤ一転
送路11−1上には書き込むべき別の新しいバブル群が
整列しており、導体パターン19への通電により上記各
マイナーループ上の空き番地上に第1のメジャ一転送路
11−1上の新情報が入り込み、書換え動作が完了する
。
ゲート18を機能させる。このとき、第1のメジヤ一転
送路11−1上には書き込むべき別の新しいバブル群が
整列しており、導体パターン19への通電により上記各
マイナーループ上の空き番地上に第1のメジャ一転送路
11−1上の新情報が入り込み、書換え動作が完了する
。
トランスフアゲート18をハーフデイスクパターンを用
いて構成した実施例を第3図bに示す。
いて構成した実施例を第3図bに示す。
この種のゲートも本出願前に既に公知のものであり、そ
の動作については省略する。さて、この実施例によれば
第1図に示す実施例に他転して平均アクセスタイムが短
い。
の動作については省略する。さて、この実施例によれば
第1図に示す実施例に他転して平均アクセスタイムが短
い。
すなわちマイナーループ12に格納されたバブルはマイ
ナーループ12を半周した段階でゲート15を介して検
出器に接続されたメジヤ一転送路11−2へ到達するこ
とができるため、書込まれた情報はマイナーループを最
小限1周する必要がある第1図の構成に比して短かい時
間で読出し可能となる。しかしながら以上に述べた第1
図、第2図に示す構成は、導体パターン数が少なくとも
2本必要である。また導体パターン数が多いため、磁性
体パターンとの位置合せが難かしく、従つて歩留りが低
い。さらにはまたこれらの導体パターンの駆動タイミン
グ等の制御が複雑とならざるを得ない。
ナーループ12を半周した段階でゲート15を介して検
出器に接続されたメジヤ一転送路11−2へ到達するこ
とができるため、書込まれた情報はマイナーループを最
小限1周する必要がある第1図の構成に比して短かい時
間で読出し可能となる。しかしながら以上に述べた第1
図、第2図に示す構成は、導体パターン数が少なくとも
2本必要である。また導体パターン数が多いため、磁性
体パターンとの位置合せが難かしく、従つて歩留りが低
い。さらにはまたこれらの導体パターンの駆動タイミン
グ等の制御が複雑とならざるを得ない。
また、これらの実施例によれば、停電等の不慮の電源断
障害に対して非常に弱い。すなわち、情報書換えの際、
必ず新情報に先がけて旧情報の消去操作が行なわれ、然
る後に新情報の書込みが行なわれるが、その間電源障害
が発生すると消去すべき情報内容、消去すべき、すなわ
ち書換えるべき番地を監視するカウンタ等の周辺回路の
内容が消失してしまうため空き番地へ新情報を送り込む
制御の秩序を正常に維持することができない。尚、停電
対策として第3図cに示す如き変換器も既に発表され公
知である。すなわち第2図図示の実施例のトランスフア
ゲート18の位置に第3図cに示す交換器を配置するこ
とで上述の問題、つまり旧情報と新情報の交換時期の管
理の問題は一応解消することができる。しかしながら交
換器を配置したところで依然として導体パターンは減少
しない。
障害に対して非常に弱い。すなわち、情報書換えの際、
必ず新情報に先がけて旧情報の消去操作が行なわれ、然
る後に新情報の書込みが行なわれるが、その間電源障害
が発生すると消去すべき情報内容、消去すべき、すなわ
ち書換えるべき番地を監視するカウンタ等の周辺回路の
内容が消失してしまうため空き番地へ新情報を送り込む
制御の秩序を正常に維持することができない。尚、停電
対策として第3図cに示す如き変換器も既に発表され公
知である。すなわち第2図図示の実施例のトランスフア
ゲート18の位置に第3図cに示す交換器を配置するこ
とで上述の問題、つまり旧情報と新情報の交換時期の管
理の問題は一応解消することができる。しかしながら交
換器を配置したところで依然として導体パターンは減少
しない。
本発明は叙上の欠点に鑑みなされたもので、その目的と
するところは、導体パターン数の少ない磁気バブル記憶
装置を実現することにある。
するところは、導体パターン数の少ない磁気バブル記憶
装置を実現することにある。
本発明の他の目的は、端子数が少なくて済む磁気バブル
記憶装置を得ることにある。本発明の他の目的は、製造
上パターン位置合せが容易で、従つて歩留りの高いパタ
ーン構造を有する磁気バブル記憶装置を得ることにある
。
記憶装置を得ることにある。本発明の他の目的は、製造
上パターン位置合せが容易で、従つて歩留りの高いパタ
ーン構造を有する磁気バブル記憶装置を得ることにある
。
さらに本発明の他の目的は、制御が容易で情報書換えの
際も消去操作を必要としない磁気バブル記憶装置を実現
することにある。さらにまた本発明の他の目的は、停電
等の電源断に対しても誤動作の確率が極めて少ない磁気
バブル記憶装置を実現することにある。
際も消去操作を必要としない磁気バブル記憶装置を実現
することにある。さらにまた本発明の他の目的は、停電
等の電源断に対しても誤動作の確率が極めて少ない磁気
バブル記憶装置を実現することにある。
本発明の目的は、磁気バブル発生器と磁気バブル検出器
とを有してなる1個のメジヤ一転送路と、該メジヤ一転
送路にその一端が接続され磁気バブルを保持、蓄積する
複数のマイナーループとを具備してなるメジヤ一・マイ
ナ一構成の磁気バブル記憶装置において、該メジヤ一転
送路とマイナーループの接続領域に、一本のヘアピン状
導体パターンを備えて形成される磁気バブル分割交換回
路を設け、該導体パターンに駆動磁界1周期に渡る平坦
状の長パルスからなる交換動作パルスと段差状の短パル
スからなる分割動作用パルスを通電し、磁気バブルの書
込み、読出し、および書換えを前記磁気バブル分割交換
回路にて行うことを特徴とする磁気バブル記憶装置の提
供によつて達成できる。
とを有してなる1個のメジヤ一転送路と、該メジヤ一転
送路にその一端が接続され磁気バブルを保持、蓄積する
複数のマイナーループとを具備してなるメジヤ一・マイ
ナ一構成の磁気バブル記憶装置において、該メジヤ一転
送路とマイナーループの接続領域に、一本のヘアピン状
導体パターンを備えて形成される磁気バブル分割交換回
路を設け、該導体パターンに駆動磁界1周期に渡る平坦
状の長パルスからなる交換動作パルスと段差状の短パル
スからなる分割動作用パルスを通電し、磁気バブルの書
込み、読出し、および書換えを前記磁気バブル分割交換
回路にて行うことを特徴とする磁気バブル記憶装置の提
供によつて達成できる。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第4図は本発明にかXる磁気バブル記憶装置の一実施例
である。
である。
図において、31はメジャ一転送路、32はマイナール
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路、36は導体パターンである。
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路、36は導体パターンである。
本実施例の転送制御導体パターンは図から判るように、
マイナーループ32とメジヤ一転送路31間に配置され
た分割交換回路35のみで構成される。分割交換回路3
5の拡大されたパターン構成図を第5図に示す。
マイナーループ32とメジヤ一転送路31間に配置され
た分割交換回路35のみで構成される。分割交換回路3
5の拡大されたパターン構成図を第5図に示す。
図申の番号は全て第4図のそれに対応して付してある。
またHRは駆動磁界を示し、図示の実施例では三角波駆
動の場合を示している。第6図a〜第6図eはこの分割
交換回路の特に交換動作を説明するための図である。
またHRは駆動磁界を示し、図示の実施例では三角波駆
動の場合を示している。第6図a〜第6図eはこの分割
交換回路の特に交換動作を説明するための図である。
第6図aに示すように、駆動磁界HRが120のとき導
体パターン36に電流を流し始める。
体パターン36に電流を流し始める。
このときメジャ一転送路31内のバブル1a〜1dは図
のような位置にあり、一方マイナーループ2内のバブル
2a〜2dは図のような位置にある。そして交換される
バブルは斜線で示す1cと2cである。
のような位置にあり、一方マイナーループ2内のバブル
2a〜2dは図のような位置にある。そして交換される
バブルは斜線で示す1cと2cである。
次に駆動磁界HRが第6図bに示す00の位置まで回転
すると導体パターン36に電流が流されているためマイ
ナーループ32内のバブル2cはマイナーループ32に
沿つて移動せず、図のパーマロイパターン62の方に移
動する。
すると導体パターン36に電流が流されているためマイ
ナーループ32内のバブル2cはマイナーループ32に
沿つて移動せず、図のパーマロイパターン62の方に移
動する。
このとき、メジヤ一転送路31及びマイナーループ32
内の他のバブル1b,1c,1d,2b,2dはそれぞ
れ各々の転送路あるい(1)レープ内を移動し、図のよ
うな位置にある。次に駆動磁界HRが第6図cに示す1
200まで回転するとメジヤ一転送路31内のバブル1
cは導体パターン36の電流により先の説明と同様にし
てパーマロイパターン61の位置に移動し、かわりにメ
ジャ一転送路31内にはマイナーループ32からのバブ
ル2cが転送される。
内の他のバブル1b,1c,1d,2b,2dはそれぞ
れ各々の転送路あるい(1)レープ内を移動し、図のよ
うな位置にある。次に駆動磁界HRが第6図cに示す1
200まで回転するとメジヤ一転送路31内のバブル1
cは導体パターン36の電流により先の説明と同様にし
てパーマロイパターン61の位置に移動し、かわりにメ
ジャ一転送路31内にはマイナーループ32からのバブ
ル2cが転送される。
このとき他のバブル1b,1d,2b,2dはそれぞれ
図のような位置にある。こkで導体パターン36の電流
を切り、更に図示はしていないが、駆動磁界HRが00
の位置に回転すると、バブル1cはマイナーループ32
内に転送される。
図のような位置にある。こkで導体パターン36の電流
を切り、更に図示はしていないが、駆動磁界HRが00
の位置に回転すると、バブル1cはマイナーループ32
内に転送される。
このような一連の動作によつてメジャ一転送路31内の
バブル1cとマイナーループ32内のバブル2cとが交
換され、バブル1cがマイナーループ32へバブル2c
がメジャ一転送路31へ転送される。
バブル1cとマイナーループ32内のバブル2cとが交
換され、バブル1cがマイナーループ32へバブル2c
がメジャ一転送路31へ転送される。
このとき、図かられかるように交換されるバブル1c,
2cはそれぞれもとのビツト位置に転送される。
2cはそれぞれもとのビツト位置に転送される。
すなわちバブル1cはバブル2cのあつたビツト位置に
、バプル2cはバブル1cのあつたビツト位置に夫々転
送される。
、バプル2cはバブル1cのあつたビツト位置に夫々転
送される。
このことは前後のバブルの関係を交換前の第6図aと交
換後の第6図cとを比較すれば容易に理解される。以上
の変換動作を第7図のタイムチヤートを用いて説明する
。
換後の第6図cとを比較すれば容易に理解される。以上
の変換動作を第7図のタイムチヤートを用いて説明する
。
同図aは駆動磁界HR波形を示すもので、電流波形が三
角波のものを図示する。
角波のものを図示する。
また同図bは分割交換回路35を一部を構成する導体パ
ターン36に対して交換操作の際に供給する電流の波形
およびタイミングを示す図、また同図cは分割操作の際
に導体パターン36に供給する電流の波形およびタイミ
ングを示す図である。交換操作は同図および第6図の説
明から明らかなように駆動磁界HRが1200の時点で
供給されはじめ次周期の120生の時点で供給が停止さ
れる。
ターン36に対して交換操作の際に供給する電流の波形
およびタイミングを示す図、また同図cは分割操作の際
に導体パターン36に供給する電流の波形およびタイミ
ングを示す図である。交換操作は同図および第6図の説
明から明らかなように駆動磁界HRが1200の時点で
供給されはじめ次周期の120生の時点で供給が停止さ
れる。
電流の供給方向は第5図図示の場合ヘアピン状領域内に
実効的にバイアス磁界を強める方向である。また分割操
作は図示しないが、同図cから判るように駆動磁界HR
が200、の時点で交換操作時と同方向同値の電流を供
給しはじめ、駆動磁界HRが220値の時点で交換操作
時と同方向で、且つ電流値が略2倍の電流を所定時間供
給する。
実効的にバイアス磁界を強める方向である。また分割操
作は図示しないが、同図cから判るように駆動磁界HR
が200、の時点で交換操作時と同方向同値の電流を供
給しはじめ、駆動磁界HRが220値の時点で交換操作
時と同方向で、且つ電流値が略2倍の電流を所定時間供
給する。
然る後再び電流供給開始時と同等の電流値を所定期間継
続させ駆動磁界HRが略00付近のところで通電を停止
する。このような電流を導体パターン36に供給するこ
とでマイナーループ上の駆動磁界HRにより弓伸ばされ
たバブルを分割させ、以て分割の一方のバブルをそのま
Xマイナーループ32内に送り出す一方、他方のバブル
を第6図図示のパーマロイパターン62を介してメジヤ
一転送路31内へ送り出すことができる。
続させ駆動磁界HRが略00付近のところで通電を停止
する。このような電流を導体パターン36に供給するこ
とでマイナーループ上の駆動磁界HRにより弓伸ばされ
たバブルを分割させ、以て分割の一方のバブルをそのま
Xマイナーループ32内に送り出す一方、他方のバブル
を第6図図示のパーマロイパターン62を介してメジヤ
一転送路31内へ送り出すことができる。
このようにメジャ一転送路31と各マイナーループ32
間に分割交換回路36を配置することにより、情報の書
込み、読出し、および書換えを1本の導体パターンで行
なうことが可能となる。
間に分割交換回路36を配置することにより、情報の書
込み、読出し、および書換えを1本の導体パターンで行
なうことが可能となる。
つまり情報の書込み及び書換えは上述の分割交換回路を
交換動作させることで行なわれ、また情報の読出しは上
述の分割交換回路を分割動作させることで行なわれる。
尚、上述の実施例においては、マイナーループ32を折
り返したものについて図示したが、これは記憶密度を下
げることなく分割交換回路の形成される領域を十分に確
保し以て導体パターン幅を十分に確保するために採られ
た形態であり、本発明は必ずしもこの種の形態を必要と
するものではない。
交換動作させることで行なわれ、また情報の読出しは上
述の分割交換回路を分割動作させることで行なわれる。
尚、上述の実施例においては、マイナーループ32を折
り返したものについて図示したが、これは記憶密度を下
げることなく分割交換回路の形成される領域を十分に確
保し以て導体パターン幅を十分に確保するために採られ
た形態であり、本発明は必ずしもこの種の形態を必要と
するものではない。
以上説明したように、本発明によれば、導体パターン数
の少ない、従つて端子数が少なく、また製造上もパター
ン位置合わせが容易で、歩留りの向上が期待できる磁気
バブル記憶装置を実現することができる。
の少ない、従つて端子数が少なく、また製造上もパター
ン位置合わせが容易で、歩留りの向上が期待できる磁気
バブル記憶装置を実現することができる。
また、本発明によれば、消去操作が不要となる等制御が
容易で停電等の不慮の電源障害に対しても十分信頼性の
保証された磁気バブル記憶装置を実現することができる
。
容易で停電等の不慮の電源障害に対しても十分信頼性の
保証された磁気バブル記憶装置を実現することができる
。
第1図は従来の磁気バブル記憶装置の一実施例、第2図
は第1図を改良した磁気バブル記憶装置の一実施例、第
3図は従来のゲート構成を示す図、第4図は本発明にか
Xる磁気バブル記憶装置の一実施例、第5図は本発明に
適用される分割交換回路の一実施例、第6図,第7図は
第5図の分割交換回路の動作説明図である。 図において、31はメジヤ一転送路、32はマイナール
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路である。
は第1図を改良した磁気バブル記憶装置の一実施例、第
3図は従来のゲート構成を示す図、第4図は本発明にか
Xる磁気バブル記憶装置の一実施例、第5図は本発明に
適用される分割交換回路の一実施例、第6図,第7図は
第5図の分割交換回路の動作説明図である。 図において、31はメジヤ一転送路、32はマイナール
ープ、33は検出器、34は発生器、35は分割交換回
路である。
Claims (1)
- 1 磁気バブル発生器と磁気バブル検出器とを有してな
る1個のメジャー転送路と、該メジャー転送路にその一
端が接続され磁気バブルを保持、蓄積する複数のマイナ
ーループとを具備してなるメジャー・マイナー構成の磁
気バブル記憶装置において、該メジャー転送路とマイナ
ーループの接続領域に、一本のヘアピン状導体パターン
を備えて形成される磁気バブル分割交換回路を設け、該
導体パターンに駆動磁界1周期に渡る平坦状の長パルス
からなる交換動作パルスと段差状の短パルスからなる分
割動作用パルスを通電し、磁気バブルの書込み、読出し
、および書換えを前記磁気バブル分割交換回路にて行う
ことを特徴とする磁気バブル記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9064679A JPS5927031B2 (ja) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | 磁気バブル記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9064679A JPS5927031B2 (ja) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | 磁気バブル記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5616987A JPS5616987A (en) | 1981-02-18 |
JPS5927031B2 true JPS5927031B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=14004263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9064679A Expired JPS5927031B2 (ja) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | 磁気バブル記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927031B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110337U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57138082A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
JPS57162171A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory chip |
-
1979
- 1979-07-17 JP JP9064679A patent/JPS5927031B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110337U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5616987A (en) | 1981-02-18 |
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