JPS592232A - 磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造法Info
- Publication number
- JPS592232A JPS592232A JP10846082A JP10846082A JPS592232A JP S592232 A JPS592232 A JP S592232A JP 10846082 A JP10846082 A JP 10846082A JP 10846082 A JP10846082 A JP 10846082A JP S592232 A JPS592232 A JP S592232A
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- magnetic recording
- recording medium
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はペーパーデポジション法による磁気記録媒体の
製造方法の改良に関する。特に本発明は耐錆性が改良さ
れた磁性金属薄膜層を有する磁気記録媒体の製造方法に
関する。
製造方法の改良に関する。特に本発明は耐錆性が改良さ
れた磁性金属薄膜層を有する磁気記録媒体の製造方法に
関する。
ＣＯをドープしたＦｅＯ？ｒ−Ｆｅ２０３とＦｅ３Ｏ４
の３４％ ベルトライド化合物、 ｃｒｏ 等の磁性粉末あるい
は強磁性合金粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分
散せしめたものを塗布し乾燥させる塗布型のものが広く
使用されてきている。
の３４％ ベルトライド化合物、 ｃｒｏ 等の磁性粉末あるい
は強磁性合金粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分
散せしめたものを塗布し乾燥させる塗布型のものが広く
使用されてきている。
近年高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーディング等のペーパーデポジ
ション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ
法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とする
、バインダーを使用しない、いわゆる非バインダー型磁
気記録媒体が注目を浴びており実用化への努力が種々性
なわれている。
ッタリング、イオンプレーディング等のペーパーデポジ
ション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ
法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とする
、バインダーを使用しない、いわゆる非バインダー型磁
気記録媒体が注目を浴びており実用化への努力が種々性
なわれている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属よ
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程も
複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附帯
設備を要するという欠点を有している。非ノ２イングー
型の磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を
有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有
しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密度記録
化のために超薄形にできるという利点を有し、しかもそ
の製造工程は簡単である。
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程も
複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附帯
設備を要するという欠点を有している。非ノ２イングー
型の磁気記録媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を
有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有
しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密度記録
化のために超薄形にできるという利点を有し、しかもそ
の製造工程は簡単である。
高密度記録用の磁気記録媒体に・要求される条件の一つ
として、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提
唱されており、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい
薄型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型
磁気記録媒体への期待は大きい。
として、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提
唱されており、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい
薄型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型
磁気記録媒体への期待は大きい。
特にペーパーデポジション法による方法はメッキの場合
のような排液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の付
着速度も太き（できるため非常にメリットが大きい。ま
た、最近、ペーパーデポジション法による非バインダー
型磁気記録媒体は垂直磁化型の磁気記録媒体としても注
目されてきている。
のような排液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の付
着速度も太き（できるため非常にメリットが大きい。ま
た、最近、ペーパーデポジション法による非バインダー
型磁気記録媒体は垂直磁化型の磁気記録媒体としても注
目されてきている。
このような、ペーパーデポジション法により形成された
磁性金属薄膜層の欠点の一つは、耐候性が悪く、錆が発
生し易いことである。この対策として磁性金属薄膜層に
保詮層を設けることが考えられるが、磁性層の耐候性を
実用可能な程度に向上させるためにはかなり厚い保護層
を必要とする。
磁性金属薄膜層の欠点の一つは、耐候性が悪く、錆が発
生し易いことである。この対策として磁性金属薄膜層に
保詮層を設けることが考えられるが、磁性層の耐候性を
実用可能な程度に向上させるためにはかなり厚い保護層
を必要とする。
しかしながら、厚い保護層が存在すると、磁気ヘッドと
磁性層との間隔が広くなるので、いわゆるスば一シング
ロスが生じ Ｓ ＺＮ 比が低下する。
磁性層との間隔が広くなるので、いわゆるスば一シング
ロスが生じ Ｓ ＺＮ 比が低下する。
従って Ｓ／Ｎ比の低下を伴なうことなく、耐候性。
耐錆性を向上させる手段が要望されていた。
本発明者等はこのような要望に応えるべく種々検討の結
果、ペーパーデポジションによって磁性金属薄膜層を形
成した後に、これを１００Ｃ以上の水蒸気と短時間触れ
させることによって、８へ比を低下することなく磁性金
属薄膜層の耐候性、特に耐錆性を著しく改良し得ること
を見出し、本発明を達成した。
果、ペーパーデポジションによって磁性金属薄膜層を形
成した後に、これを１００Ｃ以上の水蒸気と短時間触れ
させることによって、８へ比を低下することなく磁性金
属薄膜層の耐候性、特に耐錆性を著しく改良し得ること
を見出し、本発明を達成した。
すなわち、本発明は、非磁性基体上にペーパーデポジシ
ョン法によって磁性金属薄膜層を形成し、次いで該磁性
層を１００Ｃ以上の水蒸気と接触させることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
ョン法によって磁性金属薄膜層を形成し、次いで該磁性
層を１００Ｃ以上の水蒸気と接触させることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
以下、本発明について詳述する。
本発明で云うペーパーデポジション法とは例えば米国特
許第３３４２３３＝２号の明細書等に述べられている通
常の真空蒸着の他、電界、磁界あるいは電子ビーム照射
等により蒸ス流のイオン化、加速化等を行って蒸発分子
の平均自己行程の大きい雰囲気にて支持体上に薄膜を形
成させる方法をも含むものであって、例えば当山願人に
よる特開昭５１−１４９００８号明細書に示されている
ような電界蒸着法、特公昭４３−１１５２５号、特公昭
４６−２０４８４号、特公昭４７−２６５７９号、特公
昭４９−４５４３９号、特開昭４９−３３８９０号、特
開昭４９−３４４８３号、特開昭４９−５４２３５号公
報に示されているようなイオン化蒸着法も本発明に用い
られ、その他スパッター法、プラズマ重合法も適用でき
る。
許第３３４２３３＝２号の明細書等に述べられている通
常の真空蒸着の他、電界、磁界あるいは電子ビーム照射
等により蒸ス流のイオン化、加速化等を行って蒸発分子
の平均自己行程の大きい雰囲気にて支持体上に薄膜を形
成させる方法をも含むものであって、例えば当山願人に
よる特開昭５１−１４９００８号明細書に示されている
ような電界蒸着法、特公昭４３−１１５２５号、特公昭
４６−２０４８４号、特公昭４７−２６５７９号、特公
昭４９−４５４３９号、特開昭４９−３３８９０号、特
開昭４９−３４４８３号、特開昭４９−５４２３５号公
報に示されているようなイオン化蒸着法も本発明に用い
られ、その他スパッター法、プラズマ重合法も適用でき
る。
本発明で用いられる非磁性基体としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビ
ニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチ
レンナフタレートのようなプラスチックベースが好まし
いが、Ａ１． Ｃｕ、 ＳＵＳ等の非磁性金属やガラス
、セラミックス等の無機質の基体も使用することができ
る。特に、本発明においては、表面粗さくｒａ）が０．
０１２μｍ以下であるような上記可撓性プラスチックベ
ースが好ましい。
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビ
ニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチ
レンナフタレートのようなプラスチックベースが好まし
いが、Ａ１． Ｃｕ、 ＳＵＳ等の非磁性金属やガラス
、セラミックス等の無機質の基体も使用することができ
る。特に、本発明においては、表面粗さくｒａ）が０．
０１２μｍ以下であるような上記可撓性プラスチックベ
ースが好ましい。
本発明に用いられる磁性金属材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎ１等の金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ、 Ｆｅ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｆ’ｅ−Ｒｈ、 Ｆ
ｅ−Ｃｕ、 Ｃｏ−Ｃｕ。
、Ｎ１等の金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ、 Ｆｅ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｆ’ｅ−Ｒｈ、 Ｆ
ｅ−Ｃｕ、 Ｃｏ−Ｃｕ。
Ｃｏ−Ａｕ、 Ｇｏ−Ｙ、 Ｇｏ −Ｌａ、 Ｇｏ−Ｐ
ｒ、 Ｇｏ−Ｇｄ、 Ｃｏ−８ｍ。
ｒ、 Ｇｏ−Ｇｄ、 Ｃｏ−８ｍ。
ｃｏ−Ｐｔ、 Ｎ１−Ｃ；ｕ％Ｍｎ−Ｂ１． Ｍｎ−３
ｂ、 Ｍｎ−Ａ４ Ｆ’ｅ−Ｏｒ、 Ｇｏ−Ｏｒ、 Ｎ
ｉ−Ｃｒ、 Ｆｅ−ｃｏ−Ｏｒ、Ｎ１−Ｇｏ−Ｃｒ。
ｂ、 Ｍｎ−Ａ４ Ｆ’ｅ−Ｏｒ、 Ｇｏ−Ｏｒ、 Ｎ
ｉ−Ｃｒ、 Ｆｅ−ｃｏ−Ｏｒ、Ｎ１−Ｇｏ−Ｃｒ。
Ｆ６−Ｃｏｏ−Ｎｉ−Ｏｒ を主成分とする強磁性合
金である。特に好ましいのはＣｏあるいはＧｏを７５重
量％含有するような合金である。
金である。特に好ましいのはＣｏあるいはＧｏを７５重
量％含有するような合金である。
更に、これらの磁性金属材料には添加物として、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、 Ｍｇ、 Ｓ ｉ、 ＡＡ！等の金属成分や
、Ｃ，Ｂ。
ｏ、Ｔａ、 Ｍｇ、 Ｓ ｉ、 ＡＡ！等の金属成分や
、Ｃ，Ｂ。
０、 Ｎ、 Ｐ等の非金属成分を少量含ませてもよい。
これらの添加物は薄膜形成用母材に含ませてもよく、ま
た薄膜形成時のガス雰囲気の成分として加えてもよい。
た薄膜形成時のガス雰囲気の成分として加えてもよい。
なお、前記磁性金属薄膜層を形成する際に、若干の酸素
ガスを導入した酸素雰囲気下で行ってもよい。
ガスを導入した酸素雰囲気下で行ってもよい。
磁性金属簿膜層の膜厚は、磁気記録媒体として充分な出
力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分行える薄さを
必要とすることから一般には約０．０２μｍからｚｏｏ
ｏｏ！、好ましくは０．０５μｍから１００ＯＯＡであ
る。
力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分行える薄さを
必要とすることから一般には約０．０２μｍからｚｏｏ
ｏｏ！、好ましくは０．０５μｍから１００ＯＯＡであ
る。
本発明の特徴は、上記のようにして形成した磁性金属薄
膜を１００Ｃ以上の水蒸気と接触させる点にあり、接触
時間は約３分以内で十分であり、２００Ｃ以上の水蒸気
の場合には１〜５秒程度でも良好な効果が得られる。水
蒸気との接触は空気中で行うことができる。水蒸気との
接触は、イーパーデポジション法によって磁性金属薄膜
を形成後、連続して直ちに行ってもよく、又、磁性膜を
形成後、−坦巻き取り等により保存した後に行ってもよ
い。水蒸気と接触させた後には、゛例えばエヤーブロー
等によって乾燥する。
膜を１００Ｃ以上の水蒸気と接触させる点にあり、接触
時間は約３分以内で十分であり、２００Ｃ以上の水蒸気
の場合には１〜５秒程度でも良好な効果が得られる。水
蒸気との接触は空気中で行うことができる。水蒸気との
接触は、イーパーデポジション法によって磁性金属薄膜
を形成後、連続して直ちに行ってもよく、又、磁性膜を
形成後、−坦巻き取り等により保存した後に行ってもよ
い。水蒸気と接触させた後には、゛例えばエヤーブロー
等によって乾燥する。
以下、本発明を実施例によって説明する。なお。
以下の実施例及び比較例中で行った耐候性の評価は、山
崎精機（株）製の発露テスト装置Ｅ−２４ＷＧを用いて
行い、６時間の発露テストを行った後に磁性層表面を顕
微鏡で観察することによって求めた。なお、水蒸気に接
触させた後の磁性層の乾燥はエヤーブローによって行っ
た。
崎精機（株）製の発露テスト装置Ｅ−２４ＷＧを用いて
行い、６時間の発露テストを行った後に磁性層表面を顕
微鏡で観察することによって求めた。なお、水蒸気に接
触させた後の磁性層の乾燥はエヤーブローによって行っ
た。
実施例１
２５μ厚のポリエチレンテレフタレートフィルム基体を
蒸発源に対して６０°の傾きになるように真空蒸着装置
内に配置し、Ｉ Ｘ １０ ”−５Ｔｏｒｒの真空度で
、９９．９９％の金属コバルトを電子ビーム加熱法によ
り１５００λの膜厚になるように蒸着した。
蒸発源に対して６０°の傾きになるように真空蒸着装置
内に配置し、Ｉ Ｘ １０ ”−５Ｔｏｒｒの真空度で
、９９．９９％の金属コバルトを電子ビーム加熱法によ
り１５００λの膜厚になるように蒸着した。
次いで、該蒸着面を１００Ｃの水蒸気と約−分間接触さ
せた後に乾燥し、発露テストを行ったが、錆の発生は少
なかった。
せた後に乾燥し、発露テストを行ったが、錆の発生は少
なかった。
一方、比較例として同様な条件でコバルトを蒸着し、水
蒸気との接触を行うことなく発露テストを行ったところ
、極めて多くの錆の発生が観察された。
蒸気との接触を行うことなく発露テストを行ったところ
、極めて多くの錆の発生が観察された。
実施例２
実施例１と同様な基体を用い４、Ｇｏ−Ｎｉ 合金を蒸
１１Ｌ、 入射角５ｏ’、真空度６Ｘ１０ Ｔｏｒｒ
でビイオンブレーティングで膜厚１３００ＸのＧｏ−Ｎ
ｉ（８０：２０） 合金薄膜層を形成した。次いで該
合金薄膜層と１００Ｃの水蒸気と約１分接触させた後に
乾燥し、発露テストを行った。この場合も錆の発生は少
なかった。
１１Ｌ、 入射角５ｏ’、真空度６Ｘ１０ Ｔｏｒｒ
でビイオンブレーティングで膜厚１３００ＸのＧｏ−Ｎ
ｉ（８０：２０） 合金薄膜層を形成した。次いで該
合金薄膜層と１００Ｃの水蒸気と約１分接触させた後に
乾燥し、発露テストを行った。この場合も錆の発生は少
なかった。
比較例として、同様な条件でＧｏ−Ｎｉ 合金薄膜層を
形成し、水蒸気と接触させることなく発露テストを行っ
たところ、極めて多くの錆の発生が観察された。
形成し、水蒸気と接触させることなく発露テストを行っ
たところ、極めて多くの錆の発生が観察された。
実施例３
実施例１と同様な基体を用い、コノζルト及びケイ素を
蒸発源とし、真空度Ｉ Ｘ １０ ””２ＴｏｒｒでＲ
Ｆスパッタリングにより膜厚２０００Ａのｃｏ−８ｉ（
９５：１５）の薄膜層を形成させた。これを１００Ｃの
水蒸気と約１分接触させた後に乾燥し、発露テストを行
ったが錆の発生は少なかった。又同様にして得られた試
料を２００Ｃの水蒸気と約１０秒接触させ、乾燥後同様
な発露テストを行ったが錆の発生は少なかった。
蒸発源とし、真空度Ｉ Ｘ １０ ””２ＴｏｒｒでＲ
Ｆスパッタリングにより膜厚２０００Ａのｃｏ−８ｉ（
９５：１５）の薄膜層を形成させた。これを１００Ｃの
水蒸気と約１分接触させた後に乾燥し、発露テストを行
ったが錆の発生は少なかった。又同様にして得られた試
料を２００Ｃの水蒸気と約１０秒接触させ、乾燥後同様
な発露テストを行ったが錆の発生は少なかった。
比較例として同様にして得られた試料を水蒸気と接触さ
せることなく発露テストを行ったところ極めて１多くの
錆の発生が見られた。又、同様な試料を５０ｔＺ’の水
蒸気と約２分接触させ、乾燥後発露テストを行ったとこ
ろ多くの錆の発生が見られた。
せることなく発露テストを行ったところ極めて１多くの
錆の発生が見られた。又、同様な試料を５０ｔＺ’の水
蒸気と約２分接触させ、乾燥後発露テストを行ったとこ
ろ多くの錆の発生が見られた。
実施例４
実施例１と同様な基体を用い、Ｇｏ−Ｃｒ 合金を蒸発
源とし、実施例３と同様な条件でＲＦスパッタリングを
行い、Ｇｏ−Ｃｒ （８０：２０）合金の垂直磁イＣＪ
Ｆ膜を形成した。次いで、これを１００Ｃの水蒸気と約
１分接触させ、乾燥後発露テストを行ったが、錆の発生
は少なかった。
源とし、実施例３と同様な条件でＲＦスパッタリングを
行い、Ｇｏ−Ｃｒ （８０：２０）合金の垂直磁イＣＪ
Ｆ膜を形成した。次いで、これを１００Ｃの水蒸気と約
１分接触させ、乾燥後発露テストを行ったが、錆の発生
は少なかった。
比較例として同様にして得られた試料を水蒸気と接触す
ることなく発露テストを行ったところ。
ることなく発露テストを行ったところ。
極めて多くの錆の発生が見られた。
手続補正書
昭和５７年 ８月／ρ日
昭和 ５７年特許願願力１０８４６０ 号２、発明の
名称 磁気記録媒体の製造法 ３、 、′ｒＯ正をする者 事件との関係：特許出願人 名称 （５２０） 富士写真フィルム株式会社霞が
関ビル内郵便局 私書箱第４９号 １）明細＠第５頁７〜１翠行目、「蒸発分子の平均自己
行程の大きい雰囲気にて」を削除する。
名称 磁気記録媒体の製造法 ３、 、′ｒＯ正をする者 事件との関係：特許出願人 名称 （５２０） 富士写真フィルム株式会社霞が
関ビル内郵便局 私書箱第４９号 １）明細＠第５頁７〜１翠行目、「蒸発分子の平均自己
行程の大きい雰囲気にて」を削除する。
２） 同 第６頁１６行目、「Ｃｏ−Ｃｒ、」の次Ｖこ
ｒｃ ｏ −Ｃｒ −Ｖ、 Ｃｏ −Ｃｒ−Ｗ％Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｈ、 Ｃｏ −■、」を加入する。
ｒｃ ｏ −Ｃｒ −Ｖ、 Ｃｏ −Ｃｒ−Ｗ％Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｈ、 Ｃｏ −■、」を加入する。
６） 同 第７頁９行目、「０．０２μｍｌを「２００
Ｘ」と補正する０ ４） 同 第７頁９行目、「ｏ、ｏｓμｍＪを「５００
Ｘ」と補正する。
Ｘ」と補正する０ ４） 同 第７頁９行目、「ｏ、ｏｓμｍＪを「５００
Ｘ」と補正する。
以 上
Claims (2)
- （１）非磁性基体上にベー、５−デポジション法によっ
て磁性金属薄膜層を形成し、次いで該磁性層を１００Ｃ
以上の水蒸気と接触させることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - （２） 水蒸気と接触させる時間が３分以内である特
許請求の範囲第＋１１項に記載の磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10846082A JPS592232A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10846082A JPS592232A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592232A true JPS592232A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14485324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10846082A Pending JPS592232A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194241A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10846082A patent/JPS592232A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194241A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0461413B2 (ja) * | 1984-10-16 | 1992-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd |
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