JPS59222930A - 電子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及び装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及び装置Info
- Publication number
- JPS59222930A JPS59222930A JP58095801A JP9580183A JPS59222930A JP S59222930 A JPS59222930 A JP S59222930A JP 58095801 A JP58095801 A JP 58095801A JP 9580183 A JP9580183 A JP 9580183A JP S59222930 A JPS59222930 A JP S59222930A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- peak
- electron beam
- level
- detection signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム直接描画において、高速高精度に
基準マーク位置を検出する方法及び装置に関するもので
ある。
基準マーク位置を検出する方法及び装置に関するもので
ある。
電子ビームを用いた直接描画では、微細回路を製作する
各工程で、試料の所定位僅に正確にバタンを重ねて描画
する必要がある。そのため、予め位置合わせ用マーク２
として第１図（ａ）に示すように試料面に段差を形成し
、電子ビームで該マーク２上を走査してマーク位置を検
出し、この位置を基準として描画を行なっている。従来
のマーク位置検出では、′電子ビーム走査て生じたマー
ク２からの反射電子を複数の反射′電子検出器で検出し
ている。全検出器の出力を加算した場合の出力波形を第
１図（ｂ）に示す。この検出信号に対し適当なしきい値
レベルＬＬを設定して、２値化信号を発生さ七る。ビー
ム走査開始と同時に、ビーム走査クロック・パルスをカ
ウンタで！−１数し、前記の２値化イバ号が発生した時
のカウント値Ｃ＋ｆ ＋ Ｃ＋ｒを読みとる。ＣＩ Ｊ
、＋ Ｃ１ｒは、マークのエツジ位置データであり、（
Ｃ，、＋ Ｃ１ｒ）／ ２をマーク位置として（・る。
各工程で、試料の所定位僅に正確にバタンを重ねて描画
する必要がある。そのため、予め位置合わせ用マーク２
として第１図（ａ）に示すように試料面に段差を形成し
、電子ビームで該マーク２上を走査してマーク位置を検
出し、この位置を基準として描画を行なっている。従来
のマーク位置検出では、′電子ビーム走査て生じたマー
ク２からの反射電子を複数の反射′電子検出器で検出し
ている。全検出器の出力を加算した場合の出力波形を第
１図（ｂ）に示す。この検出信号に対し適当なしきい値
レベルＬＬを設定して、２値化信号を発生さ七る。ビー
ム走査開始と同時に、ビーム走査クロック・パルスをカ
ウンタで！−１数し、前記の２値化イバ号が発生した時
のカウント値Ｃ＋ｆ ＋ Ｃ＋ｒを読みとる。ＣＩ Ｊ
、＋ Ｃ１ｒは、マークのエツジ位置データであり、（
Ｃ，、＋ Ｃ１ｒ）／ ２をマーク位置として（・る。
しかるに、検出信号には、ビーム自体の持つンヨノト剋
１音、ビームの後方散乱による雑音、検出器の雑音等が
重畳しており、これらのランダム雑音により、マーク位
置検出精度が低下する。そのため、複数回のビーム走査
を行ない、各走査ごとに得られたマーク位置データを平
均演算してマーク位置を求め、マーク検出精度を上げて
いる。ｍ回の走査をすれば、検出精度は函倍向上するこ
とが知られている。
１音、ビームの後方散乱による雑音、検出器の雑音等が
重畳しており、これらのランダム雑音により、マーク位
置検出精度が低下する。そのため、複数回のビーム走査
を行ない、各走査ごとに得られたマーク位置データを平
均演算してマーク位置を求め、マーク検出精度を上げて
いる。ｍ回の走査をすれば、検出精度は函倍向上するこ
とが知られている。
実際の描画では、１マークを検出するのに２０〜４０回
程度のビーム走査を行なって（・る。この様な複数回の
′成子ビーム定食を行なうため、関連なマーク検出がで
きないという問題があった。１だインパルス性の外来Ｈ
音により、誤信号が発生し、誤ったマーク位置検出が行
なわれる場合がある。
程度のビーム走査を行なって（・る。この様な複数回の
′成子ビーム定食を行なうため、関連なマーク検出がで
きないという問題があった。１だインパルス性の外来Ｈ
音により、誤信号が発生し、誤ったマーク位置検出が行
なわれる場合がある。
従来のマーク位置検出ては、この誤信号の影響を防ぐた
め、マーク幅に相当する値Δ−１ｃ＋ｒ ＣＪを求め
、Δが指定した許器値内に入らなければ、検出したマー
ク・エツジ位置データｃ、、 、Ｃ１ｒを不採用として
℃・た。しかし、この方法では検出信号のマーク・エツ
ジに対応する区間が正常であっても、誤信号により、マ
ーク・エツジ・データを捨てることになり、マーク位置
検出ができないという問題が生じていた。
め、マーク幅に相当する値Δ−１ｃ＋ｒ ＣＪを求め
、Δが指定した許器値内に入らなければ、検出したマー
ク・エツジ位置データｃ、、 、Ｃ１ｒを不採用として
℃・た。しかし、この方法では検出信号のマーク・エツ
ジに対応する区間が正常であっても、誤信号により、マ
ーク・エツジ・データを捨てることになり、マーク位置
検出ができないという問題が生じていた。
本発明は、これらの欠点を除去するため、検出信号の複
数の極大及び極小のピークの位置とピーク・レベルを検
出し、このピーク位置に基づ（・てマーク°エノン・デ
ータを取り込む区間を設定すること及び検出したピーク
値の中でオフセット・レベル値に最も近い極大ピークと
使手ピーク値レベルの間に複数のしきい値を設定してマ
ーク位置検出を行なうようにして、誤信号の除去と１回
の′電子ビーム走査で多数のマーク・位置・データを得
ることにより、定食回数の低減を図り高速・高ｈｉ度の
マーク位置検出を実現するようにした′電子ビーム露光
におりるマーク位置検出方法及び装置を（Ｉ供するもの
である。
数の極大及び極小のピークの位置とピーク・レベルを検
出し、このピーク位置に基づ（・てマーク°エノン・デ
ータを取り込む区間を設定すること及び検出したピーク
値の中でオフセット・レベル値に最も近い極大ピークと
使手ピーク値レベルの間に複数のしきい値を設定してマ
ーク位置検出を行なうようにして、誤信号の除去と１回
の′電子ビーム走査で多数のマーク・位置・データを得
ることにより、定食回数の低減を図り高速・高ｈｉ度の
マーク位置検出を実現するようにした′電子ビーム露光
におりるマーク位置検出方法及び装置を（Ｉ供するもの
である。
第２図は、本発明の一実施例である。以下、この実施例
につ（・て説明する。コントロール回路６は走査開始信
号を発生し、予め指定された走査開始点と走査距１４１
１にしたがって、′電子ビームＩはマーク２上を走査す
る。走査開始と同時にカウンタ７は、走査クロック・パ
ルスのｉｌ数を開始する。
につ（・て説明する。コントロール回路６は走査開始信
号を発生し、予め指定された走査開始点と走査距１４１
１にしたがって、′電子ビームＩはマーク２上を走査す
る。走査開始と同時にカウンタ７は、走査クロック・パ
ルスのｉｌ数を開始する。
反射電子検出器３は、マーク２が形成されている試料面
からの反射電子を検出し、検出信号はＡＧＣ回路４で一
定レベルに増幅される。ピーク信号検出回路５は、第３
図（ａｌに示す。該検出信号のピーク位置のカウンタ値
Ｐ＋ 、 Ｐ２ 、 Ｐ３ 、 Ｐ４と各々のピーク値
及びオフセット・レベル値り。を検出し、これらの情報
をコントロール回路６に送る。コントロール回路６は、
このピーク位ＩＩ：Ｎ情報をレノスタ８に一時蓄績する
とともに、メフセノ１−・レベル値り。
からの反射電子を検出し、検出信号はＡＧＣ回路４で一
定レベルに増幅される。ピーク信号検出回路５は、第３
図（ａｌに示す。該検出信号のピーク位置のカウンタ値
Ｐ＋ 、 Ｐ２ 、 Ｐ３ 、 Ｐ４と各々のピーク値
及びオフセット・レベル値り。を検出し、これらの情報
をコントロール回路６に送る。コントロール回路６は、
このピーク位ＩＩ：Ｎ情報をレノスタ８に一時蓄績する
とともに、メフセノ１−・レベル値り。
に最も近い２つのピーク値Ｖｈ 、 Ｖ、ｐ、 （ｈ大
ビークｆ＋ｆｒ Ｖｈと、極小ピーク値Ｖ、）をＤＡ回
路１０ 、 ＩＯａに人力して、アナログ電圧に変換す
る。この電圧に基づき、ｎ個の比較器Ｉ】に適当なしき
い値電圧Ｖ１゜ｖ２．、、− ｖｎ（Ｖｈ＞Ｖ、 、
ｖ２．−Ｖｎ＞Ｖ２）が与えらノしる。
ビークｆ＋ｆｒ Ｖｈと、極小ピーク値Ｖ、）をＤＡ回
路１０ 、 ＩＯａに人力して、アナログ電圧に変換す
る。この電圧に基づき、ｎ個の比較器Ｉ】に適当なしき
い値電圧Ｖ１゜ｖ２．、、− ｖｎ（Ｖｈ＞Ｖ、 、
ｖ２．−Ｖｎ＞Ｖ２）が与えらノしる。
１だ、マーク・エツジ・ケータ取り込み区間設定回路９
は、レンスタ８の情報とカウンタ７のＩＩ′１報に基づ
いて、第３図（ｂ）に示す様なマーク・エツジ・ケータ
取り込み区間設定信号Ｅｇを発生さぜ、ＰｌとＰ２及び
Ｐ、とＰ、の区間Ｔｗだけのマーク・エツジ・データを
取り込む様にする。上記の様に第１回目の電子ビーム走
査で、マーク・エツジ・テーク取り込み区間Ｔｗの設定
と、各々の比較器Ｈに対し、しきい値電圧が設定される
。
は、レンスタ８の情報とカウンタ７のＩＩ′１報に基づ
いて、第３図（ｂ）に示す様なマーク・エツジ・ケータ
取り込み区間設定信号Ｅｇを発生さぜ、ＰｌとＰ２及び
Ｐ、とＰ、の区間Ｔｗだけのマーク・エツジ・データを
取り込む様にする。上記の様に第１回目の電子ビーム走
査で、マーク・エツジ・テーク取り込み区間Ｔｗの設定
と、各々の比較器Ｈに対し、しきい値電圧が設定される
。
以後、電子ビームの走を（ま、予め指定された回数だけ
繰り返される。比較器１【は、各走査によって生じた検
出信号と前記各しきい値電圧を比較し、一致した場合の
み単安定マルチ・パイフレーク１２から２値化信号パル
スを発生さぜる。Ａ ＮＤケー１−１３では、このパル
ス信号とマーク・エノン・ケータ取り込み区間設定信号
ＥｇとのＡＮＤをとり、上記区間ＴＷ以外で発生したパ
ルス信号を除外すり。
繰り返される。比較器１【は、各走査によって生じた検
出信号と前記各しきい値電圧を比較し、一致した場合の
み単安定マルチ・パイフレーク１２から２値化信号パル
スを発生さぜる。Ａ ＮＤケー１−１３では、このパル
ス信号とマーク・エノン・ケータ取り込み区間設定信号
ＥｇとのＡＮＤをとり、上記区間ＴＷ以外で発生したパ
ルス信号を除外すり。
ＡＮＤゲートの出力信号でラッチ回路１４にカラ／り７
０カウント値をラノチノグし、このデータは演３’／−
回路１５に送られる。演算回路１５はｎ個のしきい値レ
ベルＶ、 、 Ｖ、 、・・・Ｖｎごとに検出された該
データＣＩ Ｊ！ ＋ Ｃ２Ｊ 、”””ＣｎＪ！ ＋
Ｃ１，ｒ 、Ｃ２ｒ 、”””Ｃｎｒ をもとにＭ＋
” （Ｃ＋１ ＋Ｃ２Ｊ’、 ’ ”””ＣｎＪ 十
Ｃ＋ｒ ＋Ｃｗｒ ＋”・”Ｃｎｒ ）／ ２ ｎの６
ｉｔ算を行なってマーク位置を求める。この演算を各走
査ごとに行ない、Ｍ＝（ＭＩ＋Ｍ２＋・・・十Ｍｍ）／
ｍ（ここでｍは走査回数）を最終的なマーク位置として
永める。
０カウント値をラノチノグし、このデータは演３’／−
回路１５に送られる。演算回路１５はｎ個のしきい値レ
ベルＶ、 、 Ｖ、 、・・・Ｖｎごとに検出された該
データＣＩ Ｊ！ ＋ Ｃ２Ｊ 、”””ＣｎＪ！ ＋
Ｃ１，ｒ 、Ｃ２ｒ 、”””Ｃｎｒ をもとにＭ＋
” （Ｃ＋１ ＋Ｃ２Ｊ’、 ’ ”””ＣｎＪ 十
Ｃ＋ｒ ＋Ｃｗｒ ＋”・”Ｃｎｒ ）／ ２ ｎの６
ｉｔ算を行なってマーク位置を求める。この演算を各走
査ごとに行ない、Ｍ＝（ＭＩ＋Ｍ２＋・・・十Ｍｍ）／
ｍ（ここでｍは走査回数）を最終的なマーク位置として
永める。
ｖ上説明したように、マーク・エツジ・ケータ取り込ろ
区間を設定することで、第３図（ａｔおよび第４図の波
線で示すようなインパルス状の外来雑音Ｎ２等による誤
信号からの悪影響を除くことができるばかりでなく、検
出信号波形が急峻Ｋ ｉ化する区間に数多（のしきい値
ｖｌ 、 ｖ、 、・、・−Ｖｎを設定することが可能
（Ｃなり、マーク検出精度が向上する利点がある。例え
ば、ケータ取り込み区間Ｔ、ｖを設定しなければ、オフ
セット・レベルＬ。近傍１ｃ、シき（・値Ｖ１を設定し
ても雑廿により正確なマーク位置検出が難しい。設定す
るしき（・値数かに倍になれば、マーク上の電子ビーム
走査回数を］／ｋにしても、同数のマーク位置データが
得られるのて検出精度は変らない。従って、しきい値ｖ
１を多く設定できれば、しきい値数の増加に見合うたけ
定食回数を減らすことができるのて、マーク位置の高速
検出が可能となる利点がある。また、反射電子検出器の
特性、マーク形状等により、実際の検出信号は第４図に
示す様に左右のマーク・エツジに対応する区間が対称と
ならず、ＰｌとＰ４及びＰ２とＰ３のピーク値が一致す
ることばほとんとない。この状態で最大ピーク値と最小
ピーク値の間に複数のしきい値を設定すると、しきい値
信号と検出信号が正−常に交叉しないことが起こり、正
常なマーク位置検出ができないが、オフセノｌ−・レベ
ル値り。
区間を設定することで、第３図（ａｔおよび第４図の波
線で示すようなインパルス状の外来雑音Ｎ２等による誤
信号からの悪影響を除くことができるばかりでなく、検
出信号波形が急峻Ｋ ｉ化する区間に数多（のしきい値
ｖｌ 、 ｖ、 、・、・−Ｖｎを設定することが可能
（Ｃなり、マーク検出精度が向上する利点がある。例え
ば、ケータ取り込み区間Ｔ、ｖを設定しなければ、オフ
セット・レベルＬ。近傍１ｃ、シき（・値Ｖ１を設定し
ても雑廿により正確なマーク位置検出が難しい。設定す
るしき（・値数かに倍になれば、マーク上の電子ビーム
走査回数を］／ｋにしても、同数のマーク位置データが
得られるのて検出精度は変らない。従って、しきい値ｖ
１を多く設定できれば、しきい値数の増加に見合うたけ
定食回数を減らすことができるのて、マーク位置の高速
検出が可能となる利点がある。また、反射電子検出器の
特性、マーク形状等により、実際の検出信号は第４図に
示す様に左右のマーク・エツジに対応する区間が対称と
ならず、ＰｌとＰ４及びＰ２とＰ３のピーク値が一致す
ることばほとんとない。この状態で最大ピーク値と最小
ピーク値の間に複数のしきい値を設定すると、しきい値
信号と検出信号が正−常に交叉しないことが起こり、正
常なマーク位置検出ができないが、オフセノｌ−・レベ
ル値り。
に最も近い２つのピーク値（極大ピークと極小ピーク）
の間に、複数のしきい値ｖ１を設定すれば、この問題を
解天できる利点がある。
の間に、複数のしきい値ｖ１を設定すれば、この問題を
解天できる利点がある。
上述の例では、段差マークを用いた場合につ（・て説明
したが、電子ビームの反射率が異なる材質で構成された
マーク（例えば第５図（ａ）に示すｓｉとＭ、で構成さ
、１１だマーク）を用いた場合にも適用できる。このマ
ークを短子ビームで走をして得られる検出信号は第５図
（ｂｌの様如なる。この場合、オフセノ１−・レベルＬ
。と信号レベルＬ、を検出シ、このレベル間に複数しき
い値Ｖｉを設定すればよい。
したが、電子ビームの反射率が異なる材質で構成された
マーク（例えば第５図（ａ）に示すｓｉとＭ、で構成さ
、１１だマーク）を用いた場合にも適用できる。このマ
ークを短子ビームで走をして得られる検出信号は第５図
（ｂｌの様如なる。この場合、オフセノ１−・レベルＬ
。と信号レベルＬ、を検出シ、このレベル間に複数しき
い値Ｖｉを設定すればよい。
第１図（ａｌは基準マークを示す図、第１図（ｂｌは基
１（Ｉｊマークを電子ビームで走査して得ら」する検出
信号と従来のマーク位置検出方法の一実施例を説明する
図、第２図は本発明の一実施例を示すブロック図、第３
図（ａ） ［ｂ）は、本発明によるマーク位置検出方法
の一実施例を説明するための波形図、第４図は本発明の
詳細な説明するためのタイムチャート、第５図は本発明
の他の実施例を説明するためのタイムチャートである。 １・・′１Ｌ子ビーム、 ２・・・基準マーク、 ３・
・反射１１Ｌ子検出器、 ４・ＡＧＣｕ路、 ５・
ビーク他号検出回ｒ６、６・・・コントロール回路、Ｃ
・ ７・・カラ／り、 ８・・レンスク、９・・・データ
取り込み区間設定回路、１０ 、１０ａ−ＤＡ変換回路
、 １１−比較器、１２・・°単安定マルチハイル−タ
、 １３・・・ＡＮＤ回路、 １４・・・ラッチ回路、１５
・・・演算回路。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 雄外１名 晒 ４ 図 躬 ５ 図 錫 ３ 図
１（Ｉｊマークを電子ビームで走査して得ら」する検出
信号と従来のマーク位置検出方法の一実施例を説明する
図、第２図は本発明の一実施例を示すブロック図、第３
図（ａ） ［ｂ）は、本発明によるマーク位置検出方法
の一実施例を説明するための波形図、第４図は本発明の
詳細な説明するためのタイムチャート、第５図は本発明
の他の実施例を説明するためのタイムチャートである。 １・・′１Ｌ子ビーム、 ２・・・基準マーク、 ３・
・反射１１Ｌ子検出器、 ４・ＡＧＣｕ路、 ５・
ビーク他号検出回ｒ６、６・・・コントロール回路、Ｃ
・ ７・・カラ／り、 ８・・レンスク、９・・・データ
取り込み区間設定回路、１０ 、１０ａ−ＤＡ変換回路
、 １１−比較器、１２・・°単安定マルチハイル−タ
、 １３・・・ＡＮＤ回路、 １４・・・ラッチ回路、１５
・・・演算回路。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 雄外１名 晒 ４ 図 躬 ５ 図 錫 ３ 図
Claims (2)
- （１）基板に形成した位置情報の基準となる電子ビーム
用マークを電子ビームで走査し、該走査により該マーク
および該基板からの反射電子強度等の変化を該マークの
検出信号として検出する電子ビーム露光のマーク位置検
出法において、該マーク検出信号が信号強度の極大を示
す複数個のピークと信号強度の極小を示す複数個のピー
クおよＯ・該マーク部以外の該基板からの信号強度とし
てのオフセノＩ・レベルより成り、第１回月の該電子ビ
ームの走ゴ寛時に、該マーク検出信号の該極大ピークお
よび該極小ピークのピーク信号レベルＩ１ｍのゴへ報と
該ピークの位置情報と該オフセットレベル埴１１１報に
基ついて該ｍ 高信号の一部区間を指定して記憶すると
ともに、該複数個の極大ピークおよび極小ピークの中で
ピーク値レベルが該オフセットレベル値に最も近イ極太
ピークと極小ピークをそれぞれ１個ずつ選択し、該選択
された極大ピーク値レベルと該選択された極小ピーク値
レベル間に複数本のしきい値レベルを設定し、該複数の
しきい値レベルと該マーク検出信号波形との交点でしか
も該指定区間内にあるものに限って、該交点に対応した
パルス信号を発生せしめ、第２回目９降の該電子ビーム
の走査時においては、記憶した該指定区間で該マーク検
出波形と該複数のしき（・値レベルとの該交点を繰り返
し検出し、該交点に対応した該パルス信号を繰り返し発
生せしめ、該複数回の該電子ビーム走森時の該パルス信
号をもとに該マークの位置検出を行なうことを特徴とす
る電子ビーム露光におけるマーク位ｔめ：検出方法。 - （２）基板に形成した基羊マークを電子ビームで走査し
反射する′電子ビームを検出する手段と、該検出信号に
対し適当なしきい値レベルを設定する回路手段と、該し
きい値Ｇ号と該検出信号波形との交点に対応したパルス
信号を発生する回路手段と、該パルス信号により該電子
ビームの走査量を求め該走査量からマークの位置情報を
得る回路手段なイｊする電子ビーム露光におけるマーク
位置検出装置において、検出信号波形の極大ピークと極
小ピークのピーク信号レベル値の情報と該ピークの位置
情報とオフセットレベル値の情報にもとづいて該検出信
号の一部区間を指定し記憶する手段を有するとともに、
複数個の極大ピークおよび極小ピークの中でピーク値レ
ベルが該オフセットレベル値に最モ近’−１ｆｉ大ピー
クと極小ピークをそり、それ１個ずつ選択する手段と、
該選択された極大ピーク値レベルと該選択さ」した極小
ピーク値レベル間に複数本のしきい値レベルを設定する
手段と、該複数のしきい値レベルと該マーク検出信号波
形との交点でしかも該指定区間内にあるものに限って該
交点に対応したパルス信号を発生せしめる手段と、該パ
ルス信号をもとに該マークの位置を検出する手段を具備
することを峙徴とする電子ビーム露光におけるマーク位
置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58095801A JPS59222930A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 電子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58095801A JPS59222930A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 電子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222930A true JPS59222930A (ja) | 1984-12-14 |
| JPH047091B2 JPH047091B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=14147531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58095801A Granted JPS59222930A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 電子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222930A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145401A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Komatsu Ltd | 無人車の誘導装置 |
| JPS62156817A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Advantest Corp | 電子ビ−ム露光装置のマ−ク検出器 |
| JPS62298114A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出装置 |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP58095801A patent/JPS59222930A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145401A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Komatsu Ltd | 無人車の誘導装置 |
| JPS62156817A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Advantest Corp | 電子ビ−ム露光装置のマ−ク検出器 |
| JPS62298114A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047091B2 (ja) | 1992-02-07 |
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