JPS59215694A - 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンス素子Info
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- JPS59215694A JPS59215694A JP58089613A JP8961383A JPS59215694A JP S59215694 A JPS59215694 A JP S59215694A JP 58089613 A JP58089613 A JP 58089613A JP 8961383 A JP8961383 A JP 8961383A JP S59215694 A JPS59215694 A JP S59215694A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発光層の発光に伴う発熱ににる局所的な温度
上昇によって生じるＲ光輝度の不均一性、発光の不安定
性、及び素子の７．ｕ寿６１）化を防Ｉに−Ｊるために
、局所的な温度の上界を防止づ−る熱伝層を有Ｊ−る博
１１！Ｊエレクトロルミネッセンス素子に関Ｊる。− 従来のマトリックス発光型の薄ＩＩ％ｊ ］−レレフ１
〜Ｌ１ルミネツセンス子は、第１図又は第２図に示ＴＪ
様な構造となっている。即ち、透明ガラス基板２十に二
酸化錫、又はＩ ’１−０智から成る）Δ明電極４をス
パッタリング等で蒸着し、その後ホ１−１ツヂングによ
りパターン形成して７１−リックスの１ツド制ｉｌ＋電
極を構成りる。その後、酸化イツトリウム、酸化ゲルマ
ニウム又はブタン酸パ１戸ンム等から成る第１電気絶縁
層６をスパッタリングで形成りる。
上昇によって生じるＲ光輝度の不均一性、発光の不安定
性、及び素子の７．ｕ寿６１）化を防Ｉに−Ｊるために
、局所的な温度の上界を防止づ−る熱伝層を有Ｊ−る博
１１！Ｊエレクトロルミネッセンス素子に関Ｊる。− 従来のマトリックス発光型の薄ＩＩ％ｊ ］−レレフ１
〜Ｌ１ルミネツセンス子は、第１図又は第２図に示ＴＪ
様な構造となっている。即ち、透明ガラス基板２十に二
酸化錫、又はＩ ’１−０智から成る）Δ明電極４をス
パッタリング等で蒸着し、その後ホ１−１ツヂングによ
りパターン形成して７１−リックスの１ツド制ｉｌ＋電
極を構成りる。その後、酸化イツトリウム、酸化ゲルマ
ニウム又はブタン酸パ１戸ンム等から成る第１電気絶縁
層６をスパッタリングで形成りる。
史にその上にＭｉ化亜＆ｆ１等の発光母体に、マンカン
等の活性剤を況入した発光層８を熊谷形成し、ざらにイ
の上【こ、前記第１絶縁１１ηと同様に第２電気絶縁Ｉ
ｒ１１１０を形成している。又イの上には、アルミニウ
ムＣ・できた背面電極１２を貞空蒸盾した後、フＡ１−
１ツチングによりパターン形成し、７１ヘリツクスのカ
ラム制御ｌｌ電極を（ｊへ成している。ｍ後に、イの上
に、保護膜層′１４を形成している。この様なマＩ〜リ
ツクス発光型の土しク１− ｏルミネツレンスメ・−了
にＪ３いて、カラムとロッド電極に電界を印加りること
によって、その交熱部分に存在Ｊる発光画素が発光する
。このｕ：ｒ、第１、第２の電気絶縁層は、発光層に高
電界を印加りると共に、各画素をアイツレ−（〜Ｊる作
用を持つ。このために、１５定の画。素が発光した揚台
には、イの発光層１αが＾くなるにつれて必然的にジ」
−ル熱を生成し、その５Ｆ、光した部分の発光層の画晃
渇度が局所的に上昇するという現象が生じる。したがつ
（、発光層面上に−３けるｔＷ Ｉｇ、分布が不均一と
なり、発光輝度のむらが生じること、発光しきい値電圧
が温度によって変動するために、画素毎の発光の不安定
性を生じること、特定な画素のみが常に発光Ｊる様な使
用をすると、その特定の画素の渇庶がいつも上昇づるこ
とになり、その特定画素の輝度特性を劣化し、素子全体
の寿命が特定画素のズｆ命ににって決定されるというこ
と等の欠点が発生Ｊる。
等の活性剤を況入した発光層８を熊谷形成し、ざらにイ
の上【こ、前記第１絶縁１１ηと同様に第２電気絶縁Ｉ
ｒ１１１０を形成している。又イの上には、アルミニウ
ムＣ・できた背面電極１２を貞空蒸盾した後、フＡ１−
１ツチングによりパターン形成し、７１ヘリツクスのカ
ラム制御ｌｌ電極を（ｊへ成している。ｍ後に、イの上
に、保護膜層′１４を形成している。この様なマＩ〜リ
ツクス発光型の土しク１− ｏルミネツレンスメ・−了
にＪ３いて、カラムとロッド電極に電界を印加りること
によって、その交熱部分に存在Ｊる発光画素が発光する
。このｕ：ｒ、第１、第２の電気絶縁層は、発光層に高
電界を印加りると共に、各画素をアイツレ−（〜Ｊる作
用を持つ。このために、１５定の画。素が発光した揚台
には、イの発光層１αが＾くなるにつれて必然的にジ」
−ル熱を生成し、その５Ｆ、光した部分の発光層の画晃
渇度が局所的に上昇するという現象が生じる。したがつ
（、発光層面上に−３けるｔＷ Ｉｇ、分布が不均一と
なり、発光輝度のむらが生じること、発光しきい値電圧
が温度によって変動するために、画素毎の発光の不安定
性を生じること、特定な画素のみが常に発光Ｊる様な使
用をすると、その特定の画素の渇庶がいつも上昇づるこ
とになり、その特定画素の輝度特性を劣化し、素子全体
の寿命が特定画素のズｆ命ににって決定されるというこ
と等の欠点が発生Ｊる。
そこで本発明は、従来のこれらの欠点を改良Ｊるために
なされたものであって、＾輝度化を狙った簿膜エレク１
〜ロルミネッヒンス素子において、発光層の温度が発光
平面上において、均一分布を成りようにし、発光層１哀
むらの防止、発光不安定性の防止、画素メｉ命の均一化
を泪ることを目的とづる。
なされたものであって、＾輝度化を狙った簿膜エレク１
〜ロルミネッヒンス素子において、発光層の温度が発光
平面上において、均一分布を成りようにし、発光層１哀
むらの防止、発光不安定性の防止、画素メｉ命の均一化
を泪ることを目的とづる。
即ち、本弁明は、素子塁板と、電界を印加Ｊることにに
つて発光Ｊる発光層と、該発光層に電界を印加する一対
の対向電極層とから成るａｖ膜土レしトロルミネツセン
ス素子において、透光性、熱伝導性、及び電気絶縁性に
１暴れた熱伝層を少なくとも１層設１］たことを特徴ど
りる薄膜ルり１へロルミネッセンス素子に関りる。
つて発光Ｊる発光層と、該発光層に電界を印加する一対
の対向電極層とから成るａｖ膜土レしトロルミネツセン
ス素子において、透光性、熱伝導性、及び電気絶縁性に
１暴れた熱伝層を少なくとも１層設１］たことを特徴ど
りる薄膜ルり１へロルミネッセンス素子に関りる。
本発明は従）！（の薄膜ルり１−ロルミネツヒンス素ｒ
において、ｉｉＪ視光に夕・１して透光性があり、かつ
電気的には絶縁性に濠れ、熱的には伝導性に優れた熱伝
層を少なくとも１つ設置）にことを特徴としている。こ
の熱伝Ｆｔを（Ｉ１１成Ｊ８月料は、望Ｊ、シくは酸化
へリリウム（Ｂｅ Ｏ）又はダイ〜７モンドー（゛ある
。又、熱伝層の形成される位置は、素子基板の内側端面
上に形成しｌこり、発光層の少なくとも１１端而に接合
して設りたり、前二者を合わＵ、発光層に接合し、かつ
素子基板の内側端面上に接合りる熱伝層を設り、その中
に、透明電極をずだれ状に形成したしのであつＣらにい
。従って、第３の様【ご熱伝層を形成した場合には、こ
の熱伝層は、発光層を電気的に絶糺Ｊる従来の電気絶縁
層の勤さをしかねることか−（゛きる。
において、ｉｉＪ視光に夕・１して透光性があり、かつ
電気的には絶縁性に濠れ、熱的には伝導性に優れた熱伝
層を少なくとも１つ設置）にことを特徴としている。こ
の熱伝Ｆｔを（Ｉ１１成Ｊ８月料は、望Ｊ、シくは酸化
へリリウム（Ｂｅ Ｏ）又はダイ〜７モンドー（゛ある
。又、熱伝層の形成される位置は、素子基板の内側端面
上に形成しｌこり、発光層の少なくとも１１端而に接合
して設りたり、前二者を合わＵ、発光層に接合し、かつ
素子基板の内側端面上に接合りる熱伝層を設り、その中
に、透明電極をずだれ状に形成したしのであつＣらにい
。従って、第３の様【ご熱伝層を形成した場合には、こ
の熱伝層は、発光層を電気的に絶糺Ｊる従来の電気絶縁
層の勤さをしかねることか−（゛きる。
この熱伝層の１動きは、発光層の発光輝度分（１ｉに対
１１ｉｓ、 Ｌ ｔこ温度の小均−分’（ｌｊを発光層
全体に渡って、均一化Ｊることである。薄膜ルりｌ−Ｉ
Ｊルミネッセンス素子にＪ３いては、電気絶Ｈ層及び金
属電極層は膜厚が薄いために良好な熱伝導性が１！７ら
れない。このために、発光層の発光画素部分に局所的な
温度上昇が見られる。それを本発明の熱伝層によって緩
和する。
１１ｉｓ、 Ｌ ｔこ温度の小均−分’（ｌｊを発光層
全体に渡って、均一化Ｊることである。薄膜ルりｌ−Ｉ
Ｊルミネッセンス素子にＪ３いては、電気絶Ｈ層及び金
属電極層は膜厚が薄いために良好な熱伝導性が１！７ら
れない。このために、発光層の発光画素部分に局所的な
温度上昇が見られる。それを本発明の熱伝層によって緩
和する。
又、他の望ましい実施例は、前記の熱伝層の１端面上の
周縁部が空中に解放されχＪ３す、その周縁部に垂直方
向に放熱フィンを接合したものである。この様に放熱フ
ィンを設けた場合には、熱伝層の全体の熱を放熱フィン
により効率にり空中に放熱させ、熱伝層したがって素子
全体の温度−電界を防止りることができる。従って、長
時間発光させた場合にも、発光層全体の温度上昇を押え
ることができるので、発光輝度の安定性、素子全体の長
ズｊ：命化を図ることができる。
周縁部が空中に解放されχＪ３す、その周縁部に垂直方
向に放熱フィンを接合したものである。この様に放熱フ
ィンを設けた場合には、熱伝層の全体の熱を放熱フィン
により効率にり空中に放熱させ、熱伝層したがって素子
全体の温度−電界を防止りることができる。従って、長
時間発光させた場合にも、発光層全体の温度上昇を押え
ることができるので、発光輝度の安定性、素子全体の長
ズｊ：命化を図ることができる。
以下実施例により説明する。
第３図は本発明の第１実施例にかかる薄１１つ）エレク
１へロルミネッレンス素子の４ｉ＋Ｓ成断面図である。
１へロルミネッレンス素子の４ｉ＋Ｓ成断面図である。
素子基板として透明ガラス基板２を用い、そのトに酸化
へリリウム（Ｂｅｄ）からなる熱伝層２０をスパッタリ
ンクにＪ、す１１４＞ Ｉ’ｘ ４μｍの厚さに形成し
た。次にその熱伝層２０の上面にインジウム錫酸化物（
１’Ｉ Ｏ＞をスパッタリングで蒸着した後、）７１１
−土ツチング処理を施し、７１−リックス発光の１」ツ
Ｉ〜制υ１１の透明電極ｆＩ？Ｉ４を形成した。さらに
その土に（よ、イツ１〜す＼ （Ｙ２Ｏ２）を０．１〜
０．５μｍの厚さに高周波スパッタリングにＪ、り蒸着
し、第１電気絶１＋に層Ｇを形成した。（の上には、電
子ビーム蒸る法により、活性剤として、マン刀ンを０．
１〜５市吊％含み、母体物質としてＶ１化亜鉛（ＺＩＩ
Ｓ）からなるｇｉｉ光層８を５０００人の厚さに形成し
た。−ての１！２、前記の第１ ？Ｉ電気絶縁層ど間物
′ｉ１のイツ１〜すＸ７からなる第２電気絶縁層１０を
Ｏ０゛１〜１μｍの厚さに前述と同様の方法にＪ、り形
成した。イシ（、その上にノフルミニウムを蒸着し、７
７１１〜エツチング処理をして、７１〜リツクス光光の
カラム制御の１１ｖ而電極ＦＶ１１２を形成し／、：
。
へリリウム（Ｂｅｄ）からなる熱伝層２０をスパッタリ
ンクにＪ、す１１４＞ Ｉ’ｘ ４μｍの厚さに形成し
た。次にその熱伝層２０の上面にインジウム錫酸化物（
１’Ｉ Ｏ＞をスパッタリングで蒸着した後、）７１１
−土ツチング処理を施し、７１−リックス発光の１」ツ
Ｉ〜制υ１１の透明電極ｆＩ？Ｉ４を形成した。さらに
その土に（よ、イツ１〜す＼ （Ｙ２Ｏ２）を０．１〜
０．５μｍの厚さに高周波スパッタリングにＪ、り蒸着
し、第１電気絶１＋に層Ｇを形成した。（の上には、電
子ビーム蒸る法により、活性剤として、マン刀ンを０．
１〜５市吊％含み、母体物質としてＶ１化亜鉛（ＺＩＩ
Ｓ）からなるｇｉｉ光層８を５０００人の厚さに形成し
た。−ての１！２、前記の第１ ？Ｉ電気絶縁層ど間物
′ｉ１のイツ１〜すＸ７からなる第２電気絶縁層１０を
Ｏ０゛１〜１μｍの厚さに前述と同様の方法にＪ、り形
成した。イシ（、その上にノフルミニウムを蒸着し、７
７１１〜エツチング処理をして、７１〜リツクス光光の
カラム制御の１１ｖ而電極ＦＶ１１２を形成し／、：
。
薄膜」レフ１〜１１ルミネツしンス累子では、１０００
Ｃ（１／ ＣＩｌ＋２の輝度を得るのに１０ ｍｗ／
ｍｍ２程度の電力を消費りる。この電力の一部は熱と
なり、発光画素の温１良が上背して発光層の温度分子ｌ
ｉを不均一なものとする。そこで本発明の熱伝ｌ１ｖｉ
２０は、熱伝導率が高い透明電気絶縁物質からでさてい
るために、発光層の局所的な熱発生に１ｔづいて温１島
分布を均一化する作用をする。本実施例で使用した酸化
ベリリウムの熱伝ＬＱ率は、１００℃において、２ 、
Ｉ Ｗ ７ｃｍ−ａａｇである。これは刀ンスの熱伝
導率の約３００１８に相当す”る。従って、１゜２ｍｍ
の厚さのガラス重板を使った揚台、４μｍの酸化ベリリ
ウム薄膜をガラス曇板に蒸着りれば曇板喘面にＪ３りる
平面の熱伝シ９率は２１８以上となり、熱伝層２０がな
い場合に比べて熱の拡１１にの稈庶は２倍以上となる。
Ｃ（１／ ＣＩｌ＋２の輝度を得るのに１０ ｍｗ／
ｍｍ２程度の電力を消費りる。この電力の一部は熱と
なり、発光画素の温１良が上背して発光層の温度分子ｌ
ｉを不均一なものとする。そこで本発明の熱伝ｌ１ｖｉ
２０は、熱伝導率が高い透明電気絶縁物質からでさてい
るために、発光層の局所的な熱発生に１ｔづいて温１島
分布を均一化する作用をする。本実施例で使用した酸化
ベリリウムの熱伝ＬＱ率は、１００℃において、２ 、
Ｉ Ｗ ７ｃｍ−ａａｇである。これは刀ンスの熱伝
導率の約３００１８に相当す”る。従って、１゜２ｍｍ
の厚さのガラス重板を使った揚台、４μｍの酸化ベリリ
ウム薄膜をガラス曇板に蒸着りれば曇板喘面にＪ３りる
平面の熱伝シ９率は２１８以上となり、熱伝層２０がな
い場合に比べて熱の拡１１にの稈庶は２倍以上となる。
従って発光画素にＪ３Ｌ〕る熱の集中が緩和され、高輝
度にＪ３いてし安定なざで光が冑られる。従って、ドッ
］〜７１−リックスパネルににくみられる発光むらを防
ぐことがｉｉＪ ｒｌｕどなる。
度にＪ３いてし安定なざで光が冑られる。従って、ドッ
］〜７１−リックスパネルににくみられる発光むらを防
ぐことがｉｉＪ ｒｌｕどなる。
この実施例の薄膜形成方法に【よ、での他の真空蒸着、
スパッタリング、電子ビーム蒸着、イΔン蒸首等公知の
技術を使用りることができる。又、’Ｒ発光層母体物質
には、子の他ＺＩＩＳＱ等を使用ぐき、活性剤も公知の
６のを使用することができる。又、；ｆｉ ＩＩＪ絶縁
層２は、その他チタン酸バリウム、Ｍ（１０等公知の透
明絶ｌｉ層を使用づることがて゛さ る。
スパッタリング、電子ビーム蒸着、イΔン蒸首等公知の
技術を使用りることができる。又、’Ｒ発光層母体物質
には、子の他ＺＩＩＳＱ等を使用ぐき、活性剤も公知の
６のを使用することができる。又、；ｆｉ ＩＩＪ絶縁
層２は、その他チタン酸バリウム、Ｍ（１０等公知の透
明絶ｌｉ層を使用づることがて゛さ る。
次に第２実施例についＣ説明りる。
第４図ｔま第２実施例にかかる薄膜エレク１〜ロルミネ
ッレンスの４１．１成を示した一部断面６３目５２図で
ある。本実施例ｔよ第２図に示し！、：従来の傳躾ルり
］〜［Ｊルミネッじンスと類似の構成をとっている。
ッレンスの４１．１成を示した一部断面６３目５２図で
ある。本実施例ｔよ第２図に示し！、：従来の傳躾ルり
］〜［Ｊルミネッじンスと類似の構成をとっている。
ここで異なる貞は、第２図にＪ３りる第１の電気絶縁層
６の代りに、本発明のだ）伝層２０を、ｉ！１ノだこと
である。叩ら、熱伝層２０は、１μｍの厚さに蒸る形成
され（おり、発光層８の基板側の一端面ど接触し、透明
電極４を内部に介在し、透明電極４の溝部４ａを介し−
Ｃガラス基板２とも接触りるように４１４成したもので
あ。この様にり°ることによつ’Ｃ発光層８の局所的な
温度上￥ｒを発光層全体に渡つ（均一にＪることがぐき
る。本熱伝層２０は、透明であり、かつ電気絶縁性に侵
れＣいるために、従来の電気絶縁層の変わりとしても使
用り−ることができる。
６の代りに、本発明のだ）伝層２０を、ｉ！１ノだこと
である。叩ら、熱伝層２０は、１μｍの厚さに蒸る形成
され（おり、発光層８の基板側の一端面ど接触し、透明
電極４を内部に介在し、透明電極４の溝部４ａを介し−
Ｃガラス基板２とも接触りるように４１４成したもので
あ。この様にり°ることによつ’Ｃ発光層８の局所的な
温度上￥ｒを発光層全体に渡つ（均一にＪることがぐき
る。本熱伝層２０は、透明であり、かつ電気絶縁性に侵
れＣいるために、従来の電気絶縁層の変わりとしても使
用り−ることができる。
又、変形例として第２の電気絶縁層１０の代りに本発明
の熱伝層２０を形成してもＪ、い。
の熱伝層２０を形成してもＪ、い。
次に本発明の第３実施例について説明Ｊる。第５図は本
発明の第３実施例にがかる薄膜エレク１〜ロルミネツセ
ンス素子の構成を示したＩＦ５成断面断面図る。薄膜層
の形成については第１、第２実施例と１６１様であるの
で説明を省略Ｊる。同−Ｉ幾能を示す部材には同一番号
を（＝Ｊし’Ｕある。本第３実施例においては、熱伝層
２０の１端面周縁部２０８は空気中に解放されている。
発明の第３実施例にがかる薄膜エレク１〜ロルミネツセ
ンス素子の構成を示したＩＦ５成断面断面図る。薄膜層
の形成については第１、第２実施例と１６１様であるの
で説明を省略Ｊる。同−Ｉ幾能を示す部材には同一番号
を（＝Ｊし’Ｕある。本第３実施例においては、熱伝層
２０の１端面周縁部２０８は空気中に解放されている。
そしＣ（の周縁部２Ｑａには、放熱フィン３０が垂直に
接合されている。放熱フィン３０は、金属体で構成され
（いる。
接合されている。放熱フィン３０は、金属体で構成され
（いる。
この様に放熱フィンを形成覆ることにより、熱伝層２０
ににつて均一化され１＝熱を、更に放熱フィン３０を通
して空気中に熱放射Ｊ−ることがでさる。
ににつて均一化され１＝熱を、更に放熱フィン３０を通
して空気中に熱放射Ｊ−ることがでさる。
従って発光層８全体の発光温度の上背を防止り゛ること
ができ、長９．７間発光によって基板仝休の＜Ｍ Ｉｆ
−Ｌか上シ？シ、発光しさい１１ｆ１電圧が変動するた
めに生じる輝度の変化か防止される。この様にして支足
なかつ民有命の発光素子を１１１ることができる。
ができ、長９．７間発光によって基板仝休の＜Ｍ Ｉｆ
−Ｌか上シ？シ、発光しさい１１ｆ１電圧が変動するた
めに生じる輝度の変化か防止される。この様にして支足
なかつ民有命の発光素子を１１１ることができる。
以上述ｌ＼（さＩこ実施例（ごＣ・（よ、電極は７１−
リツクス形状のムのとしく説明したが、ヒグメントタイ
プのｂのでル）ってもよい。又、面発光型の電極（１−
Ｓ造（あっ（らイの電１４４の膜厚が簿いので本発明の
熱伝層を設４Ｊることにｊ、って同様り効果を得ること
がでひる。
リツクス形状のムのとしく説明したが、ヒグメントタイ
プのｂのでル）ってもよい。又、面発光型の電極（１−
Ｓ造（あっ（らイの電１４４の膜厚が簿いので本発明の
熱伝層を設４Ｊることにｊ、って同様り効果を得ること
がでひる。
以４炊りるに本ざｔ明の１ｊ］徴は薄膜エレク１〜日ル
ミネツしンス克−ｊ″−９こおい℃、熱１云導性が良く
透光性に優オし電気的に【よ絶縁性の良い熱伝層を設置
ノたことぐある。従っ（発光層の局所的温度上昇分７１
１を緩和４ることができる。このため、輝度分イ１１の
均一化、綽庶の１１）量的安定化、及び各画素毎のスを
命を均一化することがぐさる。Ｊ、って素子全体として
の寿命が長くなるというりｊ果を有Ｊる。又、ｂ’ｌ熱
フィンをも９．（）て空気中に熱但を放射する場合にＬ
；Ｌ ％ Ｊ’＋−１−金体の発）にの不安定性を防止
することかｉｉｌ能（ある。
ミネツしンス克−ｊ″−９こおい℃、熱１云導性が良く
透光性に優オし電気的に【よ絶縁性の良い熱伝層を設置
ノたことぐある。従っ（発光層の局所的温度上昇分７１
１を緩和４ることができる。このため、輝度分イ１１の
均一化、綽庶の１１）量的安定化、及び各画素毎のスを
命を均一化することがぐさる。Ｊ、って素子全体として
の寿命が長くなるというりｊ果を有Ｊる。又、ｂ’ｌ熱
フィンをも９．（）て空気中に熱但を放射する場合にＬ
；Ｌ ％ Ｊ’＋−１−金体の発）にの不安定性を防止
することかｉｉｌ能（ある。
第１図、第２図は従来の薄膜エレク１へ【」ルミネッセ
ンス素子の構成を示した４１４成図である。第３図は本
発明の第１実施例にがかる薄膜ルり１〜Ｕルミネツセン
ス素子の構成を承り４ｊ１１成断面図Ｃ′ある。第４図
は第２実施例にかかる薄１１％３ ルクトロルミネツセ
ンス糸子の構成を示した斜視図（゛ある。 第５図は第３実施例にかかる薄膜エレクｌ−１］ルミネ
ツセンス素子の構成を示した４Ｒ成断面図である。 ２・・・透明ガラス基板 ４・・・透明電極 ６・・・第１電気絶縁層 ８・・・発光層 １０・・・第２電気絶縁層 １２・・・背面電極層 ２０・・・熱伝層 ３０・・・放熱フィン 第１図 第２図 第３図 第４図
ンス素子の構成を示した４１４成図である。第３図は本
発明の第１実施例にがかる薄膜ルり１〜Ｕルミネツセン
ス素子の構成を承り４ｊ１１成断面図Ｃ′ある。第４図
は第２実施例にかかる薄１１％３ ルクトロルミネツセ
ンス糸子の構成を示した斜視図（゛ある。 第５図は第３実施例にかかる薄膜エレクｌ−１］ルミネ
ツセンス素子の構成を示した４Ｒ成断面図である。 ２・・・透明ガラス基板 ４・・・透明電極 ６・・・第１電気絶縁層 ８・・・発光層 １０・・・第２電気絶縁層 １２・・・背面電極層 ２０・・・熱伝層 ３０・・・放熱フィン 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (5)
- （１）素子基板と、電界を印加することによって光光り
る発光層と、該発光層に電界を印加する一対の対向電極
層とから成る薄膜エレク１へロルミネッヒンス素子にＪ
３いて、透光性、熱伝導性、及び電気絶縁性にＩ曇れに
熱伝層を少なくとも１層設りＩこことを特徴とりる薄膜
」ニレク１〜ロルミネツレンス素子。 - （２）前記熱伝層を構成づる物質は、酸化ベリリウム又
はダイヤ−しンドであることを特徴とするＱ’ｒ ＝’
ｆ請求の範囲第１３１４記載の薄＋１５＞ Ｉレフ１〜
ロルミネツレンス素子。 - （３）前記熱伝層は、前記素子基板の内端面上に形成さ
れ（いることを特徴とする特許請求の範囲第１Ｊｎ記載
のルクトＬ１ルミネッセンス素子。 - （４）前記熱伝層は、前記発光層の少なくとも）−輻：
面に接合しく形成されでいることを特徴とする特し′１
請求の範囲第１項記載の薄膜ルり１−ロルミネツセンス
素子。 - （５）前記熱伝層の一端面上周縁部は、空気中に、解放
されており、該周縁部には、垂直方向に、放熱フィンが
接合されていることを１！ｉ 徴とりる特許請求の範囲
第１項記載の薄膜ルり１−ロルミネッセンス秦子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089613A JPS59215694A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089613A JPS59215694A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215694A true JPS59215694A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=13975597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089613A Pending JPS59215694A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215694A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933584A (en) * | 1988-12-22 | 1990-06-12 | General Electric Company | Electronically commutated motor having skewed magnetics |
| JP2011134724A (ja) * | 2001-07-27 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012009901A (ja) * | 2011-10-07 | 2012-01-12 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| US8390019B2 (en) | 2001-07-27 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices |
-
1983
- 1983-05-21 JP JP58089613A patent/JPS59215694A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933584A (en) * | 1988-12-22 | 1990-06-12 | General Electric Company | Electronically commutated motor having skewed magnetics |
| JP2011134724A (ja) * | 2001-07-27 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8390019B2 (en) | 2001-07-27 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices |
| JP2012009901A (ja) * | 2011-10-07 | 2012-01-12 | Oki Data Corp | 表示装置 |
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