JPS59214279A - 発光ダイオ−ド基板 - Google Patents
発光ダイオ−ド基板Info
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- JPS59214279A JPS59214279A JP58089503A JP8950383A JPS59214279A JP S59214279 A JPS59214279 A JP S59214279A JP 58089503 A JP58089503 A JP 58089503A JP 8950383 A JP8950383 A JP 8950383A JP S59214279 A JPS59214279 A JP S59214279A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は複数の発光ダイオードを連接して載置するのに
好適な発光ダイオード基板に関する。
好適な発光ダイオード基板に関する。
呻)従来技術
従来発光ダイオードプリンタ用ヘッド等においては第1
図に示すように複数の発光ダイオード03)(13)・
・・を連接して発光ダイオード基板(11)に載置して
、それを放熱板兼支持板<181上に固着して用いてき
た。
図に示すように複数の発光ダイオード03)(13)・
・・を連接して発光ダイオード基板(11)に載置して
、それを放熱板兼支持板<181上に固着して用いてき
た。
しかし発光ダイオード(13)α3)・・・は180絹
、21’0酊、2 5 0 ”という極めて長い範囲に
わたって発光部ピッチ50乃至200μmという微細な
間隔になるように配置されるうえ、サーマルヘッドやイ
ンクジェットヘッドに比べて高速に印字できる利点を生
かすため連続的に発光させる事が多いので、放熱を十分
に行なわないと輝度低下や発光波長ずれを生じ、印字品
質を低下させてし凍り。一方発光ダイオード基板lとし
ては熱による変形が少なくかつ数千の配線が高密度に可
能である必要性からセラミック基板が用いられるが放熱
特性が悪い。従ってこれらの組合せによって印字速度が
制限されたシ強制的に印字休止期fttlが必要になっ
たりして不都合であった。
、21’0酊、2 5 0 ”という極めて長い範囲に
わたって発光部ピッチ50乃至200μmという微細な
間隔になるように配置されるうえ、サーマルヘッドやイ
ンクジェットヘッドに比べて高速に印字できる利点を生
かすため連続的に発光させる事が多いので、放熱を十分
に行なわないと輝度低下や発光波長ずれを生じ、印字品
質を低下させてし凍り。一方発光ダイオード基板lとし
ては熱による変形が少なくかつ数千の配線が高密度に可
能である必要性からセラミック基板が用いられるが放熱
特性が悪い。従ってこれらの組合せによって印字速度が
制限されたシ強制的に印字休止期fttlが必要になっ
たりして不都合であった。
発光ダイオード基板を提供するものである。
(ニ)発明の構成
本発明は発光ダイオード基板の取付面(裏面)に熱伝導
の艮好な均熱層を形成する華によって高密度に集中実装
された発光ダイオードからの熱を放出しやすくしたもの
で、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
の艮好な均熱層を形成する華によって高密度に集中実装
された発光ダイオードからの熱を放出しやすくしたもの
で、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
(へ)実施例
第2図は本発明実施例の発光ダイオード基板(1)を用
いたヘッドの断面図である。発光ダイオード基板(1)
の表面略中央部には帯状導体からなる発光ダイオード載
置部(2)が設けである。そして、−直線上に整列配置
されたFn接合(3)を有するGaAsr等の発光ダイ
オード(3)が、導電性接着剤(4)尋によりその発光
ダイオード載置部(2)上に複数個連接して固着され、
近傍に設けられたワイヤボンドバット(5)に金属絶縁
(6061等で配線が施こされている。また発光ダイオ
ード基&(1)は表面側が白色セラミックを基板とする
配線層(Ia’)、続いて黒色セラミック層(1b)、
裏面側は導体層(10)からなる積層4’H造をなして
おり、裏面には接着剤、好壕しくは導電性接着剤からな
る接着層(7)によってアルミニウム等からなる放熱板
兼支持板(8)に固着しである。
いたヘッドの断面図である。発光ダイオード基板(1)
の表面略中央部には帯状導体からなる発光ダイオード載
置部(2)が設けである。そして、−直線上に整列配置
されたFn接合(3)を有するGaAsr等の発光ダイ
オード(3)が、導電性接着剤(4)尋によりその発光
ダイオード載置部(2)上に複数個連接して固着され、
近傍に設けられたワイヤボンドバット(5)に金属絶縁
(6061等で配線が施こされている。また発光ダイオ
ード基&(1)は表面側が白色セラミックを基板とする
配線層(Ia’)、続いて黒色セラミック層(1b)、
裏面側は導体層(10)からなる積層4’H造をなして
おり、裏面には接着剤、好壕しくは導電性接着剤からな
る接着層(7)によってアルミニウム等からなる放熱板
兼支持板(8)に固着しである。
上述の配線層(1a)は、配線のうちワイヤホントパッ
ト(5)が発光部(Pn接合(3)’)のピンチにあわ
せて設けなくてはならないので、単に高密度配線ができ
るのみでなく成型での位置ずれが少ない方がよい。セラ
ミック基板は焼結での熱収縮率が大きいが、それでも黒
色よりは白色セラミックの方が特性が安定している。一
方黒色セラミック層(1b)は成型性は悪いがグリーン
シートにタングステンやモリブデン等又はこれらの酸化
物を混入して焼結するので、一体化しやすく熱吸収性が
よい。さらに導体層(1C)は黒色セラミック層(1b
)に銅、鉄あるいは合金等を蒸着、印刷等で設けたもの
である。従って発光ダイオード(3)の熱は発光ダイオ
ード載置部(2)を介して配線N(IB)に伝わるが黒
色セラミック層(1b)によって吸収拡散され導体層(
1C)の全面から効率よく放熱板兼支持板(8)に放出
される。
ト(5)が発光部(Pn接合(3)’)のピンチにあわ
せて設けなくてはならないので、単に高密度配線ができ
るのみでなく成型での位置ずれが少ない方がよい。セラ
ミック基板は焼結での熱収縮率が大きいが、それでも黒
色よりは白色セラミックの方が特性が安定している。一
方黒色セラミック層(1b)は成型性は悪いがグリーン
シートにタングステンやモリブデン等又はこれらの酸化
物を混入して焼結するので、一体化しやすく熱吸収性が
よい。さらに導体層(1C)は黒色セラミック層(1b
)に銅、鉄あるいは合金等を蒸着、印刷等で設けたもの
である。従って発光ダイオード(3)の熱は発光ダイオ
ード載置部(2)を介して配線N(IB)に伝わるが黒
色セラミック層(1b)によって吸収拡散され導体層(
1C)の全面から効率よく放熱板兼支持板(8)に放出
される。
尚上述の例において黒色セラミック層(1b)は発光ダ
イオード載置部(2)の導体に接するよう断面略凸字状
に設けてもよく、また導体層(1C)は接着層(7)が
導電性接着剤であれば薄膜、ポリイミド樹脂等の厚膜接
着剤であれば導電層(1C)も厚膜にするのが好ましい
。さらに表面側に発光ダイオードのみではなく、その駆
動素子等も載置すると、表面側ではより昇温しやすくな
るので、本発明を適用すると一層効果的である。
イオード載置部(2)の導体に接するよう断面略凸字状
に設けてもよく、また導体層(1C)は接着層(7)が
導電性接着剤であれば薄膜、ポリイミド樹脂等の厚膜接
着剤であれば導電層(1C)も厚膜にするのが好ましい
。さらに表面側に発光ダイオードのみではなく、その駆
動素子等も載置すると、表面側ではより昇温しやすくな
るので、本発明を適用すると一層効果的である。
(へ)発明の効果
以上の如く本発明は、表面に設けられた発光ダイオード
載置部と、裏面側に設けられた黒色セラミック層と、黒
色セラミック層上に積層された導体層とを具備した発光
ダイオード基板であるから、発光ダイオードを密集して
載置しても放熱特性がよい。
載置部と、裏面側に設けられた黒色セラミック層と、黒
色セラミック層上に積層された導体層とを具備した発光
ダイオード基板であるから、発光ダイオードを密集して
載置しても放熱特性がよい。
例の発光ダイオード、M&(1)を用いたヘッドの断面
図である。
図である。
(1)−・・・・・発光ダイオード基板、(1a)・・
・・・・配線層、(1b)・・・・・・黒色セラミック
層、(1C)・・・・・・導体層、(2)・・・・・・
発光ダイオード載置部、(3)・・・・・・発光ダイオ
ード、(8)・・・・・・放熱板兼支持板。
・・・・配線層、(1b)・・・・・・黒色セラミック
層、(1C)・・・・・・導体層、(2)・・・・・・
発光ダイオード載置部、(3)・・・・・・発光ダイオ
ード、(8)・・・・・・放熱板兼支持板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)表面に設けられた発光ダイオード載置部と、裏面側
に設けられた黒色セラミック層と、黒色セラミック層上
に積層された導体層とを具備した事を特徴なする発光ダ
イオード基板。 2)前記発光ダイオード載置部は複数の発光ダイオード
を連接して載置するよう設けられている事を特徴とする
特許 発光ダイオード基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58089503A JPS59214279A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 発光ダイオ−ド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58089503A JPS59214279A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 発光ダイオ−ド基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59214279A true JPS59214279A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13972572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58089503A Pending JPS59214279A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 発光ダイオ−ド基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59214279A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63296284A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Nec Corp | 発光ダイオ−ドヘッド |
JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
US8421109B2 (en) | 2003-04-01 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58089503A patent/JPS59214279A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63296284A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Nec Corp | 発光ダイオ−ドヘッド |
US8421109B2 (en) | 2003-04-01 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
US8629476B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
US9241375B2 (en) | 2003-04-01 | 2016-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
US9768153B2 (en) | 2003-04-01 | 2017-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
US10490535B2 (en) | 2003-04-01 | 2019-11-26 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
US10741533B2 (en) | 2003-04-01 | 2020-08-11 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
US11476227B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-10-18 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
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