JPS5921171B2 - 半導体装置の密封方法 - Google Patents
半導体装置の密封方法Info
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- JPS5921171B2 JPS5921171B2 JP10826575A JP10826575A JPS5921171B2 JP S5921171 B2 JPS5921171 B2 JP S5921171B2 JP 10826575 A JP10826575 A JP 10826575A JP 10826575 A JP10826575 A JP 10826575A JP S5921171 B2 JPS5921171 B2 JP S5921171B2
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- sealing
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の密封方法、特に表面保護が重要で
ある半導体装置の密封方法に関するものである。
ある半導体装置の密封方法に関するものである。
まず、現在行なわれている半導体装置に真空パッケージ
ングを施す方法を第1図を用いて述べる。
ングを施す方法を第1図を用いて述べる。
半導体装置1を端子2と排気孔3とを有する基台4の片
面に配設し、基台4の外縁部と凹状の金属性容器5の外
縁部とを熔接により密着接合し、その後排気孔3を通じ
て容器5の内部を真空に引き、しかる後、排気孔3を圧
着等の方法で封じ切る。なお、6は半導体装置1と端子
2を接続する導線である。このような真空封じ方法は金
属容器の真空管の封じ方法と同様であつて、容器のコス
トが大きくなり、また大量生産を行なうのにも不便な方
法であつた。本発明は上述の不都合を排除するために、
半導体装置に貫通孔を設けることにより、量産に向いた
半導体装置密封方法を提供することを目的とする。
面に配設し、基台4の外縁部と凹状の金属性容器5の外
縁部とを熔接により密着接合し、その後排気孔3を通じ
て容器5の内部を真空に引き、しかる後、排気孔3を圧
着等の方法で封じ切る。なお、6は半導体装置1と端子
2を接続する導線である。このような真空封じ方法は金
属容器の真空管の封じ方法と同様であつて、容器のコス
トが大きくなり、また大量生産を行なうのにも不便な方
法であつた。本発明は上述の不都合を排除するために、
半導体装置に貫通孔を設けることにより、量産に向いた
半導体装置密封方法を提供することを目的とする。
以下、図面とともに本発明の実施例について説明する。
第2図および第3図は本発明の一実施例を説明するもの
であつて、11は一部に凹部12を設けた凹状容器とし
てのセラミック等より成る板状の絶縁物基台であり、そ
の表面には導線としての金属層13が印刷等の方法で設
けられている。
であつて、11は一部に凹部12を設けた凹状容器とし
てのセラミック等より成る板状の絶縁物基台であり、そ
の表面には導線としての金属層13が印刷等の方法で設
けられている。
平板状の半導体装置14は素子等が配設されている保護
すべき面15を基台11の凹部12に対応させて取り付
けられるのであるが、この半導体装置14の特定の個所
には装置の表裏に貫通する貫通孔16が形成されており
、また半導体装置14の保護面15の素子に対する端子
にはハンダバンプ17を設けてある。貫通孔16を半導
体装置14に形成する方法としては、通常のフォトレジ
ストによる表面被覆を半導体装置14の表裏に施し、必
要な貫通孔のパターン形成を行つた後に表裏より同時に
化学エッチングするのが比較的実用的な方法である。さ
て、上記の構造を有する半導体装置14を密封するには
、まず半導体装置14の保護面15を基台11の凹部1
2に対応して設置し、それぞれの外縁部をガラス粉末等
で熱融解等の手段で密封して基台11と半導体装置14
との間の気密性を保つ。
すべき面15を基台11の凹部12に対応させて取り付
けられるのであるが、この半導体装置14の特定の個所
には装置の表裏に貫通する貫通孔16が形成されており
、また半導体装置14の保護面15の素子に対する端子
にはハンダバンプ17を設けてある。貫通孔16を半導
体装置14に形成する方法としては、通常のフォトレジ
ストによる表面被覆を半導体装置14の表裏に施し、必
要な貫通孔のパターン形成を行つた後に表裏より同時に
化学エッチングするのが比較的実用的な方法である。さ
て、上記の構造を有する半導体装置14を密封するには
、まず半導体装置14の保護面15を基台11の凹部1
2に対応して設置し、それぞれの外縁部をガラス粉末等
で熱融解等の手段で密封して基台11と半導体装置14
との間の気密性を保つ。
次に、このような基台11と半導体装置14との合体物
を真空容器内に入れて排気作業に入るのであるが、この
時に多くの合体物を真空容器内に入れておくだけですべ
て同様に排気することができる。基台11の凹部12中
の排気は半導体装置14の貫通孔16を介して行なわれ
る。ここで、貫通孔16の上縁は皿状に面取りし、且つ
その面に金属層を被着し、その皿状の部分にハンダある
いはガラス等より成る封口体18を設置しておくことは
排気および後の密封工程に際して非常に便利なものとな
る。この部分の詳細については後に述べることにする。
次に、先述の合体物を貫通孔16を介して排気するので
あるが、合体物が貫通孔16の上縁に封口体18を有す
るようなものであれば、貫通孔16の上縁と封口体18
とは排気抵抗が小さくなるような形状にしておく必要が
ある。
を真空容器内に入れて排気作業に入るのであるが、この
時に多くの合体物を真空容器内に入れておくだけですべ
て同様に排気することができる。基台11の凹部12中
の排気は半導体装置14の貫通孔16を介して行なわれ
る。ここで、貫通孔16の上縁は皿状に面取りし、且つ
その面に金属層を被着し、その皿状の部分にハンダある
いはガラス等より成る封口体18を設置しておくことは
排気および後の密封工程に際して非常に便利なものとな
る。この部分の詳細については後に述べることにする。
次に、先述の合体物を貫通孔16を介して排気するので
あるが、合体物が貫通孔16の上縁に封口体18を有す
るようなものであれば、貫通孔16の上縁と封口体18
とは排気抵抗が小さくなるような形状にしておく必要が
ある。
排気終了後、真空容器内で貫通孔16を加熱熔解して封
口するかもしくは貫通孔16の上縁と封口体18とを加
熱により熔解させて貫通孔16を気密封口する。加熱方
法としては、熱、光の照射あるいはコイルによる誘導加
熱等で行なうことができる。第3図は封口体18により
気密封口された状態を示す。このようにして、基台11
と半導体素子14の機能素子の部分は完全に密封された
ことになる。ところで、基台11の凹部12の体積とし
ては小さなもので十分であり、この様な密封方法は特に
混成集積回路装置の如く大面積の絶縁物基板上に多くの
機能素子や回路網を集積する場合には特に有効ね密封方
法である。更に半導体装置の外面に対しては保護のため
に附加的なパツケージングを施す事は任意である。さて
ここで、先に述べておいた半導体装置14の貫通孔16
と封口体18について詳細に述べる。
口するかもしくは貫通孔16の上縁と封口体18とを加
熱により熔解させて貫通孔16を気密封口する。加熱方
法としては、熱、光の照射あるいはコイルによる誘導加
熱等で行なうことができる。第3図は封口体18により
気密封口された状態を示す。このようにして、基台11
と半導体素子14の機能素子の部分は完全に密封された
ことになる。ところで、基台11の凹部12の体積とし
ては小さなもので十分であり、この様な密封方法は特に
混成集積回路装置の如く大面積の絶縁物基板上に多くの
機能素子や回路網を集積する場合には特に有効ね密封方
法である。更に半導体装置の外面に対しては保護のため
に附加的なパツケージングを施す事は任意である。さて
ここで、先に述べておいた半導体装置14の貫通孔16
と封口体18について詳細に述べる。
第4図は半導体装置14の要部断面図を示すものであり
、19は貫通孔16の上縁に形成された皿部である。第
5図、第6図は半導体装置14と封口体18の斜視図で
、皿部19の内面にはニツケル等により金属メツキの施
された被膜が被着されている。排気作業時には封口体1
8と皿部19の間隙より排気が行なわれるので、それぞ
れの形状を排気抵抗が減少するように形成しなければい
けない。封口体18として球状体のものを用いた場合に
は、皿部19は第5図に示すように角錐状のもの、ある
いは第6図に示すように花弁状等に形成すれば排気抵抗
は減少する。また、皿部19として円錐状のものを形成
した場合には、封口体18としては立方体あるいは四面
体等のものを用いるのが望ましい。第7図は本発明の他
の実施例で、圧力センサとしての半導体装置を封口体を
用いて真空封じする方法を示すものである。
、19は貫通孔16の上縁に形成された皿部である。第
5図、第6図は半導体装置14と封口体18の斜視図で
、皿部19の内面にはニツケル等により金属メツキの施
された被膜が被着されている。排気作業時には封口体1
8と皿部19の間隙より排気が行なわれるので、それぞ
れの形状を排気抵抗が減少するように形成しなければい
けない。封口体18として球状体のものを用いた場合に
は、皿部19は第5図に示すように角錐状のもの、ある
いは第6図に示すように花弁状等に形成すれば排気抵抗
は減少する。また、皿部19として円錐状のものを形成
した場合には、封口体18としては立方体あるいは四面
体等のものを用いるのが望ましい。第7図は本発明の他
の実施例で、圧力センサとしての半導体装置を封口体を
用いて真空封じする方法を示すものである。
同図において、21は凹部22を有する凹状の容器とし
てのセラミツク等の絶縁物よりなる基台であつて、貫通
孔23と抵抗層24,25とを備えた半導体装置26の
外縁部が容器21の外縁部とガラス等により接合部27
で密封されている。28は抵抗層24,25を接続する
ための金属層、29は外部導出線である。
てのセラミツク等の絶縁物よりなる基台であつて、貫通
孔23と抵抗層24,25とを備えた半導体装置26の
外縁部が容器21の外縁部とガラス等により接合部27
で密封されている。28は抵抗層24,25を接続する
ための金属層、29は外部導出線である。
圧力センサは半導体装置26に加えられる応力による歪
量が可能な限り均一であることが強度上、計測上からも
望ましいため、容器21の凹部22の形状も単純な形状
が良く、また貫通孔23も抵抗層24,25から可及的
に離す方が良い。そのため、貫通孔23と凹部22を連
絡する溝30を基板21に形成しておく必要がある。溝
30を設けることにより、凹部22の排気は溝30、貫
通孔23を介して行ない、排気作業後貫通孔23の上縁
の皿部を封口体で熔解して気密封じする。以上のように
して気密封じされた圧力センサは、凹部22が真空であ
るので絶対圧センサとして用いることができ、抵抗層2
4に負圧を加えることにより圧力の測定が行なわれる。
量が可能な限り均一であることが強度上、計測上からも
望ましいため、容器21の凹部22の形状も単純な形状
が良く、また貫通孔23も抵抗層24,25から可及的
に離す方が良い。そのため、貫通孔23と凹部22を連
絡する溝30を基板21に形成しておく必要がある。溝
30を設けることにより、凹部22の排気は溝30、貫
通孔23を介して行ない、排気作業後貫通孔23の上縁
の皿部を封口体で熔解して気密封じする。以上のように
して気密封じされた圧力センサは、凹部22が真空であ
るので絶対圧センサとして用いることができ、抵抗層2
4に負圧を加えることにより圧力の測定が行なわれる。
第8図は本発明を圧力センサに用いた更に他の実施例を
示す図で、第7図と同一のものには同一番号を付してあ
る。
示す図で、第7図と同一のものには同一番号を付してあ
る。
第8図に示すセラミツク等の絶縁物よりなる基台21に
は2段の凹部が形成されており、下方の凹部22は今ま
で述べてきた真空のためのスペースで、上方の凹部は半
導体装置26を収納する空間となつている。半導体装置
26と基台21とは接合部27で気密封じをしてあり、
前の実施例に比して本実施例の方が封じの作業は容易で
ある。また、基台21が2段構造の凹部を備えているた
め半導体装置26と基台21との合体物の表面はフラツ
トになる利点を有している。本実施例の装置では、貫通
孔23とは独立した貫通孔31を備えており、貫通孔2
3は金属層28を被着することにより抵抗層24と同2
5とを接続することができ、貫通孔31は同様に金属層
28を被着することにより抵抗層25と外部導出線29
とを接続することができる。半導体装置26と基台21
とを接合する時に貫通孔31が封口できるように接合す
れば、溝は貫通孔23の下部と凹部22の間に形成すれ
ば良い。以上のようにして合体物を形成した後、貫通孔
23と溝30とを介して凹部22の内部を排気し、その
後貫通孔23の上縁の皿部を熔解封じする。以上のよう
にして気密封じされた圧力センサも前実施例と同様にし
て抵抗層24に負圧を加えることにより絶対圧センサと
して利用することができる。
は2段の凹部が形成されており、下方の凹部22は今ま
で述べてきた真空のためのスペースで、上方の凹部は半
導体装置26を収納する空間となつている。半導体装置
26と基台21とは接合部27で気密封じをしてあり、
前の実施例に比して本実施例の方が封じの作業は容易で
ある。また、基台21が2段構造の凹部を備えているた
め半導体装置26と基台21との合体物の表面はフラツ
トになる利点を有している。本実施例の装置では、貫通
孔23とは独立した貫通孔31を備えており、貫通孔2
3は金属層28を被着することにより抵抗層24と同2
5とを接続することができ、貫通孔31は同様に金属層
28を被着することにより抵抗層25と外部導出線29
とを接続することができる。半導体装置26と基台21
とを接合する時に貫通孔31が封口できるように接合す
れば、溝は貫通孔23の下部と凹部22の間に形成すれ
ば良い。以上のようにして合体物を形成した後、貫通孔
23と溝30とを介して凹部22の内部を排気し、その
後貫通孔23の上縁の皿部を熔解封じする。以上のよう
にして気密封じされた圧力センサも前実施例と同様にし
て抵抗層24に負圧を加えることにより絶対圧センサと
して利用することができる。
これまで述べてきた実施例では凹状容器の内部を真空に
する方法で述べてきたが、本発明は特にこれに限定する
ものではなく、凹状容器内部を希ガス等の他の気体と置
換する場合にも可能な方法である。
する方法で述べてきたが、本発明は特にこれに限定する
ものではなく、凹状容器内部を希ガス等の他の気体と置
換する場合にも可能な方法である。
以上説明してきたように、表裏面に貫通孔を有する半導
体素子の外縁部と凹状容器の外縁部とを密着接合した後
、前記凹状容器内を前記貫通孔を介して排気し、しかる
後に前記貫通孔を封口することを特徴とする本発明の半
導体装置の密封方法は、小さな体積の凹部を有する簡単
な凹状容器で半導体装置を保護できるため容器のコスト
が少なくて済み、半導体装置自身に排気通路であり、か
つ容易に封口できる貫通孔が形成されているため大量の
半導体装置を排気できるので量産向きであり、また貫通
孔を表裏間の電気的接続経路として利用できるもので、
混成集積回路の気密封じには特に有効で、非常に工業的
価値の高いものである。
体素子の外縁部と凹状容器の外縁部とを密着接合した後
、前記凹状容器内を前記貫通孔を介して排気し、しかる
後に前記貫通孔を封口することを特徴とする本発明の半
導体装置の密封方法は、小さな体積の凹部を有する簡単
な凹状容器で半導体装置を保護できるため容器のコスト
が少なくて済み、半導体装置自身に排気通路であり、か
つ容易に封口できる貫通孔が形成されているため大量の
半導体装置を排気できるので量産向きであり、また貫通
孔を表裏間の電気的接続経路として利用できるもので、
混成集積回路の気密封じには特に有効で、非常に工業的
価値の高いものである。
第1図は従来の半導体装置を気密封じする時の構造を示
す断面図、第2図、第3図は本発明の半導体装置の密封
方法の一実施例を示す図、第4図、第5図、第6図は貫
通孔の封口部分を示す図、第7図は本発明の半導体装置
の密封方法の他の実施例を示す図、第8図は本発明の半
導体装置の密封方法の更に他の実施例を示す図である。 11,21・・・・・・基台、12,22・・・・・・
凹部、13,28・・・・・・金属層、14,26・・
・・・・半導体装置、16,23,31・・・・・・貫
通孔、27・・・・・・接合部、29・・・・・・外部
導出線。
す断面図、第2図、第3図は本発明の半導体装置の密封
方法の一実施例を示す図、第4図、第5図、第6図は貫
通孔の封口部分を示す図、第7図は本発明の半導体装置
の密封方法の他の実施例を示す図、第8図は本発明の半
導体装置の密封方法の更に他の実施例を示す図である。 11,21・・・・・・基台、12,22・・・・・・
凹部、13,28・・・・・・金属層、14,26・・
・・・・半導体装置、16,23,31・・・・・・貫
通孔、27・・・・・・接合部、29・・・・・・外部
導出線。
Claims (1)
- 1 表裏間に貫通孔を有する半導体素子の外縁部と凹状
容器の外縁部とを密着接合した後、前記凹状容器内を前
記貫通孔を介して排気し、しかる後に前記貫通孔を封口
することを特徴とする半導体装置の密封方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10826575A JPS5921171B2 (ja) | 1975-09-05 | 1975-09-05 | 半導体装置の密封方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10826575A JPS5921171B2 (ja) | 1975-09-05 | 1975-09-05 | 半導体装置の密封方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5232269A JPS5232269A (en) | 1977-03-11 |
JPS5921171B2 true JPS5921171B2 (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=14480259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10826575A Expired JPS5921171B2 (ja) | 1975-09-05 | 1975-09-05 | 半導体装置の密封方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5921171B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153976A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス、およびその製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2710986B2 (ja) * | 1989-05-23 | 1998-02-10 | 新光電気工業株式会社 | 電子装置 |
US6036872A (en) * | 1998-03-31 | 2000-03-14 | Honeywell Inc. | Method for making a wafer-pair having sealed chambers |
AU2003228973A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Memgen Corporation | Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures |
JP4665959B2 (ja) | 2007-11-30 | 2011-04-06 | 日本電気株式会社 | 真空パッケージ |
JP2014036081A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
JP6439272B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2018-12-19 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージ、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 |
-
1975
- 1975-09-05 JP JP10826575A patent/JPS5921171B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153976A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス、およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5232269A (en) | 1977-03-11 |
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