JPS59203213A - 溝構造磁性基板の製造方法 - Google Patents
溝構造磁性基板の製造方法Info
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- JPS59203213A JPS59203213A JP58078676A JP7867683A JPS59203213A JP S59203213 A JPS59203213 A JP S59203213A JP 58078676 A JP58078676 A JP 58078676A JP 7867683 A JP7867683 A JP 7867683A JP S59203213 A JPS59203213 A JP S59203213A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、薄膜磁気ヘッド用溝構造磁性基板とその製
造方法に係り、基板溝部に充填するガラスの気泡を激減
させ、磁性基板とガラスとの相互拡散層が少ない溝構造
用磁性基板とその製造方法に関する。
造方法に係り、基板溝部に充填するガラスの気泡を激減
させ、磁性基板とガラスとの相互拡散層が少ない溝構造
用磁性基板とその製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッドは、近年実用化されつつあり、ソフトフ
ェライトブロックを母板として製造される従来の磁気ヘ
ッドに比べて、1桁以上もすぐれた特性が得られること
が知られている。また、この薄膜磁気ヘッドの特性を向
上させるため、磁性薄膜の断面形状をステップ構造とす
ることが提案されている。
ェライトブロックを母板として製造される従来の磁気ヘ
ッドに比べて、1桁以上もすぐれた特性が得られること
が知られている。また、この薄膜磁気ヘッドの特性を向
上させるため、磁性薄膜の断面形状をステップ構造とす
ることが提案されている。
しかし、このステップ構造は、磁気記録媒体の摺動に対
して、強度的に弱いため、磁性基板に非磁性層を埋設し
た溝部を形成し、磁気的に磁極対向距離を大きくし、物
理的には平面状とした溝構造磁性基板を使用する薄膜磁
気ヘッドが提案され、非磁性層には一般にガラスが使用
されている。
して、強度的に弱いため、磁性基板に非磁性層を埋設し
た溝部を形成し、磁気的に磁極対向距離を大きくし、物
理的には平面状とした溝構造磁性基板を使用する薄膜磁
気ヘッドが提案され、非磁性層には一般にガラスが使用
されている。
11n −Znフェライト、NL −Znフェライト等
の磁性基板面上に溝状にガラス層を埋設する方法として
、該基板面に形成した少なくとも1条の溝部内に、板状
カラスを配置し、ガラス粘性が 104〜105po
i seとなる温度に加熱して充填し、非磁性層とする
方法がある。しかし、この方法では形成されたガラス層
に気泡が生成しやすく、磁性基板に比−21フエライト
を使用すると、基板溝表面とガラスとの接触部において
、基板成分とガラス成分との相互拡散層が生成される問
題があった。
の磁性基板面上に溝状にガラス層を埋設する方法として
、該基板面に形成した少なくとも1条の溝部内に、板状
カラスを配置し、ガラス粘性が 104〜105po
i seとなる温度に加熱して充填し、非磁性層とする
方法がある。しかし、この方法では形成されたガラス層
に気泡が生成しやすく、磁性基板に比−21フエライト
を使用すると、基板溝表面とガラスとの接触部において
、基板成分とガラス成分との相互拡散層が生成される問
題があった。
薄膜磁気ヘッドの製造において、基板にガラス層を形成
したのち、精密(σ)摩加工したガラス層上に、I−C
テクノロジーを用いて磁気回路となる数種の薄膜が形成
されるが、かかるガラス層に気泡が生成されると、露出
した気泡により磁気回路が断線したり、あるいは絶縁不
良となったり、磁気特性にばらつきを生じたり、また、
該気泡数によってヘッド製造時の製品歩留りが大きく左
右され、品質管理上も大きな問題となっている。
したのち、精密(σ)摩加工したガラス層上に、I−C
テクノロジーを用いて磁気回路となる数種の薄膜が形成
されるが、かかるガラス層に気泡が生成されると、露出
した気泡により磁気回路が断線したり、あるいは絶縁不
良となったり、磁気特性にばらつきを生じたり、また、
該気泡数によってヘッド製造時の製品歩留りが大きく左
右され、品質管理上も大きな問題となっている。
また、薄膜ヘッドの磁気回路における溝部の基板とガラ
ス層との境界となるAペックス点は、薄膜ヘッドのギャ
ップ深さを決める基準点となり、このギャップ深さによ
りヘッド入出力が大きく影響を受けるが、基板の溝部と
ガラス層との接触面に形成される相互拡散層の厚みによ
り、該Aペックス点にばらつきを生じ、ギャップ深さが
変動して電磁気特性にばらつきを生じる問題があった。
ス層との境界となるAペックス点は、薄膜ヘッドのギャ
ップ深さを決める基準点となり、このギャップ深さによ
りヘッド入出力が大きく影響を受けるが、基板の溝部と
ガラス層との接触面に形成される相互拡散層の厚みによ
り、該Aペックス点にばらつきを生じ、ギャップ深さが
変動して電磁気特性にばらつきを生じる問題があった。
この発明は、薄膜ヘッドの電磁気特性を一層向上させ、
かつ製品ばらつきが極めて少なくなる溝構造磁性基板を
目的とし、磁性基板の溝部に、気泡の発生を防止してガ
ラス層を充填し、かつガラスと基板成分の相互拡散層の
発生を極力少なくした溝構造磁性基板とその製造方法を
目的としている。
かつ製品ばらつきが極めて少なくなる溝構造磁性基板を
目的とし、磁性基板の溝部に、気泡の発生を防止してガ
ラス層を充填し、かつガラスと基板成分の相互拡散層の
発生を極力少なくした溝構造磁性基板とその製造方法を
目的としている。
すなわち、この発明は、磁性基板に形成した少なくとも
1条の溝部内に、ガラスを充填した薄膜磁気ヘッド用満
構造磁性基板において、充填したガラス内の大ぎざ1廊
以上の気泡数が1ヶ/mm3以下で、かつ、磁性基板と
該ガ、ラスとの相互拡散層が5aJX下であることを特
徴とする溝構造磁性基板である。
1条の溝部内に、ガラスを充填した薄膜磁気ヘッド用満
構造磁性基板において、充填したガラス内の大ぎざ1廊
以上の気泡数が1ヶ/mm3以下で、かつ、磁性基板と
該ガ、ラスとの相互拡散層が5aJX下であることを特
徴とする溝構造磁性基板である。
さらには、磁性基板面に形成した少なくとも1条の溝部
内に、ガラスをガラス粘性が106 poise〜io
a poiseとなる温度に加熱して圧入充填し、その
後該磁性基板を上記ガラスのガラス粘性が106poi
seとなる温度以下の温度条件で、熱間静水圧プレス処
理することを特徴とする溝構造磁性基板の製造方法であ
る。
内に、ガラスをガラス粘性が106 poise〜io
a poiseとなる温度に加熱して圧入充填し、その
後該磁性基板を上記ガラスのガラス粘性が106poi
seとなる温度以下の温度条件で、熱間静水圧プレス処
理することを特徴とする溝構造磁性基板の製造方法であ
る。
薄膜磁気ヘッド用溝構造磁性基板において、充填したガ
ラス内のb/Il+以上の大ぎさの気泡数を1り/ma
n’以下に限定した理由は、これを越える気泡がガラス
層内に存在すると、ガラス層面に磁気回路を構成するた
めに基板面を精密研摩加工したとき、ガラス表面に気泡
が露出して磁気回路の断線あるいは磁気特性のばらつき
の原因となり、製品の品質管理上で大きな問題となり、
製品歩留りの低下を招来するため、充填したガラス内の
犬ぎさ1M11以上の気泡数を1ヶ/ntm3以下とす
る。
ラス内のb/Il+以上の大ぎさの気泡数を1り/ma
n’以下に限定した理由は、これを越える気泡がガラス
層内に存在すると、ガラス層面に磁気回路を構成するた
めに基板面を精密研摩加工したとき、ガラス表面に気泡
が露出して磁気回路の断線あるいは磁気特性のばらつき
の原因となり、製品の品質管理上で大きな問題となり、
製品歩留りの低下を招来するため、充填したガラス内の
犬ぎさ1M11以上の気泡数を1ヶ/ntm3以下とす
る。
また、薄膜磁気ヘッド用溝構造磁性基板において、磁性
基板と該ガラスとの相互拡散層が5虜を越える場合、基
板の溝部とガラス層との接触面に形成される相互拡散層
の厚みにより、Aペックス点位置にばらつきを生じ、ギ
ャップ深さが変動して電磁気特性にばらつきを生じるす
るため、磁性基板と該ガラスどの相互拡散層を5)x以
下とする。
基板と該ガラスとの相互拡散層が5虜を越える場合、基
板の溝部とガラス層との接触面に形成される相互拡散層
の厚みにより、Aペックス点位置にばらつきを生じ、ギ
ャップ深さが変動して電磁気特性にばらつきを生じるす
るため、磁性基板と該ガラスどの相互拡散層を5)x以
下とする。
上記の本発明による溝構造磁性基板を製造する方法を具
体的に説明すると、第1図の薄膜磁気ヘッドの断面図示
す如く、磁性基板(1)に、機械的加工あるいはフォト
エツチング方法等で溝部(2)を形成し、この溝部(2
)にガラス粘性が 106 poise〜ioa po
iseとなる温度に加熱したガラスを圧入充填してガラ
ス層(3)を形成し、その後該磁性基板(1)を上記ガ
ラスのガラス粘性が106poiseとなる温度以下の
湿度条件で、熱間静水圧プレス処理し、この発明による
磁性基板に仕上げる。
体的に説明すると、第1図の薄膜磁気ヘッドの断面図示
す如く、磁性基板(1)に、機械的加工あるいはフォト
エツチング方法等で溝部(2)を形成し、この溝部(2
)にガラス粘性が 106 poise〜ioa po
iseとなる温度に加熱したガラスを圧入充填してガラ
ス層(3)を形成し、その後該磁性基板(1)を上記ガ
ラスのガラス粘性が106poiseとなる温度以下の
湿度条件で、熱間静水圧プレス処理し、この発明による
磁性基板に仕上げる。
得られたこの発明による溝構造磁性基板は、溝部のガラ
ス層内の気泡がなく、かつガラスと基板成分の相互拡散
層の厚みが極めて少ない磁性基板である。
ス層内の気泡がなく、かつガラスと基板成分の相互拡散
層の厚みが極めて少ない磁性基板である。
゛ついで、磁性基板(1)面を精密に平面研摩し、ガラ
ス層(3)上及び磁性基板(1)上に、スパッタリング
あるいは蒸着法等の薄膜形成方法にJ:す、導体層(4
)、絶縁層(10)、磁性体層(5)、低融点ガラス層
(6)、非磁性体層(刀を被着して薄膜パターンを形成
し、薄膜磁気ヘッドを構成する。なお、(8)はギャッ
プ部、(9)はAペラ9フ点である。
ス層(3)上及び磁性基板(1)上に、スパッタリング
あるいは蒸着法等の薄膜形成方法にJ:す、導体層(4
)、絶縁層(10)、磁性体層(5)、低融点ガラス層
(6)、非磁性体層(刀を被着して薄膜パターンを形成
し、薄膜磁気ヘッドを構成する。なお、(8)はギャッ
プ部、(9)はAペラ9フ点である。
この発明による溝構造磁性基板の製造方法において、溝
部にガラスを充填する温度として、充填するガラスのガ
ラス粘性が106poise未満となる温度では、温度
りく高すぎるため、ガラス層成分と磁性基板成分との相
互拡散反応が進行して拡散層が大きくなり、また、上記
のガラス粘性が 108po i seを越える温度で
は、溝部内へのガラスの充填、密着が十分でなく、剥離
しやすくなるため、ガラス粘性が106 poise
ヘ108 poiseとなる温度に加熱する必要がある
。
部にガラスを充填する温度として、充填するガラスのガ
ラス粘性が106poise未満となる温度では、温度
りく高すぎるため、ガラス層成分と磁性基板成分との相
互拡散反応が進行して拡散層が大きくなり、また、上記
のガラス粘性が 108po i seを越える温度で
は、溝部内へのガラスの充填、密着が十分でなく、剥離
しやすくなるため、ガラス粘性が106 poise
ヘ108 poiseとなる温度に加熱する必要がある
。
また、溝部へのガラス充填時の圧力は、基板材質、ガラ
ス質、溝寸法、温度等に応じて適宜選定すればよい。
ス質、溝寸法、温度等に応じて適宜選定すればよい。
熱間静水圧プレス処理は、以下の処理条件が好ましい。
ずなわら、処理温度温度は、充填したガラスのガラス粘
性が106poiseとなる温度を越えると、ガラス層
成分と磁性基板成分との相互拡散反応が活発になり、拡
散層が5ρを越えるため、該ガラス粘性が10” po
iseとなる温度以下が好まIノい。処理圧力は、10
気圧以上、2000気圧以下の圧力が、ガラス内の気泡
消滅及び作業能率上好ましい。なお、処理時に、還元防
止のため、例えば、磁性基板を基板と同組成の粉末内に
埋入して処理するのもよい。
性が106poiseとなる温度を越えると、ガラス層
成分と磁性基板成分との相互拡散反応が活発になり、拡
散層が5ρを越えるため、該ガラス粘性が10” po
iseとなる温度以下が好まIノい。処理圧力は、10
気圧以上、2000気圧以下の圧力が、ガラス内の気泡
消滅及び作業能率上好ましい。なお、処理時に、還元防
止のため、例えば、磁性基板を基板と同組成の粉末内に
埋入して処理するのもよい。
また、この発明における磁性基板は、Mn−Zηフェラ
イト、NL −ZTIフェライトのいずれのソフトフェ
ライトであっても使用できるが、特に、Mn −Zηフ
ェライトは高温になると酸素と反応しやすく、化学的に
不安定であり、ガラス成分と反応してその接触面に相互
拡散層を形成しやすいため、山−ZTlフェライト基板
にこの発明を適用する場合特に効果が大きい。
イト、NL −ZTIフェライトのいずれのソフトフェ
ライトであっても使用できるが、特に、Mn −Zηフ
ェライトは高温になると酸素と反応しやすく、化学的に
不安定であり、ガラス成分と反応してその接触面に相互
拡散層を形成しやすいため、山−ZTlフェライト基板
にこの発明を適用する場合特に効果が大きい。
また、この発明に使用するガラスは、ソーダ行灰゛系ガ
ラス、ソーダバリウム系ガラス、ホウ珪酸系ガラス等の
高融点ガラスのみならず、高鉛系ガラス等の低融点ガラ
スも使用できる。
ラス、ソーダバリウム系ガラス、ホウ珪酸系ガラス等の
高融点ガラスのみならず、高鉛系ガラス等の低融点ガラ
スも使用できる。
なお、ガラスとしては、■後工程でのパターン形成や研
削のため、化学的に安定なこと、■スパッター、蒸着、
フォトエツチング等の工程により、表面からの衝撃を受
けたり、高温にさらされたりするため、熱的安定かつ熱
衝撃に強いこと、■基板の変形や残留歪の発生による基
板の磁気特性の劣化を低減するため、基板と近似する熱
膨張係数を有すること、■基板上のパターンを保護する
ため、低融点ガラスにより保護被膜を形成する必要があ
り、低融点ガラスの被着温度500℃以上の耐熱性を有
すること、■薄膜ヘッドに加工する際に、デツピング、
割れ、かけ等が少ないこと、等の諸性質を具備する必要
があり、ガラスとしては、650℃以上の軟化点を有す
る高融点ガラスが望ましい。
削のため、化学的に安定なこと、■スパッター、蒸着、
フォトエツチング等の工程により、表面からの衝撃を受
けたり、高温にさらされたりするため、熱的安定かつ熱
衝撃に強いこと、■基板の変形や残留歪の発生による基
板の磁気特性の劣化を低減するため、基板と近似する熱
膨張係数を有すること、■基板上のパターンを保護する
ため、低融点ガラスにより保護被膜を形成する必要があ
り、低融点ガラスの被着温度500℃以上の耐熱性を有
すること、■薄膜ヘッドに加工する際に、デツピング、
割れ、かけ等が少ないこと、等の諸性質を具備する必要
があり、ガラスとしては、650℃以上の軟化点を有す
る高融点ガラスが望ましい。
以下に、この発明による実施例を説明する。
表面を精密仕上げした25mmX25mmX 1mm寸
法の1’In −Znフェライト基板上に、 幅0.1
5mmX深さ0.03mmX長さ25mmの溝を3本、
機械的加工で形成し、この溝部に溝部とほぼ同寸法の箔
状高融点ガラス(商品名 ooaoガラス、コーニング
社製造、ソーダ石灰系ガラス、熱膨張係数93.5X1
0−7 /℃、軟化点696℃、作業点1005℃)を
挿入し、窒素雰囲気中で、荷重0.1kgJを付加しな
がら、ガラス粘性が10’ poiseとなる温度、ず
なわち750′℃に加熱し、溝部に高融点ガラスによる
ガラス層を形成した。
法の1’In −Znフェライト基板上に、 幅0.1
5mmX深さ0.03mmX長さ25mmの溝を3本、
機械的加工で形成し、この溝部に溝部とほぼ同寸法の箔
状高融点ガラス(商品名 ooaoガラス、コーニング
社製造、ソーダ石灰系ガラス、熱膨張係数93.5X1
0−7 /℃、軟化点696℃、作業点1005℃)を
挿入し、窒素雰囲気中で、荷重0.1kgJを付加しな
がら、ガラス粘性が10’ poiseとなる温度、ず
なわち750′℃に加熱し、溝部に高融点ガラスによる
ガラス層を形成した。
ついで、この基板を、上記の高融点ガラスのガラス粘性
が107°’ po i seとなる温度、730 °
C1圧力100気圧、保持時間1時間の処理条件で熱間
静水圧プレス処理した。
が107°’ po i seとなる温度、730 °
C1圧力100気圧、保持時間1時間の処理条件で熱間
静水圧プレス処理した。
得られたこの発明による溝構造磁性基板のガラス層には
大ぎさ1〃01以上の気泡は皆無であった。
大ぎさ1〃01以上の気泡は皆無であった。
また、比較のため、上記と同一基板に同じ高融点ガラス
を使用し、ガラス粘性が105poiseとなる温度、
すなわち、880℃に加熱して充填したところ、ガラス
層内の大きさ1庫以上の気泡は、25ケ/mm3以上で
あった。
を使用し、ガラス粘性が105poiseとなる温度、
すなわち、880℃に加熱して充填したところ、ガラス
層内の大きさ1庫以上の気泡は、25ケ/mm3以上で
あった。
また、上記2種の基板の溝部内にお(ブるガラス成分と
基板成分との相互拡散層の状況を、X線マイクロアナラ
イザーで調べたところ、第2図に示す結果を得た。すな
わち、第2図す図の比較例の場合は、ガラスと基板成分
のFe、Znの相互拡散層は、Feで12摩、ZTlで
10ρであったが、第2図a図に示す本発明の場合は、
いずれも3加以下であり、相互拡散層が極めて少ないこ
とがわかる。
基板成分との相互拡散層の状況を、X線マイクロアナラ
イザーで調べたところ、第2図に示す結果を得た。すな
わち、第2図す図の比較例の場合は、ガラスと基板成分
のFe、Znの相互拡散層は、Feで12摩、ZTlで
10ρであったが、第2図a図に示す本発明の場合は、
いずれも3加以下であり、相互拡散層が極めて少ないこ
とがわかる。
第1図は薄膜磁気ヘッドの断面説明図であり、第2図は
磁性基板の溝部内のガラスと基板成分の相互拡散状況を
X線マイクロアナライザーによって測定した結果を示ず
図表であり、a図はこの発明による場合、b図は比較例
の場合である。 1・・・磁性基板、2・・・溝部、3・・・ガラス層、
4・・・導体層、5・・・磁性体層、6・・・低融点ガ
ラス層、7・・・非磁性体層、8・・・ギャップ部、9
・・・Aペックス点、10・・・絶縁層、 出願人 住友特殊金属株式会社
磁性基板の溝部内のガラスと基板成分の相互拡散状況を
X線マイクロアナライザーによって測定した結果を示ず
図表であり、a図はこの発明による場合、b図は比較例
の場合である。 1・・・磁性基板、2・・・溝部、3・・・ガラス層、
4・・・導体層、5・・・磁性体層、6・・・低融点ガ
ラス層、7・・・非磁性体層、8・・・ギャップ部、9
・・・Aペックス点、10・・・絶縁層、 出願人 住友特殊金属株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁性基板に形成した少なくとも1条の溝部内に、ガ
ラスを充填した薄膜磁気ヘッド用溝構造磁性基板にd3
いて、充填したガラス内の気泡数が1ヶ/mm”以下で
、かつ、磁性基板と該ガラスとの相互拡散層が5左以下
であることを特徴とする溝構造磁性基板。 2 磁性基板面に形成した少なくとも1条の溝部内に、
ガラスをガラス粘性が 106poise〜106po
iseとなる温度に加熱して圧入充填し、その後該磁性
基板を上記ガラスのガラス粘性が106ρoiseとな
る温度以下の温度条件で、熱間静水圧プレス処理するこ
とを特徴とする溝構造磁性基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58078676A JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
US06/607,137 US4636420A (en) | 1983-05-04 | 1984-05-04 | Grooved magnetic substrates and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58078676A JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59203213A true JPS59203213A (ja) | 1984-11-17 |
JPH0118496B2 JPH0118496B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=13668468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58078676A Granted JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4636420A (ja) |
JP (1) | JPS59203213A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6237915A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 溝構造磁性基板の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60138730A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Kyocera Corp | 磁気デイスク用基板 |
EP0194650B1 (en) * | 1985-03-13 | 1991-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
JPS6288137A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
JPS62120629A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
US5211734A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-18 | Tdk Corporation | Method for making a magnetic head having surface-reinforced glass |
US5055957A (en) * | 1989-06-19 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Method of making low wear glass for magnetic heads |
JPH03252906A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド |
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JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL123062C (ja) * | 1962-05-04 | |||
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US3795954A (en) * | 1971-11-26 | 1974-03-12 | Honeywell Inf Systems | Method of making a micro-gap magnetic recording head |
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US4182643A (en) * | 1977-07-05 | 1980-01-08 | Control Data Corporation | Method of forming gaps in magnetic heads |
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JPS5671818A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-15 | Tdk Corp | Manufacture of magnetic head and centrifugal heating furnace used for its manufacture |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP58078676A patent/JPS59203213A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-04 US US06/607,137 patent/US4636420A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6237915A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 溝構造磁性基板の製造方法 |
JPH0518447B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1993-03-12 | Sumitomo Spec Metals |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0118496B2 (ja) | 1989-04-06 |
US4636420A (en) | 1987-01-13 |
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