JPS5919479A - Image pickup device - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蓄積時間を広範囲にわたって制御し得る撮像
装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an imaging device that can control storage time over a wide range.
キ午＝１１来キト畔−
テレビジョン放送用カメラに用いられる固体撮像装置は
、現行のテレビジョン放送で使用されている撮像用電子
管釜みの解像力を備える必要がある。このため、約５０
０（垂直）Ｘ４００（水平）画素程度の光電変換素子、
各光電変換素子に対応する（Ｘ、Ｙ）座標選択用のスイ
ッチ、およびスイッチを開閉する約５００段ずつのＸ走
査回路、Ｘ走査回路が必要となる。したがって、通常は
高集積化が比較的容易なＭＯ８大規模集積回路技術を用
いて作られる。第１図はこの様な固体撮像装置の概略を
説明する図であり、１１はＸ位置選択用水平走査回路、
１２ＨＹ位置選択用垂直走査回路である。１３ｔｊ：回
路１２からの垂直走査パルスによって開閉する垂直スイ
ッチ用ＭＯ８）ランジスタ（以下、ＭＯ８Ｔと略記／
する）、１４はＭＯ８Ｔ１３のソース接合を利用したフ
ォトダイオード、１５はＭＯ８Ｔ１３のドレインを共通
に接続した垂直信号出力線である。ま九１６は水平走査
回路１１からの水平走査パルスによって開閉する水平ス
イッチ用ＭＯ８Ｔで、ドレインは水平信号出力線１７、
ソースは垂直信号出力線１５に接続されている。１８は
水平信号出力線１７に抵抗１９を介して接続したフォト
ダイオードの駆動電圧源（ビデオ電圧源）である。又、
２０は信号出力端子である。前記水平、垂直２つの走査
回路はスイッチ用ＭＯ８Ｔ１６゜１３を順次開閉して二
次元状に配列したフォトダイオードからの光電流を抵抗
１９を通して読出す。各フォトダイオードからの信号は
その上に投影された光学儂に対応するので、上記動作に
より映像信号を取出すことができる。この種固体撮像装
置の特徴は、光電変換にスイッチ用ＭＯ８Ｔのソースが
利用でき、また走査回路にはＭＯ８Ｔシフトレジスタが
利用できる。Solid-state imaging devices used in television broadcasting cameras need to have the resolving power of imaging electron tubes used in current television broadcasting. For this reason, approximately 50
A photoelectric conversion element of about 0 (vertical) x 400 (horizontal) pixels,
A switch for selecting (X, Y) coordinates corresponding to each photoelectric conversion element, and approximately 500 stages of X scanning circuits and X scanning circuits for opening and closing the switches are required. Therefore, it is usually manufactured using MO8 large-scale integrated circuit technology, which is relatively easy to achieve high integration. FIG. 1 is a diagram illustrating the outline of such a solid-state imaging device, in which 11 is a horizontal scanning circuit for selecting the X position;
12HY position selection vertical scanning circuit. 13tj: Vertical switch MO8) transistor (hereinafter abbreviated as MO8T) that is opened and closed by the vertical scanning pulse from circuit 12, 14 is a photodiode using the source junction of MO8T13, and 15 is connected to the drain of MO8T13 in common. This is a vertical signal output line. M9 16 is a horizontal switch MO8T that opens and closes according to the horizontal scanning pulse from the horizontal scanning circuit 11, and its drain is connected to the horizontal signal output line 17,
The source is connected to the vertical signal output line 15. Reference numeral 18 denotes a photodiode drive voltage source (video voltage source) connected to the horizontal signal output line 17 via a resistor 19. or,
20 is a signal output terminal. The two horizontal and vertical scanning circuits sequentially open and close the MO8T switches 16 and 13 to read out photocurrents from the two-dimensionally arranged photodiodes through the resistor 19. Since the signal from each photodiode corresponds to the optical image projected onto it, a video signal can be extracted by the above operation. A feature of this type of solid-state imaging device is that an MO8T source for switching can be used for photoelectric conversion, and an MO8T shift register can be used for the scanning circuit.
したがって、通常は高集積化が比較的容易で、第２図に
画素構造の一例を示したようなＭＯ８大規模集積回路技
術を用いて作られる。Therefore, it is usually relatively easy to achieve high integration, and the MO8 large-scale integrated circuit technology is used as an example of the pixel structure shown in FIG.
第２図において、２３は光電変換素子、走査回路等を集
積化するだめのＮ型半導体基板、２４＃ｉＮ型半導体基
板上に形成したＰ型半導体領域のウェルである。又１３
は垂直走査回路１２からの垂直走査パルスの印加される
ゲート電極２５を備えた垂直スイッチＭＯ８Ｔである。In FIG. 2, 23 is an N-type semiconductor substrate on which photoelectric conversion elements, scanning circuits, etc. are integrated, and 24#i is a well of a P-type semiconductor region formed on the N-type semiconductor substrate. Also 13
is a vertical switch MO8T having a gate electrode 25 to which a vertical scanning pulse from the vertical scanning circuit 12 is applied.
２６はＭＯ８Ｔ１３のソースであり、高濃度Ｎ型不純物
領域であって、Ｐ型ウェルとの間の接合でもって光ダイ
オード１４を構成する。２７ＨＭＯ８Ｔ１３のドレイン
であり、高濃度Ｎ型不純物領域であって、垂直信号出力
線１５となる導体層２８に接続されている。複数のスイ
ッチ用ＭＯ８Ｔのドレインが共通につながった出力線２
８（１５）の一端は、水平走査回路１１からの水平走査
パルスにより開閉する水平スイッチＭＯ８Ｔ１６につな
がり、スイッチ用ＭＯ８Ｔ１６の他端は水平信号出力線
１７に接続されている。また、ウェル２４および基板２
３は通常接地電圧（ＯＶ）に固定される（ウェルと基板
間のＰＮ接合を逆パイアダすることもある）。又、２９
１．２９２，２９３は絶縁膜であり、通常ｓｔｏｗ膜が
使われる。Reference numeral 26 designates the source of MO8T13, which is a heavily doped N-type impurity region, and constitutes the photodiode 14 by the junction between it and the P-type well. This is the drain of the 27HMO8T13, is a heavily doped N-type impurity region, and is connected to the conductor layer 28 that becomes the vertical signal output line 15. Output line 2 where the drains of multiple switch MO8Ts are commonly connected
One end of MO8(15) is connected to a horizontal switch MO8T16 which is opened and closed by a horizontal scanning pulse from the horizontal scanning circuit 11, and the other end of the switch MO8T16 is connected to a horizontal signal output line 17. In addition, the well 24 and the substrate 2
3 is usually fixed to ground voltage (OV) (the PN junction between the well and the substrate may be reverse connected). Also, 29
1. 292 and 293 are insulating films, and a stow film is usually used.
走査によりターゲット電圧Ｖｖまで充電されたフォトダ
イオードは、１フレ一ム期間て入射した光量に応じて放
′ｆ１１（Δｖｖ）シ、次回の走査でスイッチ用ＭＯ８
Ｔ１３．１６が導通すると、この放電分を充電するため
の充電電流が流れる。この充電電流はターゲット電源１
８につながる抵抗１９を介して読出され、出力端子２０
に映像信号を得ることができる。The photodiode charged to the target voltage Vv by scanning emits light f11(Δvv) according to the amount of light incident on it during one frame period, and the switch MO8 is charged in the next scanning.
When T13.16 becomes conductive, a charging current flows to charge this discharged amount. This charging current is the target power supply 1
8 through a resistor 19 connected to the output terminal 20.
It is possible to obtain a video signal.
この様な従来のＭＯＳ型の固体撮像素子では読み出し即
ち走査をＴＶ定走査同期させなければならない為、各絵
素毎の蓄積時間は一定であった。In such a conventional MOS type solid-state image pickup device, the readout, that is, scanning, must be synchronized with the TV constant scan, so the accumulation time for each picture element is constant.
これに対し蓄積時間を変化させる為にロータリーシャッ
タを用い九すする方法もあるが、構成が複雑となる欠点
がある。On the other hand, there is a method of using a rotary shutter to change the storage time, but this method has the drawback of being complicated in structure.
一方、ＣＣＤタイプのイメージセンナに於ては蓄積時間
の前半に各絵素の電荷をクリアさせてしまり事により、
蓄積時間を制御する事ができるが、ＭＯＳタイプのセン
サに於て全絵素の電荷を一斉にクリアしてから順次読み
出しを行なおうとすると後に読み出される絵素はど蓄積
量が多くなってしまい、均一な蓄積を行なう事ができな
い。On the other hand, in a CCD type image sensor, the charge of each pixel is cleared in the first half of the storage time, and as a result,
It is possible to control the accumulation time, but if you try to clear the charge of all pixels at once in a MOS type sensor and then read them out sequentially, the accumulated amount of pixels that will be read later will increase. , it is not possible to perform uniform accumulation.
本発明はこの様な従来技術の欠点に鑑みて為されたもの
で、ＴＶ走査周期に同期させながら蓄積時間を変化させ
得るイメージセンサを提供するものである。The present invention has been made in view of the shortcomings of the prior art, and provides an image sensor that can change the storage time while synchronizing with the TV scanning cycle.
以下実施例に基づき本発明の詳細な説明する。The present invention will be described in detail below based on Examples.
第３図は本発明撮像装置に適した半導体デバイスの一実
施例を示す図、第４図は第３図示デバイスの要部断面図
である。FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor device suitable for the imaging apparatus of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view of a main part of the device shown in FIG.
伺、第１、第２図と同じ構成要素には同じ符番を付す。Components that are the same as those in Figures 1 and 2 are given the same numbers.
１１１．１１２は夫々Ｘ及びＹ位置でのクリア選択用シ
フトレジスタ、１１３ｉｊ：レジスタ１１１からの水平
クリアパルスによって開閉する水平スイッチ用ＭＯ８）
ランジスタ（ＭＯ８Ｔ）、１２２．１１５は共通配線で
漬る。１１６は垂直クリアパルスによシ開閉するＭＯ８
Ｔであってソースは電源１８のプラス側に接続される。111 and 112 are shift registers for clear selection at X and Y positions, respectively; 113ij: MO8 for horizontal switch opened and closed by horizontal clear pulse from register 111)
The transistor (MO8T), 122.115, is connected to the common wiring. 116 is MO8 which opens and closes by vertical clear pulse.
T, whose source is connected to the positive side of the power supply 18.
上記水平、垂直２つのクリア選択シフトレジスタにより
、ＭＯＳＴ１１６，１１３を順次開閉して二次元状に配
列したフォトダイオードからの光電流をクリアしていく
。The two horizontal and vertical clear selection shift registers sequentially open and close the MOSTs 116 and 113 to clear the photocurrent from the two-dimensionally arranged photodiodes.
岡、上記シフトレジスタにはＭＯ８Ｔシフトレジスタを
利用しても良い。Alternatively, an MO8T shift register may be used as the shift register.
第４図に於て１１３は水平ＭＯＳスイッチであって、Ｘ
位置でのクリア用レジスタ１１１からのクリアパルスが
印加されるゲート電極１２５を有している。ＭＯＳＴ１
３のソース２６はＭＯＳＴ１１３のソースと共通になっ
ている。In FIG. 4, 113 is a horizontal MOS switch,
It has a gate electrode 125 to which a clear pulse from the clear register 111 is applied at the position. MOST1
The source 26 of No. 3 is common to the source of MOST 113.
１２７はＭＯＳＴ１１３のドレインであって電極１２８
を介して水平クリア線１２２に電荷を流し込む。クリア
線１２２の一端はＭＯ８Ｔスイッチ１１６に接続されて
おり、該ＭＯ８Ｔスイッチ１１６はＹ位置クリア用レジ
スタ１１２からのクリアパルスにより開閉する。127 is the drain of the MOST 113 and the electrode 128
A charge is injected into the horizontal clear line 122 through the horizontal clear line 122. One end of the clear line 122 is connected to the MO8T switch 116, and the MO8T switch 116 is opened and closed by a clear pulse from the Y position clear register 112.
又、ＭＯＳＴ１１６のドレインは電源１８のプラスに接
続されている。Further, the drain of the MOST 116 is connected to the positive terminal of the power supply 18.
この様に構成されているので、本実施例によればシフト
レジスタ１１１．１１２によりクリアパルスが出力され
る事によりフォトダイオード部１４に蓄積された電荷は
クリア線１２２を介してドレインに吸収される。With this configuration, according to this embodiment, the charges accumulated in the photodiode section 14 are absorbed into the drain via the clear line 122 by outputting clear pulses from the shift registers 111 and 112. .
このクリア動作後、ターゲット電圧まで充電されたフォ
トダイオードは読み出し走査により出力されるまでの期
間に入射した光量に応じて放電し、その放電量は読み出
し走査の際にターゲット電源１８につながる抵抗１９を
介して充電され、出力端子２０にはそれに応じた映像信
号を得ることができる。After this clearing operation, the photodiode charged to the target voltage is discharged according to the amount of light incident on it during the period until it is output by the readout scan, and the amount of discharge is determined by the resistor 19 connected to the target power supply 18 during the readout scan. It is possible to obtain a corresponding video signal at the output terminal 20.
この様なりリア動作と読み出し動作を行なわせる為の構
成の一例を示したのが第５図（ａ）であり、同図（ｂ）
はそのタイミング図である。FIG. 5(a) shows an example of a configuration for performing rear operation and read operation in this manner, and FIG. 5(b)
is the timing diagram.
１は第３図示の如きイメージセンサであり、２×２ビツ
トから成る。２は読み出しパルスφ１゜〜φ２．を出力
する読み出し回路であり、３は蓄積時間タイマー、４は
このタイ＼マーの出力時間を被写体輝度に応じて変化さ
せる為の測光回路、７はクリアパルスφＣＬ、、〜φＣ
Ｌ□を出力する為のクリア回路であり、これら回路２〜
４．７によって制御回路が構成されている。Reference numeral 1 denotes an image sensor as shown in the third figure, which is composed of 2×2 bits. 2 is a read pulse φ1° to φ2. 3 is an accumulation time timer, 4 is a photometry circuit for changing the output time of this timer according to the subject brightness, and 7 is a clear pulse φCL, ... φC
This is a clear circuit for outputting L□, and these circuits 2~
4.7 constitutes a control circuit.
伺、読み出しパルスφ□〜φ４は夫々センサの電荷Ａ１
１〜Ａ４２を読み出す為のパルスであり、クリアパルス
φＣＬ ｏ〜φＣＬｔｔは夫々センサの電荷Ａｕ〜Ａ、
、をクリアする為のパルスである。又、各パルスがハイ
レベルとなる事により指定されたビットがＸｌＹ位置レ
ジスタによって選択されるものである。The readout pulses φ□ to φ4 are the charge A1 of the sensor, respectively.
1 to A42, and the clear pulses φCLo to φCLtt are pulses for reading out the sensor charges Au to A42, respectively.
This is a pulse to clear . Furthermore, when each pulse becomes high level, the designated bit is selected by the XlY position register.
次に同図（ａ）の動作について説明すると同図（ｂ）Ｋ
示す如く、読み出しパルスφ８．〜φ２．はＴＶ走査周
期であシ例えば１フイ一ルド周期毎に出力される。又、
各パルスは順次ＴＶの走査に対応した順番で供給される
。Next, we will explain the operation shown in figure (a).
As shown, the read pulse φ8. ~φ2. is outputted at the TV scanning period, for example, every one field period. or,
Each pulse is supplied in an order corresponding to sequential TV scanning.
本発明ではクリアパルスもこの読み出しパルスと同じ順
番、同じ周期で順次各絵素に供給されるが、測光回路に
よって決まる位相だけずれている。In the present invention, the clear pulse is also sequentially supplied to each picture element in the same order and with the same period as the read pulse, but is shifted by the phase determined by the photometric circuit.
この様に構成する事により読み出し走査周期は常に一定
でありながら蓄積時間は任意に変化させる事ができ、短
かい蓄積時間を得る事かでブ
きる。従って高輝度被写体に対してもブルーミング等が
発生する事がない。With this configuration, the storage time can be changed arbitrarily while the readout scanning period is always constant, and it is possible to obtain a short storage time. Therefore, blooming and the like will not occur even for high-brightness objects.
次に第６図（ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施例を示す
図で同図（−）は構成例、（ｂ）はそのタイミングを示
す図である。Next, FIGS. 6(a) and 6(b) are diagrams showing another embodiment of the present invention, in which (-) is a diagram showing an example of the configuration, and FIG. 6(b) is a diagram showing its timing.
本実施例はクリアゲートを持たない従来のＭＯＳ−Ｘ−
Ｙアドレスタイプのイメージセンナに対しても適用可能
なものである。This example is a conventional MOS-X-
It is also applicable to a Y-address type image sensor.
図中５はゲート回路であってセンサ１の出力を遮断し得
る。In the figure, 5 is a gate circuit which can cut off the output of the sensor 1.
読み出しパルスφ６．〜φ２２は第５図と同様Ｋ 一定
周期で供給される。これに対し、測光回路４で決まる遅
延時間を有する遅延回路３及びＯＲゲート６を介して再
び読み出しパルスがセンナに供給されるものである。Read pulse φ6. ~φ22 is supplied at a constant period of K as in FIG. On the other hand, a read pulse is again supplied to the sensor via the delay circuit 3 having a delay time determined by the photometry circuit 4 and the OR gate 6.
面亀、遅延回路から読み出しパルスが供給されている間
はゲート５を閉じる様構成しているものである。The gate 5 is configured to be closed while the read pulse is being supplied from the delay circuit.
これによシ遅延回路３からの読み出しパルスに応じて読
み出されたビデオ信号は排出される。As a result, the video signal read out in response to the read pulse from the delay circuit 3 is discharged.
同、第５図のタイマ回路３、第６図の遅延回路３′の時
間は１フイールド毎に変化する様構成されている。Similarly, the time of the timer circuit 3 in FIG. 5 and the delay circuit 3' in FIG. 6 are configured to change for each field.
以上説明した如く本発明では各絵素についてこの様なり
リア動作と読み出し動作とを順次行なう様にした点に特
徴を有する。As explained above, the present invention is characterized in that the rear operation and the read operation are sequentially performed in this manner for each picture element.
而も、各絵素を同時にクリアするのではなく、順次読み
出し周期と同じ周期でクリアさせた点に特徴を有する。However, the feature is that each picture element is not cleared at the same time, but is cleared sequentially at the same cycle as the readout cycle.
即ち、クリア走査と読み出し走査とを所定位相差だけず
らして行なう事により、この位相差に応じた時間だけの
蓄積が可能となり、従来得られなかった極めて短かい時
間の蓄積が可能となるものである。In other words, by performing the clear scan and the read scan with a predetermined phase difference, it is possible to accumulate data for a time corresponding to this phase difference, making it possible to accumulate data for an extremely short time that was previously impossible. be.
従って高輝度の被写体の撮影をしてもブルーミング等を
生じない。Therefore, even when photographing a subject with high brightness, blooming etc. will not occur.
而もＴＶ同期を損なう事もない。又、シャッタも不要で
ある。However, it does not impair TV synchronization. Also, a shutter is not required.
同、本発明は第３〜第６図の実施例のフォトダイオード
構造の代わりにフォトトランジスタ構造を形成し、絵素
部に増巾機能も持たせたイメージセンサにも適用可能で
ある。Similarly, the present invention can also be applied to an image sensor in which a phototransistor structure is formed in place of the photodiode structure of the embodiments shown in FIGS. 3 to 6, and the picture element portion also has a width amplification function.
又、第３図〜第５図の第１の実施例によれば、通常上ン
サの出力端に設けられる積分回路に於けるスパイク・ノ
イズの発生を防止し得る効果も有する。即ち、一般にＭ
Ｏ８型イメージセンサの出力１ｃｔｊ、固定パターン雑
音を除く為に積分回路が接続されるが、例えば第６図示
の構成だと頻繁な読み出しの為にスパイク・ノイズが発
生し易くなるが、例えば第３〜第５図示の如くクリアゲ
ートを独立に設ければこの様な心配もない。The first embodiment shown in FIGS. 3 to 5 also has the effect of preventing the generation of spike noise in the integrating circuit normally provided at the output end of the upper sensor. That is, generally M
An integrating circuit is connected to the output 1ctj of the O8 type image sensor in order to eliminate fixed pattern noise. For example, in the configuration shown in Fig. 6, spike noise is likely to occur due to frequent readout. ~ If the clear gate is provided independently as shown in Figure 5, there is no need to worry about this.
第１図は従来のＭＯ８型センサの構成模式図、第２図は
第１図示センナの要部断面図、第３図は本発明に適した
半導体デバイスの一実施例を示す図、第４図は第３図の
要部断面図、第５図（−）は本発明の撮像装置の一例を
示す図、第５図（ｂ）は同図（ａ）のタイミング図、第
６図（ａ）は本発明の撮像装置の他の例を示す図、同図
（ｂ）は同図（ａ）のタイミング図である。
１１・・・・・・・・・ Ｘ位置読み出しレジスタ、１
２・・・・・・・・・Ｘ位置読み出しレジスタ、１１１
・・・・曲・Ｘ位置クリアレジスタ、１１２・・・・・
・・・・Ｙ位置クリアレジスタFig. 1 is a schematic diagram of the configuration of a conventional MO8 type sensor, Fig. 2 is a cross-sectional view of essential parts of the sensor shown in Fig. 1, Fig. 3 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor device suitable for the present invention, Fig. 4 5(-) is a diagram showing an example of the imaging device of the present invention, FIG. 5(b) is a timing diagram of FIG. 5(a), and FIG. 6(a) is a sectional view of the main part of FIG. 1 is a diagram showing another example of the imaging device of the present invention, and FIG. 10B is a timing chart of FIG. 11......X position read register, 1
2......X position read register, 111
... Song/X position clear register, 112...
...Y position clear register
Claims (1)
出力端子に導びく為に各絵素に接続された複数の読み出
し手段と、 各絵素の信号を夫々独立に排出する為に各絵素に接続さ
れた複数の排出手段とを有する撮像装置。 （ｚ）蓄積効果を有する複数の絵素の信号を所定の順番
で順次排出すると共に、所定時間経過後、前記複数の絵
素の信号を同じ順番に順次読み出す制御手段を有する撮
像装置。(1) A plurality of readout means connected to each picture element in order to independently guide the signals of a plurality of picture elements having an accumulation effect to the output terminal, and a plurality of readout means connected to each picture element to independently discharge the signals of each picture element. An imaging device having a plurality of ejection means connected to each picture element. (z) An imaging device comprising a control means for sequentially discharging the signals of a plurality of picture elements having an accumulation effect in a predetermined order, and sequentially reading out the signals of the plurality of picture elements in the same order after a predetermined time has elapsed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128551A JPS5919479A (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP57128551A JPS5919479A (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Image pickup device |
Publications (1)
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| JPS5919479A true JPS5919479A (en) | 1984-01-31 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP57128551A Pending JPS5919479A (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919479A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242475A (en) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Canon Inc | Image pickup device |
| JPS6387874A (en) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Hitachi Ltd | Solid-state image pickup device |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57128551A patent/JPS5919479A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242475A (en) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Canon Inc | Image pickup device |
| JPS6387874A (en) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Hitachi Ltd | Solid-state image pickup device |
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