JPS59192928A - 薄膜最高温度計 - Google Patents
薄膜最高温度計Info
- Publication number
- JPS59192928A JPS59192928A JP58065585A JP6558583A JPS59192928A JP S59192928 A JPS59192928 A JP S59192928A JP 58065585 A JP58065585 A JP 58065585A JP 6558583 A JP6558583 A JP 6558583A JP S59192928 A JPS59192928 A JP S59192928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- maximum temperature
- temperature
- alloy film
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜最高温度計に係り、特に薄膜プロセス部
品の製造に用いられるスパッタ装置などのＸ空雰囲気中
での基板の最高温度測定に好適な薄膜最高温度計に関す
る。
品の製造に用いられるスパッタ装置などのＸ空雰囲気中
での基板の最高温度測定に好適な薄膜最高温度計に関す
る。
回転する部分など熱電対全使用できない部分の温度を測
定する場合、従来は、熱により変色あるいは変質する塗
料などを回転する部分などに接着し、これケ最高温度計
として用いてきた。しかしこのような最高温度計は、そ
の構成材料である塗料、接着剤等が熱によシ変質しその
際にガス七発生することがある。このため、真空中等、
ガス発生をきらう雰囲気中での測定には問題があった。
定する場合、従来は、熱により変色あるいは変質する塗
料などを回転する部分などに接着し、これケ最高温度計
として用いてきた。しかしこのような最高温度計は、そ
の構成材料である塗料、接着剤等が熱によシ変質しその
際にガス七発生することがある。このため、真空中等、
ガス発生をきらう雰囲気中での測定には問題があった。
本発明の目的は、上記した従来の最高治１度討の欠点を
なくし、Ｎ全雰囲気をガスにより汚染することなく最高
温度を測定することができろ最高温度計を提供すること
にある。
なくし、Ｎ全雰囲気をガスにより汚染することなく最高
温度を測定することができろ最高温度計を提供すること
にある。
高融点基板上に形成した０ｒ−３ｉ−００合金薄膜に熱
を加えると、そめ抵抗値は第１図に示すように不ｏＪ逆
的に変化する。これは、Ｃｒ−８ｉ−０合金の結晶楢造
の変化によるものである。ところが、この合金薄膜を一
定温度まで加熱し、冷却する熱処理を行なった後に史に
加熱して温度−抵抗変化昆の関係を測定すると、第２図
〜第４図に示す曲線を描くこと、すなわち、熱処理温度
までの抵抗変化率はほぼＯＫなること金兄い出した。な
お、抵抗変化ホは、常温におけるそれケ０としである。
を加えると、そめ抵抗値は第１図に示すように不ｏＪ逆
的に変化する。これは、Ｃｒ−８ｉ−０合金の結晶楢造
の変化によるものである。ところが、この合金薄膜を一
定温度まで加熱し、冷却する熱処理を行なった後に史に
加熱して温度−抵抗変化昆の関係を測定すると、第２図
〜第４図に示す曲線を描くこと、すなわち、熱処理温度
までの抵抗変化率はほぼＯＫなること金兄い出した。な
お、抵抗変化ホは、常温におけるそれケ０としである。
０ｒ−８ｉ−０合金薄膜がこのような熱履歴−抵抗変化
軍の関係を示すこと、またＣｒ−８ｉ−０合金薄膜は刀
口熱してもガスを発生しないことから、本発明者は、Ｃ
ｒ−８ｉ−〇合金薄膜ｋｍ高温度計として応用できるこ
とを見い出した。
軍の関係を示すこと、またＣｒ−８ｉ−０合金薄膜は刀
口熱してもガスを発生しないことから、本発明者は、Ｃ
ｒ−８ｉ−〇合金薄膜ｋｍ高温度計として応用できるこ
とを見い出した。
すなわち、本発明の温度計は、５ｉ１２．８〜１ｉａ８
ａｔ％、Ｃｒ’）６．０〜３２．Ｏａｔ％、０残部よシ
なる合金薄膜を利用したん高温度計である。
ａｔ％、Ｃｒ’）６．０〜３２．Ｏａｔ％、０残部よシ
なる合金薄膜を利用したん高温度計である。
組成が上記の範囲に限られる理由は、（１）熱処理温度
に対する抵抗変化が小感く、感度が落ちる、（２）くり
返し熱を加えた場合の抵抗変化率が元に戻らない（再現
性が悪くなる）ことにある、〔発明の実施例〕 以］、本発明の一実施例を第５図に基づいて説明する。
に対する抵抗変化が小感く、感度が落ちる、（２）くり
返し熱を加えた場合の抵抗変化率が元に戻らない（再現
性が悪くなる）ことにある、〔発明の実施例〕 以］、本発明の一実施例を第５図に基づいて説明する。
セラミ・ツクの上にガラスを薄く形成して表面ケ平坦に
した基板１上に、５ｉｄ２．８〜４８．８ａｔ％＋Ｃｒ
２６．０〜３２．Ｏａ ｔ％、０残部の組成ケもつＣｒ
−８ｉ−０合金薄膜２をスパッタリング法により約１５
００Ａの卿さに形成する。たとえば、ＤＣスパヅタリン
グ装置ヲ用い、Ａｒ圧力、１０ 〜１０ Ｔｏｒｒ＋
酸素分圧、１０−７〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒの雰囲気で反応
性スパ、ブタリングにより形成する。
した基板１上に、５ｉｄ２．８〜４８．８ａｔ％＋Ｃｒ
２６．０〜３２．Ｏａ ｔ％、０残部の組成ケもつＣｒ
−８ｉ−０合金薄膜２をスパッタリング法により約１５
００Ａの卿さに形成する。たとえば、ＤＣスパヅタリン
グ装置ヲ用い、Ａｒ圧力、１０ 〜１０ Ｔｏｒｒ＋
酸素分圧、１０−７〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒの雰囲気で反応
性スパ、ブタリングにより形成する。
電極３として、ＮｉＣｒ／へＵをスバ・ツタリング法又
は真空蒸着法によｐ、ＮｉＣｒ約１０００Ａに合金薄膜
２の上に形成し、５ｍｌ×１５ｗ１程度の形状に、たと
えばレーザーによシスクライブする。
は真空蒸着法によｐ、ＮｉＣｒ約１０００Ａに合金薄膜
２の上に形成し、５ｍｌ×１５ｗ１程度の形状に、たと
えばレーザーによシスクライブする。
これに、２００℃までの加熱・冷却という熱処理をした
後、更に加熱して温度−抵抗変化率の関係を調べると第
２図に示す曲線となる。すなわち、Ａ点の２００℃まで
は抵抗変化はほとんど０を示し２００℃以上は第１図の
曲線とほぼ同様になる。
後、更に加熱して温度−抵抗変化率の関係を調べると第
２図に示す曲線となる。すなわち、Ａ点の２００℃まで
は抵抗変化はほとんど０を示し２００℃以上は第１図の
曲線とほぼ同様になる。
また３００℃の熱処理をした後の温度−抵抗変化率の関
係を第３図に、４００℃の熱処理ケした後のそれを第４
図に示す。
係を第３図に、４００℃の熱処理ケした後のそれを第４
図に示す。
このように、すでに熱の加わった範囲は、２回目以降の
加熱による抵抗変化率はほぼＯＫなる。
加熱による抵抗変化率はほぼＯＫなる。
本発明は、以上に説明したように、加熱してもガスの発
生ケともなわず、また、熱処理によシ抵抗変化率ケ制御
しうるｃｒ−ｓｉ−ｏ合金薄膜を利用しているので、た
とえばスバ・ツタ装置などにおいて、その真空雰囲気を
汚染することなく最高温度全測定することができる。
生ケともなわず、また、熱処理によシ抵抗変化率ケ制御
しうるｃｒ−ｓｉ−ｏ合金薄膜を利用しているので、た
とえばスバ・ツタ装置などにおいて、その真空雰囲気を
汚染することなく最高温度全測定することができる。
第１図から第４図までは、Ｃｒ−３ｉ−０合金薄膜の温
度と抵抗変化率との関係全測定した結果を示す。ｄ１１
１定前に、熱処理を行なっていないものを第１図に、２
００℃で熱処理を行なったものを第２図に、３００℃で
熱処理を行なったもの′に第３図に、４００℃で熱処理
を行なったものを第４図に示す、第５図は本発明に係る
薄膜最高温度計の斜初図１である。 １・・・基板、２・・・０ｒ−８ｉ−０合金薄膜、３・
・・電極。 才１図 シ翫鳳ｐＣ） 第４ワ ラ監度（°Ｃ） 第５図 一≦ ３
度と抵抗変化率との関係全測定した結果を示す。ｄ１１
１定前に、熱処理を行なっていないものを第１図に、２
００℃で熱処理を行なったものを第２図に、３００℃で
熱処理を行なったもの′に第３図に、４００℃で熱処理
を行なったものを第４図に示す、第５図は本発明に係る
薄膜最高温度計の斜初図１である。 １・・・基板、２・・・０ｒ−８ｉ−０合金薄膜、３・
・・電極。 才１図 シ翫鳳ｐＣ） 第４ワ ラ監度（°Ｃ） 第５図 一≦ ３
Claims (1)
- ９１４２．８〜４ａ８ａｔ％、 Ｃｒ ２６．０〜３２
．Ｏａｔ％、０残部よりなる合金薄膜を基板上に形成し
、該合金薄膜上に１極を設けたことを特徴とする薄膜最
高温度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065585A JPS59192928A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 薄膜最高温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065585A JPS59192928A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 薄膜最高温度計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59192928A true JPS59192928A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13291225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065585A Pending JPS59192928A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 薄膜最高温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59192928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108884735A (zh) * | 2016-03-02 | 2018-11-23 | 沃特洛电气制造公司 | 具有目标降低温度电阻特性的加热元件 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58065585A patent/JPS59192928A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108884735A (zh) * | 2016-03-02 | 2018-11-23 | 沃特洛电气制造公司 | 具有目标降低温度电阻特性的加热元件 |
| US11028759B2 (en) | 2016-03-02 | 2021-06-08 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for axial zoning of heating power |
| CN108884735B (zh) * | 2016-03-02 | 2021-08-31 | 沃特洛电气制造公司 | 具有目标降低温度电阻特性的加热元件 |
| US11340121B2 (en) | 2016-03-02 | 2022-05-24 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater element having targeted decreasing temperature resistance characteristics |
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