JPS59188229A - Electronic switch circuit and multiplexer circuit - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To reduce the leak in an open state and to increase a response speed by coupling two series connection bodies each consisting of a transistor (TR) and a diode in opposite polarities through a capacitive element, and connecting a voltage source to the connection points of TR and diode. CONSTITUTION:When a switch 36 is connected to a power source 28, TRs 18 and 17 turn on to flow a current in the order of a power source 33, high resistance 32, TR18, 17, and power source 31; the potential at a point (d) rises and the potential at a point (e) falls. Then, a current flows through the power source 18, low resistance 27, diode Di21, TR18, TR17, Di22, low resistance 29 and power source 28 in order to turn on Dis 21 and 22, so an input to a terminal 26 is transmitted to a load 20. When the switch 36 is grounded, the TRs 18 and 17 turn off to lower and raises the potentials at points (d) and (e) respectively, so the Dis 21 and 22 also turn off. Therefore, the signal leak in an open state is small. Further, none of bases of TRs has high impedance, so the response speed is fast.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高′峨圧高周波信号の開閉を行う電子スイッ
チ回路およびマルチプレクサ回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an electronic switch circuit and a multiplexer circuit for switching on and off high-voltage high-frequency signals.

従来例の構成とその問題点 第１図は本出願人が提案した高耐圧電子スイッチ回路を
示す図である。第１図において、ＰＮＰトランジスタ１
とＮＰＮトランジスタ２のエミッタ同志を互いに接続し
、コレクタにそれぞれダイオード６及びダイオード６を
接続する。さらに、これとは逆方向に接続した、トラン
ジスタ３，４とダイオード７．８からなる直列回路を上
記の回路と並列に接続する。さらにトランジスタ２，３
のベースより抵抗器９，１ｏとスイッチ１３を介して、
電源１４に接続する。電源１４からの電流を、スイッチ
１３でオン、オフすることによって、入力端子１６から
の信号の導通を開閉する。抵抗器９，１ｏから供給され
た電流は別のトランジスタ１，４のベースより抵抗器１
１．１２を介し接地する。開閉された信号は負荷１６に
供給する。1. Structure of a conventional example and its problems FIG. 1 is a diagram showing a high-voltage electronic switch circuit proposed by the present applicant. In FIG. 1, PNP transistor 1
The emitters of the and NPN transistors 2 are connected to each other, and the collectors are connected to a diode 6 and a diode 6, respectively. Furthermore, a series circuit consisting of transistors 3 and 4 and diodes 7 and 8 connected in the opposite direction is connected in parallel with the above circuit. Furthermore, transistors 2 and 3
From the base of , via resistors 9 and 1o and switch 13,
Connect to power supply 14. By turning on and off the current from the power source 14 with the switch 13, conduction of the signal from the input terminal 16 is opened and closed. The current supplied from resistors 9 and 1o is transferred from the base of another transistor 1 and 4 to resistor 1.
1.12 to ground. The open/close signals are supplied to the load 16.

第２図は第１図に示す回路の要部波形図であって、ａは
スイッチ１３のオン、オフの状態を示し、ｂは入力信号
を、Ｃは負荷１６に供給される信号をそれぞれ示す。ａ
に示すようにスイッチ１３がオンし回路が閉じている場
合は、Ｃに示すように入力信号すはそのまま負荷１６に
伝達される。しかし、スイレチ１３がオフし、回路が開
いている間は、入力パルスに比べ小さく細いパルスが負
荷１６に加わる。さらに、回路をオンからオフに切り換
えた後の最初の入力パルスにおいては、大きな振幅の細
いパルスが負荷１６に加わる。なお、説明は正方向のパ
ルスについて行なったが、負方向も同じ特性を示す。FIG. 2 is a waveform diagram of the main part of the circuit shown in FIG. 1, where a indicates the on/off state of the switch 13, b indicates the input signal, and C indicates the signal supplied to the load 16. . a
When the switch 13 is turned on and the circuit is closed as shown in FIG. 2C, the input signal is transmitted as is to the load 16 as shown in FIG. However, while the switch 13 is turned off and the circuit is open, a pulse smaller and narrower than the input pulse is applied to the load 16. Furthermore, during the first input pulse after switching the circuit from on to off, a narrow pulse of large amplitude is applied to the load 16. Note that although the explanation has been given for pulses in the positive direction, the same characteristics are exhibited for pulses in the negative direction as well.

このように、第１図に示す電子スイッチ回路は回路を開
いた場合にトランジスタ１〜４自身の特性により信号の
漏洩が多い。As described above, in the electronic switch circuit shown in FIG. 1, when the circuit is opened, there is a lot of signal leakage due to the characteristics of the transistors 1 to 4 themselves.

また、回路を開く場合、トランジスタ２，３のベースが
高インピーダンスになるため、応答速度が遅く高い周波
数信号を扱うのには不適である。Further, when the circuit is opened, the bases of the transistors 2 and 3 become high impedance, so the response speed is slow and it is unsuitable for handling high frequency signals.

さらに、電子スイッチ回路を構成するトランジスタの数
が多く、製品の歩留りも悪くコスト高であった。Furthermore, the number of transistors constituting the electronic switch circuit is large, resulting in poor product yield and high cost.

ところで、従来のマルチプレクサ回路は、第１図に示す
電子スイッチ回路を複数個単に並列に接続したものであ
り、したがって、このような従来のマルチプレクサ回路
は、信号の漏洩が多く、応答速度が遅く、さらに使用す
るトランジスタの個数が膨大になるという欠点を有して
いた。By the way, a conventional multiplexer circuit is simply a plurality of electronic switch circuits connected in parallel as shown in FIG. Another drawback is that the number of transistors used is enormous.

発明の目的 本発明は回路を開いた場合の信号の漏洩が少なく、切換
の応答速度が速く、使用トランジスタ数の少ない電子ス
イッチ回路およびマルチプレクサ回路を提供することを
目的とするものである。OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electronic switch circuit and a multiplexer circuit that have little signal leakage when the circuit is open, have a fast switching response speed, and use a small number of transistors.

発明の構成 本発明は、この目的を達成するため、トランジスタとダ
イオードからなる互いに逆極性の２個の直列接続体と、
この直列接続体を接続するダイオードと容量素子との並
列接続体と、各直列接続体のトランジスタとダイオード
との接続点に接続された電圧源と、並列接続体に接続さ
れた電流源と、各直列接続体のトランジスタのベースに
印加される順方向バイアスと逆方向バイアスを切り換え
るスイッチ手段とで電子スイッチ回路を構成し、この成
子スイッチ回路を複数個並列接続する際に、同一極性同
志の上記直列接続体を並列接続し、他は共通にしてマル
チプレクサ回路を構成するものである。Structure of the Invention In order to achieve this object, the present invention includes two series-connected bodies having opposite polarities, each consisting of a transistor and a diode;
A parallel connection body of a diode and a capacitive element connecting this series connection body, a voltage source connected to the connection point between the transistor and the diode of each series connection body, a current source connected to the parallel connection body, and each An electronic switch circuit is constituted by a switch means for switching forward bias and reverse bias applied to the bases of transistors in a series connection body, and when a plurality of these switching circuits are connected in parallel, A multiplexer circuit is constructed by connecting the connecting bodies in parallel and using the others in common.

実施例の説明 第３図は本発明の電子スイッチ回路の一実施例を示す回
路図であって、ＰＮＰトランジスタ１７のエミッタとＮ
ＰＮ）ランジスタ１８のエミッタの共通接続点を交流結
合用のコンデンサ１９を介して負荷２０に接続する。た
だし、負荷２ｏが容量性のものであれはコンデンサ１９
は不要である。DESCRIPTION OF THE EMBODIMENT FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the electronic switch circuit of the present invention, in which the emitter of the PNP transistor 17 and the N
PN) The common connection point of the emitters of the transistors 18 is connected to the load 20 via the AC coupling capacitor 19. However, if the load 2o is capacitive, the capacitor 19
is not necessary.

トランジスタ１８のコレクタにはダイオード２１のカソ
ードを接続するとともに、トランジスタ１７のコレクタ
にはダイオード２２のアノードを接続し、ダイオード２
１のアノードとダイオード２２のカソードとの間には、
ダイオード２３とコンデンサ２４の並列接続体を接続す
る。また、ダイオード２１のアノードには交流結合用の
コンデンサ２６を介して入力端子２６を接続するが、入
力端子２６に容量性の回路が接続される場合にはコンデ
ンサ２６は不要である。さらに、ダイオード２１のアノ
ードは比較的小さな（数にΩ）抵抗２７を介して１０■
の電圧源２８の正極に接続する。ダイオード２２のカソ
ードは比較的小さな（数にΩ）抵抗２９を介して接地す
る。トランジスタ１７とダイオード２２との接続点は抵
抗２３よりはるかに大きな（１００にΩ以上）抵抗３０
を介して、入力端子２６に入力される入力信号の負極性
電圧のほぼ最小値以下の負極性電圧源（約−１００Ｖ）
３１に接続する。トランジスタ１８とダイオード２１の
接続点は同じく抵抗２３よりはるかに大きなく１００に
Ω以上）抵抗３２を介して、入力端子２６に入力される
入力信号の正極性電圧のほぼ最大値以上の正極性電圧源
（約１００Ｖ）３３に接続する。トランジスタ１７のベ
ースは十数にΩ程度の抵抗３４を介して接地し、トラン
ジスタ１８のベースはやはり十数にΩ程度の抵抗３５を
介してスイッチ３６の固定接点に接続する。スイッチ３
６の一方の可動接点は電圧源２８の正極に接続し、他方
の可動接点は接地する。The collector of the transistor 18 is connected to the cathode of the diode 21, and the collector of the transistor 17 is connected to the anode of the diode 22.
Between the anode of 1 and the cathode of diode 22,
A parallel connection body of a diode 23 and a capacitor 24 is connected. Further, an input terminal 26 is connected to the anode of the diode 21 via a capacitor 26 for AC coupling, but if a capacitive circuit is connected to the input terminal 26, the capacitor 26 is not necessary. Furthermore, the anode of the diode 21 is connected to the
The positive terminal of the voltage source 28 is connected to the positive terminal of the voltage source 28. The cathode of diode 22 is connected to ground via a relatively small (several ohms) resistor 29. The connection point between the transistor 17 and the diode 22 is a resistor 30 that is much larger than the resistor 23 (more than 100Ω).
A negative polarity voltage source (approximately -100V) that is approximately below the minimum value of the negative polarity voltage of the input signal input to the input terminal 26 via
Connect to 31. The connection point between the transistor 18 and the diode 21 is also connected to a positive polarity voltage that is substantially higher than the maximum value of the positive polarity voltage of the input signal input to the input terminal 26 via the resistor 32 (which is much larger than the resistor 23 (more than 100Ω)). Connect to power source (approximately 100V) 33. The base of the transistor 17 is grounded through a resistor 34 of about 10-odd ohms, and the base of the transistor 18 is also connected to a fixed contact of a switch 36 via a resistor 35 of about 10-odd ohms. switch 3
One movable contact of 6 is connected to the positive pole of voltage source 28, and the other movable contact is grounded.

以上のような回路構成において、スイッチ３６を切換え
て電圧源２８と抵抗３５を接続すると、トランジスタ１
８のベース電流が流れ始めてトランジスタ１＾がオンす
ると同時に、トランジスタ１７のエミッタ電位も上昇し
、トランジスタ１７のベース電流も流れ、トランジスタ
１７もオンする。さらに、電圧源３３より、抵抗３２、
トランジスタ１８，１７、抵抗３０、電圧源３１の経路
で電流が流れ、ダイオード２１のカソード電位が低下し
、ダイオード２２のアノード′成位が上界する。これに
伴って、電圧源２８より、抵抗２７、ダイオード２１、
トランジスタ１８．１７、ダイオード２２、抵抗２９を
介して電流が流れ、ダイオード２１．２２もオンとなる
。したがって、コンデンサ２４．２５によって入力端子
２６と負荷２０とは交流的に接続された閉の状態となる
。In the above circuit configuration, when the switch 36 is switched to connect the voltage source 28 and the resistor 35, the transistor 1
At the same time that the base current of transistor 8 begins to flow and transistor 1^ is turned on, the emitter potential of transistor 17 also rises, the base current of transistor 17 also flows, and transistor 17 is also turned on. Furthermore, from the voltage source 33, a resistor 32,
A current flows through the path of the transistors 18 and 17, the resistor 30, and the voltage source 31, the cathode potential of the diode 21 decreases, and the anode potential of the diode 22 rises. Along with this, from the voltage source 28, the resistor 27, the diode 21,
Current flows through transistor 18.17, diode 22, and resistor 29, and diode 21.22 is also turned on. Therefore, the input terminal 26 and the load 20 are in a closed state where they are connected in an alternating current manner by the capacitors 24 and 25.

次に、スイッチ３６を切換えて抵抗３６を接地点に接続
すると、トランジスタ１７．１８のベースが同電位とな
って両者共オフとなり、両トランジスタ１７．１８のコ
レクタ電位はそれぞれ電圧源３１．３３の電位となり、
ダイオード２１．２２はそれぞれ逆バイアス状態となっ
て同時にオフする。したがって、入力端子２６と負荷２
Ｑとは開の状態に切り換わる。Next, when the switch 36 is switched and the resistor 36 is connected to the ground point, the bases of the transistors 17 and 18 are brought to the same potential and both are turned off. becomes the electric potential,
The diodes 21 and 22 are each reverse biased and turned off at the same time. Therefore, input terminal 26 and load 2
Q is switched to the open state.

ここで、ダイオード２３は、この電子スイッチ回路が閉
じている状態において、入力端子２６からの入力電流が
抵抗２７から供給されるノくイアスミ流より大きくなっ
た場合に、コンデンサ２４に蓄積される電荷を放電し、
大きな入力信号に対して振幅が減衰することを防止する
働きをする。Here, the diode 23 is a charge that accumulates in the capacitor 24 when the input current from the input terminal 26 becomes larger than the current supplied from the resistor 27 while the electronic switch circuit is closed. discharge,
It works to prevent amplitude attenuation for large input signals.

第４図は第３図に示す電子スイッチ回路の応答特性を示
す図で、ａはスイッチ３６の接続状態を示し、ｂは入力
信号を、Ｃは負荷２ｏに加わる信号ヲ、ｄ　、　ｅはト
ランジスタ１７　＋　１８（７）コレクタ電圧をそれぞ
れ示す。同図より、負荷２０に加わる信号Ｃは回路が閉
の部分は入力信号がそのまま伝達され、回路が開の部分
は信号は伝達されておらず、信号の漏洩がない。トラン
ジスタ１７とトランジスタ１８のコレクタに加わる電圧
ｄ、ｅは回路か閉の場合は負荷に加わる電位とり１ぼ等
しく、回路が開の場合は、電圧源３１．３３より抵抗３
０，３２を介して、トランジスタのコレクタ容量とダイ
オードの接合容量が充電され、電源３１．３３の電位と
なる。FIG. 4 is a diagram showing the response characteristics of the electronic switch circuit shown in FIG. 3, where a indicates the connection state of the switch 36, b indicates the input signal, C indicates the signal applied to the load 2o, and d and e indicate the transistors. 17 + 18 (7) collector voltages are shown, respectively. As can be seen from the figure, the input signal C applied to the load 20 is transmitted as it is in the portion where the circuit is closed, and the signal is not transmitted in the portion where the circuit is open, so there is no signal leakage. The voltages d and e applied to the collectors of transistors 17 and 18 are approximately equal to the potential applied to the load when the circuit is closed;
0 and 32, the collector capacitance of the transistor and the junction capacitance of the diode are charged to the potential of the power source 31 and 33.

以上のように本実施例によれば、回路が開いている場合
は、ダイオード２１．２２に抵抗３２゜３ｏを介して逆
バイアスが加えられるので、信号の漏れか非常に少なく
なり、回路が閉じている場合は、信号が通過する半導体
素子は、トランジスタ１８（１７）とダイオード２１（
２２）がそれぞれ１個のみなので、入出力間のインピー
ダンスを低くすることができる。また、回路を開いた場
合、トランジスタ１７．１８のベースは高インピーダン
スとはならないので、回路の開閉の応答速度が速くなり
、高い周波数の信号を扱うことができる。さらに、トラ
ンジスタが２個とダイオードが３個で構成できるので、
ｇ１図に示す従来の回路より、トランジスタが２個とダ
イオード１個を低減させることができ、安価に製造でき
る。As described above, according to this embodiment, when the circuit is open, reverse bias is applied to the diodes 21 and 22 through the resistor 32°3o, so signal leakage is extremely reduced and the circuit is closed. , the semiconductor elements through which the signal passes are transistor 18 (17) and diode 21 (
22), the impedance between the input and output can be lowered. Further, when the circuit is opened, the bases of the transistors 17 and 18 do not have high impedance, so the response speed of opening and closing of the circuit becomes faster and high frequency signals can be handled. Furthermore, since it can be configured with two transistors and three diodes,
Compared to the conventional circuit shown in Figure g1, the number of transistors and one diode can be reduced by two, and the circuit can be manufactured at low cost.

第５図は本発明のマルチプレクザ回路の一実施例を示す
回路図である。同図において、ＮＰＮトランジスタ３７
−１とＰＮＰ）ランジスタ３８−１のエミッタ同志は負
荷３９−１に接続されており、ＮＰＮ　）ランジスタ３
７−２とＰＮＰ　）ランジスタ３８−２のエミッタ同志
は負荷３９−２に接続されている。トランジスタ３７−
１．３７−２のコレクタはダイオード４０−１．４０−
２のカンードにそれぞれ接続されており、トランジスタ
３８−１．３８−２のコレクタはダイオード４１−１．
４１−２のアノードにそれぞれ接続されている。トラン
ジスタ３７−１．３７−２のベースけそれぞれ抵抗４２
−１．４２−２　（十数にΩ）を介してスイッチ４３−
１．４３−２の可動接点にそれぞれ接続されている。ト
ランジスタ３８−１゜３８−２はそれぞれ抵抗４４−１
．４４−２を介して接地されている。また、トランジス
タ３７−１．３了−２のコレクタはそれぞれ抵抗４５−
１　。FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the multiplexer circuit of the present invention. In the same figure, an NPN transistor 37
-1 and PNP) The emitters of transistor 38-1 are connected to load 39-1, and NPN) transistor 3
7-2 and PNP) The emitters of transistor 38-2 are connected to load 39-2. Transistor 37-
The collector of 1.37-2 is a diode 40-1.40-
The collectors of the transistors 38-1, 38-2 are connected to the diodes 41-1.
41-2, respectively. The bases of the transistors 37-1 and 37-2 each have a resistor 42.
-1.42-2 (10 ohms) via switch 43-
1.43-2 movable contacts respectively. Transistors 38-1 and 38-2 are connected to resistors 44-1 and 38-2, respectively.
．． It is grounded via 44-2. In addition, the collectors of transistors 37-1 and 3-2 are connected to resistors 45-
1.

４５−２（１００にΩ以上）を介して入力信号の正極性
電圧の最大値以上の正極性成源（約１０ｏＶ）４６に共
通接続されており、トランジスタ３８−１．３８−２の
コレクタはそれぞれ抵抗４７−１゜４７−２（１００に
Ω以上）を介して入力信号の負極性電圧の最小値以下の
負極性醒源（約−１ｏｏＶ　）４８に共通接続されてい
る。ダイオ−）４０−１　。The collectors of the transistors 38-1 and 38-2 are commonly connected to a positive polarity source (approximately 10oV) that is higher than the maximum value of the positive polarity voltage of the input signal through the transistor 45-2 (more than 100Ω). They are commonly connected via resistors 47-1 and 47-2 (more than 100 ohms) to a negative polarity voltage source (approximately -1 ooV) 48 which is less than the minimum value of the negative polarity voltage of the input signal. Daio) 40-1.

４０−２．４０−３のアノードは、コンデンサ４９とダ
イオード６ｏとからなる並列接続体の一端に共通接続さ
れるとともに、数にΩの抵抗５１（数にΩ）を介して１
０Ｖの電圧源５２に接続され、また交流結合用のコンデ
ンサ６３を介して入力端子６４に接続される。夕゛イオ
ード４１−１．４１−２のカンードは上記の並列接続体
の他端に接続されるとともに、数にΩの抵抗５６を介し
て接地される。スイッチ４３−１．４３−２の一方の固
定接点は電圧源５２に共通接続され、他方の固定接点は
それぞれ接地される。The anodes of 40-2 and 40-3 are commonly connected to one end of a parallel connection body consisting of a capacitor 49 and a diode 6o, and are
It is connected to a voltage source 52 of 0V, and is also connected to an input terminal 64 via a capacitor 63 for AC coupling. The candes of the diode 41-1 and 41-2 are connected to the other end of the above-mentioned parallel connection body, and are grounded through a resistor 56 of several ohms. One of the fixed contacts of the switches 43-1 and 43-2 is commonly connected to the voltage source 52, and the other fixed contacts are each grounded.

すなわち、本実施例の回路は、第３図に示す電子スイッ
チ回路の、トランジスタ１了、１８、ダイオード２１，
２２、抵抗３４．３５．３０゜３２と、スイッチ３６に
よって構成される回路を多数並列接続し、ダイオード２
，３、コンデンサ２４、抵抗２４．２７を共通に使用し
、それぞれの回路に負荷を接続したものである。なお、
本実施例では、負荷３９−１　、３９−２　、３９−３
は容量性の負荷としたため、第３図におけるコンデンサ
１９は省略しである。That is, the circuit of this embodiment has transistors 1 and 18, diodes 21, and 21 of the electronic switch circuit shown in FIG.
22, resistors 34, 35, 30° 32 and a switch 36 are connected in parallel, and a diode 2
, 3, a capacitor 24, and a resistor 24, 27 are used in common, and a load is connected to each circuit. In addition,
In this embodiment, loads 39-1, 39-2, 39-3
Since the load is a capacitive one, the capacitor 19 in FIG. 3 is omitted.

本実施例において、複数のスイッチ４３−１゜４３−２
は、全ての信号チャンネルを開にしたい場合には全てを
接地側に切換え、特定の信号チャンネルのみ閉にしたい
場合は、その信号チャンネルに対応したスイッチ、例え
ば４３−１のみを電圧源５２側に切換える。このように
して、負荷３９−１　、３９−２　、３９−３の内の１
個を選択的に入力端子５４に接続することができる。こ
の時の動作は第３図の電子スイッチ回路で説明した動作
と同じである。なお、複数のチャネルを同時に選択する
場合には、コンデンサ４９、ダイオード５０、抵抗６６
は共用できないので、それぞれに設ける必要がある。In this embodiment, a plurality of switches 43-1, 43-2
If you want to open all signal channels, switch them all to the ground side, and if you want to close only a specific signal channel, switch only the switch corresponding to that signal channel, for example 43-1, to the voltage source 52 side. Switch. In this way, one of the loads 39-1, 39-2, 39-3
can be selectively connected to input terminal 54. The operation at this time is the same as that described for the electronic switch circuit in FIG. Note that when selecting multiple channels at the same time, a capacitor 49, a diode 50, a resistor 66
cannot be shared, so each must be provided separately.

以上のように本実施例によれば、第３図に示す電子スイ
ッチ回路と同様に、回路が開いている信号チャンネルは
、ダイオード４０−１．４１−１、あるいは同４０−２
．４１−２に逆バイアスが加えられるので、信号の漏れ
が非常に少なくなり、回路が閉じている信号チャンネル
は、信号が通過する半導体素子は、トランジスタ３７−
１（３８−１）とダイオード４Ｏ−１（４１−１）、あ
るいはトランジスタ３７−２（３８−２ンとダイオード
４０−；２（４１−２）がそれぞれ１個のみなので、入
出力間のインピーダンスを低くすることができる。As described above, according to this embodiment, similarly to the electronic switch circuit shown in FIG.
．． Since a reverse bias is applied to 41-2, signal leakage is very small, and the signal channel in which the circuit is closed is connected to the semiconductor element through which the signal passes, which is the transistor 37-2.
1 (38-1) and diode 4O-1 (41-1), or transistor 37-2 (38-2) and diode 40-; 2 (41-2), so the impedance between input and output is can be lowered.

また、回路を開いた場合、トランジスタ３７−１゜３８
−１、あるいは同３７−２．３８−２のべ一スは高イン
ピーダンスとはならないので、回路の開閉の応答速Ｋが
速くなり、旨い周波数の信号を扱うことができる。さら
に、信号チャンネル数が増加しても、信号チャンネル数
の増加に対する部品点数の増加は、トランジスタとダイ
オードがそれぞれ２個づつの増加のみとなり、第１図に
示す従来の回路より増加の割合が低減でき、安価に製造
できる。またさらに、使用する半導体素子の数が少ない
のでロジック信号で直接制御できる。Also, when the circuit is open, the transistor 37-1°38
Since the base of 37-2 and 38-2 does not have high impedance, the response speed K of opening and closing the circuit becomes faster, and signals of good frequency can be handled. Furthermore, even if the number of signal channels increases, the number of components will only increase by two transistors and two diodes each, which is lower than the conventional circuit shown in Figure 1. It can be manufactured at low cost. Furthermore, since the number of semiconductor elements used is small, it can be directly controlled by logic signals.

なお、以上説明した第３図及び第５図の回路において、
各ダイオード２１．２２，２３．４０−１．４０−２．
４１−１．４１−２．５０の耐圧は、電圧源３１（４８
）と３３（４６）の間の電位差よりも大きなものを用い
、トランジスタ１７゜１８　、３７−１　、３７−２　
、３８−１　、３８−２の耐圧はそれぞれ電圧源３１，
３３，４６，４８より大きなものを用いれば良い。また
、開閉可能な入力信号レベルは電圧源３１と３３．４６
と４８の電位差程度である。In addition, in the circuits of FIGS. 3 and 5 explained above,
Each diode 21.22, 23.40-1.40-2.
The withstand voltage of 41-1.41-2.50 is the voltage source 31 (48
) and 33 (46), and use transistors 17°18, 37-1, 37-2.
, 38-1, 38-2 have the withstand voltages of voltage sources 31, 38-2, respectively.
It is sufficient to use one larger than 33, 46, or 48. In addition, the input signal levels that can be opened and closed are voltage sources 31 and 33.46.
The potential difference is about 48.

さらに、スイッチ３６　、４３−１　、４３−２はメカ
ニカルなスイッチで説明したが、入力信号のうち高電圧
となる部分の時間が十分短かければ低電圧のロジック信
号を直接抵抗３６．４２−１゜４２−２に加えることが
できる。またさらに、信号は入力端子２６．６４から負
荷２０．３９−１゜３９−２．３９−３に伝達する場合
について説明したが、開の状態において逆方向に大振幅
の信号がなけれは双方向のスイッチとして作動する。捷
だ、コンデンサ２６はダイオード２１に接続したが、ダ
イオード２２と抵抗２９の接続点に接続することもでき
る。トランジスタ１７，１８，３了−１，３７＝２　、
３８−１　　、３８−２は、これと等価な機能企有する
他の半導体素子に置き換えることもでき、かつ抵抗２７
　、６＋１もコイル等のインダクタンス素子で置き換え
ることもできる。Furthermore, although the switches 36, 43-1, and 43-2 have been described as mechanical switches, if the time of the high voltage part of the input signal is sufficiently short, the low voltage logic signal can be directly connected to the resistor 36, 42-1. It can be added to ゜42-2. Furthermore, although we have explained the case where the signal is transmitted from the input terminal 26.64 to the load 20.39-1°39-2.39-3, it is possible to transmit the signal in both directions unless there is a large amplitude signal in the opposite direction in the open state. It operates as a switch. Although the capacitor 26 is connected to the diode 21, it can also be connected to the connection point between the diode 22 and the resistor 29. Transistors 17, 18, 3 - 1, 37 = 2,
38-1 and 38-2 can be replaced with other semiconductor elements having equivalent functions, and the resistor 27
, 6+1 can also be replaced with an inductance element such as a coil.

発明の詳細 な説明したように本発明は、トランジスタとダイオード
からなる互いに逆極性の２個の直列接続体と、この直列
接続体を接続するダイオードと容量素子との並列接続体
と、各直列接続体のトランジスタとダイオードとの接続
点に接続された電圧源と、並列接続体に接続された電流
源と、各直列接続体のトランジスタのベースに印加され
る順方向バイアスと逆方向バイアスを切り換えるスイッ
チ手段とで電子スイッチ回路を構成し、この電子スイッ
チ回路を複数個並列接続する際に、同一極性同志の直列
接続体を並列接続し、他は共通にしてマルチプレクサ回
路を構成するものであり、本発明によれは、回路が開い
ている時は直列接続体を構成するダイオードに逆バイア
スが加えられるので信号の漏れがほとんど無く、１だこ
の時、トランジスタのベースは高インピーダンスにはな
らないので、回路の開閉の応答速度が速くなり、さらに
使用するトランジスタ、ダイオードは従来の回路より半
減し、安価なものが得られる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As described in detail, the present invention comprises two series connected bodies of opposite polarity consisting of a transistor and a diode, a parallel connected body of a diode and a capacitive element connecting these series connected bodies, and each series connected body. A voltage source connected to the connection point between the transistor and the diode in the body, a current source connected to the parallel connection body, and a switch that switches between forward bias and reverse bias applied to the base of the transistor in each series connection body. When a plurality of electronic switch circuits are connected in parallel, serially connected bodies of the same polarity are connected in parallel, and the others are made common to form a multiplexer circuit. According to the invention, when the circuit is open, reverse bias is applied to the diodes that make up the series connection, so there is almost no signal leakage, and when the circuit is open, the base of the transistor does not have high impedance, so the circuit The opening/closing response speed is faster, and the number of transistors and diodes used is halved compared to conventional circuits, resulting in a lower cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来の電子スイッチ回路を示す回路図、第２図
は同回路の動作を説明する波形図、第３図は本発明の電
子スイッチ回路の一実施例を示す回路図、第４図は同実
施例の動作を説明する波形図、第６図は本発明のマルチ
プレクサ回路の一実施例を示す回路図である。 １７．１８．３７−１．３７−２．３８−１　。 ３８−２・・・用トランジスタ、１９　、２４　、２５
　。 ４９．５３・・・−・コンテ／す、２０．３９−１゜３
９−２　・・・負荷、２１　、２２　、２３　、４０−
１゜４０−２．４１−１．４１−２．５０川・ダイオー
ド、２６　、６４・・・・・・入力端子、２７　、２９
　。 ３０．３２，３４，３５．４２−１．４２−２゜４４−
１．４４−２　、４５−１　、４５−２　、４７−１　
、４７−２　、５１　、６６　川・抵抗、３６゜４３−
１．４３−２・・・・・スイッチ、２８，３１゜３３．
４６　、’４８．５２・・・・電源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名手続
補正書 昭和６８年１１双Ｎ１日 特許庁長官殿 １事件の表示 昭和５８年特許願第４３５４７　　号 ２発明の名称 電子スイッチ回路およびマルチプレクサ回路３補正をす
る各 事件との閃係　　　　　　特　　　許　　　出　　　願
　　人任　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地名
　称　（５８２）松下電器産業株式会社代表者　　　　
山　　下　　俊　　彦 ４代理人　〒５７１ 住　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ５補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第６ページ第１行目〜第２行目の「にトラ
ンジスタ１〜４自身の特性により信号の」を１に信号の
」に補正します。 （２）同第６ページ第１１行目、第１７ページ第７行目
の「同志」を「同士」に補正します。 ＠）同第７ページ第１５行目、第２０行目の１抵抗２３
」を「抵抗２９」に補正します。 （４）同第１１ページ第４行目〜第５行目、第１５ペー
ジ第２行目〜第３行目の１速くなり、高い周波数の信号
を扱うことができる。」を「速くなる。」に補正します
。 （６）同第１１３ページ第１０行目の「抵抗２４，２了
」を１抵抗２７，２９ｊに補正します。 （６）同第１４ページ第４行目の「−チャネル」を１−
チャンネル」に補正します。 （７）同第１４ページ第１３行目の「信号チャンネルは
」ヲ「信号チャンネルにおいて」に補正します。 （８）同第１５ページ第８行目〜第９行目の１−使用す
る半導体素子の数が少ないので」を「スイッチ４３−１
．４３−２を用いず」に補正します。 す）同第１５ページ第９行目の「直接制御できる。」を
「直接制御することもできる。」に補正します。FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional electronic switch circuit, FIG. 2 is a waveform diagram explaining the operation of the circuit, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the electronic switch circuit of the present invention, and FIG. 6 is a waveform diagram illustrating the operation of the same embodiment, and FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment of the multiplexer circuit of the present invention. 17.18.37-1.37-2.38-1. 38-2...transistor, 19, 24, 25
. 49.53...-Conte/su, 20.39-1゜3
9-2...Load, 21, 22, 23, 40-
1゜40-2.41-1.41-2.50 River diode, 26, 64...Input terminal, 27, 29
. 30.32, 34, 35.42-1.42-2゜44-
1.44-2, 45-1, 45-2, 47-1
, 47-2 , 51 , 66 River/Resistance, 36°43-
1.43-2...Switch, 28,31°33.
46, '48.52...Power supply. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person Procedural amendment dated 11/11/1988 To the Commissioner of the Japan Patent Office 1 Display of the case 1988 Patent Application No. 43547 2 Name of the invention Electronic switch circuit and multiplexer circuit 3 Person in charge of each case to be amended Patent application Person address 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Name (582) Representative of Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Toshihiko Yamashita 4 Agent 571 Address 1006 Oaza Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 5 Subject of amendment 6 Contents of amendment (1) Page 6 of the specification, lines 1 to 2 According to the characteristics of transistors 1 to 4 themselves, the signal is corrected to 1. (2) Correct "comrades" in line 11 of page 6 and line 7 of page 17 to "comrades." @) 1 resistor 23 on page 7, lines 15 and 20
" is corrected to "resistance 29". (4) The 4th to 5th lines on the 11th page and the 2nd to 3rd lines on the 15th page are one step faster and can handle high frequency signals. " will be corrected to "It will be faster." (6) Correct “Resistance 24, 2” on the 10th line of page 113 to 1 resistance 27, 29j. (6) Change “-channel” in the 4th line of page 14 to 1-
Correct to "channel". (7) On page 14, line 13, "signal channel" is corrected to "in signal channel." (8) Change 1-1 in the 8th to 9th lines of page 15 to ``because the number of semiconductor elements used is small'' to ``switch 43-1''.
．． 43-2 is not used. ) In the 9th line of page 15, "Can be directly controlled." will be corrected to "Can also be directly controlled."

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）　ＮＰＮトランジスタのコレクタと第１のダイオ
ードのカソードとの接続点に通過信号の正極性電圧の最
高値以上の正極性電圧を印加する第１の電圧源を接続し
、ＰＮＰトランジスタのコレクタと第２のダイオードの
アノードとの接続点に、前記通過信号の負極性電圧の最
低値以下の負極性電圧を印加する第２の電圧源を接続し
、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタと前記Ｐ１ｑＰト
ランジスタのエミッタを共通接続して一方の入出力端子
に接続し、前記第１のダイオードのアノードと前記第２
のダイオードのカソードとの間に、第３のダイオードと
容量素子からなる並列接続体を接続し、前記並列接続体
のいずれか一端を他方の入出力端子に接続し、前記第１
のダイオードのアノ−ドに電流源を接続し、前記ＮＰＮ
）ランジスタのベースと前記ＰＮＰ　）ランジスタのベ
ースとの間に、電位差の付与を切り換える手段を接続し
てなる電子スイッチ回路。(1) A first voltage source that applies a positive polarity voltage higher than the highest value of the positive polarity voltage of the passing signal is connected to the connection point between the collector of the NPN transistor and the cathode of the first diode, and the collector of the PNP transistor and the cathode of the first diode are connected. A second voltage source that applies a negative polarity voltage that is lower than the lowest value of the negative polarity voltage of the passing signal is connected to the connection point with the anode of the second diode, and the emitter of the NPN transistor and the emitter of the P1qP transistor are connected to each other. are commonly connected to one input/output terminal, and the anode of the first diode and the second diode are connected in common to one input/output terminal.
A parallel connection body consisting of a third diode and a capacitive element is connected between the cathode of the first diode, and one end of the parallel connection body is connected to the input/output terminal of the other.
A current source is connected to the anode of the diode of the NPN
) An electronic switch circuit comprising means for switching application of a potential difference connected between the base of a transistor and the base of the PNP transistor. （２）ＮＰＮ）ランジスタのコレクタと第１のダイオー
ドのカソードとを接続し、ＰＮＰ）ランジスタのコレク
タと第２のダイオードのアノードとを接続し、前記ＮＰ
Ｎ）ランジスタのエミッタと前記ＰＮＰ）ランジスタの
エミッタの共通接続点を一方の入出力端子に接続し、前
記ｒＪ　Ｐ　Ｎ　）ランジスタのベースと前記ＰＮＰ　
トランジスタのベースとの間に電位差の付与を切り換え
る手段を接続してなるスイッチ回路の複数個の、前記各
第１のダイオードのアノードの共通接続点と前記各第２
のダイオードのカソードの共通接続点との間に、第３の
ダイオードと容量素子からなる並列接続体を接続し、前
記並列接続体のいずれか一端を他方の入出力端子に接続
し、前記各第１のダイオードのアノードの共通接続点に
電流源を接続し、前記第１のダイオードのカソードと前
記ＮＰＮ）ランジスタのコレクタとの各接続点に、通過
信号の正極性電圧の最高値以上の正極性電圧を印加する
第１の電圧源を接続し、前記第２のダイオードのアノー
ドと前記ＰＮＰ　）ランジスタのコレクタとの各接続点
に、前記通過信号の負極性電圧の最低値以下の負極性電
圧を印加する第２の電圧源を接続しテナルマルチプレク
サ回路。(2) Connect the collector of the NPN) transistor and the cathode of the first diode, connect the collector of the PNP) transistor and the anode of the second diode, and
N) Connect the common connection point of the emitter of the transistor and the emitter of the PNP transistor to one input/output terminal, and connect the base of the rJ P N ) transistor and the PNP transistor.
A common connection point between the anodes of each of the first diodes and each of the second diodes of a plurality of switch circuits in which means for switching the application of a potential difference is connected between the base of the transistor and the base of the transistor.
A parallel connection body consisting of a third diode and a capacitive element is connected between the common connection point of the cathodes of the diodes, one end of the parallel connection body is connected to the input/output terminal of the other, and each of the above-mentioned A current source is connected to a common connection point of the anodes of the first diode, and a current source is connected to a common connection point between the cathode of the first diode and the collector of the NPN transistor, and a current source is connected to the connection point of the cathode of the first diode and the collector of the NPN transistor. A first voltage source for applying a voltage is connected, and a negative polarity voltage equal to or lower than the lowest value of the negative polarity voltage of the passing signal is applied to each connection point between the anode of the second diode and the collector of the PNP transistor. Connect a second voltage source to the tenal multiplexer circuit.