JPS59186376A - 圧力センサ - Google Patents
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- JPS59186376A JPS59186376A JP5921883A JP5921883A JPS59186376A JP S59186376 A JPS59186376 A JP S59186376A JP 5921883 A JP5921883 A JP 5921883A JP 5921883 A JP5921883 A JP 5921883A JP S59186376 A JPS59186376 A JP S59186376A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、圧力センナに保シ、特にシリコンダイアフラ
ムの適用されたピエゾ抵抗型の圧力センサに関する。
ムの適用されたピエゾ抵抗型の圧力センサに関する。
第1図〜第4図を用いて、従来技術および最近試みられ
ている技術を説明する。
ている技術を説明する。
まず第1図を用い、ピエゾ抵抗型圧力センサの基本的な
説明を行なう。同図(イ)は平面図、0は断面図、0は
応力分布図である。なお、(0応力分布図は微小変動理
論や有限要素法等で解析したものである。
説明を行なう。同図(イ)は平面図、0は断面図、0は
応力分布図である。なお、(0応力分布図は微小変動理
論や有限要素法等で解析したものである。
平面上のシリコン単結晶から成るシリコンダイアフラム
lは、下面中央部に円形の四部2を設けたことによって
形成された薄肉部3と、厚肉部4を有している。このシ
リコンダイアフラム1の厚爾部4の下面は、支持台5に
気折接着されている。
lは、下面中央部に円形の四部2を設けたことによって
形成された薄肉部3と、厚肉部4を有している。このシ
リコンダイアフラム1の厚爾部4の下面は、支持台5に
気折接着されている。
シリコンダイアフラム10表面には、ピエゾ抵抗素子R
,6及びR,7がクム散法又は、イオン打込法により形
成されている。なお、R16は円形薄肉部の半径方向に
、凡【7は、接線方向に一致させて、各々、2m配置さ
れ、それらはブリッジ結線されている。
,6及びR,7がクム散法又は、イオン打込法により形
成されている。なお、R16は円形薄肉部の半径方向に
、凡【7は、接線方向に一致させて、各々、2m配置さ
れ、それらはブリッジ結線されている。
この様に形成される圧力センサにおいて、ダイアフラム
1表面に図示矢印の方向に被測距圧力P(この場合は低
圧)が印加されると、シリコンダイアフラム1表面には
、第1図(Qに示されるような応力分布が生じる。同図
の横軸は、円形薄肉品中心線上の位置を表わし、縦軸は
、応力値CIを表わしておシ、曲線σ、は半径方向応プ
バ曲線σ。
1表面に図示矢印の方向に被測距圧力P(この場合は低
圧)が印加されると、シリコンダイアフラム1表面には
、第1図(Qに示されるような応力分布が生じる。同図
の横軸は、円形薄肉品中心線上の位置を表わし、縦軸は
、応力値CIを表わしておシ、曲線σ、は半径方向応プ
バ曲線σ。
は、接線方向応力を示している。
この応力分布におけるピエゾ抵抗素子6〜7のブリッジ
出力Eoは、シリコンダイアフラム1表面の結晶方位を
(100)に選べば、 E o ” K1・Δσ ・・・・・・・・
・(1)Kl 二比例定数 Δσ:ピエゾ抵抗素子6〜7に作 用する半径方向応力σ、と 接線方向応力σ1の差 となる。つ捷り、ピエゾ抵抗素子6.7i、とのΔσが
最大となる位置に配せば、出力感度は最大になる。
出力Eoは、シリコンダイアフラム1表面の結晶方位を
(100)に選べば、 E o ” K1・Δσ ・・・・・・・・
・(1)Kl 二比例定数 Δσ:ピエゾ抵抗素子6〜7に作 用する半径方向応力σ、と 接線方向応力σ1の差 となる。つ捷り、ピエゾ抵抗素子6.7i、とのΔσが
最大となる位置に配せば、出力感度は最大になる。
さて、以上のピエゾ抵抗型圧力センサの説明を元に、従
来の低圧用(数気圧以下)及び高圧用(数10気圧〜数
千気圧)の圧力センサを説明する。
来の低圧用(数気圧以下)及び高圧用(数10気圧〜数
千気圧)の圧力センサを説明する。
第1図は、低圧用の圧力センサであL t=0、2
mm 8 Kの非常に薄いシリコンウニ・・を用いてい
る。薄いシリコンウエノ・は、低コスト化に有利なだめ
である。薄肉部3の形状は、低圧に対する出力感度ヲ上
げるため、半(4aを十分に太きくし、板厚り全薄くし
である。この場合、同図(Qの応力分布図からピエゾ抵
抗素子6,7は、Δσが最大になる薄肉部3の周辺部に
配するのが良い。
mm 8 Kの非常に薄いシリコンウニ・・を用いてい
る。薄いシリコンウエノ・は、低コスト化に有利なだめ
である。薄肉部3の形状は、低圧に対する出力感度ヲ上
げるため、半(4aを十分に太きくし、板厚り全薄くし
である。この場合、同図(Qの応力分布図からピエゾ抵
抗素子6,7は、Δσが最大になる薄肉部3の周辺部に
配するのが良い。
次に、この薄いシリコンウェハを用いた高圧用センサに
ついて第2図を用いて説明す石。高圧用の場合は、出力
感度を得るのと同時に、強度的な問題を解決しなければ
ならない。シリコンダイアフラムに生じる最大応力σ、
(dl に2 :比例定数 P:開力ロ圧力 h:薄肉部23板厚 a:薄肉部23半径 と表わされる。従って応力低減のためには、半径aを小
さく、板厚りを大きくする必要がある。しかし、t=0
.2rtun程度の薄いシリコンウェハを用いる場合、
板厚り増大には限度(h (0,2mm )があシ、半
径a’zよ9以上に小さくする必要がある。
ついて第2図を用いて説明す石。高圧用の場合は、出力
感度を得るのと同時に、強度的な問題を解決しなければ
ならない。シリコンダイアフラムに生じる最大応力σ、
(dl に2 :比例定数 P:開力ロ圧力 h:薄肉部23板厚 a:薄肉部23半径 と表わされる。従って応力低減のためには、半径aを小
さく、板厚りを大きくする必要がある。しかし、t=0
.2rtun程度の薄いシリコンウェハを用いる場合、
板厚り増大には限度(h (0,2mm )があシ、半
径a’zよ9以上に小さくする必要がある。
第2図0に、この場合の応力分布図を示した。
Δσは、薄肉部23周辺部近傍の厚肉部24上で最大に
なるため、この位置にピエゾ抵抗素子26〜27を配せ
げ感度が最大になる。21はシリコンダイアフラム、2
2は凹部、25は支持台である。
なるため、この位置にピエゾ抵抗素子26〜27を配せ
げ感度が最大になる。21はシリコンダイアフラム、2
2は凹部、25は支持台である。
以上の、薄いシリコンウエノ・(を中0.2mm)を用
いた低圧用センサ(第1図)、高圧用センナ(第2図)
を比較すると、甘ず、薄肉部形状(3及び23)がゲ(
なる。これは、強度的見地から当然である。しかし、同
時に、ピエゾ抵抗素子位置(中心からピエゾ抵抗素子址
での距離)も異なるの(I′j:、センサの製作コスト
、工程数上昇の要因になシ好しくない。
いた低圧用センサ(第1図)、高圧用センナ(第2図)
を比較すると、甘ず、薄肉部形状(3及び23)がゲ(
なる。これは、強度的見地から当然である。しかし、同
時に、ピエゾ抵抗素子位置(中心からピエゾ抵抗素子址
での距離)も異なるの(I′j:、センサの製作コスト
、工程数上昇の要因になシ好しくない。
そこで、同じピエゾ抵抗素子位置(以後、抵抗パターン
と呼ぶ)を用いて、低圧用から高圧用捷でをカバーし得
る圧力センサが望寸れる。
と呼ぶ)を用いて、低圧用から高圧用捷でをカバーし得
る圧力センサが望寸れる。
この問題を解決するに際し、導かれる1つの方法として
最近試みられているのは、比較的厚い(を二〇、5〜2
. Orran )シリコンウニ・・を用いることであ
る。第3図および第4図によりこれを説明する。第3図
は低圧用(数気圧以下)、第4図は、制圧用(数10気
圧以上)であり、共にt二0.5〜21訓程度の厚いシ
リコンウェハを用いている。
最近試みられているのは、比較的厚い(を二〇、5〜2
. Orran )シリコンウニ・・を用いることであ
る。第3図および第4図によりこれを説明する。第3図
は低圧用(数気圧以下)、第4図は、制圧用(数10気
圧以上)であり、共にt二0.5〜21訓程度の厚いシ
リコンウェハを用いている。
第3図の低圧用センサの薄肉部33の形状は、先の第1
図に示した薄いシリコンウェハを用いたものと同じであ
り、同時(Qの応力分布図も同一である。つlシ、出刃
特性上は、全く同じセンサカ構成できる。一方、この厚
いシリコンウェハを用いた高圧センナを第4図に示すが
、薄肉部43板厚は、シリコンウェハが厚い分だけ、十
分に大きくとれるため、半径aを第2図のように小さく
しなくてもよい。結局、同じ抵抗パターンを用いて、低
圧用から高圧用才で構成することができる。
図に示した薄いシリコンウェハを用いたものと同じであ
り、同時(Qの応力分布図も同一である。つlシ、出刃
特性上は、全く同じセンサカ構成できる。一方、この厚
いシリコンウェハを用いた高圧センナを第4図に示すが
、薄肉部43板厚は、シリコンウェハが厚い分だけ、十
分に大きくとれるため、半径aを第2図のように小さく
しなくてもよい。結局、同じ抵抗パターンを用いて、低
圧用から高圧用才で構成することができる。
31.41ぽシリコンウェハ、42は凹部、34゜44
は厚肉部、35.45は支持台、46.47はピエゾ抵
抗素子である。
は厚肉部、35.45は支持台、46.47はピエゾ抵
抗素子である。
しかし、第3図に示した低圧センサでは、凹32が深く
、加工が問題である。四部32の加工には、一般に、化
学的エツチング法が採用されるか、力1」土速度が一屍
のため、深い分だけ時間がかかり、装作コストが尚くな
っていた。さらに、加工時間が狡いと、エツチング液に
より、ヒ゛エン゛抵抗素子36〜37が、耐食される問
題も生じていた。また、厚いソリコンウエノ・は、材料
コストも1%いという欠点がある。
、加工が問題である。四部32の加工には、一般に、化
学的エツチング法が採用されるか、力1」土速度が一屍
のため、深い分だけ時間がかかり、装作コストが尚くな
っていた。さらに、加工時間が狡いと、エツチング液に
より、ヒ゛エン゛抵抗素子36〜37が、耐食される問
題も生じていた。また、厚いソリコンウエノ・は、材料
コストも1%いという欠点がある。
本発明は、同一抵抗パターンを用いながら、低圧から高
圧までを測定し得る、低コスト、高信頼の圧カセンサ金
提惧することにある。
圧までを測定し得る、低コスト、高信頼の圧カセンサ金
提惧することにある。
本発明の竹似は、シリコンダイアノラム上の谷ピエノ抵
抗系子に対応する薄肉部をJし敗し、その曲の厚肉部を
支持材に固定したことにある。
抗系子に対応する薄肉部をJし敗し、その曲の厚肉部を
支持材に固定したことにある。
第5図によp本発明の基本8′つ概念を説明する。
同図囚は低圧用、(13)は中力用、(C)は高圧用の
圧力センサのシリコンダイアフラムである。なお、(1
)図は、平面図、(2)図は断面図である。
圧力センサのシリコンダイアフラムである。なお、(1
)図は、平面図、(2)図は断面図である。
同図囚、低圧用は、従来型とシリコンダイアフラム51
の形状が同じだが、4ケのピエゾ抵抗素子57.56に
対応して、4ケの薄肉部53力S、互いに事なりあって
1対1に対応しているものと解釈できる。
の形状が同じだが、4ケのピエゾ抵抗素子57.56に
対応して、4ケの薄肉部53力S、互いに事なりあって
1対1に対応しているものと解釈できる。
同図CB)中圧用は、ピエゾ抵抗素子562.572に
対し、4ケの独立な薄肉部532が、シリコンダイアフ
ラム512中央部で重り合っている。これは、同図囚の
低圧用に比べ、各薄肉部532の生性を小さくする必要
が必るためである。
対し、4ケの独立な薄肉部532が、シリコンダイアフ
ラム512中央部で重り合っている。これは、同図囚の
低圧用に比べ、各薄肉部532の生性を小さくする必要
が必るためである。
同図(Qは、高圧用であり、4ケの独立な薄肉部が、完
全に分帰埒れて、ピエゾ抵抗素子563゜573にそれ
ぞれ対応している。
全に分帰埒れて、ピエゾ抵抗素子563゜573にそれ
ぞれ対応している。
このように、各ピエゾ抵抗素子に1対1で薄肉部を独立
に対応させることにより、薄肉部半径の自由度が太きく
なバ薄いシリコン単結晶・乞用いつつ、同一パターンで
、低圧用から高圧用捷で構成することができた。
に対応させることにより、薄肉部半径の自由度が太きく
なバ薄いシリコン単結晶・乞用いつつ、同一パターンで
、低圧用から高圧用捷で構成することができた。
以f1本発明の一実施例を第6図を用いて説明する。本
実施列は、主に、数100気圧以上の高圧に通用できる
。同図(6)は、平面図、に)は断面図、(Qは応力分
布図である。なお、応力分布は、有限要素法により解析
したものである。
実施列は、主に、数100気圧以上の高圧に通用できる
。同図(6)は、平面図、に)は断面図、(Qは応力分
布図である。なお、応力分布は、有限要素法により解析
したものである。
シリコン単結晶から成るシリコンダイアフラム61は、
4ケの円形の四部62を設けたことにより形成された薄
肉部63と、厚肉部64を有している。シリコンダイア
フラム61の厚肉部64の−F面は、支持台65に気智
接合されている。支持台65には、シリコンとほぼ熱膨
張係叡の等しいホウケイ散カラスを用い、低融点ガラス
等を用いてノリコンダイアフラム61と接合する。シリ
コンダイア7ラム61の形状は、厚内部64の&厚0.
2喘、外周形状は1辺が3廃角である。また、凹部62
形成には、アルカリエツチングが−ノ龜に用いられる。
4ケの円形の四部62を設けたことにより形成された薄
肉部63と、厚肉部64を有している。シリコンダイア
フラム61の厚肉部64の−F面は、支持台65に気智
接合されている。支持台65には、シリコンとほぼ熱膨
張係叡の等しいホウケイ散カラスを用い、低融点ガラス
等を用いてノリコンダイアフラム61と接合する。シリ
コンダイア7ラム61の形状は、厚内部64の&厚0.
2喘、外周形状は1辺が3廃角である。また、凹部62
形成には、アルカリエツチングが−ノ龜に用いられる。
4ケの円形の薄肉部630周辺部近傍には、4ケのピエ
ゾ抵抗素子Rr66、及びf(、t67がそれぞれ1対
1に対応して形成されて訃9、これらは、ブリッジ結線
されている。この時、シリコンダイア7ラム61本体を
nmmクリンで構成すれば、ピエゾ抵抗素子は、p型シ
リコンとするが、この逆の場合もある。さらに、ピエゾ
抵抗素子66.67を形成する面の結晶方位は、(10
01゜(110)などが採用されるが、本例の場合は、
半径方向及び接線方向ピエゾ抵抗素子の出力パラ/スか
ら(100)面が良い。
ゾ抵抗素子Rr66、及びf(、t67がそれぞれ1対
1に対応して形成されて訃9、これらは、ブリッジ結線
されている。この時、シリコンダイア7ラム61本体を
nmmクリンで構成すれば、ピエゾ抵抗素子は、p型シ
リコンとするが、この逆の場合もある。さらに、ピエゾ
抵抗素子66.67を形成する面の結晶方位は、(10
01゜(110)などが採用されるが、本例の場合は、
半径方向及び接線方向ピエゾ抵抗素子の出力パラ/スか
ら(100)面が良い。
シリコンダイアフラム61上面より、図中矢印の方向に
圧力Pが印加されると、4ケの独立な薄肉部63が変形
する。同図(Qに、シリコンダイアフラム61上面の応
力分布を示す。横軸は、シリコンダイアフラム中心から
の距離、縦軸は応力σ、曲線σ、は半径方向応力、σt
は接線方向応力を示している。センサのブリッジ出力感
度は、ピエゾ抵抗素子66.67に作用する半径方向応
力σ、と接線方向応力σ、の差Δσに比例する。従って
、ピエゾ抵抗素子66.67ば、Δσの大きい薄肉部6
3周辺部近傍の厚内部64上に配置するのが良い。これ
は、圧力が100気圧以上の高圧であり、薄肉部63板
厚が比較的厚いために、厚肉部64が弾性変形すること
による。
圧力Pが印加されると、4ケの独立な薄肉部63が変形
する。同図(Qに、シリコンダイアフラム61上面の応
力分布を示す。横軸は、シリコンダイアフラム中心から
の距離、縦軸は応力σ、曲線σ、は半径方向応力、σt
は接線方向応力を示している。センサのブリッジ出力感
度は、ピエゾ抵抗素子66.67に作用する半径方向応
力σ、と接線方向応力σ、の差Δσに比例する。従って
、ピエゾ抵抗素子66.67ば、Δσの大きい薄肉部6
3周辺部近傍の厚内部64上に配置するのが良い。これ
は、圧力が100気圧以上の高圧であり、薄肉部63板
厚が比較的厚いために、厚肉部64が弾性変形すること
による。
各薄肉部63の半径を約0.2 trtm、板厚を0.
1 wn程度にすれは、ブリッジ出力は、70mV/2
.5V得ることができる。
1 wn程度にすれは、ブリッジ出力は、70mV/2
.5V得ることができる。
次に、本実施例の効果を説明する。第1の効果は、すで
に第5図で説明したように、ピエゾ抵抗素子パターンを
低圧用(数気圧)センナと共用できることで、生産工程
の削減、コストの低減が計れる。しかも、薄肉部63の
板厚は、一定にして薄肉部63半径のみを変更すること
により、低圧から高圧用までを構成することも可能であ
る。一般に、薄肉部63の形成には、水酸化カリウム水
溶液によるアルカリエツチング法が用いられるが、加工
深さは時間に比例する。薄肉部厚みが、低圧用でも高圧
用でも一定であれば、加工時間も一定でよいことから、
生産管理が容易になる。
に第5図で説明したように、ピエゾ抵抗素子パターンを
低圧用(数気圧)センナと共用できることで、生産工程
の削減、コストの低減が計れる。しかも、薄肉部63の
板厚は、一定にして薄肉部63半径のみを変更すること
により、低圧から高圧用までを構成することも可能であ
る。一般に、薄肉部63の形成には、水酸化カリウム水
溶液によるアルカリエツチング法が用いられるが、加工
深さは時間に比例する。薄肉部厚みが、低圧用でも高圧
用でも一定であれば、加工時間も一定でよいことから、
生産管理が容易になる。
サラに、0.2mの薄いシリコンウエノ・を用いており
、高圧用の場合には、薄肉部加工は、0.01〜0.0
8mでよく、加工時間が少なくてよい。
、高圧用の場合には、薄肉部加工は、0.01〜0.0
8mでよく、加工時間が少なくてよい。
逆に、第6図における4ケの円形薄肉部630半径は一
定にして、板厚のみを変更しても、低圧から高圧までの
センサを構成できる。
定にして、板厚のみを変更しても、低圧から高圧までの
センサを構成できる。
第7図は、本発明の第2実施例のシリコンダイアフラム
の平面図である。薄肉部73を四角状にして、ピエゾ抵
抗素子と薄肉部周辺全平行及び直角として、応力を有効
九作用させて、出力g度を上げることができる。なお、
薄肉細形状は、その他の形状であっても良い。
の平面図である。薄肉部73を四角状にして、ピエゾ抵
抗素子と薄肉部周辺全平行及び直角として、応力を有効
九作用させて、出力g度を上げることができる。なお、
薄肉細形状は、その他の形状であっても良い。
本発明によれば、同一抵抗パターン(シリコンダイアフ
ラム上のピエゾ抵抗素子の配置)を用いて、数気圧の低
圧から、数100気圧の高圧まで1+1J定しえる圧力
センナが構成できるので、生産コストが低減できる。つ
まり、半導体プロセスにおけるゲージ拡散工程が一律化
されるため、低圧用と高圧用センサが同時に、量産でき
る。
ラム上のピエゾ抵抗素子の配置)を用いて、数気圧の低
圧から、数100気圧の高圧まで1+1J定しえる圧力
センナが構成できるので、生産コストが低減できる。つ
まり、半導体プロセスにおけるゲージ拡散工程が一律化
されるため、低圧用と高圧用センサが同時に、量産でき
る。
第1図および第2図は、従来技術の説明図であり、第3
図および第4図は、最近試みられている例の説明図であ
シ、第5図は本発明の説明図であり、第6図は本発明の
第1実施例の説明図であシ、第7図は本発明の第2実施
例の平面図である。 1.21,31.41.51,61.71・・・シリコ
ンダイアフラム、2,22,32,42,52゜62.
72・・・凹部、3,23,33,43,53゜63.
73・・・薄肉部、4.24,34,54゜64.74
.84・・・厚肉部、5,25,35゜45.55,6
5,75・・・支持台、6.26’。 36.46,56,66.76・・・半径方向ピエゾ抵
抗素子、7,27,37,47,57,67゜第3圀
泰4囚 第 5 7 (Q−J) (A−2) (B−2) (C−2) 第 6 国 67 第 7 凹
図および第4図は、最近試みられている例の説明図であ
シ、第5図は本発明の説明図であり、第6図は本発明の
第1実施例の説明図であシ、第7図は本発明の第2実施
例の平面図である。 1.21,31.41.51,61.71・・・シリコ
ンダイアフラム、2,22,32,42,52゜62.
72・・・凹部、3,23,33,43,53゜63.
73・・・薄肉部、4.24,34,54゜64.74
.84・・・厚肉部、5,25,35゜45.55,6
5,75・・・支持台、6.26’。 36.46,56,66.76・・・半径方向ピエゾ抵
抗素子、7,27,37,47,57,67゜第3圀
泰4囚 第 5 7 (Q−J) (A−2) (B−2) (C−2) 第 6 国 67 第 7 凹
Claims (1)
- 1、 シリコン単結晶平板の一方の面に、複数個のピエ
ゾ抵抗素子を形成し、このシリコン単結晶平板の他面に
とのピエゾ抵抗素子の位置に対応する薄肉部およびこの
薄肉部を包囲する厚肉部を形成したダイアフラムと、と
の厚肉部に接合されダイアフラムを支持する支持材とを
備えたことを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5921883A JPS59186376A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5921883A JPS59186376A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59186376A true JPS59186376A (ja) | 1984-10-23 |
Family
ID=13107017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5921883A Pending JPS59186376A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59186376A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH055664A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-01-14 | Tokai Rika Co Ltd | セラミツク圧力センサ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441309A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Aika Kogyo Kk | Production of decorative board made of natural wood |
JPS55101837A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-04 | Siemens Ag | Strain gauge type pressure measuring converter |
JPS5691682A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Aida Eng Ltd | Electromotor operation control device of apparatus provided with flywheel |
-
1983
- 1983-04-06 JP JP5921883A patent/JPS59186376A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441309A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Aika Kogyo Kk | Production of decorative board made of natural wood |
JPS55101837A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-04 | Siemens Ag | Strain gauge type pressure measuring converter |
JPS5691682A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Aida Eng Ltd | Electromotor operation control device of apparatus provided with flywheel |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH055664A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-01-14 | Tokai Rika Co Ltd | セラミツク圧力センサ |
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