JPS5918635A - Ｘ線リソグラフイ用マスク - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ用マスクInfo
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- JPS5918635A JPS5918635A JP57127506A JP12750682A JPS5918635A JP S5918635 A JPS5918635 A JP S5918635A JP 57127506 A JP57127506 A JP 57127506A JP 12750682 A JP12750682 A JP 12750682A JP S5918635 A JPS5918635 A JP S5918635A
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｘ＃リングラフィ用マスクは、Ｘ１ｗを良く透過するマ
スク基材としての軽元素化合物よシなる薄膜とその上に
形成された金（きん）等の重金属パターンよシなる。マ
スク基材としての薄膜材料としては、８１ ＨＳ”１ｌ
Ｎ４１ ＢＮＩ Ｔ ’ ＋ポリ１材料等十指に余るも
のが提案されている。マスク基材の有すべき性質として
は、上記のＸ線透過率の他、寸法安定性、化学的安定性
、光透過性、作成の容易さ等が求められる。
スク基材としての軽元素化合物よシなる薄膜とその上に
形成された金（きん）等の重金属パターンよシなる。マ
スク基材としての薄膜材料としては、８１ ＨＳ”１ｌ
Ｎ４１ ＢＮＩ Ｔ ’ ＋ポリ１材料等十指に余るも
のが提案されている。マスク基材の有すべき性質として
は、上記のＸ線透過率の他、寸法安定性、化学的安定性
、光透過性、作成の容易さ等が求められる。
＋９ｉマスクはシリコン半導体プロセス技術を流用でき
安定な膜ができるとされてきたが、従来は主に３ｉウエ
ー八にＢ等のイオンを拡散しｐ０型としたもののエチレ
ンジアミン／ピロカテコール／水などエツチング液に対
するエツチング速度がｐ９としない場合よシ小さいこと
を利用した選択エツチングによって作成していた。
安定な膜ができるとされてきたが、従来は主に３ｉウエ
ー八にＢ等のイオンを拡散しｐ０型としたもののエチレ
ンジアミン／ピロカテコール／水などエツチング液に対
するエツチング速度がｐ９としない場合よシ小さいこと
を利用した選択エツチングによって作成していた。
しかし、この方式によるＳｉマスクの形成は■上記エツ
チング液による選択比が小さいため作成工程が複雑とな
ること、■Ｓｉ膜が２μｍ以下になると膜の緊張が不十
分で、膜のたわみ青が生じ位置精度が悪くなること等に
より、通常は３〜４μｍ５ｇ度の膜として用いられる。
チング液による選択比が小さいため作成工程が複雑とな
ること、■Ｓｉ膜が２μｍ以下になると膜の緊張が不十
分で、膜のたわみ青が生じ位置精度が悪くなること等に
より、通常は３〜４μｍ５ｇ度の膜として用いられる。
この場合、Ｘ線の透過率も小さ゛くなシ、又、マスク合
せ用にレーザ光等を用いる場合はこれらの光に対する透
過率も十分でなく、従来は、マスク構造の工夫等によっ
て、これらの欠点を減少させていた。
せ用にレーザ光等を用いる場合はこれらの光に対する透
過率も十分でなく、従来は、マスク構造の工夫等によっ
て、これらの欠点を減少させていた。
本発明は上記従来の欠点を除去し、１μｍ程度の安定を
緊張したＸ線マスクを提供することを目的とする。上記
目的を達成するため、本発明は、エツチング停止用には
８１３Ｎ４ 膜を用いこの上に多結晶３ｉをＣＶＤ（化
学蒸着法）によって形成し、この膜をレーザアニールし
て、結晶粒の成長をさせたものを用いるものである。レ
ーザアニールは粒成長のために行っているが、これによ
シ、膜表面および膜内における光の散乱を小さくし、光
透過率を単結晶Ｓｉ薄膜と同程度にすることができる。
緊張したＸ線マスクを提供することを目的とする。上記
目的を達成するため、本発明は、エツチング停止用には
８１３Ｎ４ 膜を用いこの上に多結晶３ｉをＣＶＤ（化
学蒸着法）によって形成し、この膜をレーザアニールし
て、結晶粒の成長をさせたものを用いるものである。レ
ーザアニールは粒成長のために行っているが、これによ
シ、膜表面および膜内における光の散乱を小さくし、光
透過率を単結晶Ｓｉ薄膜と同程度にすることができる。
又、Ｓｉ基板上において５ｊｓＮｎは強いひつばシ応力
を有し、この応力を多結晶Ｓｉが一部緩和する形で膜の
緊張を保持するので、Ｓ１単独では不可能な１μｍ程度
の膜でも安定な緊張した膜を得ることができる。
を有し、この応力を多結晶Ｓｉが一部緩和する形で膜の
緊張を保持するので、Ｓ１単独では不可能な１μｍ程度
の膜でも安定な緊張した膜を得ることができる。
以下本発明を実施例を用いて詳しく説明する。
実施例１
第１図に示す構造の多層膜を形成した。１は（１００＞
Ｓ ｉで上面は鏡面研摩しである。この上に２で示す８
１３Ｎ４を５００〜１５００人、ＣＶＤ法によって形成
した。ＣＶＤガスとしてはＳｉＨ４＋ Ｎ Ｈｓを用い
た。この上にさらに３で示す多結晶Ｓｉを５０００Ａ
〜２００００ ＡＣＶＤ法Ｋｌ形成した。反応ガスには
５ＩＨ４を用いた。
Ｓ ｉで上面は鏡面研摩しである。この上に２で示す８
１３Ｎ４を５００〜１５００人、ＣＶＤ法によって形成
した。ＣＶＤガスとしてはＳｉＨ４＋ Ｎ Ｈｓを用い
た。この上にさらに３で示す多結晶Ｓｉを５０００Ａ
〜２００００ ＡＣＶＤ法Ｋｌ形成した。反応ガスには
５ＩＨ４を用いた。
第１図で形成した多結晶３ｉをさらにレーザアニール処
理した。アニール条件は窒素雰囲気中で４９０Ｃ程度に
加熱したウエーノ・にＡｒレーザ（主な波長は５１４５
人と４８８０人）を数十細程度に集光して照射した。こ
の時の走査速度は２０ ｃｍ／ Ｓ ％出力は７〜１２
Ｗを用いた。
理した。アニール条件は窒素雰囲気中で４９０Ｃ程度に
加熱したウエーノ・にＡｒレーザ（主な波長は５１４５
人と４８８０人）を数十細程度に集光して照射した。こ
の時の走査速度は２０ ｃｍ／ Ｓ ％出力は７〜１２
Ｗを用いた。
こうして得たレーザアニール処理したウエーノ・を第１
図の下側から３ｉの周辺部を残してエツチングし、記号
１で示すＳｉを除去する。エツチング液にはＨＦ／ＨＮ
Ｏ８／ＣＨＩ Ｃ０ＯＨの混合液を用いたが、２で示す
８ｉ３Ｎ４がエツチングストツノくになシ、均一な薄膜
が得られた。
図の下側から３ｉの周辺部を残してエツチングし、記号
１で示すＳｉを除去する。エツチング液にはＨＦ／ＨＮ
Ｏ８／ＣＨＩ Ｃ０ＯＨの混合液を用いたが、２で示す
８ｉ３Ｎ４がエツチングストツノくになシ、均一な薄膜
が得られた。
こうして得た薄膜の光透過率を３ｉｓｌ’Ｊ４膜厚５０
０人の場合について第−表にまとめて示す。
０人の場合について第−表にまとめて示す。
なお参考のためにｐ９型の単結晶Ｓｉ膜の値も併せて示
した。
した。
第 −表
第−表において、光透過率は２５Ｃにおける波長６３３
ｎｍにおける値を（透過光強度／入射光強度）で示して
いる。
ｎｍにおける値を（透過光強度／入射光強度）で示して
いる。
第−表から明らかなようにレーザアニール処理によシ、
膜の光透過率は大幅に改良され、実用的にマスク合せに
必要な５０％以上となった。又、備考欄に示したように
、本性による膜は１μｍ程度の膜厚でも緊張して得られ
ていることがわかる。
膜の光透過率は大幅に改良され、実用的にマスク合せに
必要な５０％以上となった。又、備考欄に示したように
、本性による膜は１μｍ程度の膜厚でも緊張して得られ
ていることがわかる。
５０ｍφの＜１００＞ ８ ｉ基板に３０■φの薄膜を
形成した場合の薄膜の平坦性はニュートンリング干渉縞
による測定結果では±０．３μｍ以内であった。
形成した場合の薄膜の平坦性はニュートンリング干渉縞
による測定結果では±０．３μｍ以内であった。
実施例２
実施例１では薄膜上に吸収体パターンを形成せず、膜の
性質のみを示したが、この上に吸収体ノくターンがつい
た場合の安定性について本実施例で述べる。
性質のみを示したが、この上に吸収体ノくターンがつい
た場合の安定性について本実施例で述べる。
パターン形成には実施例１と同様にして得た多層膜上に
金属Ｔｉ４を１００人蒸層重、この上に電子線レジスト
を塗布し、電子線描画装置を用いてレジストパターンを
形成し、この面に電気メッキによって露出部分にＡｕパ
ターン５を０．５μｍ厚さに付着し上記レジストパター
ンを除去した。
金属Ｔｉ４を１００人蒸層重、この上に電子線レジスト
を塗布し、電子線描画装置を用いてレジストパターンを
形成し、この面に電気メッキによって露出部分にＡｕパ
ターン５を０．５μｍ厚さに付着し上記レジストパター
ンを除去した。
この状態が第２図に示されている。
この後、Ｔｉをドライエツチング（エツチングガスＣＦ
４ガス）して除去した。薄膜の形成は実施例１と同様に
フッ硝酸／酢酸系のエツチングによった。
４ガス）して除去した。薄膜の形成は実施例１と同様に
フッ硝酸／酢酸系のエツチングによった。
こうして得たＸ線マスクの平坦度は金をメッキした面と
反対側の面を基準として干渉縞による測定の結果±０，
３μｍ以内であり、吸収パターン形成の前後における平
坦度の変化はなかった。
反対側の面を基準として干渉縞による測定の結果±０，
３μｍ以内であり、吸収パターン形成の前後における平
坦度の変化はなかった。
以上詳述したように、５ｊ３Ｎ４をエツチングストッパ
として用いる多結晶Ｓｉ薄膜マスクにおいて、レーザア
ニールによって光透過率が飛躍的に向上し、安定なＸ線
マスクを得ることができた。
として用いる多結晶Ｓｉ薄膜マスクにおいて、レーザア
ニールによって光透過率が飛躍的に向上し、安定なＸ線
マスクを得ることができた。
本実施例ではアニール法としてレーザアニールした場合
の例を述べたが、ウエーノ・をＳｉの融点直下の１３０
０〜１３５０ｔ：’程度に加熱しておき、これを線状ヒ
ータで追加熱する方法によ９粒成長を促す、いわゆるス
トリップヒータ方式でも同様の効果が得られることはい
うまでもない。
の例を述べたが、ウエーノ・をＳｉの融点直下の１３０
０〜１３５０ｔ：’程度に加熱しておき、これを線状ヒ
ータで追加熱する方法によ９粒成長を促す、いわゆるス
トリップヒータ方式でも同様の効果が得られることはい
うまでもない。
又、ＣＶＤによる多結晶ケイ素の形成を１度に行なわず
、多数回に分けて成長することによシ１μ以上の膜も表
面のくもシなく形成することができるが、この場合にも
さらにアニール処理によって光透過率を増すことができ
る。
、多数回に分けて成長することによシ１μ以上の膜も表
面のくもシなく形成することができるが、この場合にも
さらにアニール処理によって光透過率を増すことができ
る。
第１図はマスク形成直前の薄膜構成を示す図、第２図は
マスク形成直前の薄膜構成とノくターン構成を示す図で
ある。
マスク形成直前の薄膜構成とノくターン構成を示す図で
ある。
Claims (1)
- マスク基材上に所望の形状を有する重金属パターンをそ
なえたものにおりて、上記マスク基板は多結晶シリコン
膜と、チッ化シリコン膜の積層膜であり、かつ上記多結
晶シリコン膜は熱処理されたものであることを特徴とす
るＸ線リングラフィ用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127506A JPS5918635A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127506A JPS5918635A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918635A true JPS5918635A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14961670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127506A Pending JPS5918635A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918635A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
| EP0349633A1 (en) * | 1987-12-09 | 1990-01-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon thin film process |
| JPH0319313A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-28 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 露光マスクの製造方法 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57127506A patent/JPS5918635A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0349633A1 (en) * | 1987-12-09 | 1990-01-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon thin film process |
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
| JPH0583171B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1993-11-25 | Sharp Kk | |
| JPH0319313A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-28 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 露光マスクの製造方法 |
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