JPS59182444A - ポジ型フオトレジストの改良現像液 - Google Patents
ポジ型フオトレジストの改良現像液Info
- Publication number
- JPS59182444A JPS59182444A JP58058386A JP5838683A JPS59182444A JP S59182444 A JPS59182444 A JP S59182444A JP 58058386 A JP58058386 A JP 58058386A JP 5838683 A JP5838683 A JP 5838683A JP S59182444 A JPS59182444 A JP S59182444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- developer
- coupling
- positive type
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポジ型フォトレジスト用現像液に関する。さ
らに詳しくは、感光剤として、キノンジアジド基を含有
するポジ型フォトレズストの現像性能を向上させる有機
アルカリ現像液に関する。
らに詳しくは、感光剤として、キノンジアジド基を含有
するポジ型フォトレズストの現像性能を向上させる有機
アルカリ現像液に関する。
最近の電子工業の発展は目覚しく、その進歩にともなっ
て、ＩＣ％ＬＳ Ｉ、更には、超ＬＳＩへと集積度の増
大がおこなわれてきていることは衆知の事実である。こ
れらの進歩にともないフォトリソグラフィー技術に対す
る要求も、より一層の解像力向上、より微細なパターン
作成と、止まることがない。これら要求に対し、現像時
に、現像液による膨潤、変形という欠点を伴う環化ゴム
系ネガ型フォトレジストに代って、これらの欠点の少な
い解像力、画像ラインの切れの良いキノンジアジド系ポ
ジ型フォトレジストの使用が増大し、主流を占めてきて
いるのが実情である。本発明は、上記キノンジアジド系
ポジ型フォトレジストの現像に際して、本来、レジスト
自身の有する感度、解像力等の特性を更に向上させるの
みならず、現像不良等によるパターン欠陥並びに現像ム
ラの少ない、且つ寸法精度の良い１ｇｍ以下の微細パタ
ーンをも可能にする有機アルカリ現像液を提供すること
にある。
て、ＩＣ％ＬＳ Ｉ、更には、超ＬＳＩへと集積度の増
大がおこなわれてきていることは衆知の事実である。こ
れらの進歩にともないフォトリソグラフィー技術に対す
る要求も、より一層の解像力向上、より微細なパターン
作成と、止まることがない。これら要求に対し、現像時
に、現像液による膨潤、変形という欠点を伴う環化ゴム
系ネガ型フォトレジストに代って、これらの欠点の少な
い解像力、画像ラインの切れの良いキノンジアジド系ポ
ジ型フォトレジストの使用が増大し、主流を占めてきて
いるのが実情である。本発明は、上記キノンジアジド系
ポジ型フォトレジストの現像に際して、本来、レジスト
自身の有する感度、解像力等の特性を更に向上させるの
みならず、現像不良等によるパターン欠陥並びに現像ム
ラの少ない、且つ寸法精度の良い１ｇｍ以下の微細パタ
ーンをも可能にする有機アルカリ現像液を提供すること
にある。
一般に、キノンジアジド系ポジ型フォトレジストとして
は、ベンゾキノンジアジド系に比べて感度の高いナフト
キノンジアジド系が使用されており、ノボラック型フェ
ノール樹脂との単なる混合、あるいは、縮合物として市
販されている。このようなフォトレジストとしては、Ａ
ｚ−１８５０Ｊ Ｃ５ｈｉｐｌｅｙ社製、商品名）、Ｋ
ＦｄＰＲ−Ｂ Ｑ ９ （Ｋｏｄａｃ社製、商品名）、
ＨＰＲ−１０４（ハント社製 商品名） 、 ０ＦＰＲ
−８００（東京応化社製 商品名）等が良く知られてい
る。
は、ベンゾキノンジアジド系に比べて感度の高いナフト
キノンジアジド系が使用されており、ノボラック型フェ
ノール樹脂との単なる混合、あるいは、縮合物として市
販されている。このようなフォトレジストとしては、Ａ
ｚ−１８５０Ｊ Ｃ５ｈｉｐｌｅｙ社製、商品名）、Ｋ
ＦｄＰＲ−Ｂ Ｑ ９ （Ｋｏｄａｃ社製、商品名）、
ＨＰＲ−１０４（ハント社製 商品名） 、 ０ＦＰＲ
−８００（東京応化社製 商品名）等が良く知られてい
る。
これらキノンジアジド系ポジ型フォトレジストの露光、
現像時の反応機構は、現在不明な点も多い。一般には、
８６５〜４８６ｎｍ範囲の波長の光を、マスクを介して
露光すると、露光部のキノンジアジドは、窒素を放出し
てケテン又はカルボニルを形成し、微量の水分によって
、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸となると言われ
ている。
現像時の反応機構は、現在不明な点も多い。一般には、
８６５〜４８６ｎｍ範囲の波長の光を、マスクを介して
露光すると、露光部のキノンジアジドは、窒素を放出し
てケテン又はカルボニルを形成し、微量の水分によって
、アルカリ可溶性のインデンカルボン酸となると言われ
ている。
従って、露光部に充分な光量を露光すれば問題はないが
、寸法精度の観点から、露光量が大になると微細なパタ
ーンが切れなくなる。一方経済性の面からも、生産性を
上げる為に露光時間は短い程、好ましいという二点より
、実際面では、露光量を小さくする傾向にある。この場
合、寸法精度は改善されるが、キノンジアジド系感光剤
が、一部未感光のま＼露光部に存在し、この現象は特に
レジスト皮膜の下層部で顕著となる。ＡＬ配線のパター
ニングにおいては、露光部にて、定在波現象を引き起こ
し、Ａｔ表面近傍の光強度は著しく弱まり、キノンジア
ジドの感光が殆んど行なわれなくなる仁とは一般に良く
知られている事実である。このような状態下で、現像を
実施すると、キノン、未溶解フォトレジストパターンと
溶解部分との境界領域、イワゆるレジストパターンのコ
ーナーエツジ部分林並びに底面は、事実溶解されずに、
局部的に残留し、大巾に寸法精度を狂わせ、又は歩留り
低下の大きな原因となる。然しこれらに対して現在名は
、殆んど効果的な提案がなされていないのが実情である
。特開昭５６−１６２７４６号は、水酸化テトラメチル
アンモニウム水溶液に、ノボラーｌり型フェノール樹脂
を一定量含有させた現像液を提案している。然し、この
提案は、フォトレジスト表面での現像不良を改良するも
めで、レジスト皮膜表面と現像液との親和性を向上させ
、アルカリによる溶解を一定にする試みであり、本発明
の主旨とは異なる。
、寸法精度の観点から、露光量が大になると微細なパタ
ーンが切れなくなる。一方経済性の面からも、生産性を
上げる為に露光時間は短い程、好ましいという二点より
、実際面では、露光量を小さくする傾向にある。この場
合、寸法精度は改善されるが、キノンジアジド系感光剤
が、一部未感光のま＼露光部に存在し、この現象は特に
レジスト皮膜の下層部で顕著となる。ＡＬ配線のパター
ニングにおいては、露光部にて、定在波現象を引き起こ
し、Ａｔ表面近傍の光強度は著しく弱まり、キノンジア
ジドの感光が殆んど行なわれなくなる仁とは一般に良く
知られている事実である。このような状態下で、現像を
実施すると、キノン、未溶解フォトレジストパターンと
溶解部分との境界領域、イワゆるレジストパターンのコ
ーナーエツジ部分林並びに底面は、事実溶解されずに、
局部的に残留し、大巾に寸法精度を狂わせ、又は歩留り
低下の大きな原因となる。然しこれらに対して現在名は
、殆んど効果的な提案がなされていないのが実情である
。特開昭５６−１６２７４６号は、水酸化テトラメチル
アンモニウム水溶液に、ノボラーｌり型フェノール樹脂
を一定量含有させた現像液を提案している。然し、この
提案は、フォトレジスト表面での現像不良を改良するも
めで、レジスト皮膜表面と現像液との親和性を向上させ
、アルカリによる溶解を一定にする試みであり、本発明
の主旨とは異なる。
以下、本発明について詳細に記述する。
本発明に適用される有機アルカリ現像液としては、下式
に示される第４アンモニウム塩基である。
に示される第４アンモニウム塩基である。
（但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ 、 Ｒ４はアルキル基、ア
ラルキル基、アルケニル基、ベンジル基、ヒドロキシア
ルキル基を表わす。） 現在市販されている典型的なものは、（Ｇ（８）４ＮＯ
Ｈ＠（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）（Ｃ）（ａ ） ａＮＯＨで
、前者は、東京応化工業株式会社製ＮＭＤ−１１、住友
化学工業株式会社製５ＯＰＤ、後者は、関東化学株式会
社製ＴＭＫ（商品名、シカクリーン）である。これらは
２〜５ｗｔ％の濃度範囲の水溶液で使用されているのが
実情である。然しアルカリ濃度、並びに不純物の変動は
、現像特性に大きな影響を与えるので、一般には、主成
分以外の不純物は極力除去されねばならなかった。アミ
ン類等のアルカリ性物質、脂肪酸等の有機酸、その他の
有機化合物、金属イオン類等は、極力除去されているの
が実情である。然しこの様に純粋な現像液は、アルカリ
濃度の変動は阻止し得るが、露光部での未感光キノンジ
アジドが存在した場キノンジアジドがノボラック系フェ
ノール樹脂とカップリングし不溶体を形成する事実を究
明し、この不溶体の良い溶剤並びにカップリング阻止剤
を微量添加する方法により本発明を完成未感光キノンジ
アジドとノボラック系フェノール樹脂とのアルカリによ
る力・７プリング生成物（以後カップリング不溶体とい
う）の良い溶剤としては、脂肪族ケトン、環式エーテル
、アミン類が挙げられる。脂肪族ケトンの代表的なもの
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等であり、いずれも好適
な結果を与える。環式エーテルの代表例としては、トリ
メチレンオキシド、ブチレンオキシド、アミレンオキシ
ド、ジオキサン、１．３．５−トリオキサン等であり、
ジオキサン等は極めて好適な結果を与える。又第三アミ
ンの代表的なものとしては、トリメチルアミントリメチ
ルアミンｌオキシド、トリエチルアミン、トリエチルア
ミンオキシド等であり、いずれも又好適な結果を与える
。上記物質の現像液中含有量は、５〜ｉ、ｏｏｏ ｐｐ
ｍであり、好ましくは１０〜２００ ＰＰｒｎの範囲に
ある。本発明の現像液の使用により、従来現像液の欠点
であった現像不良、現像ムラによる寸法精度のバラツキ
等の問題は解消することが出来る。従って、残膜率を僅
かに低下させるのみで、精度よく微細パターンを得ろこ
とが可能になったことは、驚くに値するものである。特
にレジストの初期膜厚が１．５μｍ以上の場合に、効果
は著しく、１．θμｍ程度の微細パターン巾でも、充分
現像可能である。本発明の第二は、力・ソプリング不溶
体の良い溶剤を現像液中に含有せしめ、更に、上記力・
ツブリングを阻止する物質、すなわち第一アミン、第三
アミンを少量含有せしめることにより、残膜率、現像速
度、寸法精度をより一層向上せしめることを見い出した
点にある。
ラルキル基、アルケニル基、ベンジル基、ヒドロキシア
ルキル基を表わす。） 現在市販されている典型的なものは、（Ｇ（８）４ＮＯ
Ｈ＠（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）（Ｃ）（ａ ） ａＮＯＨで
、前者は、東京応化工業株式会社製ＮＭＤ−１１、住友
化学工業株式会社製５ＯＰＤ、後者は、関東化学株式会
社製ＴＭＫ（商品名、シカクリーン）である。これらは
２〜５ｗｔ％の濃度範囲の水溶液で使用されているのが
実情である。然しアルカリ濃度、並びに不純物の変動は
、現像特性に大きな影響を与えるので、一般には、主成
分以外の不純物は極力除去されねばならなかった。アミ
ン類等のアルカリ性物質、脂肪酸等の有機酸、その他の
有機化合物、金属イオン類等は、極力除去されているの
が実情である。然しこの様に純粋な現像液は、アルカリ
濃度の変動は阻止し得るが、露光部での未感光キノンジ
アジドが存在した場キノンジアジドがノボラック系フェ
ノール樹脂とカップリングし不溶体を形成する事実を究
明し、この不溶体の良い溶剤並びにカップリング阻止剤
を微量添加する方法により本発明を完成未感光キノンジ
アジドとノボラック系フェノール樹脂とのアルカリによ
る力・７プリング生成物（以後カップリング不溶体とい
う）の良い溶剤としては、脂肪族ケトン、環式エーテル
、アミン類が挙げられる。脂肪族ケトンの代表的なもの
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等であり、いずれも好適
な結果を与える。環式エーテルの代表例としては、トリ
メチレンオキシド、ブチレンオキシド、アミレンオキシ
ド、ジオキサン、１．３．５−トリオキサン等であり、
ジオキサン等は極めて好適な結果を与える。又第三アミ
ンの代表的なものとしては、トリメチルアミントリメチ
ルアミンｌオキシド、トリエチルアミン、トリエチルア
ミンオキシド等であり、いずれも又好適な結果を与える
。上記物質の現像液中含有量は、５〜ｉ、ｏｏｏ ｐｐ
ｍであり、好ましくは１０〜２００ ＰＰｒｎの範囲に
ある。本発明の現像液の使用により、従来現像液の欠点
であった現像不良、現像ムラによる寸法精度のバラツキ
等の問題は解消することが出来る。従って、残膜率を僅
かに低下させるのみで、精度よく微細パターンを得ろこ
とが可能になったことは、驚くに値するものである。特
にレジストの初期膜厚が１．５μｍ以上の場合に、効果
は著しく、１．θμｍ程度の微細パターン巾でも、充分
現像可能である。本発明の第二は、力・ソプリング不溶
体の良い溶剤を現像液中に含有せしめ、更に、上記力・
ツブリングを阻止する物質、すなわち第一アミン、第三
アミンを少量含有せしめることにより、残膜率、現像速
度、寸法精度をより一層向上せしめることを見い出した
点にある。
キノンジアジドは、アルカリと接すると極めて反応性に
富んだアンチトランス型のジアゾテートを形成すること
は、有機合成分野では良く知られている事実である。
富んだアンチトランス型のジアゾテートを形成すること
は、有機合成分野では良く知られている事実である。
又このジアゾテートは、第一アミン、第二アミン上極め
て早く反応することも良く知られダている。
て早く反応することも良く知られダている。
アルカリの存在下でのキノンジアジドと第一アミン又は
第三アミンとの反応生成物は、アルカリに不溶の為、む
しろレジスト基体の保護膜作用をなし、現像速度の低下
をもたらす。然し逆に、この作用が残膜率並びに解像度
を向上させる働きをすることも事実である。この点に注
目し、カップリング不溶体の良い溶剤と、カップリング
阻止剤としての第一アミン又は第三アミンを適度に現像
液に含有せしめることにより、相乗的にそれらの欠点を
相補い、優れた現像性能が発現される。従来前えられな
かった０、８μｍのパターン迄の現像さえ可能である。
第三アミンとの反応生成物は、アルカリに不溶の為、む
しろレジスト基体の保護膜作用をなし、現像速度の低下
をもたらす。然し逆に、この作用が残膜率並びに解像度
を向上させる働きをすることも事実である。この点に注
目し、カップリング不溶体の良い溶剤と、カップリング
阻止剤としての第一アミン又は第三アミンを適度に現像
液に含有せしめることにより、相乗的にそれらの欠点を
相補い、優れた現像性能が発現される。従来前えられな
かった０、８μｍのパターン迄の現像さえ可能である。
ン、ジエチルアミン、ピペラジン、ピペリジン等であり
、その現像液中含有量は５〜５００ＰＰｍ好ましくは１
０〜２００ ｐｐｍである。これら力・ツブリング阻止
剤と力・ソプリング不溶体の良い溶剤を含有せる現像液
を使用することにより、残膜率、解像度を大巾に向上さ
せることが出来た。
、その現像液中含有量は５〜５００ＰＰｍ好ましくは１
０〜２００ ｐｐｍである。これら力・ツブリング阻止
剤と力・ソプリング不溶体の良い溶剤を含有せる現像液
を使用することにより、残膜率、解像度を大巾に向上さ
せることが出来た。
以下本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
よって本発明が制限されるものではない。
よって本発明が制限されるものではない。
現像液の性能試験に供するシリコンウニｌ−は次のよう
に処理したものを用いた。前処理は、８インチＮ型シリ
コンウェハーをアセトン−トリクレン洗浄し１２０°Ｃ
クリーンオーブン３０分間前焼きにより行った。レジス
ト皮膜作成は前処理づみシリコンウェハーにスピン塗布
機を用いａ ｇ ｏ ｏ ｒｐｍで０ＦＰＲ−８００ポ
ジ型フオトレジストを塗布し、９０°Ｃクリーンオーブ
ン中４０分間プリベーク（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ ）する
事により１．５ μｍ厚みの皮膜を形成させた。
に処理したものを用いた。前処理は、８インチＮ型シリ
コンウェハーをアセトン−トリクレン洗浄し１２０°Ｃ
クリーンオーブン３０分間前焼きにより行った。レジス
ト皮膜作成は前処理づみシリコンウェハーにスピン塗布
機を用いａ ｇ ｏ ｏ ｒｐｍで０ＦＰＲ−８００ポ
ジ型フオトレジストを塗布し、９０°Ｃクリーンオーブ
ン中４０分間プリベーク（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ ）する
事により１．５ μｍ厚みの皮膜を形成させた。
露光はこのシリコンウェハーにテストパターンフォトマ
スクを用いカスパーモデル２０１型コンタクトアライナ
−により６秒間露光した。現像液として、実質的に主成
分以外の不純物を含有しない市販２，３３ｗｔ％水酸化
テトラメチルアンモニウム水溶液（微量の不純物として
アセトン１．５ｐｐｍ、）リメチルアミン８ ｐｐｍ。
スクを用いカスパーモデル２０１型コンタクトアライナ
−により６秒間露光した。現像液として、実質的に主成
分以外の不純物を含有しない市販２，３３ｗｔ％水酸化
テトラメチルアンモニウム水溶液（微量の不純物として
アセトン１．５ｐｐｍ、）リメチルアミン８ ｐｐｍ。
ジメチルアミンｔ、ｏｐｐｍ、モノメチルアミン０、５
ｐｐｍ 、アンモニア１．０ ｐｐｍを含む）と窒素
ガス雰囲気下で現像改良剤として表１に示した含有量に
なるようにアセトン、メチルイソブチルケトン、ブチレ
ンオキシド、ジオキサン、トリメチルアミンとをそれぞ
れ添加した２、３８Ｗ【％水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液を用意した。
ｐｐｍ 、アンモニア１．０ ｐｐｍを含む）と窒素
ガス雰囲気下で現像改良剤として表１に示した含有量に
なるようにアセトン、メチルイソブチルケトン、ブチレ
ンオキシド、ジオキサン、トリメチルアミンとをそれぞ
れ添加した２、３８Ｗ【％水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液を用意した。
各現像液を２００ｒｒｔ、シャーレにとり、温度２１±
０．５℃の条件下で、露光済みシリコンウェハーを７０
秒間浸漬し現像した。現像終了後シリコンウェハーをイ
オン交換水で５分間づつ２回洗浄し、６０゛Ｃクリーン
オーブンにて１０分間乾燥した。走査電子顕微鏡を用い
、ラインＩｔ１１．（１！１ｍライン長さ１１．ＥＩａ
πのレジストパターン１００個所を調べ、寸法精度を狂
わせるコーナーエツジ部分に局部的未溶解フォトレジス
トを有するレジストパターンの存在率（現像不良率とす
る）を求めた。また、タリステップ膜厚計を用い残膜率
を測定した。
０．５℃の条件下で、露光済みシリコンウェハーを７０
秒間浸漬し現像した。現像終了後シリコンウェハーをイ
オン交換水で５分間づつ２回洗浄し、６０゛Ｃクリーン
オーブンにて１０分間乾燥した。走査電子顕微鏡を用い
、ラインＩｔ１１．（１！１ｍライン長さ１１．ＥＩａ
πのレジストパターン１００個所を調べ、寸法精度を狂
わせるコーナーエツジ部分に局部的未溶解フォトレジス
トを有するレジストパターンの存在率（現像不良率とす
る）を求めた。また、タリステップ膜厚計を用い残膜率
を測定した。
次の結果が得られたつ
表１
実施例２
実施例１と同様にシリコンウェハーの前処理、フォトレ
ジスト塗布、露光を行った。
ジスト塗布、露光を行った。
フォトレジスト現像液として実質的に不純物を含有しな
い市販４，５３ｗｔ％水酸化トリメチルエタノールアン
モニウム水溶液と窒素ガス雰囲気下で微量のアセトン、
ジオキサン、トリメチルアミンをそれぞれ含有した４、
５８ｗｔ％水ｍ化トリメチルエタノールアンモニウム水
溶液を用意した。
い市販４，５３ｗｔ％水酸化トリメチルエタノールアン
モニウム水溶液と窒素ガス雰囲気下で微量のアセトン、
ジオキサン、トリメチルアミンをそれぞれ含有した４、
５８ｗｔ％水ｍ化トリメチルエタノールアンモニウム水
溶液を用意した。
実施例１と同様に現像し現像不良率、残膜率を求めた。
次の結果が得られた。
表２
実施例８
実施例１と同様にしてシリコンウェハーの前処理、フォ
トレジストの塗布、露光を行なった。フォトレジスト現
像液として２．８８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液及びアセトン８０ ｐｐｍ含有２．８８％水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用意した。
トレジストの塗布、露光を行なった。フォトレジスト現
像液として２．８８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液及びアセトン８０ ｐｐｍ含有２．８８％水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用意した。
それぞれ次の８通りの方法で現像した。
シャーレに現像液２００ｍ１をとり、温度２１°Ｃでシ
リコンウェハーを浸漬し上下に動かしながら７０秒間現
像した。これを攪拌−浸漬法と称する。
リコンウェハーを浸漬し上下に動かしながら７０秒間現
像した。これを攪拌−浸漬法と称する。
スピン塗布機にシリコンウェハーを取りつけ、現像液を
凸状に滴下し、７０秒間放置し現像液をふりきり、イオ
ン交換水で洗浄した。これをメニスカス現像法と称する
。
凸状に滴下し、７０秒間放置し現像液をふりきり、イオ
ン交換水で洗浄した。これをメニスカス現像法と称する
。
スピン塗布機にシリコンウェハーを取り付け、２０ Ｏ
ｒｐｍで回転しなから噴霧機を用い３０ＰＳｉの圧力で
現像液をスプレーしながら１分現像し水洗した。現像液
の供給量は８ｍ／、／分であった。これをスプレー法と
称する。
ｒｐｍで回転しなから噴霧機を用い３０ＰＳｉの圧力で
現像液をスプレーしながら１分現像し水洗した。現像液
の供給量は８ｍ／、／分であった。これをスプレー法と
称する。
実施例１と同様な測定をしたところ次の結果が得られた
。
。
表８
実施例４
実施例１と同様にシリコンウエノ１−の前処理をした後
、シリコンウェハー表面をヘキサメチレンジシラザンで
処理し、スピン塗布機０．５．１．１．５．２，２．５
．８．４．５．６秒の露光を行った。
、シリコンウェハー表面をヘキサメチレンジシラザンで
処理し、スピン塗布機０．５．１．１．５．２，２．５
．８．４．５．６秒の露光を行った。
現像液として２．８８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液５、アセトン５０ｐｐｍ含有２． ａ ｓ
ｗ ｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、ア
セトン８０ ｐｐｍとジメチルアミン２０ ｐｐｍを合
せて含有する２、８８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液を用意した。浸漬法により６０秒間現像し
、感度（現像完了露光時間）、γ値（解像度）、残膜率
、０．８μｍパターン現像不良率を求めた。
ニウム水溶液５、アセトン５０ｐｐｍ含有２． ａ ｓ
ｗ ｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、ア
セトン８０ ｐｐｍとジメチルアミン２０ ｐｐｍを合
せて含有する２、８８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液を用意した。浸漬法により６０秒間現像し
、感度（現像完了露光時間）、γ値（解像度）、残膜率
、０．８μｍパターン現像不良率を求めた。
次の結果が得られた。
表４
手続補正書（自発）
昭和５９年２月ｌり日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
１、事件の表示
昭和５８年 特許願第 ５８８８６ 号２、発明の名
称 ポジ型フォトレジストの改良現像液 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目■番地５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第２頁最下行に「フォトレジスト」とあるを
「フォトレジスト」と訂正する。
称 ポジ型フォトレジストの改良現像液 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目■番地５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第２頁最下行に「フォトレジスト」とあるを
「フォトレジスト」と訂正する。
２）明細書第４頁第１１行目に「ハント社製商品名」と
あるを「ハント社製、商品名」と補正する。
あるを「ハント社製、商品名」と補正する。
３）明細書第４頁第１２行目に「化社製 商品名」とあ
るを「化社製、商品名」と補正する。
るを「化社製、商品名」と補正する。
４）明細書第８頁第１１行目に「ブチレンオキシド、ア
ミレンオキシド」とあるを、「テトラヒドロフラン、テ
トラヒドロピラン」と訂正する。
ミレンオキシド」とあるを、「テトラヒドロフラン、テ
トラヒドロピラン」と訂正する。
５）明細書第１１頁下から第２行目にｒ２０１Ｊとある
を、ｒ２００１Ｊと補正する。
を、ｒ２００１Ｊと補正する。
６）明細書第１２頁第９行目に「ブチレンオキシド」と
あるを、「テトラヒドロフラン」と訂正する。
あるを、「テトラヒドロフラン」と訂正する。
７）明細書第１８頁表１１フオトレジスト現像液の欄、
應４の行に「ブチレンオキシド」とあるを「テトラヒド
ロ７ラン」と訂正する。
應４の行に「ブチレンオキシド」とあるを「テトラヒド
ロ７ラン」と訂正する。
８）明細書第１４頁表２．７オトレジスト現像液の欄、
厖７の行にｒ４．ａａｗｔ％」とあるを、ｒ ４．５８
％」と改める。
厖７の行にｒ４．ａａｗｔ％」とあるを、ｒ ４．５８
％」と改める。
９）明細書第１５頁第６行目にｒ ２．８８％」とある
をｒ２．８８ｗｔ％」と補正する。
をｒ２．８８ｗｔ％」と補正する。
１０）明細書第１６頁、表８、現像不良率（至）の欄、
Ｆａ １４ 、 Ｆａ ｌ ５及び悪１６の行にｒＯＪ
とあラザン」とあるを「メチルジシラザン」と訂正する
。
Ｆａ １４ 、 Ｆａ ｌ ５及び悪１６の行にｒＯＪ
とあラザン」とあるを「メチルジシラザン」と訂正する
。
１２）明細書第１７頁第１１行目に「水溶液を用」とあ
るを、［水溶液、アセトンａ ｏ ｐｐｍとピペラジン
ａ ｏ ｐｐｍを合せて含有する２、３’８Ｗ【％水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液を用」と改める。
るを、［水溶液、アセトンａ ｏ ｐｐｍとピペラジン
ａ ｏ ｐｐｍを合せて含有する２、３’８Ｗ【％水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液を用」と改める。
１Ｂ）明細書第１８頁の表４を下記のごとく改める。
［表 ４
１４）明細書第８頁下から第６行目に［アミントリメチ
ルアミンオキシド」とあるを、［アミン、トリメチルア
ミンオキシド」と補正する。
ルアミンオキシド」とあるを、［アミン、トリメチルア
ミンオキシド」と補正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 （但し、上式において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ９。 Ｒ４はアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、ベン
ジル基、ヒドロキシアルキル基を表わす） で示される水酸化第４級アンモニウム水溶液に、脂肪族
ケトン類、環式エーテル類および第三鎌アミン類とから
成る群より選ばれた１種又は２種以上の現像改良剤を５
〜１．０００ｐｐｍ含有せしめてなることを特徴とする
ポジ型フォトレジスト用現像液。 ２）一般式 （但し上式において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ 、 Ｒ４はア
ルキル基、アラルキル基、アルケニル基、ベンジル基、
ヒドロキシアルキル基を表わす） で示される水酸化第４級アンモニウム水溶液に、脂肪族
ケトン類、環式エーテル類および第三Ａアミン類とから
成る群より選ばれた１種又は２種以上の現像改良剤を５
〜１．０００ｐｐｍ含有せしめ、更に、第一アミン類お
よび第ニジアミン類から成る群より選ばれた１種又は２
種以上の現像改良剤間〜５００ ｐｐｍ含
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58058386A JPS59182444A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ポジ型フオトレジストの改良現像液 |
| MX200851A MX158996A (es) | 1983-04-01 | 1984-03-30 | Agente revelador para material fotorresistente positivo que contiene modificadores de revelado |
| CA000450923A CA1254429A (en) | 1983-04-01 | 1984-03-30 | Positive photoresist developer containing development modifiers |
| EP84302254A EP0124297B2 (en) | 1983-04-01 | 1984-04-02 | Alkaline solution for developing positive photoresists |
| DE8484302254T DE3476129D1 (en) | 1983-04-01 | 1984-04-02 | Alkaline solution for developing positive photoresists |
| US06/869,858 US4741989A (en) | 1983-04-01 | 1986-05-28 | Positive photoresist aqueous developer solution containing quaternary ammonium hydroxide with aliphatic ketone or cyclic ether alone or with amine as development modifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58058386A JPS59182444A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ポジ型フオトレジストの改良現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182444A true JPS59182444A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0326826B2 JPH0326826B2 (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=13082895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58058386A Granted JPS59182444A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ポジ型フオトレジストの改良現像液 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4741989A (ja) |
| EP (1) | EP0124297B2 (ja) |
| JP (1) | JPS59182444A (ja) |
| CA (1) | CA1254429A (ja) |
| DE (1) | DE3476129D1 (ja) |
| MX (1) | MX158996A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61167948A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性組成物用現像液 |
| WO2014069245A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JP2015007807A (ja) * | 2012-10-31 | 2015-01-15 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0177905B1 (de) * | 1984-10-09 | 1990-12-05 | Hoechst Japan Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternären Ammomiumverbindungen |
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| US4686002A (en) * | 1986-07-18 | 1987-08-11 | Syntex (U.S.A.) Inc. | Stabilized choline base solutions |
| DE3886971T2 (de) * | 1987-04-06 | 1994-05-19 | Hoechst Celanese Corp | Hochkontrastreicher Positiv-Photolack-Entwickler mit Alkanolamin. |
| US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
| US4828965A (en) * | 1988-01-06 | 1989-05-09 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Aqueous developing solution and its use in developing positive-working photoresist composition |
| DE3827567A1 (de) * | 1988-08-13 | 1990-02-22 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung fuer positiv arbeitende photoresists |
| US4997748A (en) * | 1988-08-26 | 1991-03-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developer solution for positive-working resist composition |
| US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
| EP0364895B1 (en) * | 1988-10-20 | 1995-08-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
| US5252436A (en) * | 1989-12-15 | 1993-10-12 | Basf Aktiengesellschaft | Process for developing a positive-working photoresist containing poly(p-hydroxystyrene) and sulfonium salt with an aqueous developer containing basic organic compounds |
| US5164286A (en) * | 1991-02-01 | 1992-11-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant |
| US5538832A (en) * | 1993-12-16 | 1996-07-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Developing solution for producing printed circuit boards and a process for producing printed circuit boards wherein the developing solution comprises a quaternary ammonium hydroxide and a quaternary ammonium carbonate |
| US6007963A (en) * | 1995-09-21 | 1999-12-28 | Sandia Corporation | Method for extreme ultraviolet lithography |
| US6127101A (en) * | 1999-10-12 | 2000-10-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Alkylated aminoalkylpiperazine surfactants and their use in photoresist developers |
| US6268115B1 (en) | 2000-01-06 | 2001-07-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Use of alkylated polyamines in photoresist developers |
| KR101920783B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2018-11-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100429A (en) * | 1980-10-16 | 1982-06-22 | Siemens Ag | Manufacture of structural body |
| JPS57114141A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-15 | San Ei Chem Ind Ltd | Increasing method for developing power of developer for positive type photosensitive resin |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024641B2 (ja) * | 1972-10-17 | 1975-08-18 | ||
| US4191573A (en) * | 1974-10-09 | 1980-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosensitive positive image forming process with two photo-sensitive layers |
| GB1573206A (en) * | 1975-11-26 | 1980-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices |
| US4141733A (en) * | 1977-10-25 | 1979-02-27 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions |
| JPS56122130A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-25 | Sharp Corp | Method for forming pattern of thin film transistor |
| DE3100077A1 (de) * | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
| DE3268203D1 (en) * | 1981-04-10 | 1986-02-13 | Shipley Co | Metal ion-free photoresist developer composition |
| JPS5857128A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-05 | Toshiba Corp | ポジ型フオトレジストの現像液 |
| JPS5882243A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用現像液組成物 |
| JPS58134631A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-08-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
| US4423138A (en) * | 1982-01-21 | 1983-12-27 | Eastman Kodak Company | Resist developer with ammonium or phosphonium compound and method of use to develop o-quinone diazide and novolac resist |
| JPS5962850A (ja) * | 1982-06-17 | 1984-04-10 | シツプレ−・カンパニ−・インコ−ポレ−テツド | フオトレジストの現像組成物および現像法 |
| JPS59219743A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
| JPS59220732A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | フオトレジスト現像液 |
| US4464461A (en) * | 1983-07-22 | 1984-08-07 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP58058386A patent/JPS59182444A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-30 CA CA000450923A patent/CA1254429A/en not_active Expired
- 1984-03-30 MX MX200851A patent/MX158996A/es unknown
- 1984-04-02 DE DE8484302254T patent/DE3476129D1/de not_active Expired
- 1984-04-02 EP EP84302254A patent/EP0124297B2/en not_active Expired
-
1986
- 1986-05-28 US US06/869,858 patent/US4741989A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100429A (en) * | 1980-10-16 | 1982-06-22 | Siemens Ag | Manufacture of structural body |
| JPS57114141A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-15 | San Ei Chem Ind Ltd | Increasing method for developing power of developer for positive type photosensitive resin |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61167948A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性組成物用現像液 |
| JPH0562735B2 (ja) * | 1985-01-21 | 1993-09-09 | Mitsubishi Chem Ind | |
| WO2014069245A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JP2014112176A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-06-19 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JP2015007807A (ja) * | 2012-10-31 | 2015-01-15 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JP2016191953A (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-10 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、並びに、これを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| US10705428B2 (en) | 2012-10-31 | 2020-07-07 | Fujifilm Corporation | Organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, container for organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, and pattern forming method, method of manufacturing electronic device, and electronic device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX158996A (es) | 1989-04-05 |
| US4741989A (en) | 1988-05-03 |
| EP0124297B2 (en) | 1992-10-14 |
| EP0124297A3 (en) | 1986-07-09 |
| JPH0326826B2 (ja) | 1991-04-12 |
| CA1254429A (en) | 1989-05-23 |
| EP0124297A2 (en) | 1984-11-07 |
| EP0124297B1 (en) | 1989-01-11 |
| DE3476129D1 (en) | 1989-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59182444A (ja) | ポジ型フオトレジストの改良現像液 | |
| US4469776A (en) | Developing solution for light-sensitive printing plates | |
| JP3978255B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄剤 | |
| US4873177A (en) | Method for forming a resist pattern on a substrate surface and a scum-remover therefor | |
| CN101384969B (zh) | 抗蚀剂基底处理液和使用它处理抗蚀剂基底的方法 | |
| JP2008102348A (ja) | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 | |
| JP2001215734A (ja) | レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液 | |
| JPS59219743A (ja) | ポジ型レジスト現像液 | |
| KR0144226B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트조성물 | |
| US4808513A (en) | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine | |
| JPH06321835A (ja) | ４−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサノンの選択されたフェノール系誘導体及び放射線感受性混合物のための感受性増強剤としてのその使用 | |
| CN101523295A (zh) | 显影后抗蚀基板处理溶液及使用它的抗蚀基板处理方法 | |
| JPS6333693B2 (ja) | ||
| JPH0815859A (ja) | レジスト用塗布液およびこれを用いたレジスト材料 | |
| JPS6118944A (ja) | 低金属イオンホトレジスト現像液 | |
| JP3069581B2 (ja) | 染色されたポジ型ｉ−線感光性混合物 | |
| JP2000171968A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| KR940007785B1 (ko) | 알칸올아민을 함유한 고콘트라스트 양화 작용성 감광성 내식막 현상액 | |
| EP0851297A1 (en) | Radiation-sensitive composition adapted for roller coating | |
| CN1180849A (zh) | 敏射线组合物 | |
| JPH05224411A (ja) | 迅速なジアゾキノンポジレジスト | |
| JP2000112120A (ja) | ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材 | |
| JP3787323B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材 | |
| JPH01104037A (ja) | 感光性１，２‐ナフトキノン‐２‐ジアジド‐４‐スルホン酸モノエステル | |
| JPH0812423B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 |