JPS59177364A - 有機物蒸発方法とその装置 - Google Patents
有機物蒸発方法とその装置Info
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- JPS59177364A JPS59177364A JP4984883A JP4984883A JPS59177364A JP S59177364 A JPS59177364 A JP S59177364A JP 4984883 A JP4984883 A JP 4984883A JP 4984883 A JP4984883 A JP 4984883A JP S59177364 A JPS59177364 A JP S59177364A
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- JP
- Japan
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- heating
- evaporation
- vapor deposition
- org
- vessel
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜機能素子の保穫材料として用いる各種有機
材料を真空中で蒸発させ、有機ＲＭを形成する蒸着装置
における有機物蒸発方法とその装置に関する。
材料を真空中で蒸発させ、有機ＲＭを形成する蒸着装置
における有機物蒸発方法とその装置に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、高分子、高級脂肪酸、脂肪酸エステル等の有機材
料は、真空蒸着法により得られた薄膜の耐久性、耐候性
を向上させるために、保護用材料としてｎ Ｉｉ・：４
化して用いられる。薄膜化手段として、従来最も良く用
いられてきたのは塗布法であったが、厚さが１μｍ以下
の特に１０００人程度の膜厚を塗布法で均一に得ること
は困難である一万、高沿度磁気記録用の新規な謀体とし
て、Ｃｏ−Ｎ１（イ）系斜方蒸着膜、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直
磁化膜等を磁気記録層とする金属薄膜型磁気記録媒体の
保護層として許容される厚みは高々数百人であることか
ら、有機材料を無機材料の薄膜化に法尻に利用されてき
ている真空蒸着法により麩膜化することが検討されはじ
めている。
料は、真空蒸着法により得られた薄膜の耐久性、耐候性
を向上させるために、保護用材料としてｎ Ｉｉ・：４
化して用いられる。薄膜化手段として、従来最も良く用
いられてきたのは塗布法であったが、厚さが１μｍ以下
の特に１０００人程度の膜厚を塗布法で均一に得ること
は困難である一万、高沿度磁気記録用の新規な謀体とし
て、Ｃｏ−Ｎ１（イ）系斜方蒸着膜、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直
磁化膜等を磁気記録層とする金属薄膜型磁気記録媒体の
保護層として許容される厚みは高々数百人であることか
ら、有機材料を無機材料の薄膜化に法尻に利用されてき
ている真空蒸着法により麩膜化することが検討されはじ
めている。
しかし、有機材料は無機材料の蒸葛の場合と異なり、蒸
発に必要なエネルギーが少なくてすむ半面、蒸発速度の
制御がむづかしい。それは、蒸発温度と分解温度が接近
していることからくる困難性で、ポリエチレン及びポリ
プロピレンについては、最適蒸発温度に保持し蒸着する
方法が見出されているが、汎用性が乏しく、これまで試
みられてきた電子ビーム加熱法、ドラム表面に供給し、
蒸発させる方法、フラッシュ蒸着させる方法のいずれも
が、限定した材料について成功しているだけで、長時間
、安定に作動する有機材料の蒸発源で汎用性の高いもの
は存在しないのが現状である。
発に必要なエネルギーが少なくてすむ半面、蒸発速度の
制御がむづかしい。それは、蒸発温度と分解温度が接近
していることからくる困難性で、ポリエチレン及びポリ
プロピレンについては、最適蒸発温度に保持し蒸着する
方法が見出されているが、汎用性が乏しく、これまで試
みられてきた電子ビーム加熱法、ドラム表面に供給し、
蒸発させる方法、フラッシュ蒸着させる方法のいずれも
が、限定した材料について成功しているだけで、長時間
、安定に作動する有機材料の蒸発源で汎用性の高いもの
は存在しないのが現状である。
発明の目的
本発明は、再現性良く、且つ長時間にわたって安定に作
動する有機材料の蒸発方法とそれを実現するに適した装
置を提供することを目的とする。
動する有機材料の蒸発方法とそれを実現するに適した装
置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の有機物蒸着方法は、有機蒸着材料に加熱用微粒
子を分散させ、加熱用微粒子を加熱して前記有機蒸着材
料を蒸発温度に加熱することを特徴とし、有機蒸着材料
に占める割合を変えることで、昇温速度、温度制御性を
自由にコントロールできるもので、対流により、加熱微
粒子も均一に分散し、安定蒸発を可能にするものである
。また。
子を分散させ、加熱用微粒子を加熱して前記有機蒸着材
料を蒸発温度に加熱することを特徴とし、有機蒸着材料
に占める割合を変えることで、昇温速度、温度制御性を
自由にコントロールできるもので、対流により、加熱微
粒子も均一に分散し、安定蒸発を可能にするものである
。また。
高温部が局所化している従来の蒸発源と異なり・蒸発速
度を大きくすると、部分的には分解温度に達し１分解が
起る等の不都合もなく、シかも大容量になるほど安定で
ある特長を有し、工業用としまた、本発明の有機物蒸発
装置は、有機蒸着材料と加熱用微粒子との混合物を収容
する蒸発源容器を設け、前記加熱用微粒子を蒸発源容器
の外方より加熱する加熱装置を設けたことをｑ！ｉ徴と
する。
度を大きくすると、部分的には分解温度に達し１分解が
起る等の不都合もなく、シかも大容量になるほど安定で
ある特長を有し、工業用としまた、本発明の有機物蒸発
装置は、有機蒸着材料と加熱用微粒子との混合物を収容
する蒸発源容器を設け、前記加熱用微粒子を蒸発源容器
の外方より加熱する加熱装置を設けたことをｑ！ｉ徴と
する。
蒸発源容器は、真空槽の内部に内蔵する構成と。
蒸発源容器が真空欄の一部を構成する場合とに大別する
ことが出来る。
ことが出来る。
広幅の基材が蒸着する対象になることが多いから、蒸発
源の形状、数量はｌ！１．′！１方向に均一な１９みの
蒸着が行えるように、公知の工夫を必要とするのは勿論
である。
源の形状、数量はｌ！１．′！１方向に均一な１９みの
蒸着が行えるように、公知の工夫を必要とするのは勿論
である。
本発明に用いられる加熱川伝粒子は１例えば。
カーボン、表面安定処理された合金微粒子等で。
溶液トなっている有機物質中に均一に分散された状態に
なるように、サイズは０１μｍから２μｍぐらいの範囲
が好ましく、有機蒸着材料と反応したり。
なるように、サイズは０１μｍから２μｍぐらいの範囲
が好ましく、有機蒸着材料と反応したり。
分解に対して触媒作用したりしないように組み合わせれ
ば良い。
ば良い。
加熱装置としては１例えば高周波誘導加熱を適用するこ
とができ、この場合、蒸発源容器は石英ガラス又はパイ
レックスガラス等で構成されるがそれ自身、誘導加熱さ
れないものであって、緻密な材料であれば、特別制約は
ない。また、この場合の加熱用微粒子としては、高周波
電力により。
とができ、この場合、蒸発源容器は石英ガラス又はパイ
レックスガラス等で構成されるがそれ自身、誘導加熱さ
れないものであって、緻密な材料であれば、特別制約は
ない。また、この場合の加熱用微粒子としては、高周波
電力により。
うず電流損失とヒステリシス損失により加熱される微粒
子材料であればよいが、カーボンが適している。カーボ
ンであれば、カーボン自身は蒸発温。
子材料であればよいが、カーボンが適している。カーボ
ンであれば、カーボン自身は蒸発温。
度に達することなく、有機物蒸着材料を加熱蒸発させる
だけの作用を、汎ゆる有機材料に対して保持することと
、各種のサイズが入手し易いため、極めて有用である。
だけの作用を、汎ゆる有機材料に対して保持することと
、各種のサイズが入手し易いため、極めて有用である。
誘導加熱のためには、普通コイルが前記蒸発源容器の周
囲に配設されるが、コイルを水冷°構造にするか否かは
、蒸発源の容積。
囲に配設されるが、コイルを水冷°構造にするか否かは
、蒸発源の容積。
蒸発材料により決定ずれが良い。用いる高周波は１００
ＫＨｚから２ＭＨｚあたりまでが良くもちいられる。
ＫＨｚから２ＭＨｚあたりまでが良くもちいられる。
実施例の説明
以下１本発明の有機物蒸発方法を具体的な一実施例に基
づいて説明する。なお、本発明は蒸発源装置単独の特性
について詳述するよりも、実際に蒸着しｔこものの特性
について見る方が１本発明の効果が明らかとなることか
ら以下の説明では１本発明の蒸発源装置を組込んだ巻取
り蒸着機により金属薄膜型磁気記録媒体の有板保護膜の
形成を中心に取り扱うものとする。
づいて説明する。なお、本発明は蒸発源装置単独の特性
について詳述するよりも、実際に蒸着しｔこものの特性
について見る方が１本発明の効果が明らかとなることか
ら以下の説明では１本発明の蒸発源装置を組込んだ巻取
り蒸着機により金属薄膜型磁気記録媒体の有板保護膜の
形成を中心に取り扱うものとする。
図面は本発明による蒸発方法による蒸発装置を具備した
巻取り蒸着機の構成図を示す。
巻取り蒸着機の構成図を示す。
保護膜形成の対象となる基材（１）は、高分子基板の一
方の面又は両方の面に１強磁性薄膜が、電子ビーム蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティングメッキ等によ
り形成されたものである。この基板（１０よ回転支持体
（２）を経て送り出し軸（３）より巻取り軸（４）に巻
取られる。回転支持体（２）は、冷却または加熱のいず
れにも用いることのできるものである。回転支持体（２
）と対向して下方に本発明の蒸発装置が配設される。こ
こで有機蒸着材料と加熱用微粒子との混合物（７）を収
容する蒸発源容器（５）は。
方の面又は両方の面に１強磁性薄膜が、電子ビーム蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティングメッキ等によ
り形成されたものである。この基板（１０よ回転支持体
（２）を経て送り出し軸（３）より巻取り軸（４）に巻
取られる。回転支持体（２）は、冷却または加熱のいず
れにも用いることのできるものである。回転支持体（２
）と対向して下方に本発明の蒸発装置が配設される。こ
こで有機蒸着材料と加熱用微粒子との混合物（７）を収
容する蒸発源容器（５）は。
真空槽（６）の一部を構成する鍔付の角形容器で、パイ
レックスガラスから作られている。なお、鍔の部分で、
Ｏリング（２）によるシールが施されており、脱着自在
に構成することで保守性は改良される。
レックスガラスから作られている。なお、鍔の部分で、
Ｏリング（２）によるシールが施されており、脱着自在
に構成することで保守性は改良される。
Ｏリング（２）の部分は、必要ならば冷却されるのは勿
論である。
論である。
蒸発源容器（５）の外周には、角形の高周波コイル（８
）が配設されており、高周波コイル（８）は高周波電源
（９）に整合回路αＱを介して接続されている。σηは
真空排気系である。
）が配設されており、高周波コイル（８）は高周波電源
（９）に整合回路αＱを介して接続されている。σηは
真空排気系である。
なお、膜厚モニタ、ガス導入系等は、適宜用いられるの
は勿論である。
は勿論である。
比較例として、蒸発源容器内にシーズヒータを投入固定
したものを用いて下記の各実験例の材料について有機蒸
着したものを用いた。
したものを用いて下記の各実験例の材料について有機蒸
着したものを用いた。
実施例
１０．５μｍ、 ５０（ｍ幅のポリエチレンテレフタレ
ート上に２ ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの酸素中でＣｏ
８０％ Ｎｉ ２０％を０．１５μｍ電子ビーム蒸着し
た。最小入射角は４０℃で、直径１ｍの回転支持体（２
）上での変形斜方蒸着によった。前記方法で得たＣｏ−
Ｎｉ−０膜上に、ミリスチン酸を蒸着した。均一厚み換
算で４ＯＡとなるよう制御した。用いた蒸発源は１幅方
向長さ６８ｃｍのパイレックス製容器で、内容積４．Ｉ
Ｍの角型容器の周囲に４タ一ン高周波コイル（８）を巻
いたものである。用いた高周波電源（９）はＩＭＨ２’
ｉｃ最大出力４Ｋｗの電源である。混合物（７）は、ミ
リスチン酸１００重量部に対して、平均粒径０．２メｊ
ｍのカーボン微粒子を２０ＯＮ量部混合させた。仕込む
前に、ボールミル中で６時間分散処理を行った。このよ
うにしてミリスチン酸の補給はなしで、基板（１）を全
長４，０００ ｍに渡って有機蒸着を実施した。
ート上に２ ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの酸素中でＣｏ
８０％ Ｎｉ ２０％を０．１５μｍ電子ビーム蒸着し
た。最小入射角は４０℃で、直径１ｍの回転支持体（２
）上での変形斜方蒸着によった。前記方法で得たＣｏ−
Ｎｉ−０膜上に、ミリスチン酸を蒸着した。均一厚み換
算で４ＯＡとなるよう制御した。用いた蒸発源は１幅方
向長さ６８ｃｍのパイレックス製容器で、内容積４．Ｉ
Ｍの角型容器の周囲に４タ一ン高周波コイル（８）を巻
いたものである。用いた高周波電源（９）はＩＭＨ２’
ｉｃ最大出力４Ｋｗの電源である。混合物（７）は、ミ
リスチン酸１００重量部に対して、平均粒径０．２メｊ
ｍのカーボン微粒子を２０ＯＮ量部混合させた。仕込む
前に、ボールミル中で６時間分散処理を行った。このよ
うにしてミリスチン酸の補給はなしで、基板（１）を全
長４，０００ ｍに渡って有機蒸着を実施した。
実施例
〔実験例−１つの条件で、ミリスチン酸の代りに、ステ
アリン酸アミド１００重電部、平均粒径０６μｍのカー
ボン微粒子を１５０重量部混合させ用い実施例 実施例 〔実験例−１〕の条件で、ミリスチン酸の代りにパルミ
チン酸エチルを用い、実施した。
アリン酸アミド１００重電部、平均粒径０６μｍのカー
ボン微粒子を１５０重量部混合させ用い実施例 実施例 〔実験例−１〕の条件で、ミリスチン酸の代りにパルミ
チン酸エチルを用い、実施した。
実施例
１０．５μｍ、５０（ｍ幅のポリアミド上に、 ６Ｘ１
０−３Ｔｏｒｒのアルゴン中で００７８％、Ｃｒ２２％
を０、Ｑｐｍ高周波マグトロンスパッタ蒸着した。次に
、前記Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上に、ステアリン酸を〔実
験例−１〕と同じ要領で有機蒸着した・ 実施例 〔実験例−４〕と同一のＣｏ−Ｃｒ蒸着膜上に、ステア
リン酸メチルと、ベヘン酸を同時蒸着した。
０−３Ｔｏｒｒのアルゴン中で００７８％、Ｃｒ２２％
を０、Ｑｐｍ高周波マグトロンスパッタ蒸着した。次に
、前記Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上に、ステアリン酸を〔実
験例−１〕と同じ要領で有機蒸着した・ 実施例 〔実験例−４〕と同一のＣｏ−Ｃｒ蒸着膜上に、ステア
リン酸メチルと、ベヘン酸を同時蒸着した。
両者の混合層の厚みを均一厚み換算で５５人となるよう
制御した。内容積５，６ｅのパイレックス製角形容器に
、ステアリン酸メチル１００部とベヘン酸２００部平均
粒径１．４μｍのカーボン微粒子４００部をチャージし
、前記容器（５）の外周に巻いた５ターンの高周波コイ
ル（８）に２ＭＨ２％最大出力８ＫＷの高周波電源〔９
）を接続して蒸発速度を制御した。全長８．０００ｍに
渡って、補給なしで有機蒸着を実施した。
制御した。内容積５，６ｅのパイレックス製角形容器に
、ステアリン酸メチル１００部とベヘン酸２００部平均
粒径１．４μｍのカーボン微粒子４００部をチャージし
、前記容器（５）の外周に巻いた５ターンの高周波コイ
ル（８）に２ＭＨ２％最大出力８ＫＷの高周波電源〔９
）を接続して蒸発速度を制御した。全長８．０００ｍに
渡って、補給なしで有機蒸着を実施した。
以上の〔実験例−１〕から〔実験例−５つまでの原反と
、前述のように蒸発源容器の（５）中にシーズヒータを
投入固定して直接に加熱した〔比較例−１〕から〔比較
例−５〕までの原反から、各５本の３ｍｍ幅の磁気テー
プを抽出した。各５本の幅方向の位皿は、中央部１本と
、中央部より２０本目金、２８本目金夫々各２本とした
。
、前述のように蒸発源容器の（５）中にシーズヒータを
投入固定して直接に加熱した〔比較例−１〕から〔比較
例−５〕までの原反から、各５本の３ｍｍ幅の磁気テー
プを抽出した。各５本の幅方向の位皿は、中央部１本と
、中央部より２０本目金、２８本目金夫々各２本とした
。
それぞれのテープの摩擦係敬の長手方向１幅方向での安
定性により、有機蒸着の安定性を間接的に評価した。そ
の結果をまとめｔこものが下記表である。尚、間際係数
はφ５のＳＵＳ Ｏ，ｌＳのポストに対し１８０°巻き
つけ、 ２．４ｃｍ／ｓｅｃで走行させた時の動摩擦係
数である。
定性により、有機蒸着の安定性を間接的に評価した。そ
の結果をまとめｔこものが下記表である。尚、間際係数
はφ５のＳＵＳ Ｏ，ｌＳのポストに対し１８０°巻き
つけ、 ２．４ｃｍ／ｓｅｃで走行させた時の動摩擦係
数である。
く表〉
実験例と比較例を比べると実験例は。
０長手方向に安定している。
０各長手位置での幅方向のバラツキも小さい。
トイう特長を確認することが出来る。
なお、上記実施例においては加熱装置として高周波電源
を用い、加熱用微粒子として高周波電力によりうず電流
損失とヒステリシス損失を示すものを用いて、誘導加熱
されるものとしたが、加熱手段はこれに限定されるもの
ではなく、例えば加熱用微粒子として光を吸収して発熱
するものを用い、加熱装置として蒸発源容器中に光を照
射する光源とすることもできる。
を用い、加熱用微粒子として高周波電力によりうず電流
損失とヒステリシス損失を示すものを用いて、誘導加熱
されるものとしたが、加熱手段はこれに限定されるもの
ではなく、例えば加熱用微粒子として光を吸収して発熱
するものを用い、加熱装置として蒸発源容器中に光を照
射する光源とすることもできる。
発明の詳細
な説明のように本発明の蒸発方法とその装置によると、
蒸発源は、容器が直接加熱されないので汚染がなく、加
熱用微粒子はコロイド状に均一分散したもので、熱源が
対流により均一に蒸着材全体を加熱でき、極めて、安定
で、長時間作動でき、且つ１分解もなく、蒸気圧の高い
有機材料も安定に蒸発でき、この蒸発源を用いた蒸着機
により、極めて薄い有機薄膜を大面積に渡って得ること
ができるものである。
蒸発源は、容器が直接加熱されないので汚染がなく、加
熱用微粒子はコロイド状に均一分散したもので、熱源が
対流により均一に蒸着材全体を加熱でき、極めて、安定
で、長時間作動でき、且つ１分解もなく、蒸気圧の高い
有機材料も安定に蒸発でき、この蒸発源を用いた蒸着機
により、極めて薄い有機薄膜を大面積に渡って得ること
ができるものである。
図面は本発明の蒸発方法の具体的な一実施例による蒸発
装置を具備した蒸着装置の要部構成図である。 （１戸・・基板、（２）・・・回転支持体、（５）・・
・蒸発源容器、（７）°・″有機蒸着材料と加熱用微粒
子との混合物、四・・・高周波電源 代理人 森本義弘
装置を具備した蒸着装置の要部構成図である。 （１戸・・基板、（２）・・・回転支持体、（５）・・
・蒸発源容器、（７）°・″有機蒸着材料と加熱用微粒
子との混合物、四・・・高周波電源 代理人 森本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機蒸着材料に加熱用微粒子を分散させ、加熱用微
粒子を加熱して前記有機蒸着材料を蒸発温度に加熱する
有機物蒸発方法。 ２、 有機蒸着材料と加熱用微粒子との混合物を収容す
る蒸発源容器を設け、前記加熱用微粒子を蒸発源容器の
外方より加熱する加熱装置を設けた有機物蒸発装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4984883A JPS59177364A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 有機物蒸発方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4984883A JPS59177364A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 有機物蒸発方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177364A true JPS59177364A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12842475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4984883A Pending JPS59177364A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 有機物蒸発方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177364A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102534511A (zh) * | 2012-02-28 | 2012-07-04 | 东北大学 | 一种气相沉积薄膜的装置及其使用方法 |
| EP2659022A2 (en) * | 2010-12-27 | 2013-11-06 | Posco | Dry coating apparatus |
| CN103857824A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-06-11 | 日本电气硝子株式会社 | 成膜装置和附带膜的玻璃膜的制造方法 |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP4984883A patent/JPS59177364A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2659022A2 (en) * | 2010-12-27 | 2013-11-06 | Posco | Dry coating apparatus |
| JP2014501335A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-01-20 | ポスコ | 乾式コーティング装置 |
| EP2659022A4 (en) * | 2010-12-27 | 2014-06-11 | Posco | DRY COATING DEVICE |
| US9732423B2 (en) | 2010-12-27 | 2017-08-15 | Posco | Dry coating apparatus |
| CN103857824A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-06-11 | 日本电气硝子株式会社 | 成膜装置和附带膜的玻璃膜的制造方法 |
| CN103857824B (zh) * | 2011-12-16 | 2015-11-25 | 日本电气硝子株式会社 | 成膜装置和附带膜的玻璃膜的制造方法 |
| US9463998B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-10-11 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Manufacturing method for glass with film |
| CN102534511A (zh) * | 2012-02-28 | 2012-07-04 | 东北大学 | 一种气相沉积薄膜的装置及其使用方法 |
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