JPS59173134A - 槽内の懸濁液の質量管理方法とその装置 - Google Patents
槽内の懸濁液の質量管理方法とその装置Info
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- JPS59173134A JPS59173134A JP4632683A JP4632683A JPS59173134A JP S59173134 A JPS59173134 A JP S59173134A JP 4632683 A JP4632683 A JP 4632683A JP 4632683 A JP4632683 A JP 4632683A JP S59173134 A JPS59173134 A JP S59173134A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は槽内の懸濁液又は水溶液のスラリー濃度又は比
重、つまシ液質量を、槽内高さ方向、幅方向、周方向の
１又は２以上の各位置で連続的に測定して、該液の質量
分布を所定の分布状態に調整する方法および装置を提供
するものである。
重、つまシ液質量を、槽内高さ方向、幅方向、周方向の
１又は２以上の各位置で連続的に測定して、該液の質量
分布を所定の分布状態に調整する方法および装置を提供
するものである。
例えば、硫安、尿素、硝酸アンモン、塩化アンモン等を
製造する晶析装置において、商品性の高い粒度でかつ粒
のそろった結晶を得るには少ない結晶核を充分に成長さ
せるに必要な滞留時間をとると共に加熱部分に循環され
る溶液中の結晶核は加熱によシ容易に消滅する程度に少
なく、かつ小さいことが重要である。
製造する晶析装置において、商品性の高い粒度でかつ粒
のそろった結晶を得るには少ない結晶核を充分に成長さ
せるに必要な滞留時間をとると共に加熱部分に循環され
る溶液中の結晶核は加熱によシ容易に消滅する程度に少
なく、かつ小さいことが重要である。
無機物の溶解度は一般に温度上昇と共に増加するので、
加熱部分に供給される液中の結晶核が微量の場合には昇
温によって溶解し、結晶核は消滅する。加熱部分に供給
される液中の結晶核を少なくするには結晶槽内において
結晶を充分沈降させ結晶をほとんど含まない液を加熱部
分に供給出来るようにすることが処理効率を高め操業精
度を陶工、スラリー濃度と称す） ′−°−分布状態を 知る必要がある。
加熱部分に供給される液中の結晶核が微量の場合には昇
温によって溶解し、結晶核は消滅する。加熱部分に供給
される液中の結晶核を少なくするには結晶槽内において
結晶を充分沈降させ結晶をほとんど含まない液を加熱部
分に供給出来るようにすることが処理効率を高め操業精
度を陶工、スラリー濃度と称す） ′−°−分布状態を 知る必要がある。
この点について、例えば、−貫製鉄プロセスにおいてコ
ークス炉で発生したコークス炉ガス中のアンモニア分を
希硫酸と反応させて硫安を製造している工程を示す第１
図をもとに以下に詳述する。
ークス炉で発生したコークス炉ガス中のアンモニア分を
希硫酸と反応させて硫安を製造している工程を示す第１
図をもとに以下に詳述する。
図示装置は、
（１）硫安製造能カニ粒度１〜５咽の結晶硫安を９ｔ／
Ｈで生産。
Ｈで生産。
（２）結晶槽の容量：高さ工Ｏｍ、胴部径６ｍφ、容量
２００−０ （３）標準硫安母液二温度５２℃、過飽和度（硫安製造
量／循環硫安母液容量）２，０〜２．５ Ｔ’ｙ／ｌｒ
ｉ、循環硫安母液量３５ｏｏ Ｎｒｒｌ／Ｈ〜４５００
− Ｎｔｒｌ／ＨＯで稼動しておセ、図中、アンモニア
飽和器１の下部よシ流入したアンモニアを含有したコー
クス触しつつ上昇して上部よシ流出する。このとき、該
ガスＣＯＧ中のアンモニアは硫安母液に吸収され飽和器
１下部に流下する。流下した硫安母液は配管４を通って
循環槽５内に戻シ、硫安濃度が所定値であると、この硫
安母液をポンプ８によって配管９を介して循環槽５から
抜取勺加熱器１０、蒸発缶１１、結晶槽重２よ９成る晶
析装置Ａに供給する。一方硫安籏度の低い硫安母液はさ
らにポンプ６によシ配管７を通って再び飽和器１内に送
スフル− られノズル２から −゛・ される。このアンモニア吸
収によって減少した硫安母液中の硫酸分は希硫酸補給管
５３から循環槽５に補給する。前記によシ晶析装置Ａに
送られた硫安母液は上記加熱器ＩＯで加熱されさらに凝
縮器１１ａ１及びエゼクタ−１ｉｔ）で真空を保った蒸
発ｆｆ１ｌｌで水分を蒸発し、硫安の過飽和母液となる
。この過飽和状態の硫安母液は結晶槽１２に浸漬して設
けた下向ラッパ状の下降管１３を流下して同種１２内の
底部に流出し同種１２内を上昇する。この過飽和状態の
硫安母液は不安定であシ、結晶槽１２内を上昇中に
上方から沈降してくる成長途上の
結晶核にも析出付着して該結晶發を更に成長させ過飽和
状態を失い結晶槽１２の −液面下に設けた上澄
回収樋１６に流入し、ポンプ１７によシ再び加熱器１０
に送られる。このようにして成長した結晶粒は結晶槽１
２の底部よシポンプ２８によシ配管１４を介してスラリ
ー状態で抜取られ、脱水、乾燥工程の脱水器１８、乾燥
器工９を経て製品硫安２Ωとなる。
２００−０ （３）標準硫安母液二温度５２℃、過飽和度（硫安製造
量／循環硫安母液容量）２，０〜２．５ Ｔ’ｙ／ｌｒ
ｉ、循環硫安母液量３５ｏｏ Ｎｒｒｌ／Ｈ〜４５００
− Ｎｔｒｌ／ＨＯで稼動しておセ、図中、アンモニア
飽和器１の下部よシ流入したアンモニアを含有したコー
クス触しつつ上昇して上部よシ流出する。このとき、該
ガスＣＯＧ中のアンモニアは硫安母液に吸収され飽和器
１下部に流下する。流下した硫安母液は配管４を通って
循環槽５内に戻シ、硫安濃度が所定値であると、この硫
安母液をポンプ８によって配管９を介して循環槽５から
抜取勺加熱器１０、蒸発缶１１、結晶槽重２よ９成る晶
析装置Ａに供給する。一方硫安籏度の低い硫安母液はさ
らにポンプ６によシ配管７を通って再び飽和器１内に送
スフル− られノズル２から −゛・ される。このアンモニア吸
収によって減少した硫安母液中の硫酸分は希硫酸補給管
５３から循環槽５に補給する。前記によシ晶析装置Ａに
送られた硫安母液は上記加熱器ＩＯで加熱されさらに凝
縮器１１ａ１及びエゼクタ−１ｉｔ）で真空を保った蒸
発ｆｆ１ｌｌで水分を蒸発し、硫安の過飽和母液となる
。この過飽和状態の硫安母液は結晶槽１２に浸漬して設
けた下向ラッパ状の下降管１３を流下して同種１２内の
底部に流出し同種１２内を上昇する。この過飽和状態の
硫安母液は不安定であシ、結晶槽１２内を上昇中に
上方から沈降してくる成長途上の
結晶核にも析出付着して該結晶發を更に成長させ過飽和
状態を失い結晶槽１２の −液面下に設けた上澄
回収樋１６に流入し、ポンプ１７によシ再び加熱器１０
に送られる。このようにして成長した結晶粒は結晶槽１
２の底部よシポンプ２８によシ配管１４を介してスラリ
ー状態で抜取られ、脱水、乾燥工程の脱水器１８、乾燥
器工９を経て製品硫安２Ωとなる。
この製品硫安の粒度は肥料としての利用上、粒度を１〜
５圏にすることが望ましく、結晶槽１２の底部よシ抜取
る際、この粒度範囲に成るように常に硫安製造工程の結
晶槽１２内の結晶与の量とその成長を制御、調整するこ
とが、前述したように硫安製造上重要である。
５圏にすることが望ましく、結晶槽１２の底部よシ抜取
る際、この粒度範囲に成るように常に硫安製造工程の結
晶槽１２内の結晶与の量とその成長を制御、調整するこ
とが、前述したように硫安製造上重要である。
このため、従来は第２図に示す方法で、結晶槽１２内の
゛瞥脣使Φ寺希スラリー譲
度分布を調査することで管理していた。この作業は４時
間毎に第２図（ａ）に示すように結晶槽１２の上部に設
けた点検口２１よシ第２図（ｂ）に示すサンプリングビ
ン２２を槽１２内の結晶懸濁液１５中に沈降させ各々の
所定位置で停止して紐２３を引いてゴム栓２４を抜き、
同種１２内の所定位置の結晶懸濁液１５を収容してのち
紐２５を引き上げることによシ同懸濁液１５をサンプリ
ングしていた。この各サンプリング液を第２図（ｃ）に
示すメスシリンダー２６に注入し、所定時間静置沈澱さ
せ、目視によシメスシリンダー２６に設けた目盛でメス
シリンダー２６中の結晶分と硫安母液の合計の高さＨｌ
と、結晶分の高さＨｌを読取シ、これから硫安母２ 液のスラリー濃度（−Ｘ１００．（％）〕を算出すＨす る０ この測定結果の例を第３図（ａ）〜（Ｌｉ）に示す。
゛瞥脣使Φ寺希スラリー譲
度分布を調査することで管理していた。この作業は４時
間毎に第２図（ａ）に示すように結晶槽１２の上部に設
けた点検口２１よシ第２図（ｂ）に示すサンプリングビ
ン２２を槽１２内の結晶懸濁液１５中に沈降させ各々の
所定位置で停止して紐２３を引いてゴム栓２４を抜き、
同種１２内の所定位置の結晶懸濁液１５を収容してのち
紐２５を引き上げることによシ同懸濁液１５をサンプリ
ングしていた。この各サンプリング液を第２図（ｃ）に
示すメスシリンダー２６に注入し、所定時間静置沈澱さ
せ、目視によシメスシリンダー２６に設けた目盛でメス
シリンダー２６中の結晶分と硫安母液の合計の高さＨｌ
と、結晶分の高さＨｌを読取シ、これから硫安母２ 液のスラリー濃度（−Ｘ１００．（％）〕を算出すＨす る０ この測定結果の例を第３図（ａ）〜（Ｌｉ）に示す。
（ａ）は結晶槽１２内の硫安母液の温度、過飽和度が前
記標準状態であ）、製造した硫安の結晶粒度第５１〜５
ｍの範囲に安定して維持されているときの状態であシ、
何ら調整の必要はないものである。
記標準状態であ）、製造した硫安の結晶粒度第５１〜５
ｍの範囲に安定して維持されているときの状態であシ、
何ら調整の必要はないものである。
（ｂ）は結晶槽１２へ供給される硫安母液の過飽和度が
１．５を／靜程度、温度が５０℃と低く、結晶の析出が
結晶槽１２の下部で生じ、上部での発生がみられないも
のであり （ａ）のパタ−ンに戻すには加熱器１ｏの温
度を上げて、硫安母液の温度を上昇させ蒸発＠１１で水
分の蒸発量を増加して母液の過飽和度を上昇すればよく
、このため蒸気供給管４２に設けたバルブ４３の開度を
大きくする。
１．５を／靜程度、温度が５０℃と低く、結晶の析出が
結晶槽１２の下部で生じ、上部での発生がみられないも
のであり （ａ）のパタ−ンに戻すには加熱器１ｏの温
度を上げて、硫安母液の温度を上昇させ蒸発＠１１で水
分の蒸発量を増加して母液の過飽和度を上昇すればよく
、このため蒸気供給管４２に設けたバルブ４３の開度を
大きくする。
（ｃ）は結晶槽１２へ供給される硫安母液の過飽和度が
ｔ７を／靜程度と低く、温度が５５℃と高く、結晶槽１
２℃部において始めて結晶の析出がみられ、□下部では
析出が望めず、しかも全体として析出量が少ないもので
あＣ１（ａ）のパターンに戻すには、前記（ｂ）とは逆
に加熱器１ｏでの加熱温度を下げて槽１２内下部の温度
を下げると共に、エゼクタ−１１１）の吸引力を上昇し
て蒸発缶１１の真空反を上げて蒸発量１１に流入した硫
安母液の水分蒸発量を増加して硫安母液の過飽和度を上
げる。そのためにバルブ４３の開度を小さくすると共に
バルブｌｌｃの開度を大きくして過飽和度を高くする。
ｔ７を／靜程度と低く、温度が５５℃と高く、結晶槽１
２℃部において始めて結晶の析出がみられ、□下部では
析出が望めず、しかも全体として析出量が少ないもので
あＣ１（ａ）のパターンに戻すには、前記（ｂ）とは逆
に加熱器１ｏでの加熱温度を下げて槽１２内下部の温度
を下げると共に、エゼクタ−１１１）の吸引力を上昇し
て蒸発缶１１の真空反を上げて蒸発量１１に流入した硫
安母液の水分蒸発量を増加して硫安母液の過飽和度を上
げる。そのためにバルブ４３の開度を小さくすると共に
バルブｌｌｃの開度を大きくして過飽和度を高くする。
又、上記でも尚過飽和度の調整が不足の場合には、バル
ブ３の開度を小さくして硫安母液の供給量を少なくする
。
ブ３の開度を小さくして硫安母液の供給量を少なくする
。
（ｄ）は硫安母液の過飽和度がｚ８ν／−と高すぎて轍
細な結晶の析出か上部、下部とも同様に生じて、結晶が
成長できないものであシ、この状態になると通常の調整
では（ａ）のパターンに戻すことは不可能なため、バル
ブ３を閉鎖して硫安母液の結晶槽１２への装入を停止す
ると共にバルブ２７を開放して結晶槽１２内の結晶懸濁
液１５を抜取った後、過飽和度と温度を標準状態に調整
した硫安母液を結晶槽１２へ装入する。
細な結晶の析出か上部、下部とも同様に生じて、結晶が
成長できないものであシ、この状態になると通常の調整
では（ａ）のパターンに戻すことは不可能なため、バル
ブ３を閉鎖して硫安母液の結晶槽１２への装入を停止す
ると共にバルブ２７を開放して結晶槽１２内の結晶懸濁
液１５を抜取った後、過飽和度と温度を標準状態に調整
した硫安母液を結晶槽１２へ装入する。
このように調整しつつ操業した結果を第５図中の〔従来
技術使用〕欄に一点鎖線で示す。尚、（つ）、 （１）
、 （オ）、 （力）、 （キ）、（り）は夫々第３図
（ａ）〜（ｄ）に示す各測定位置１．２．３．４．５．
６におけるスラリー濃度の経時的表示である。
技術使用〕欄に一点鎖線で示す。尚、（つ）、 （１）
、 （オ）、 （力）、 （キ）、（り）は夫々第３図
（ａ）〜（ｄ）に示す各測定位置１．２．３．４．５．
６におけるスラリー濃度の経時的表示である。
このように結晶懸濁液のサンプリングにょシ槽１２内の
スラリー濃度分布状況を把握し、その各々の状況に対応
して操業条件を調整制御していた。
スラリー濃度分布状況を把握し、その各々の状況に対応
して操業条件を調整制御していた。
しかしながら、槽１２内がらの硫安母液のサンプリング
は前述の方法によるため手間がかかシ、多大の労力と時
間を要するので、４時間毎の間欠測定を行っているのが
実状で、その間は槽１２内の状態が把握できず、この間
は盲目操業となると共に硫安母液のサンプリングは作業
者の個人差が影響する等、不安定な生産、操業が避けら
れない欠点があった。
は前述の方法によるため手間がかかシ、多大の労力と時
間を要するので、４時間毎の間欠測定を行っているのが
実状で、その間は槽１２内の状態が把握できず、この間
は盲目操業となると共に硫安母液のサンプリングは作業
者の個人差が影響する等、不安定な生産、操業が避けら
れない欠点があった。
本発明者等は上記欠点を解決するために結晶槽内で場所
的にしかも時間的に連続してスラリー濃度を測定する方
法について種々実験検討を行った結果、結晶槽内に複数
個の液圧測定装置を設けて液圧を連続して測定し、この
液圧とスラリー濃度との関係を調査したところ、上記目
的を達成する可能性を見出した。
的にしかも時間的に連続してスラリー濃度を測定する方
法について種々実験検討を行った結果、結晶槽内に複数
個の液圧測定装置を設けて液圧を連続して測定し、この
液圧とスラリー濃度との関係を調査したところ、上記目
的を達成する可能性を見出した。
本発明者等がこの調査実験に用いだ液圧検出装置は気体
吹込管型又は隔膜式ブルドン管型等であシ、設置位置は
結晶槽内に設置する内装式、結晶槽の側壁に設置する外
装式の両者を採用した。前者は結晶槽の高さ方向、幅方
向、周方向のいずれにも設置可能であるが、後者は幅方
向の設置には不適である。
吹込管型又は隔膜式ブルドン管型等であシ、設置位置は
結晶槽内に設置する内装式、結晶槽の側壁に設置する外
装式の両者を採用した。前者は結晶槽の高さ方向、幅方
向、周方向のいずれにも設置可能であるが、後者は幅方
向の設置には不適である。
以下にこれ等の中から経済的で、かつ作業性のよい内装
式気体吹込管型によシ実施した例を示す第４図をもとに
して、気体吹込管吹出圧力と液質量（スラリー濃度又は
比重）との関係について説明する。結晶槽内の結晶懸濁
液の密度（１ｃｍ３当シの重量（７））とスラリー濃度
が比例関係にあれ気体吹込管吹込圧力とスラリー濃度と
の間には一定の関係が成立することが予測される。
式気体吹込管型によシ実施した例を示す第４図をもとに
して、気体吹込管吹出圧力と液質量（スラリー濃度又は
比重）との関係について説明する。結晶槽内の結晶懸濁
液の密度（１ｃｍ３当シの重量（７））とスラリー濃度
が比例関係にあれ気体吹込管吹込圧力とスラリー濃度と
の間には一定の関係が成立することが予測される。
これにもとづいて、気体吹、通管３１ａ〜３１１の吐出
圧力を測定し、該測定と同時に気体吹込管３１ａ〜３１
１Ｆの下端の結晶懸濁液を前述した従来のサンプリング
ビン２２を用いて、スラリー濃度を測定した結果を第６
図に示す。
圧力を測定し、該測定と同時に気体吹込管３１ａ〜３１
１Ｆの下端の結晶懸濁液を前述した従来のサンプリング
ビン２２を用いて、スラリー濃度を測定した結果を第６
図に示す。
この図から気体吹込管３１ａ〜３１２の圧力側濃度との
関係は比例関係にあるとしてさしつかえないことが判明
した。
関係は比例関係にあるとしてさしつかえないことが判明
した。
又、同様にして循環槽５内の硫安母液の比重と気体吹込
管５１ａ〜５１ｅの吹出圧力との関係を求めた結果を第
８図に示す。
管５１ａ〜５１ｅの吹出圧力との関係を求めた結果を第
８図に示す。
この図から気体吹込管５１ａ〜５１ｅの吹出圧力値Ｐと
比重りとの関係はＰ ＝ Ｄ ／ ３であることが判明
した。
比重りとの関係はＰ ＝ Ｄ ／ ３であることが判明
した。
本発明は上記知見にもとづいてなされたものであシ、そ
の要旨は、 （１）槽内に収容された懸濁液又は水溶液の液面下の高
さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方向又は二方向以
上の組合せ方向の所定位置に液圧検出装置を設け、該各
所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた該圧
力と液質量との関係から前記槽内の質量分布を算出し、
これを予じめ定められている標準質量分布と比較し、そ
の偏差値によシ槽へ供給する懸濁液又は水溶液の供給質
量及び／′又は温度を調節することを特徴とする槽内の
懸濁液及び／又は水溶液の質量管理方法。
の要旨は、 （１）槽内に収容された懸濁液又は水溶液の液面下の高
さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方向又は二方向以
上の組合せ方向の所定位置に液圧検出装置を設け、該各
所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた該圧
力と液質量との関係から前記槽内の質量分布を算出し、
これを予じめ定められている標準質量分布と比較し、そ
の偏差値によシ槽へ供給する懸濁液又は水溶液の供給質
量及び／′又は温度を調節することを特徴とする槽内の
懸濁液及び／又は水溶液の質量管理方法。
（２）晶析装置の結晶槽に収容された結晶懸濁液の液面
下の高さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方又は二方
向以上の組合せ方向の所定位置に液圧検出装置を設け、
該各所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた
該圧力とスラリー濃度との関係から前記結晶槽内のスラ
リー濃度分布を算出し、これを予じめ定められている標
準スラリーして同懸濁液の過飽和度を調節することを特
徴とする槽内の懸濁液の質量管理方法。
下の高さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方又は二方
向以上の組合せ方向の所定位置に液圧検出装置を設け、
該各所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた
該圧力とスラリー濃度との関係から前記結晶槽内のスラ
リー濃度分布を算出し、これを予じめ定められている標
準スラリーして同懸濁液の過飽和度を調節することを特
徴とする槽内の懸濁液の質量管理方法。
れた硫安母液の水分を蒸発除去して過飽和硫安母液とす
る蒸発缶と、過飽和硫安母液よシ硫安を析出造粒し結晶
を結晶Ｗ、濁液状態で収容する結晶槽とを順次設けた硫
安製造装置において、上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の
高さ方向に所定間隔で設けだ液圧検出装置と、該液圧検
出装置差に対応して循環槽から結晶槽に供給する硫安母
液量、加熱器の加熱温度、蒸発缶での水分除去量の調整
量を演算する演算器と、各調整量に応じて各パルプの開
度を演算しバルブ開度調節器に指令する演算指令器とか
ら構成したことを特徴とする槽内の懸濁液の質量管理装
置。
る蒸発缶と、過飽和硫安母液よシ硫安を析出造粒し結晶
を結晶Ｗ、濁液状態で収容する結晶槽とを順次設けた硫
安製造装置において、上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の
高さ方向に所定間隔で設けだ液圧検出装置と、該液圧検
出装置差に対応して循環槽から結晶槽に供給する硫安母
液量、加熱器の加熱温度、蒸発缶での水分除去量の調整
量を演算する演算器と、各調整量に応じて各パルプの開
度を演算しバルブ開度調節器に指令する演算指令器とか
ら構成したことを特徴とする槽内の懸濁液の質量管理装
置。
（４）コークス炉ガス中のアンモニアを飽和器で吸収し
た硫安母液と補給硫酸分を収容する循環槽と、循環槽の
硫安母液を加熱する加熱器と、加熱された硫安母液の水
分を蒸発除去して過飽和硫安母液とする蒸発缶と、過飽
和硫安母液よシ硫安を析出造粒し結晶を結晶懸濁液状態
で収容する結晶槽と志を順次設けた硫安製造装置におい
て、上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の高さ方向に所定間
隔で設けた液圧検出装置と、該液圧検出装置に対応して
循環槽から結晶槽に供給する硫安母液量、加熱器の加熱
温度、蒸発損での水分除去量の調整量を演算する演算器
と、各調整量に応じオ各バ′、ル・プレゐ開度を演算し
バルブ開度調節器に指令する演算指令器と、前記循環槽
の硫安母液液面下の幅方向に所定間隔で設けた液圧検出
装置と、準比重分布とを比較しその偏差に対応して補給
硫酸分量、循環槽からの硫安母液の抜取量を演算し該循
環槽からの硫安母液の抜取量を上記゛演算指令器に出力
する演算器と、補給硫酸分量に応じ７ヒルプの開度を演
算しパルプ開度調節装置に指令する演算指令器とから構
成したことを特徴とする槽内の懸濁液及び／又は水溶液
の質量管理装置。
た硫安母液と補給硫酸分を収容する循環槽と、循環槽の
硫安母液を加熱する加熱器と、加熱された硫安母液の水
分を蒸発除去して過飽和硫安母液とする蒸発缶と、過飽
和硫安母液よシ硫安を析出造粒し結晶を結晶懸濁液状態
で収容する結晶槽と志を順次設けた硫安製造装置におい
て、上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の高さ方向に所定間
隔で設けた液圧検出装置と、該液圧検出装置に対応して
循環槽から結晶槽に供給する硫安母液量、加熱器の加熱
温度、蒸発損での水分除去量の調整量を演算する演算器
と、各調整量に応じオ各バ′、ル・プレゐ開度を演算し
バルブ開度調節器に指令する演算指令器と、前記循環槽
の硫安母液液面下の幅方向に所定間隔で設けた液圧検出
装置と、準比重分布とを比較しその偏差に対応して補給
硫酸分量、循環槽からの硫安母液の抜取量を演算し該循
環槽からの硫安母液の抜取量を上記゛演算指令器に出力
する演算器と、補給硫酸分量に応じ７ヒルプの開度を演
算しパルプ開度調節装置に指令する演算指令器とから構
成したことを特徴とする槽内の懸濁液及び／又は水溶液
の質量管理装置。
である。
以下本発明の一実施例を牙３図（ａ）〜（ｄ）乃至矛６
図を参照しつ＆説明する。
図を参照しつ＆説明する。
牙４図は硫安製造工程に本発明を適用した実施例装置を
示す図、矛５図は矛４図の装置を用いた実施例ＶＣおけ
る結晶槽内のスラリー濃度測定値と製品硫安歩留及び生
産量の関係を示す図、′３１７６図はｍＪ述したように
本発明者等が前記従来技術の解決のための実験において
得た新たな知見を示す図で、硫安母紹供気体吹出圧力（
９／α、２）とスラリー濃度（％）との関係図である。
示す図、矛５図は矛４図の装置を用いた実施例ＶＣおけ
る結晶槽内のスラリー濃度測定値と製品硫安歩留及び生
産量の関係を示す図、′３１７６図はｍＪ述したように
本発明者等が前記従来技術の解決のための実験において
得た新たな知見を示す図で、硫安母紹供気体吹出圧力（
９／α、２）とスラリー濃度（％）との関係図である。
本例における圧力検出装置は内装式気体吹込管型で、先
ず設置状況な矛４図をもとｖｃ説明する。
ず設置状況な矛４図をもとｖｃ説明する。
２
図中、３１ａ〜３１．ｇは結晶鍾噛の結晶懸濁液１５中
ＶＣ深さを１ｍ間隔で浸漬し、下端を開口した直径５ｍ
ＴＡｇの気体吹込管、３２は気体吹込管３１ａ〜３１ｇ
の上端に連通し、１〜０，５ｋｇ／（ＭＬ２、好ましく
は０．６ ｋｇ／ｒｙｒｂ”の圧縮空気を供給する供給
管、３３は供給管３２の途中に’Ａ通し空気吹込管３１
ａ〜３１ｇの下端開口の内壁を水膜で覆って、該吹込管
３１ａ〜３１ｇの下端開口を閉鎖する硫安の析出を防止
するために、１０〜２０．＃／Ｈ・本、好ましくは１５
ｆｆｌ／Ｈ・本の水を供給する給水管、３４は気体吹込
管３１ａと３１ｂ、３１ｂと３１ｃ、３１ｃと３１ｄ、
３１ｄと３１ｅ、３１ｅと３１．ｆ、３１ｆと３’１ｇ
の各圧力差△Ｐ＋、△Ｐ２ｊ△Ｐａ、△Ｐ４．△Ｐａ。
ＶＣ深さを１ｍ間隔で浸漬し、下端を開口した直径５ｍ
ＴＡｇの気体吹込管、３２は気体吹込管３１ａ〜３１ｇ
の上端に連通し、１〜０，５ｋｇ／（ＭＬ２、好ましく
は０．６ ｋｇ／ｒｙｒｂ”の圧縮空気を供給する供給
管、３３は供給管３２の途中に’Ａ通し空気吹込管３１
ａ〜３１ｇの下端開口の内壁を水膜で覆って、該吹込管
３１ａ〜３１ｇの下端開口を閉鎖する硫安の析出を防止
するために、１０〜２０．＃／Ｈ・本、好ましくは１５
ｆｆｌ／Ｈ・本の水を供給する給水管、３４は気体吹込
管３１ａと３１ｂ、３１ｂと３１ｃ、３１ｃと３１ｄ、
３１ｄと３１ｅ、３１ｅと３１．ｆ、３１ｆと３’１ｇ
の各圧力差△Ｐ＋、△Ｐ２ｊ△Ｐａ、△Ｐ４．△Ｐａ。
△Ｐ６又は気体吹込管３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ
。
。
３１ｅ、３１ｆ、３１ｇの各圧力Ｐａ、Ｐｂ、Ｐ’ｃ、
Ｐｄ。
Ｐｄ。
Ｐｅ、Ｐｆ、Ｐｇを各々検出する圧力計、３５は予じめ
設定器３５ａから入力した圧力Ｐとスラリー濃度Ｓの関
係な牙６図から求めた弐Ｐ （ｇ／Ｕｎ２） −１、２
６＋ｏ、ｏｏｚ＋４ｓ （％）、つま’）８ （％）
−（Ｐ（９／品”） −１，２６） ／Ｃ）、０Ｑ２１
−４を記憶しておき、この関係式により圧力計３４から
の各圧力信号△Ｐ１〜△Ｐ６又はＰ ａ−Ｐ ｇで各ス
ラリー濃度ΔＳ１〜△Ｓ６又はＳａ−８ｇを演算する演
算器、３６は遭算器３５からの演算スラリー濃度△Ｓ１
〜△Ｓ６又はＳ ａ −Ｓ ｇを記録する記録計、３７
は予じめ入力した■前記第３図（ａ）〜（ｄ）のスラリ
ー濃度分布パターン、■各パターンＶＣ対応して牙３図
（ａ）のパターンに戻すための調整項目、つまり結晶槽
１２への硫安母液供給量、結晶槽１２からの結晶懸濁液
１５抜取量、加熱器１０の加熱蒸気量、蒸発缶１１の真
空度の各調整項目、■第３図（２）との偏差値とから定
まる上記■の調整項１各々の調整量゛の各々を記憶して
おき、演算器３５からの各測定位置でのスラリー濃度が
、上記矛３図（２）〜（ｄ）のいずれのパターンＶＣ一
致又は近似し℃いるかを比較判別し、その判別ｙｃ基づ
いて調整項目を選定すると共ＶＣ１牙３図（ａ）パター
ンとの各測定値に対応した部分との各偏差量を演算して
その偏差量に応じた調整量Ｑｌ 、Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４を
演算する比較演算器、３８は比較演算器３７かもの結晶
槽１２への硫安母液供給量、蒸発缶１１の真空度、結晶
槽１２かもの結晶懸漕液１５の抜取量、加熱器１０への
蒸気供給量等の調整量Ｑ１〜Ｑ ４ ｙｃ応じて各バル
ブ３ 、１１Ｃ，２７、４３の開度■１、■２、■３、
■４を演算すると共にバルブ３．１１Ｃ１２７，４３の
開度■１、■２、■３、ｖ４を指令する指令演算器。尚
、指令演算器３８ ＶＣは配管９Ｖ（センサー４４ａを
取付けた流量計４４、蒸気配管１１ ｅ ｖｃセンサー
ｌｉｄを取付けた流量計１１ｆ５配管ｉ ４ ｖｃセン
サー４５ａを設けた流量計４５、結晶槽１２上部ＶＣセ
ンサー４６ａを設けた温度計４６での測定値な入力して
バルブ３．１１Ｃ１２７，４３の調整を行っている。４
１は演算器３８からのバルブ３、ｌｌｃ、２７．４３の
開度量により同バルブ３、ｌｌｃ、２７．４３を動作す
る調節計である。
設定器３５ａから入力した圧力Ｐとスラリー濃度Ｓの関
係な牙６図から求めた弐Ｐ （ｇ／Ｕｎ２） −１、２
６＋ｏ、ｏｏｚ＋４ｓ （％）、つま’）８ （％）
−（Ｐ（９／品”） −１，２６） ／Ｃ）、０Ｑ２１
−４を記憶しておき、この関係式により圧力計３４から
の各圧力信号△Ｐ１〜△Ｐ６又はＰ ａ−Ｐ ｇで各ス
ラリー濃度ΔＳ１〜△Ｓ６又はＳａ−８ｇを演算する演
算器、３６は遭算器３５からの演算スラリー濃度△Ｓ１
〜△Ｓ６又はＳ ａ −Ｓ ｇを記録する記録計、３７
は予じめ入力した■前記第３図（ａ）〜（ｄ）のスラリ
ー濃度分布パターン、■各パターンＶＣ対応して牙３図
（ａ）のパターンに戻すための調整項目、つまり結晶槽
１２への硫安母液供給量、結晶槽１２からの結晶懸濁液
１５抜取量、加熱器１０の加熱蒸気量、蒸発缶１１の真
空度の各調整項目、■第３図（２）との偏差値とから定
まる上記■の調整項１各々の調整量゛の各々を記憶して
おき、演算器３５からの各測定位置でのスラリー濃度が
、上記矛３図（２）〜（ｄ）のいずれのパターンＶＣ一
致又は近似し℃いるかを比較判別し、その判別ｙｃ基づ
いて調整項目を選定すると共ＶＣ１牙３図（ａ）パター
ンとの各測定値に対応した部分との各偏差量を演算して
その偏差量に応じた調整量Ｑｌ 、Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４を
演算する比較演算器、３８は比較演算器３７かもの結晶
槽１２への硫安母液供給量、蒸発缶１１の真空度、結晶
槽１２かもの結晶懸漕液１５の抜取量、加熱器１０への
蒸気供給量等の調整量Ｑ１〜Ｑ ４ ｙｃ応じて各バル
ブ３ 、１１Ｃ，２７、４３の開度■１、■２、■３、
■４を演算すると共にバルブ３．１１Ｃ１２７，４３の
開度■１、■２、■３、ｖ４を指令する指令演算器。尚
、指令演算器３８ ＶＣは配管９Ｖ（センサー４４ａを
取付けた流量計４４、蒸気配管１１ ｅ ｖｃセンサー
ｌｉｄを取付けた流量計１１ｆ５配管ｉ ４ ｖｃセン
サー４５ａを設けた流量計４５、結晶槽１２上部ＶＣセ
ンサー４６ａを設けた温度計４６での測定値な入力して
バルブ３．１１Ｃ１２７，４３の調整を行っている。４
１は演算器３８からのバルブ３、ｌｌｃ、２７．４３の
開度量により同バルブ３、ｌｌｃ、２７．４３を動作す
る調節計である。
尚、気体吹込管３１ａ〜３１ｇの相互の圧力差の△Ｐ１
〜△Ｐ６又は各気体吹込管３１ａ〜３１ｇの圧力Ｐ ａ
−Ｐ ｇの検出値と結晶懸濁液のスラリー濃度の関係
ｙｃついては懸濁液上澄回収樋１６の槽１２内開口１６
ａの位置と気体吹込管３１ａの下端開口３１０の位置と
同−深さレベル５６にしておき、この上澄回収樋１６に
流入する上澄液な定期的にポンプ１７入側ｙｃ設けたパ
ルプ■付排出管５５からサンプリングして、従来方法と
同様の方法で求めたスラリー濃度を牙６図で求めた関係
式をもとｒ気体吹込管３１ａを基準とした圧力測定系の
誤差を常に更正する。
〜△Ｐ６又は各気体吹込管３１ａ〜３１ｇの圧力Ｐ ａ
−Ｐ ｇの検出値と結晶懸濁液のスラリー濃度の関係
ｙｃついては懸濁液上澄回収樋１６の槽１２内開口１６
ａの位置と気体吹込管３１ａの下端開口３１０の位置と
同−深さレベル５６にしておき、この上澄回収樋１６に
流入する上澄液な定期的にポンプ１７入側ｙｃ設けたパ
ルプ■付排出管５５からサンプリングして、従来方法と
同様の方法で求めたスラリー濃度を牙６図で求めた関係
式をもとｒ気体吹込管３１ａを基準とした圧力測定系の
誤差を常に更正する。
このように構成した制御装置を稼動して硫安を製造した
結果を才５図ＶＣ示す。この図の実線で示す如く１〜５
噛の粒度の硫安結晶を９０％程度の歩留で安定した生産
量のもとで製造することが出来た。又本実施例は自動制
御する場合ＶＣついて説明したが、これにかえて記録計
３６で記録したチャートＶＣより作業者が牙３図（ａ）
〜（ｄ）のいずれのパターンｙｃ該当するか判断し、こ
れ（Ｌ（基づいてバルブ３．１１（１，２７，４３の操
作な行ってもよい。この結果を牙５図中点線で示す。こ
の図から判ろよ５ ｙｃ自動制御する場合ｌ（比較する
と劣るが、従来：〆（比して歩留は向上すると共ＶＣ１
そのバラツキのは小さくなり、生産量を略−鷲とするこ
とが出来る。又゛ヤ４図中、高さ４ｍ、直径４５ｍ〆の
循環槽５ ｉ／（おいて、硫安母液の比重管理を行って
いるが、これＱ本発明を用いた例ＶＣついて説明する。
結果を才５図ＶＣ示す。この図の実線で示す如く１〜５
噛の粒度の硫安結晶を９０％程度の歩留で安定した生産
量のもとで製造することが出来た。又本実施例は自動制
御する場合ＶＣついて説明したが、これにかえて記録計
３６で記録したチャートＶＣより作業者が牙３図（ａ）
〜（ｄ）のいずれのパターンｙｃ該当するか判断し、こ
れ（Ｌ（基づいてバルブ３．１１（１，２７，４３の操
作な行ってもよい。この結果を牙５図中点線で示す。こ
の図から判ろよ５ ｙｃ自動制御する場合ｌ（比較する
と劣るが、従来：〆（比して歩留は向上すると共ＶＣ１
そのバラツキのは小さくなり、生産量を略−鷲とするこ
とが出来る。又゛ヤ４図中、高さ４ｍ、直径４５ｍ〆の
循環槽５ ｉ／（おいて、硫安母液の比重管理を行って
いるが、これＱ本発明を用いた例ＶＣついて説明する。
循環ｍ５は前記の如く飽和器１かもの硫安母液を受入れ
るための配管４を上部ＶＣ連結し、配管４側の槽５下部
ＶＣ加熱器１０ ｖ（硫安母茨な供給する配管９ ｔＸ
：連結すると共に同配管９連結部に対向する位置の槽５
上部ＶＣノズル２ Ｋ Ｈ安母液を供給する配管７を連
結している。この配管７かうノスル２へ供給する硫安母
液は、ＣＯＯ中のアンモニアを効率よく吸収するため、
硫安濃度がコ館＜フリーの硫酸分の多い（比重が小さい
）こと、つまり″？７図中、点線（イ）より下方に位置
することが望ましい。一方配管９な介して晶析装置Ａへ
供給する同母液は硫安を効率よく製造するためには硫安
濃度が濃くフリーの硫酸分が少ない（比重が大きい）こ
と、つまりオフ図中点線（ア）より上方に位置すること
が望ましい。しかしながら、循環槽５の幅方向での硫安
母液の比重分布は種々Ｖ（変化しているが、従来は循環
槽５の任意の位置ＶＣ１ケの比重計な設けて比重を測定
し、その値を硫安母液の比重の代表値としていた為、上
記の管理が充分な状態で出来ていなかった。このため配
管７の連結部と配管９の連結部との間、つまり循環槽５
の幅方向（直径方向） ｒｃ ｔ ｍ間隔で深漬深さ１
、５ ｍの気体吹込管５１ａ〜５１ｅを設け、これに圧
縮空気を吹込んで気体吹込管５１ａと５１ｂ、ｓｉｂと
５１ｃ、５１ｃと５１ｄ、５１ｄと５１６の圧力差△Ｐ
１、△Ｐ２、△Ｐ３、△Ｐ４、又は圧力Ｐａ、Ｐｂ、Ｐ
ｃ、Ｐｄ、Ｐｅを演算器５０で演算する２共ｆ（、予じ
めこの圧力差又は圧力と比重の関係を例えば、気体吹込
管５１．１〜５１ｅの圧力Ｐ ａ −Ｐ ｅを測定し、
この測定値を縦軸ＶＣより、横軸ＶＣ測定と同時ｌ（気
体吹込管５１ａ〜５１ ｅ Ｋ対応した位置の硫安母液
を従来のサンプリングビン２２で採取し、これを従来と
同様の浮子式比重測定装置で測定し、これをもとＶＣ両
者の関係を求める（本例の測定結果が前述した牙８図で
ある）。この関係式を演算器５１ｒ（設定器５１ａを介
して入力しておき、上記演算器５０からの各圧力差△Ｐ
１〜ΔＰ４又は各圧力Ｐ ａ −Ｐ ｅ ｖｃより各位
置における比重りを演算器５１で演算する。
るための配管４を上部ＶＣ連結し、配管４側の槽５下部
ＶＣ加熱器１０ ｖ（硫安母茨な供給する配管９ ｔＸ
：連結すると共に同配管９連結部に対向する位置の槽５
上部ＶＣノズル２ Ｋ Ｈ安母液を供給する配管７を連
結している。この配管７かうノスル２へ供給する硫安母
液は、ＣＯＯ中のアンモニアを効率よく吸収するため、
硫安濃度がコ館＜フリーの硫酸分の多い（比重が小さい
）こと、つまり″？７図中、点線（イ）より下方に位置
することが望ましい。一方配管９な介して晶析装置Ａへ
供給する同母液は硫安を効率よく製造するためには硫安
濃度が濃くフリーの硫酸分が少ない（比重が大きい）こ
と、つまりオフ図中点線（ア）より上方に位置すること
が望ましい。しかしながら、循環槽５の幅方向での硫安
母液の比重分布は種々Ｖ（変化しているが、従来は循環
槽５の任意の位置ＶＣ１ケの比重計な設けて比重を測定
し、その値を硫安母液の比重の代表値としていた為、上
記の管理が充分な状態で出来ていなかった。このため配
管７の連結部と配管９の連結部との間、つまり循環槽５
の幅方向（直径方向） ｒｃ ｔ ｍ間隔で深漬深さ１
、５ ｍの気体吹込管５１ａ〜５１ｅを設け、これに圧
縮空気を吹込んで気体吹込管５１ａと５１ｂ、ｓｉｂと
５１ｃ、５１ｃと５１ｄ、５１ｄと５１６の圧力差△Ｐ
１、△Ｐ２、△Ｐ３、△Ｐ４、又は圧力Ｐａ、Ｐｂ、Ｐ
ｃ、Ｐｄ、Ｐｅを演算器５０で演算する２共ｆ（、予じ
めこの圧力差又は圧力と比重の関係を例えば、気体吹込
管５１．１〜５１ｅの圧力Ｐ ａ −Ｐ ｅを測定し、
この測定値を縦軸ＶＣより、横軸ＶＣ測定と同時ｌ（気
体吹込管５１ａ〜５１ ｅ Ｋ対応した位置の硫安母液
を従来のサンプリングビン２２で採取し、これを従来と
同様の浮子式比重測定装置で測定し、これをもとＶＣ両
者の関係を求める（本例の測定結果が前述した牙８図で
ある）。この関係式を演算器５１ｒ（設定器５１ａを介
して入力しておき、上記演算器５０からの各圧力差△Ｐ
１〜ΔＰ４又は各圧力Ｐ ａ −Ｐ ｅ ｖｃより各位
置における比重りを演算器５１で演算する。
この演算した各位置ＶＣおける比重分布な設定器５９ａ
から入力して記憶している牙７簡の標準比重分布パター
ンと比較してその偏差値を求める。
から入力して記憶している牙７簡の標準比重分布パター
ンと比較してその偏差値を求める。
この偏差値ＶＣ応じてオフ図の標準比重分布パターンＶ
（一致する如く希硫酸補給管５アに設げたバルブ５４の
開度、又は配管７ ＶＣ設けたバルブ７ａのく圧力検出
装置を幅方向に設置することが困難な場合は、晶方向、
。設けてもよい。
（一致する如く希硫酸補給管５アに設げたバルブ５４の
開度、又は配管７ ＶＣ設けたバルブ７ａのく圧力検出
装置を幅方向に設置することが困難な場合は、晶方向、
。設けてもよい。
又、本実施例では硫安を製造する場合の結晶槽に本発明
な用いた場合ｙｃついて説明したが本発明はこれＶＣ限
ることなく、前記の如く尿素、硝酸アンモン、塩化アン
モン等を製造する場合ＶＣ用いる晶析装置ＶＣも予じめ
各々のスラリー濃度及び／又は比重等の液質量と液圧の
関係を求めておくことで実施することが出来る。
な用いた場合ｙｃついて説明したが本発明はこれＶＣ限
ることなく、前記の如く尿素、硝酸アンモン、塩化アン
モン等を製造する場合ＶＣ用いる晶析装置ＶＣも予じめ
各々のスラリー濃度及び／又は比重等の液質量と液圧の
関係を求めておくことで実施することが出来る。
又、気体吹込管より吹込む気体として圧縮空気を用いた
が、これにかえてアルゴンガス、窒素ガス等を用いても
よい。さらに気体吹込管３１ａ〜３１ｇの下端開口部の
内壁に硫安が析出付着するのを防止するため給水管３３
から水な供給して気体供給管内壁に濡れ膜を形成可能と
した示、これｙｃかえて気体吹込管３１ａ〜３１ｇに吹
込む空気を加熱して吹込んでもよい。尚、析出付着現象
な生じない溶液の質量を測定する場合匹は、上記水の供
給又は気体の加熱は必要でない。又圧力測定間隔を等距
離ｙｃすることが信号処理を簡単にするため好ましいも
のである。
が、これにかえてアルゴンガス、窒素ガス等を用いても
よい。さらに気体吹込管３１ａ〜３１ｇの下端開口部の
内壁に硫安が析出付着するのを防止するため給水管３３
から水な供給して気体供給管内壁に濡れ膜を形成可能と
した示、これｙｃかえて気体吹込管３１ａ〜３１ｇに吹
込む空気を加熱して吹込んでもよい。尚、析出付着現象
な生じない溶液の質量を測定する場合匹は、上記水の供
給又は気体の加熱は必要でない。又圧力測定間隔を等距
離ｙｃすることが信号処理を簡単にするため好ましいも
のである。
以上説明した本発明は簡単な設備で全く労力を必要とす
ることなく水溶液又は懸濁液の深さ方向、幅方向、周方
向の液圧力を検出して、これにより質量分布を時間的に
も場所的ＶＣも連続的に把握し、この分布を標準質量分
布と比較してその偏差をもとに水溶液又は懸濁液の供給
量又は温度、硫酸供共ｙｃ全自動操作を可能とするもの
である。
ることなく水溶液又は懸濁液の深さ方向、幅方向、周方
向の液圧力を検出して、これにより質量分布を時間的に
も場所的ＶＣも連続的に把握し、この分布を標準質量分
布と比較してその偏差をもとに水溶液又は懸濁液の供給
量又は温度、硫酸供共ｙｃ全自動操作を可能とするもの
である。
矛１図は硫安の製造工程を示す簡略説明図、牙２図は結
晶槽内のスラリー濃度を測定するため実施例を示す図、
矛５図は矛４図の装置？用いた場合ＶＣおける結晶槽内
のスラリー濃度測定値と製品硫安歩留及び生産量の関係
を時系列的に示す図、牙６図は結晶槽内の気体吹込管吹
出圧力測定値とスラリー濃度との関係を示す図、矛７図
は循環槽の幅方向ＶＣおける硫安母液の標準比重分布を
示す図、才８図は気体吹込管吹出圧力測定値と比重の関
係を示す図である。 図中、１：飽和器、３、Ｉｌｃ、２７．４３．５４：バ
ルブ、５：循環槽、１０：加熱器、１１蒸発缶、１２：
結晶槽、１５：結晶懸濁液、１６：上澄回収樋、３１３
〜３１ｇ、５１ａ〜５１ｅ：気体吹込管、３２圧縮空気
供給［，３３：液体供給管、３４：圧力計、３５：演算
器、３６：記録計。 代理人弁理士 秋 沢 政 光 外２名 拓５図 一斧（Ｆ３） 第６図 応７図 比重（ｋ、ｙ／ｍｙ＞ 【Ｄ’
晶槽内のスラリー濃度を測定するため実施例を示す図、
矛５図は矛４図の装置？用いた場合ＶＣおける結晶槽内
のスラリー濃度測定値と製品硫安歩留及び生産量の関係
を時系列的に示す図、牙６図は結晶槽内の気体吹込管吹
出圧力測定値とスラリー濃度との関係を示す図、矛７図
は循環槽の幅方向ＶＣおける硫安母液の標準比重分布を
示す図、才８図は気体吹込管吹出圧力測定値と比重の関
係を示す図である。 図中、１：飽和器、３、Ｉｌｃ、２７．４３．５４：バ
ルブ、５：循環槽、１０：加熱器、１１蒸発缶、１２：
結晶槽、１５：結晶懸濁液、１６：上澄回収樋、３１３
〜３１ｇ、５１ａ〜５１ｅ：気体吹込管、３２圧縮空気
供給［，３３：液体供給管、３４：圧力計、３５：演算
器、３６：記録計。 代理人弁理士 秋 沢 政 光 外２名 拓５図 一斧（Ｆ３） 第６図 応７図 比重（ｋ、ｙ／ｍｙ＞ 【Ｄ’
Claims (7)
- （１）構内に収容された懸濁液又は水溶液の液面下の高
さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方向又は二方向以
上の絹合せ方向の所定位置に液圧検出装置を設け、該各
所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた該圧
力と液質量との関係から前記槽内の質量分布を算出し、
これを予じめ定められている標準質量分布と比較し、そ
の偏差値により槽へ供給する懸濁液又は水溶液の供給質
量及び／又は温度を調節することを特徴とする槽内の懸
濁液及び／又は水溶液の質量管理方法。 - （２）晶近装置の結晶槽に収容された結晶懸濁液の液面
下の高さ方向、幅方向、周方向のいずれか一方又は二方
向以上の糾合せ方向の所定位置に液圧検出装置な設け、
該各所定位置における液の圧力を検出し、予じめ求めた
該圧力とスラリー濃度との関係から前記結晶槽内のスラ
リー濃度分布を算出し、これを予じめ定められている標
準スラリーる槽内の懸濁液の質量管理方法。 - （３）アンモニアを吸収した硫安母液又は硫酸とアンモ
ニアを混合した硫安母液な加熱する加熱器と、加熱され
た硫安母液の水分を蒸発除去して過飽和硫安母液とする
蒸発缶と、過飽和硫安母液より硫安を聞出造粒し、結晶
を結晶懸濁液状態で収容する結晶槽とを順次設けた硫安
製造装置ＶＣおいて、上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の
高さ方向に所定間隔で設けだ液圧検出装置と、該液圧検
出装置で測定した各圧力をもとｖｃｙ予じめ求めておい
た定めておいた標準スラリー濃度とグ比較し、その偏差
に対応して循環槽から結晶槽に供給する硫安母液量、加
熱器の加熱温度、蒸発缶での水分除去景の調整量を演算
する演算器と、各調整量に応じて各バルブの開度を演算
し、バルブ開度調節器ＶＣ指令する演算指令器とから構
成したことを特徴とする槽内の懸濁液の質量管理装置。 - （４） コークス炉カス中のアンモニアを飽和器で吸
収した硫安母液と補給硫酸分を収容する循環槽と、循環
槽の硫安母液を加熱する加熱器と、加熱され結晶を結晶
懸濁液状態で収容する結晶槽とを順次設けた硫安製造装
置Ｖ（おいて、 上記結晶槽の結晶懸濁液液面下の高さ方向ＶＣ所定間隔
で設けた液圧検出装置と、該液圧検出装置めておいた標
準スラリー濃度斜、と比較しその偏差ｙｃ対応して循環
槽から結晶槽ＶＣ供給する硫安母液量、加熱器の加熱温
度、蒸発缶での水分除去量の調整量な演算する演算器と
、各調整量に応じて各方向に所定間隔で設けた液圧検出
装置と、該液圧分布とを比較しその偏差１１ｃ′″４応
して補給硫酸分量、循環槽からの硫安母液の抜取量を′
″：Ｉ算し該循環槽を演算しパルプ開度調節装置に指令
する演算指令器とから構成したことを特徴とする槽内の
懸濁液及び／又は水溶液の質量管理装置。 - （５）結晶槽内ｙｃ設げた上澄回収装置の上端開口位囲
矛３項又は矛４項記載の槽内の懸濁液及び／又は水溶液
の質量管理装置。 - （６）気体吹込管から吹込む気体な加熱する特許請求の
範囲矛１項又は才２項記載の方法。 - （７）気体吹込管内に濡水膜を形成する特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4632683A JPS59173134A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 槽内の懸濁液の質量管理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4632683A JPS59173134A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 槽内の懸濁液の質量管理方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173134A true JPS59173134A (ja) | 1984-10-01 |
| JPH0346171B2 JPH0346171B2 (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=12744023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4632683A Granted JPS59173134A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 槽内の懸濁液の質量管理方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173134A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325268A (en) * | 1975-11-14 | 1978-03-08 | Sandoz Ag | Apparatus for automatically producing controlled concentration solutions |
-
1983
- 1983-03-19 JP JP4632683A patent/JPS59173134A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325268A (en) * | 1975-11-14 | 1978-03-08 | Sandoz Ag | Apparatus for automatically producing controlled concentration solutions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346171B2 (ja) | 1991-07-15 |
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