JPS5916874B2 - 高エネルギ密度ビ−ム溶接装置 - Google Patents

高エネルギ密度ビ−ム溶接装置

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JPS5916874B2
JPS5916874B2 JP5662380A JP5662380A JPS5916874B2 JP S5916874 B2 JPS5916874 B2 JP S5916874B2 JP 5662380 A JP5662380 A JP 5662380A JP 5662380 A JP5662380 A JP 5662380A JP S5916874 B2 JPS5916874 B2 JP S5916874B2
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JP
Japan
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electron beam
penetration
welding
detection signal
signal
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JP5662380A
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英信 村上
政司 安永
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、電子ビーム、レーブビームなどの高エネル
ギ密度のビームを用いた溶接装置に関するものである。
以下、電子ビーム溶接装置を例に説明する。従来この種
の装置として第1図に示すものがあつた。
図において、1は電子ビーム発生装置、2は電子ビーム
加速電源、3は被溶接物、4は電子ビーム発生装置1か
ら被溶接物3に放射される溶接電子ビーム、5は溶接電
子ビーム4が貫通する被溶接物3の裏面の位置(以下裏
面の貫通位置という)、6は被溶接物3を貫通した貫通
電子ビーム、1は貫通電子ビーム6の電流値を検出する
05レクター、8はコレクターの負荷抵抗、9は貫通電
子ビーム6の検出信号、10は複数個の検出信号9を積
分する積分回路、11は積分された積分検出信号、12
は積分検出信号11の測定装置、13は基準電圧、14
は積分検出信号11と基準ro電圧13を比較する回路
、15は電子ビーム発生装置1の動作を停止する安全装
置、16は安全装置15より電子ビーム発生装置に加え
られる停止信号である。次に動作について説明する。
溶接電子ビーム4j5の出力を増加していくと電子ビー
ム溶込み深さが増し、やがてビームは被溶接物3をスパ
イク状に貫通し始め、次いで連続的に貫通する。溶接電
子ビーム4の内、被溶接物3を貫通した貫通電子ビーム
6はコレクターTで検出され、負荷抵抗8にj0貫通電
子ビーム6の電流が流れ、検出信号9が得られる。電子
ビームはスパイク状に貫通するため、信号はパルス状で
あるので、雑音と分離するため複数個の微小な検出信号
9を積分回路10で積分して検出信号レベルを上げる必
要がある。次いで5 積分検出信号11を基準上限値1
3と比較して、安全装置15により電子ビーム発生装置
1の動作を停止させる。また、積分検出信号11を測定
装置12で観測して、電子ビーム発生装置1の動作の停
止の原因が貫通現象であることを確認する。j0次いで
、溶接電子ビーム4の電流値を手動により減らして再び
溶接を行う。従来の電子ビーム貫通測定装置を組み込ん
だ電子ビーム溶接装置は以上のように構成されているの
で、貫通前に貫通を予知することはできず、検5 出感
度が低いため比較的多量の電子ビームが貫通し被溶接物
の裏面に突出した溶融部が生じた場合しか雑音と区別し
て検出できない。
このため、滑めらかな裏面が必要な場合、溶接後に突出
した溶融部を削り取る工程が不可欠となる。また、検出
回路が被溶接物の近くで電気的に電子ビーム溶接装置本
体に接続されているため、パルス状の大きな雑音による
誤動作が多いなどの欠点があり、さらに、貫通による突
出部は微細であるため、溶接終了後に検出する装置は複
雑、高価となり、量産ラインには全く適さない。この発
明は上記のような従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、溶融発熱による発光現象を検出すること
により、電子ビームの貫通を予知し、また、微細な貫通
を検出できる装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第2図において、17は裏面の貫通位置5から放射され
る光、18は光17を検出する光検出素子、19は光信
号を電気信号に変換する光電変換装置である。次に動作
について説明する。
溶接電子ビーム4の出力を増加していくと電子ビーム溶
込み深さが増し、やがてビームは被溶接物3をスパイク
状に貫通し始め、次いで連続的に貫通する。このとき貫
通直前から裏面の貫通位置5が赤熱されて光17が放射
され、また、貫通すると裏面の貫通位置5が白熱されて
光17が放射される。これらの光17は光検出素子18
で検出され、光電変換されて検出信号9が得られる。第
3図は貫通現象を分類したものである。
図において、20は被溶接物3の溶融部分、21は溶融
部分20が白熱し飛散するスパツタ、22は固化した溶
融部分21,23は凹型貫通ビード、24は凸型貫通ビ
ードである。同図Aはビームの溶込みが貫通直前の場合
で、裏面は赤熱し、緩かな波形の検出信号90が得られ
る。同図Bは極微細な貫通孔がスパイク状に生じた場合
で、緩かな波形の検出信号にパルス状の検出信号91が
重畳し、溶接後は凹型貫通ビード23が得られる。同図
Cは貫通孔が大きくなり顕著なスパツタ21の飛散を伴
なう場合で、パルス状の検出信号91の後にスパツタ2
1から放射される光に対応した検出信号が重量し、尾を
引いた波形となる。同図Dは貫通がより大きくなり溶接
後に凸型貫通ビード24が得られる場合で、検出信号の
強度が非常に大きくなる。同図Eは貫通孔が連なつた場
合で、検出信号9の波形は連続的となる。この実施例で
は、第3図B,Cの凹型貫通ビードに対応した信号レベ
ルが検出され、測定装置12で観測された場合は溶接作
業を継続しつつ溶接電子ビーム4の出力を手動により減
らして不良被溶接物の発生を防止する。
また第3図D,Eの凸型貫通ビードに対応した信号レベ
ルが検出された場合は、比較回路14と安全装置15に
より電子ビーム発生装置1の動作を停止させる。このよ
うに、この発明の装置では電子ビームの貫通現象を詳細
に検出することができる。
一例として、指向性を有する光トランジスタを裏面の貫
通位置5から30Tm離して配置すると、同一の貫通現
象に対し、大きい貫通現象28と29しか検出できない
従来のような貫通電子ビームをコレクターで検出する場
合の約10倍の信号量が得られる。また、光検出素子1
8を貫通電子ビーム6の通過部分から離れた場所に配置
できるので、大きい貫通が生ピても光検出素子18は破
壊されることがなく、また電子ビーム発生装置と検出回
路が電気的に完全に分離しているため、雑音による誤動
作がない。なお、上記実施例では検出信号9を入力とす
る安全装置15を設けたもの示したが、第4図に示すよ
うに制御装置を設けてもよい。
図において、33は検出信号9により貫通現象を識別す
るための識別基準信号と比較回路を内蔵した装置(以下
貫通現象識別装置という)、34は貫通現象識別装置3
3より得られる貫通現象識別信号、35は貫通現象識別
信号により溶接電子ビーム4を制御する制御装置、37
は被溶接物の駆動装置、36aは制御装置35より電子
ビーム発生装置1に加えられる制御信号、36bは被溶
接物駆動装置37に加えられる送り速度制御信号である
。光検出素子18は高感度かつ高時間分解能を有するの
で、検出信号9の波形により貫通現象を細かく識別でき
る。従つて、検出信号9の波形を貫通現象識別装置33
により信号レベルと時間幅で識別し、貫通現象の識別信
号34を得る。識別信号34より得られる貫通現象の予
知と、貫通ビードの状態と、飛散したスパツタの量の情
報に応じて、制御装置35がビーム出力制御信号36a
を出し、溶接電子ビーム4の出力を制御するか、または
送り速度制御信号36bを出し、被溶接物の送り速度を
制御して、検出信号が第3図Aのようになる様にする。
また、貫通現象識別信号34により後加の必要性と方法
の情報も得られる。なお、上記実施例では電子ビーム溶
接装置について説明したが、レーザービームやプラズマ
ビーム等の穿孔現象を利用して溶接する装置であつても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば電子ビーム貫通現象の
検出装置を、裏面の貫通位置の発熱に伴なう放射光を検
出する構成にしたので、検出感度が増大し、貫通現象を
予知することが可能で、また検出波形により貫通現象を
識別することができ、貫通ビームによる検出素子の破壊
がなく、さらにコレクターの配置が物理的に不可能な狭
い場所または障害物がある場所の裏面の貫通位置も貫通
現象が遠隔測定できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子ビームの貫通現象測定装置を有する
電子ビーム溶接装置の構成を示す図、第2図はこの発明
の一実施例の構成図、第3図は検出信号の波形と、電子
ビームの貫通状態を示す概“念図と・溶接後のビード断
面との関係を示す図、第4図はこの発明の他の実施例の
構成を示す図である。 図において1は電子ビーム発生装置、2は電子ビーム加
速電源、3は被溶接物、4は溶接電子ビーム、5は裏面
の貫通位置、6は貫通電子ビーム、9は検出信号、12
は測定装置、13は基準電圧、14は比較回路、15は
安全装置、16は停止信号、17は光、18は光検出素
子、19は光電変換装置、33は貫通現象識別装置、3
4は貫通現象識別信号、35は制御装置、36aはビー
ム出力制御信号、36bは送り速度制御信号、37は被
溶接物駆動装置である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被溶接物に高エネルギ密度のビームを照射して溶接
    するものにおいて、上記被溶接物に入射されるビームの
    位置の裏面の位置の近傍に配置された光検知器と、この
    光検知器の検出信号の波形から当該ビームの貫通状態を
    弁別する手段を備え、この弁別信号に応じて上記ビーム
    のエネルギー量を規制するようにしたことを特徴とする
    高エネルギー密度ビーム溶接装置。
JP5662380A 1980-04-25 1980-04-25 高エネルギ密度ビ−ム溶接装置 Expired JPS5916874B2 (ja)

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JPS56151185A JPS56151185A (en) 1981-11-24
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