JPS59167040A - ポリマ−組成物で封入された電子部品 - Google Patents

ポリマ−組成物で封入された電子部品

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JPS59167040A
JPS59167040A JP58243672A JP24367283A JPS59167040A JP S59167040 A JPS59167040 A JP S59167040A JP 58243672 A JP58243672 A JP 58243672A JP 24367283 A JP24367283 A JP 24367283A JP S59167040 A JPS59167040 A JP S59167040A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子部品（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｃｏｍｐ
ｏｎｅｎｔｓ）の封入（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔ、ｔｏｎ
　）に関する。本発明は、また、封入用組成物に関する
。
遊子部品の封入は、本来およびそれ自体が技術である。
電子部品は、それがその環境に曝もされたとき゛眠気的
絶縁を維持するため、その部品の機械的に保護するため
、その部品のその他の保護のために封入される。成子工
学の発展が急速な進歩を続けるに洋って封入技法および
工業技術もそれに委調を合わせることかますます重要に
なりつつある。恵委な関心および興味の鎖酸は、待に電
子部品の封入に使用される組成物に関するものである。
新規の、改善された封人材科の光児に不萌の努力が払わ
れている。本発明は、斯様な努力に貢献するものである
。
比較的最近の開発は、例えは、ポリ（フェニレ７　ｆ　
／ｌ／　７アイド）のようなポリ（アリーレンサルファ
イド）！１１成物の別人材料としての利用である。
本発明の目的は、例えは、電気的収率の向上および非−
亀気的注能の向上のような改善された性質を有する封入
用組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、改善されたポリ（ア１７−レンサ
ルファイド）組成物で封入された電子部品を提供するこ
とである。
これらの目的、他の目的および利点は、本発明の開示お
よび添付の特許請求の範囲を読めば明らかになるであろ
う。
本発明においては、ポリ（アリーレンサルファイド）お
よび水素化共役ジエン／モノビニル−置換芳香族コポリ
マーを含何する組成物で電子部品を封入する。本発明に
は、また、電子部品の封入用として特に好適なある橿の
刺入用／ｆＪ１敗物も含まれる。本発明を、以下の開示
においてさらに、かつ、より完全に説明する。
本発明は、ポリ（アリーレンサルファイド）および水素
化共役ジエン／モノビニル−置換芳香族コポリマーを含
仔する組成物による電子部品の封入に関する。
本出願の目的のために、ポリ（アリーレンサルファイド
）の飴は、アリレーンサルファイトポリマーを示すため
に用いる。ホモポリマー、コ＆　ＩＪママ−ターポリマ
ーなどの未硬化または一部硬化させたポリ（アリーレン
サルファイド）またはかようなポリマーの混合物も発明
者の発明の実姉において便用できる。未硬化または一部
硬化させたポリマーとは、ポリマーに熱のような十分な
エネルギーケ供給することによって分子鎖長の増加、ま
たは架橋あるいは両者の組合せのいずれかによって分子
量を増加させうるポリマーをいう。拘束サレナイか、好
適なポリ（アリーレンサルファイド）ニハ、米国％ｎ明
ａ＊第３，３５４，１２９　号に記載のこれらのポリマ
ーが含まれる。
発明者の発明に好適なポリ（アリーレンサルファイド）
の若干の例には、ポリ（２，４−トリレンサルファイド
）、ポリ（４、４’−ビフェニレンサルファイド）およ
びポリ（フェニレンサルファイド）が含まれる。その入
手性およびψましい性質（尚耐薬品性、不燃性および尚
踵朋、衰度のような）のためにポリ（フェニレンサルフ
ァイド）か現在のところ好ましいポリ（アリーレンサル
ファイド）である。従って、ポリ（フェニレンサルファ
イド）組成物は、本発明の好ましい封入用組ｉ＋ｉ、ｑ
勿である。
本発明においては、水累化共役ジエン／モノビニルー纜
換芳合旅コポリマー乞含有するポリ（アリーレンサルフ
ァイド）組成物（例えはポリ（フェニレンサルファイド
）組成物のような）で電子部品を封入する。前記のポリ
（アリーレンサルファイド）ｆＪｉ５３１：物は、必ず
しもそうである必委はないが、−柚またはそれ以上のポ
リ（アリーレンサルファイド）の混合物である。ポリ（
アリーレンサルファイド）は、前記の水素化コポリマー
に加えて、他の成分を含みうるが、発明者の広義の概念
ではこれに限定はされない。
不発明には、封入用組成物として特に好適なさらに詳性
なポリ（アリーレンサルファイド）組成物で耐大した電
子部品が含まれる。これら組成物は、本明細書に後記す
る。
本発明の目的用として適するよう水素化することがでと
る共役ジエン／モノビニル−１Ｉｆ侯芳杏族コポリマー
には、米し！ｉＩ特許第３．５９５，９４２号、同第３
，６３９，５１７号および同第４，０９１，０５３号の
各明細書に記載されているこれらの化合物が含まれる。
これらの開示を本明細書の６考にされたい。コポリマー
は、ランダムコポリマーまたはブロックコポリマーでも
よい。コポリマーは、機状またはラジアル（ｒａｄｉａ
ｌ　）　（分枝の）コポリマーチアル。コボＩ７７−の
モノビニル−直換芳香族金層は、そのポリマーの全ｊＩ
Ｌ通に基づいて約１０〜＃９０貞屑％の軸回である。
好適なコポリマーの製造にモノマーとして使用できる共
役ジエンの例は、１，６−ブタジェン、イソグレン、２
，６−ジメチル−１，６−ブタジエン、ピペリレン、６
−プチルー１，６−オクタジエンおよびフェニル−１，
６−ブタジェンである。共役ジエンの混合物も使用でき
る。
モノビニル−置換芳香族モノマーの好適な例には、スチ
レ／、６−メチルスチレン、４−ｎ−グロピルスチレン
、４−シクロヘキシルスチレン、４−ドデシルスチレン
、２−エチル−４−べ／ジルスチレン、４−ｐ−トリル
スチレン、４−（４−）工二ルーｎ−デチル）スチレン
、１−ビニルナフタレンおよび２−ビニルナフタレンが
含まれる。
モノビニル−１ｉｔ換芳香族炭化水素は、アルキル、シ
クロアルキル、およびアリール置換基およびアルキルア
リール基のよ５なこれらの組合せを含存することができ
る。モノビニル−置換芳香族の混合物も１吏用できる。
好ましいコポリマーは、１，６−ブタジェン／スチレン
コポリマーおよびインプレン／ステレンフボリマーであ
る。これらのコポリマ〜は、これらの使用によって好結
果が得られているので好ましい。
共役ジエン／モノビニル−置換芳香族の水素化は、当業
界で公知である。不発明は、これに限定されないが、好
適な水系化方法が米国特許明細香調４．０８８．６２６
号に記載されている、これは本明細−の参考にされたい
。水素化の目的は、そのコポリ中に存在する脂ｖｉ族二
厘結合不飽オロ乞水素化することである。そのコポリマ
ー中に存在する芳香族二重結合不飽和の水素化は、この
水素化の目的ではない。本発明の一つの西様において、
水素化の前にコポリマー中に存在した脂肪族二重結合の
少なくとも約８０％が水素化されている。従って、この
水素化されたコポリマーは、少なくとも約８０％の脂肪
族二重結合の水素化を特徴とする。本発明の前記態様に
おいては、＃記の水素化コポリマーが、約２５％未満の
芳香族二重結合の水素化（すなわち、水素化の前にコポ
リマー中に存在した芳香族二重結合の１ｒＪ２５％未満
が水素化されている〕をさらに特徴とする。少なくとも
約９９％の脂肪族二重結合が水素化されており、約５％
未満の芳香族二重結合が水素化されている水素化コポリ
マーを使用すると良結果が得られる。
水素化コポリマーの分子量は、広純に変化し５る。本発
明は、これに限定されないが水素化コポリマーの重量半
均分子量は、約２５．’０００〜約３５０、Ｄ　Ｄ　Ｏ
の軸囲である。
発明者の発明によって封入される電子部品は、広範に封
入が所望される全ての電子部品（すなわち装置、部品な
ど）を含む。電子部品の語は、広義に解釈する積りであ
り、次の限定されない例、コンデンサー（ｃａｐａｃｉ
ｔｏｒｓ　Ｌ抵抗５　（ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ　）、 抵抗器ネットワーク（ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ　ｎｅｔｗｏ
ｒｋｓ　）、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔ、ｅｄ　ｃｉ
ｒｃｕｉｔｓ　）　Ｘトランジスター（ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒｓ　）　Ｘダイオード（ｄｉｏｄｅｓ　）、 トライオード（ｔｒｉｏｄｅｓ　）　Ｎサイリスター（
ｉ、ｈｙｒｉｓｔｏｒｓ　）、コイル（ｃｏｉｌｓ　）
、 バリスター（Ｖａｒｉｓｔ、ｏｒｓ　）　Ｘコネクター
（Ｃ０ｎｎｅＣ１ＯｒＳ　）　Ｘコンデンサー（ｃｏｎ
ｄｅｎｓｅｒｓ　）、変＄　ａ　（ｔｒ’ａｎｓｄｕｃ
ｅｒｓ　）　％水晶発振器（ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｓｃｉ
ｌｌａｔｏｒｓ　）、ヒユーズ（ｆｕｓｅｓ　）、 蟹流！　（ｒｅｃｔｉｆｉｅｒｅｓ　）、Ｋ諒（ｐｏｗ
ｅｒ　５ｕｐｐｉｅｓ　）　、およびマイクロスイッチ
（ｍｉｃｒｏｓｗｉｔｃｈｅｓ　）が含まれる。
上記に挙げた電子部品の各々の定義も同様に広義かつ広
汎なものを意味する槓りである。例えば、これに限定は
しないが、集積回路には、大規模集積回路（ｌａｒｇｅ
　５ｃａｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ、
ｓ　）　＼ ＴＴＬ　（）ランシスター−トランジスター浦埋回路）
、 ハイブリッド集積回路（ｈｙｂｒｉｄ　ｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅ４Ｃｉｒｃｕｉｔ’ｓ　）、 線形増幅器（１ｉｎｅａｒ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　）
、演算増幅器（０ｐｅｒａｔｉｏｎａｌ　ａｍｐｌｉｆ
ｉｅｒｓ　）、計装増幅器（ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔ
ｉｏｎ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　）、緩衝増幅器（１ｓ
ｏｌａｔｉｏｎ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　）、倍率器お
よびディバイダー（ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒｓ　ａｎｄｄ
ｉｖｉｄｅｒｓ　）、 ログ／アンチログ増Ｉｔ＠　ａ　（ｌｏｇ　／　ａｎｔ
ｉｌｏｇａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　）　・、 ＲＭＳ−ＤＣコンバーター（ＲＭＳ−ｚｏ−ＤＣｃｍｎ
ｖｅｒｔ、ｅｒｓ　）、亀圧基１．ＰＡ　（Ｖｏｌｔ、
ａｇｅ　ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ　）、変換器（ｔ、ｒａ
ｎｓｄｕｃｅｒｓ　）、コンディ７ヨナー（ｃｏｎｄｉ
ｔｉｏｎｅｒｓ　）　。
計　　装（ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ　　）、デ
ィジタル−アナログ変換器（ｄｉｇｉｔａｌ−ｔｏ−ａ
ｎａ−１ｏｇ　ｃｏｎｖｅｒｚｅｒｓ）、 アナログ−ディジタル変換器（ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄ
ｉｇｉｔａｌｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ　）、 ゛電圧／Ｉ＋！ｉ１波数変換器（Ｖｏｌｔ、ａｇｅ／　
ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｃｏｎ−ｖｅｒｔｅｒｓ　）　％ シンクロ−ディジタル変換ａ　（ｓｙｎｃｈｒｏ−ｄｉ
ｇｉｔａｌｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ　）、 サングル／トラックホールド増幅器（ｓａｍｐｌｅ　／
ｌ、ｒａｃｋ−ｈｏｌｄ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ）。
ＣＭＯＳスイッチおよびマルチプレクサ−（ＣＭＯ８Ｓ
ｗｉｔｃｈｅｓ　ａｎｄ　ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ６）
、データ収集サデシステム（ｄａｔａ−ａｃｑｕｉｓｔ
ｉｏｎｓｕｂｓｙｓｔｅｍｓ　）、 電源（ｐｏｗｅｒ　５ｕｐｐｌｉｅｓ　）、メモリー集
積回路（ｍｅｍｏｒｙ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒ
ｃｕｉｔｓ）マイクロプロセッサ−（ｍ１ｃｒｏｐｒｏ
ｃｅｓｓｏｒｓ　）など を含ませる積りである。
本発明の範囲は、広義には、封入用組成物中に充Ｊ１４
剤および補強材を含ませる。充填剤は、前記組成物の寸
法安定性、熱伝導性および機械的強度を向上させるため
に使用される。若干の好適な充填剤には、例えば、タル
ク、シリカ、クレー、アルミナ、硫酸カルシウム、炭酸
カルシウム、雲母などが含まれる。充填剤は、例えば粉
末、粒子または繊維の形態でよい。充填剤の選定におい
ては久のことを考慮に入れるべきである、 （１）充填剤の導電率（低いほど良い）、（２）封入温
度における充填剤の熱安定性、および、 （３）充填剤中のイオン状不純物の水準などである。
好：Ａな補強材（ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｍｅｎｔ　）には
、ガラス繊維および珪酸カルシウム繊維（例えば珪灰石
（Ｗｏｌｌａｓｔｏｎｉｔｅ　）、　Ｊが含まれる。補
強材の他の例には、非繊維形帖の（例えは、ビープ、粉
末、粒子など）ガラスまたは珪酸カルシウムおよび石綿
、セラミックスなどのような他の物質繊維が含まれる。
本発明は、これに限定されないが、ポリ（アリーレンサ
ルファイド）、補強材および充填剤を含有する。＠代物
中の水素化共役ジエン／モノビニル−１−換芳香族コポ
リマーの量は、水素化コポリマー、ポリ（アリーレンサ
ルファイド）、補強材および充填剤の合計Ｎ童に基づい
て、一般に、約０．１〜約１０重量％であるべきである
。本発明の実砲において発明者等の提案する範囲は、約
０．５〜約５重量％である。
ｆＩＩ］強材および光塙刑以外に、本組成物は、所望に
よって例えば顔料、流れ向上剤（ｆｌｏｗ　ｉｍｐｒｏ
ｖｅｒ）および加工助剤（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ａｉ
ｄｓ　）のような他の成分を比較的少量含有することが
できる。
本発明の刺入用組成物の′電気抵抗および加水分解安定
性は、オルガノシランの添加によって改善できる。多く
の好適なオルガノシランは、当業界において公知である
。例えは、Ｎ−＋２−［３−（トリメトキシシリル）ｆ
ロビルアミノ〕エチ刈−ｐ−ビニルベンジルアンモニウ
ムクロライトラ用いて良結果を得ることができる。メル
カグトシランもこの目的に使用できる。電気抵抗および
加水分解安定性の向上に高い効果があるため６−メルカ
ゾトプロビルートリメトキシシラン、Ｈ８ＣＨ２ＣＨ２
８１（ＯＣＨ３）　３は最も好ましい。
電子部品の最初の表には、能動的部品（ａｃ　ｔｉｖｅ
ｃ゛ｏｍｐｏｎｅｎｔ、　）　（例えば集積回路、トラ
ンジスターおよびダイオ−１のような）および受動的部
品（ｐａｓｓｉｖｅ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ、　）　（例
えばコンデンサー、抵抗器および抵抗器ネットワークの
ような）の両者が含まれていることに注目すべきである
。この区別は、しばしば重要であり、しばしば、その部
品の封入用として最も適したポリ（アリレンサルファイ
ド）封入用組成物の種類の決定因子となる。
刺入用組成物としての使用で好結果を得るために特に好
：ｉＭなこれらのさらに詳細なポリ（アリーレンサルフ
ァイド）組成物は、広義には、（ａ）　　ポリ（アリー
レンサルファイド）、（ｂｌ　　水素化共役ジエン／モ
ノビニル−置換芳香族コポリマー、 ｆｃ）　　補強材、および （ｄ）　　充填剤 を含む。
これらの組成物は、所望によって、上記の（ａ）、（ｂ
）　、（ｃ）および（ｄ）に加えて、例えはオルガノシ
ラン、顔料、流れ向上剤および〃ａ工助剤のような他の
成分を比較的少量含有することができる。
能動的部品の封入用ｍ酸物は、次の重量％に基づいて製
造できる： （ａ）　　ポリ（アリーレンサルファイド）約２５〜約
４５　ｗｔ、％広い軸回 約６２〜約３８ｗｔ、％好ましい範囲 （ｂ）　　水素化コポリマー 約０．１〜約１Ｑｗｔ％広い範囲 約０．５〜ｔＪ５ｗｉチ好ましい範囲 （Ｃ）　　補強材 約５〜約３０　ｗｔ％広い範囲 約１０〜に３２０　ｗｔ％好ましい範囲（ｄ）　　充填
剤 約４０〜約６Ｑ　ｗｔ係広い範囲 約４５〜約５５　ｗｔ％好ましい範囲 上記の重量係は、その組成物中の（ａ）　、ｔｂ）　、
（Ｃ）および（ｄ）の合計重臘に基づくものである。上
記の水素化コポリマーは、前記の水素化共役ジエン／モ
ノビニル−直換芳香族コポリマーである。
広い範囲とは、好結果を痔るために組成物をその範囲内
に限定すべき範囲を表わす。好ましい範囲とは、組成物
が意図する封入目的に最も適した物理的、化学的および
′１気的性貞を有するよう限定しているために好ましい
。
本発明は、これに限定されないが、能動的の部品の封入
用に使用される組成物の粘度は、一般に約８００ポアズ
（６５０’Ｆ’および１０００（抄）−１の剪断速度に
おいて細管レオメータ−で測だして）を超えるべきでは
ない。約８００ポアズを超える粘度を有する組成物で能
動的通子部品を刺入するとその部品を損偏させる。例え
はワイヤーリード（ｗｉｒｅ　１ｅａｄｓ　）を有１−
る集積回路のような非常にテ゛リクートな部品以外の能
動的電子部品の封入用としては約１５０〜５００ポアズ
が、Ｉｆｊｉ我物の一般的範囲であろうと見做されてい
る。例えばワイヤーリードを仔する集積回路のような非
常にデリケートな部品に関しては、封入用組成物の粘度
は、約１５０ポアズ（６５０”Ｆおよび１０００（抄）
　−１の剪断速度において細管レオメータ−で測定して
）より低（なければならない。任意のこれより高い粘度
の組５ｙ、物で集積回路な刺入するとワイヤーウオツシ
（Ｗｉｒｅ　ｗａｓｈ　）　（すなわち、集積回路の電
線の切断）を起こすおそれがある。かような集積回路な
どのような部品の耐入用の組５Ｘ吻の粘度は、一般的に
約７５〜約１５０ポアズの範囲であろうと考えられてい
る。
前記組成物の粘度は多数の因子に依存するが、約８００
ポアズより低い粘度の組成物を得るためには、ポリ（ア
リーレンサルファイド）の粘度は、一般に約１３０ポア
ズ（６５０′Ｆ’および１０００（抄）−１の剪断速度
において細管レオメータ−で測定して）を超えてはなら
ない。大部分の適用において、ポリ（アリーレンサルフ
ァイ１）の粘度は、約７０ポアズまでの範囲であろうと
考えられている。ワイヤーリードを備えた集積回路のよ
うなデリケートなｉ上動的部品用として望ましい範囲の
組成物粘度を得るためには、ポリ（アリーレンサルファ
イド）の粘度は、一般に約２５ポアズ（６５０Ｆおよび
１（ＪＯＯ（抄）−１の剪断速度において細管レオメー
タ−で測定して）未満でなければならない。
前記の補強材は、例えばガラス繊維または珪酸カルシウ
ム繊維である。
充填材は、例えばシリカでもよい。このシリカは、非晶
質または結晶シリカでもよい。シリカは、約１〜約１０
０ミクロンの範囲の比較的狭い粒度分布を何する微細に
分割された物質として商業用に入手できる。かような商
業用のシリカは、典型的には、約９９．５重量係の５１
０ｇおよび残朶成分としてＡｔ２０３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎ
ａ２Ｏおよびに２０から成る。
他の充填剤には、例えはタルク、ガラス、クレー、厳母
、ｆｍＬｆカルシウムおよび炭酸カルシウムか含まれる
。
能動的電子部品の好ましい封入用ｍ酸物は：（ａ）　　
約６２〜約５８ｗｔ％のポリ（フェニレンサルファイド
）（６５０Ｆおよび約ｉ　ｏｏｏ　＜秒）−１のＩｊＪ
Ｊ断速度において細管レオメータ−で測定して約１６０
ポアズ未調の粘度）、 （ｂ）　　約ｔＪ、５〜約５　ｗｔ％の水素化イソグレ
／／スチレンブロックコポリマー、 （Ｃ）　　約１０〜約２０　ｗｔ％のガラス繊維または
珪酸カルシウム繊維、および、 ＋ａ＞　　約４５〜約５５　ｗｔ％のシリカかう製造さ
れる。
ポリ（フェニレンサルファイド）の粘度が約２５ポアズ
より低い（６５０１？および１０００（抄）−１の剪断
速度において細管レオメータ−で測定して）ときには該
組成物は、ワイヤーリードをυｍえた集積回路の封入用
として特に好適である。
従って、該組成物で耐大された集積回路は、発明者の発
明の一つの態様となる。
受動的の電子部品の封入用として使用する組成物は、次
の重書％、 （ａ）　　ポリ（アリーレンサルファイド）約２５〜約
４５　ｗｔ％広い範囲 約６２〜約６８ｗｔ％好ましい範囲 （ｂ）　　水素化コポリマー 約０．１〜約１０ｗｔ％広い範囲 約０．５〜約５　ｗｔ、％好ましい範囲（Ｃ）　　補強
材 約２０〜約５０　ｗｔ％広い屹囲 約２５〜約４５　ｗｔ％好ましい範囲 （ｄ）　　充填剤 約１８〜約３１３　ｗｔチ広い範囲 約２３〜約３３　ｗｔ％好ましい範囲 によって＃遺される。
上記の重瀘係は、組成物中の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）お
よび（ｄ）合計重量に基づくものである。水素化コポリ
マーは、前記の水素化共役ジエン／モノビニル−置換芳
香族コポリマーでアル。
前記の広い範囲とは、良好なｔ３果を祷るため組酸物を
限定すべき範囲を示す。前記の好ましい範囲は、組Ｆｙ
、物の意図する封入目的に最も適した物理的、化学的お
よび電気的性質を祷るように組成物を限定しているため
に好ましい。
発明者の発明はこれに限定されないが、受動的電子部品
の封入用のＭ酸物の粘度は、約１２００ポアズ（６５０
”Ｆおよび１０００（抄）−１の剪断速度において細管
レオメータ−で測定して）を超えるべきではない。１２
００ポアズを超える粘度を有する組成物で受動的電子部
品を封入するとその部品を損傷するおそれがある。前記
組成物の粘度は、一般に約５００〜約８００ポアズの範
囲であろうと考えられている。
所望範囲の粘度を胃する組成物を得るためには、ポリ（
アリーレンサルファイド）の粘度は、一般に約６０υポ
アズ（６５０”Ｆおよび１０００（秒）−１の］ｊｌｊ
断速度において細管レオメータ−で測定して）を超える
べきではない。ポリ（アリーレンサルファイド）の粘度
は、一般に約１９０〜約６００ポアズの範囲であろうと
考えられている。
補強材は、例えばガラス繊維または珪酸カルシウム繊維
でよい。
その入手性、組成物の寸法安定性、熱伝導率および機械
的性、質を向上させる能力の点からタルクが好ましい充
填剤である。タルクの代り、またはタルクとの組合せで
他の充填剤も使用できる。かような好適な充填剤の例に
は、シリカ、硫酸カルシウム、炭酸カルシウム、クレー
、ガラスおよび縄母が含まれる。コネクターの封入用組
成物には、硫酸カルシウムが特に有用である。
受動的電子部品の好ましい封入用組成物は、（ａ）約３
２〜約３８ｗｔ％のポリ（フェニレンサルファイド）（
６５０＝ｐおよび約１０００（秒）−１の剪断速度にお
いて細管レオメータ−で測定して約６００ポアズ未満の
粘度）（ｂ）　　約０．５〜約５　ｗｔ％の水素化イソ
グレン／スチレンコポリマー、 （Ｃ）　　約２５〜約４５　ｗｔ％のガラス繊維または
珪酸カルシウム繊維、および、 （ｄ）　　約２３〜約３３ｗｔ％のタルクから製造され
る。
この組成物は、コンデンサーの封入用として特に好適で
ある。従って、該組成物で封入したコンデンサーは、発
明者の発明の態様である。
本発明の組成物は、ポリ（アリーレンサルファイド）、
水素化コポリマーおよび他の成分（使用する場合の）を
−緒に混合物に形成できる任意の方法によって製造でき
る。当業界の熟練者には多数の好適な方法が周知である
。−例として、この組成物の成分を、室温で回転するド
ラムプレ／グー中またはヘンシェルミキサー（Ｈｅｎ５
ｃｈｅ１　ｍ１ｘｅｒ）中において混合し、ポリ（アリ
ーレンサルファイド）のほぼ融点より尚い温度で押出配
合して均一配合物の生成する。
−たん製造されれば、前記の組成物は、熱可塑性樹脂封
入用組成物に好適な任意の射入方法によって電子部品の
耐入用として使用することができる。かような方法は、
当業界において周知であるＯ前記の組成物は、ポリ（ア
リーレンサルファイド）の少なくともほぼ融点の温度に
まで加熱でき、次いで、電子部品の耐入用に使用される
。例えば、前記の組成物を射出成型装置に導入し、封入
されるべき電子部品が位置する射出金型中に押出せる溶
融体にする。トランスファー成型法もまた使用できる。
次の実施例は、本発明の開示をさらに理解するために示
すものであって、その範囲を不当に限定するものと解釈
すべきではない。
実施例 本実施例は、水素化共役ジエン／モノビニル−置換芳香
族コポリマーを含有するポリ（フェニレンサルファイド
）組成物の製造および評価法を説明する。次の成分、３
４重量％のポリ（フエニレ７ｔル７フイ）’）（５イ）
　ｙ”（ＲｙｔｏｎＴＭ）　フィリッゾ石油会社製、試
験法ＡＳＴＭＤ、　　１２３８．６４５ｇの重り、６０
０′Ｆおよび０．０８２５インチオリフィスに変更した
、方法Ｂで測定して約１７５〜２００．９／分の流量を
有する）、１５重ｉ％の珪灰石（ウオラストカツｆ　（
Ｗｏｌｌａｓｔｏｋｕｐ）Ｇ１８７　０．５］、４９．
２　、Ｊｉ量係のシリカ（ＧＰ７１）、０．８重量％の
６−メルカブトグロビルトリメトキシシラン（Ａ−１８
９ユニオン力−バイド社製）および７重量％のフィル（
Ｐｈ１ｌ　）　ＡｄＴＭＶｌｌ　　ｆ米国特許明細書第
３．５５　’ｆ−、９１１号に記載の水素化４１　ｗｔ
、％１，６−プタジエン１５９ｗｔ％スチレン線状ラン
ダムテーパー（１ｉｎｅａｒ　ｒａｎｄｏｍｔａｐｅｒ
ｅｄ　）ブロックコポリマー、重量平均分子量（Ｍｗ　
）が約７０，０００〜８０，０００を有するもの）をへ
ンシエルミキサーに添加した。これら成分を、完全に分
散するまで混合した。この混合物を、５７０〜６００　
’Ｈにおいてバスーコンダックス　＝＋＝−ダー　エク
ストルデー（Ｂｕｓｓ−Ｃ’ｏｎｄｕｘＣｏｋｎｅａｄ
ｅｒ　ｅｘｔｒｕｄｅｒ　）に入れ、ペレット化した。
ペレット化したコンパウンド生成物を、３５トンのアル
プラグ（Ａｒｂｒｕｇ　）成型機（原料温度６５Ｏｆｆ
。
成型温度２７５”Ｆ）を用い、１０個の鋼合金集積回路
入り鉛フレーム中に射出した。各集□積回路（１，Ｃ，
）は、７４００　２−人力カッド　ナンドデー　ト　１
．　　Ｃ，（２−１ｎｐｕｔ　ｑｕａｄ　ＮＡＮＤ　　
ｇａｔｅ　　１．Ｃ，）であった。耐人後、各封入され
た部分は約０．５インチＸ　０．２５インチｘ　Ｏ，１
２５インチの寸法であった。封入された鉛フレームを切
断シ、個々（７）Ｉ。
Ｃ０部分にトリミングした。
前記の集積回路を、次いで、これらの１．　Ｃのソケッ
トに合うようなソケットを有する８インチ×１０インチ
のテフロンの厚板上に配置した。この厚板には、各厚板
当り５０個の１．　Ｃ，を取付ける余地があった。この
厚板には各１．　Ｃ，に対するリード線を備えていた。
組立てた厚板を１１５”ｃ１約１０　ｐｓｉｇのオート
クレーブ中に置いた。５ボルトの電流を繰返し１５秒オ
ン（ｏｎ　）にし、７５秒間オフ（ｏｆｆ　）にした。
周期的にＬ　Ｃ，の破損を試験した。この破損試験は、
１．Ｃ，をオートクレーブから取出し、室温にまで冷却
させ、個々のセ０７ｈ−ス（Ｚｅｒｏ　ｆｏｒｃｅ　）
挿込ソケットを備えた別のテフロン厚板上においた。こ
のソケットを、５ボルトの電源および信号発生機を有す
るアイディア　ボックス（ｒｄｅａ　Ｂｏｘ　）　（グ
ローバル　スペシャリテース社（Ｇｌｏｂａｌ　５ｐｅ
ｃｉａｌｉｔｉｅｓ　）　ｌ　Ｋ接続した。前記のアイ
ディアボックスを、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ　）　（
オフシロスコープ（０ｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅ　）モデ
ル２２２八、ヒユーレット　パラカード社（Ｈｅｗｌｅ
ｔｔ　Ｐａｃｋａｒｄ　）　）にも接続した。破損また
は合格を、オフシロスコープのパターン（ｐ！Ｌｔｔｅ
ｒｎ）によって判断した。そのパターンが、オートクレ
ーブ処理前と同じであれば、その１．Ｃ，は合格と見做
し、オートクレーブに戻される。９６時間またはそれ以
上の時に、その１．Ｃ，を再試験した。試験は、封入し
た装置の２０％が破損するまで９６時間またはそれ以上
の時間毎に繰返した。前記の試験を１サイクリング試験
Ｊ　　（Ｃｙｃｌｉｎｇ　ｔｅｓｔ）と呼んだ。２０％
の封入装置が破損するまでに約２０００時間の試験を要
した。＃記の試験を、水素化コポリマーなしのポリ（フ
ェニレンサルファイド）組成物を使用して繰返した場合
、２０％破損水準にはわずか１０００時間で達した。
「一定試験Ｊ　（Ｃｏｎ５ｔａｎｔ　ｔｅｓｚ　）と呼
ぶ他の実験を行った。この試験は、オートクレーブ処理
の間通用する５ボルトの電流？、オフ−オンを繰返さな
いで一定に維持したのを除いてはサイクリング試験と同
じであった。水素化コポリマーを含有ｊるポリ（フェニ
レンサルファイド）、組成′吻で封入した前記回路の２
０％が破損するまでには２０００時間のオートクレーブ
処理を要した。コポリマーなしの組成物では、２０％破
損までには２２００時間を要した。この両結果は匹敵す
るものと見做される。水素化コポリマーを含有するポリ
（フェニレンサルファイド）で封入した前記の回路の５
０％が破損するまでに２７００時間のオートクレーブ処
理を要した。コポリマーなしの組成物では、５０％破損
に至るまで６０００時間を要した。
この場合も両結果は匹敵するものと見做される。
「装置の電気的収率Ｊ　　（Ｄｅｖｉｃｅ　Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ　Ｙｉｅｌｄ）と呼ぶ最終試験を、封入した集積
回路で行った。
この試験は、成功裡に封入された回路の数を測定するた
めの信頼度試験である。集積回路を封入した後に、切り
離し、トリミングし、これらを前記のオフシロスコープ
で、封入がうまく行なわれているり）否かを測定して試
験した。これらはまた肉眼でも観察した。成功した封入
の数を、成功率として記録した。封入が成功した回路の
みを、次の１サイクリングおよび一定」試験にさらに使
用した。水素化デタジェン／スチレンコポリマーヲ含侍
する組成物で封入したＬＣｏの９８％が成功と見做され
た。前記のコポリマーなしの組成物で封入された１、Ｃ
，ではわずか８９％が成功と見做されたにすぎなかった
。Ｊ：Ｅｌ、較のためこの結果を第１表に示す。
第　　１　　表 ポ′す（フェニレンザルファイド）組成物の電気的性質
に及はす水素化ブタジェン／スチレンコポリマーの影響 ＰＰＳ　Ｍｉ成酸 物　　　　　験　　　　　　　　如の萌１片し　Ｉｗｔ
幅フィルＡｄ■１、サイクリング試験＝２０％の 封入装置が破損するに要する 時間（時間）交流電圧、５ポ　１０００　　　　２００
０ルト ２、一定試験 ａ、２０％の封入装置が破損す るに要する時間（時間）、 一定電圧、　　　　　　　　　２２００　　　　２００
０ｂ、５０％の封入装置が破損す るに要する時間（時間）、 一定電圧、　　　　　　　　　３ＱＯＬ］　　　　　２
７００６、装置の電気的収率、％　　　　　　８９９８
封入回路の成功率、 実施例■ 本実施例は、兵糧の水素化共役ジエン／モノビニル−置
換芳香族コポリマーを含宵するポリ（フェニレンサルフ
ァイド）組成物の製法および評価を説明する。製造およ
び試験した組成物を第■表に示す。これら組成物の各々
を、実施例１に記載と同様な方法で集積回路の封入に使
用した。これらの封入した回路を、実癩例１に記載と同
様に封入信頼度（装置の電気的収率％）につき引続いて
試験した。この結果を第■表に示すが、このデータから
コポリマーなしのポリ（フェニレンサルファイド）組成
物で成功裡に封入できた集積回路は８６チであったこと
を示している（実験１）。こノテータは、水素化ブタジ
ェン／スチレンコポリマー含有組成物（実験２）および
水素化イソグレン／スチレンコポリマー含有組成物（実
験６）で成功裡に封入できた回路は、それぞれ８９％お
よび９９％であることを示している。
第Ｈ表 重量％ 珪灰石ｂ１４．６　１４．６１４．６ シリカ／シラン　　　　　　ｂＯ，４５０，４５０，４
水素化コポリマー ４１％Ｂｄ１５９％スチレｙ　ｄ　　　　　　　　　ｉ
　、　ｏ　　　　−ａ、＠＋Ｊ（フェニレンサルファイ
ド）ｂ、ウオラストヵッｆ　（Ｗｏｌｌａｓｔｏｋｕｐ
　）　Ｇ　１８７０．５ ｃｍ６００９の６−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン（Ａ−１８９）とブレミックスした２　９．６４　
ｋｌｉＩのシリカ（ＧＰ７１）ｄ、フィルＡｄｌｌｌｌ
、フイリッグス石油会社製、重量平均分子量、約７０，
０００〜８０，０００ｅ、クレートン（Ｋｒａｔｏｎ　
）　Ｇ　−１７０１、ＡＢタイプ、シェルケミカル社製
、６６％ブロックイソゾレン／６７％ブロックスチレン
、重量平均分子量約１０９．０００゜ 添　　加　　剤　　　　　　　　　装置の電気的収率係
対照： １、なし　　　　　　　　　　　　　　８６発　　明　
： ２、　　１ｖｒｔ％の水素化４１％Ｂｄ１５９％スチレ
ンｂ８９ ３、　　１ｗｔ％の水素化６６％イソプレン／３７％ス
チレン０　　　　　　　　　　　９９ａ−ＰＰＢｍ成？
Ｉ　：　３４．０１　ＰＰＳ、　１３．６％珪灰石、５
０．４％シリカ（２，Ｏｗｔ％の６−メルカグトグロビ
ルトリメトキシシ２／を含臂） ｂ、フィルＡｄ■、米国特許第３．５５４，９１１号、
フイリッグス石油会社製、重量平均分子量約７０．０　
０’０〜８０，０００゜ Ｃ，クレートｙＧ−１７０１、ＡＢタイグ、シェルケミ
カル社製、重量平均分子量約１０９，０００、実施例■ 本実施例は、対照組成物および二種の水素化１゜６−ブ
タジェン／スチレンコポリマーを使用したポリ（フェニ
レンサルファイド）封入用組成物ノ非′邂気的性能を比
較した。対照組成Ｏｎは、次のように製造し、試験した
。ウニレックス（Ｗｅｌｅｘ　）ミキサーに溶融シリカ
（９７，９重量％）および６−アミツゾロビルトリエト
キシシラン（２，１重食％）（Ａ−１８７ユニオン力−
バイド社製）を添加した。両成分を数分間混合した。他
の成分と乾燥混合するためにこの混合物をファイバード
ラムに移した。得られた組成は、（全組成物に基づいテ
）　３５重ｆｆｉ％のポリ（フェニレンサルファイド）
、４８．４ｌｌｌ１％の溶融シリカ、１４．６重量％の
珪灰石、１重量％のカーボンブラックおよび１１盪チの
オルガノシラ／（Ａ−１８７）であった。５〜１０分タ
ンプリングの後、前記の混合物を）１．５インチのデビ
ット（Ｄａｖｉｄ　）標準エクストルダーから６００　
’Ｆで押出し、チョッパー中で粒状化し、そして、ニュ
ープリティン（Ｎｅｗ　Ｂｒ１ｔａｉｎ　）成型機（バ
ーレル６００　”Ｆ　）を通して、実施例１に記載と同
様なｊダミーＪ　（ｄｕｍｍｙ　）銅合金す６３８鉛フ
レームを含有する鉛フレーム金型中へ押出した。各１．
Ｃ，には、チップ（ｃ’ｈｉｐ　）および船端は存在し
なかったが１／８インチのタデ（ｔａｂ　）を存在させ
た（各１．Ｃ，の片側に２個、各１．Ｃ，の反対側に１
個）。成型後、このタデは、種々の深さで組成物中に埋
込んだ。最初のパック（ｐａｃｋ　）（Ｉ。
Ｃ０）ではタデを１４の深さまで埋込んだ。二番目のパ
ックでは二個のタデを上側にパックの署の深さに埋込み
、底部の二個のタデは１４の深さにまで埋込んだ。三番
目のパックでは、この反対に埋込んだ。このような方法
で１０パツクの成型的に父互に埋込み接着試験用の代表
的試料を侍た。
集積回路のパックの各々を鉛フレームから切りはなし、
トリミングした。インストロン（ｉ＝ｔ、ｒａｎ）試験
機（モデル１１２５、クロスヘッド速度５非／分、チャ
ート速度５０嬬／分において１００にニュートンのロー
ドセルを１更用）によって埋込んだタデを樹脂から抜い
た。平均接着力の値１２８ニュートンが得られた。この
方法を≠１９４銅合金鉛フレームを使用して繰返した。
この二番目の合金では平均接着力の値は９８ニユートン
が得られた。これら二種の値を対照に使用した。
ここに開示した成分に加えて、乾燥混合工程において全
組成物の全重量に基づいて２重量％の二種の水素化共役
ジエン／モノビニル−置換芳香族コポリマーｊなわら、
フィルＡｄ　１ｌｌｌ　（水素化４１ｗｔ％ブタジェン
／　５９　ｗｔ％スチレン稼状ランダムテーパーブロッ
クコポリマー、Ｍｗ＝７０，０００−８０，０００、フ
ィリップス石油会社製）またはソルゾレｙ　（５ｏｌｐ
ｒｅｎｅ　）　２４３　Ｓ　（水素化７１ｗｔ％１ｗｔ
％ブタジェン／２ラジアル　テレブロック（ｒａｄｉａ
ｌ　ｔｅｌｅｂｌｏｃｋ　）　コポリマー、ＭＷ／Ｍｎ
＝５５，０００１５２，０００　）のいずれかを配合し
た以外は、完全混合、配合、押出試験方法を反復した。
第１ｖ表に掲けた表は、いずれかの水素化コポリマーの
存在が、集積回路に使用される銅表面への接着を著しく
増加させることを示している。
第１ｖ表 ポリ（フェニレンサルファイド）組成物の接着性に及ば
ず水素化ブタジェン／スチレン芳１、銅合金≠１９４に
対する接着　　９８　　１６４　　　１６２ニユートン ２、銅合金す６３８に対する接着　１２８　　２１４　
　　２２２ニユートン ａ、３５ｗｔ％ｐｐｓ、４８．４％溶融シリカ、１４．
６チ珪灰石、１％カーボンブラック、１％Ａ−１８７オ
ルガノシラン。
ｂ、７１％Ｂａ　／　２９％スチレ／水素化ラジアルテ
レブロックコポリマーＭｗ／Ｍｎ　＝　５５，０００１
５２．００００ ０．４１％Ｂｄ１５９％スチレン水素化ランダムテーパ
ーブロック線状コポリマー、 Ｍ−＝　７０，０００〜８０，０００゜実施？’！Ｉ　
ＩＶ 本実砲例は、棟々の量の水素化共役ジエン／モノビニル
−置換芳香族コポリマーを含有するポリ（フェニレンサ
ルファイド）組成物の他の非電気的性能を開示する。実
倫例用の乾式混合方法を繰返した。祷られた組成物を、
６００’Ｆ’においてデービス標準エクストルダーで押
出し、粉砕して粒状物質にし、炉中で３５０”１？で６
時間乾燥し、次いで、ニュープリテン成型機（バレル６
００’Ｆ。
成型２７５Ｆ）を使用し、８インチ×１インチ×０．１
２５インチのバー試料に成型した。各棟の試験結果を第
Ｖ表に示す。水素化コポリマーの量を１〜５重量優に変
化させた。この結果は、水素化共役１．３−ブタジェン
／スチレンコポリマーの存在は、曲げ強さ、引張破断強
さおよびノツチなしのアイデッド衝撃強さく　ｕｎｎｏ
ｔｃｈｅｄ　Ｉｚｏｄ　ｉｍｐａｃｔ）のようなポリ（
フェニレンサルファイド）、＃入用組成物にとって１袋
な多（の性質７向上させた。
汐ｕえは、ノツチなしのアイデッド衝撃強さく工、６７
．４Ｊ／Ｍから９０Ｊ／Ｍ以上に増加した。同様に、曲
げ強さは、６５．８Ｍ）ａかも８Ｑ　ＭＰａに増加し、
引張破断強さは、４２．７　ＭＰａから５６ＭＰａ以上
に増加した。若干の性質は、前記のコポリマーの存在に
よって、例えば曲げ弾性率が１’　７，３７０　ＭＰａ
から１４．０００　ＭＰａ未満に、および押出量が、２
１．８．９／１０分から１６またはそれ以下／１０分の
ように減少した。しかし、これらの減少は、封入用組Ｆ
ｆＣ″４ｖＪの性能に対して不利益とは考えられない。
第１頁の続き （塑合　明　者　クリフォード・ウニイン・チルダーズ アメリカ合衆国オクラホマ州パ ードルスピル・ムーンライト・ ドライブ１８１５

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ［）（ａ）　　ホＩＪ　（アリーレンサルファイド）と
    、（ｂ）　　水素化共役ジエン／モノビニル−ｒｉｔ＊
    芳香族コポリマー とを含むポリマー組成物で封入された電子部品。 （２）前記（ｂ）のコポリマーか、ランダムコポリマー
    である特許請求の範囲第１項に記載の部品〇（３）　　
    前記（ｂ）のコポリマーが、ブロックコポリマーである
    ′＃、’Ｆ請求の４１ｇｖ５第１項に記載の部品。 （４）　　前記のコポリマーか、線状ブロックコポリマ
    ーである特許請求の軸ｄ第３項に記載の部品。 （５）　　前記のコポリマーか、ラジアルゾロツクコポ
    リマーである待、ｆ’Ｆ請求のＩｌＩｇ回第３項忙記載
    の部品。 （６）前記のコポリマーのモノビニル−を換芳香族含鍍
    か、該コポリマーの全重瀘に基づいて約１０〜約９０恵
    櫨％である特許請求の４１第１〜５項の任意の１項に記
    １成の部品。 （７）前記のコポリマーが、少なくとも約８０係の脂肪
    族二重結合の水素化を特徴とする特許請求の範囲第６項
    に記載の部品。 （８）　　前記のコポリマーが、少なくとも約２５５ｂ
    未満の芳香族二重結合の水素化をさらに特徴とする待Ｉ
    ｆｆ請求の範囲第７項に記載の部品。 （９１前記のコポリマーが、少なくとも約９９％の脂肪
    族二！結合の水素化、および約５％未満の芳香族二重結
    合の水素化を特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の
    部品。 １１０）前記のコポリマーか、約２５，０００〜約３５
    １１．０００の重量平均分子量を有する特許請求の範囲
    第６項に記載の部品。 （Ｉｌｌ　　ＱＵ記の組成物が、（Ｃ）補強材をさらに
    含む特許請求の範囲第１〜１０項の任意の１項に記載の
    部品。 ｕ夕　　前記の補強材が、ガラス繊維または珪酸カルシ
    ウム繊維である特許請求の４１１２−第１１項に記載の
    ｍ品。 （１３前記の組成物が、（ｄ）元項剤をさらに含む特許
    ８η求の範囲第１〜１２項の任意の１項に記載の部品。 Ｏａ　　前記の充填剤が、シリカ、タルク、または硫酸
    カルシウムである特許請求の範囲第１６項に記載の部品
    。 （１５＋　　前記の組成物が、補強材および充填剤の両
    者を含み、そして、＠記組成物中の（ｂ）の磁が、（ａ
    ）、（ｂ）、該補強材および該充填剤の合計車重に基づ
    いて約０・１〜約１０事瀘％の軛四内である特許請求の
    範囲第１１〜１４項の任意の１項に記載の部品。 Ｕθ　前記の軸回が、豹０．５〜約５Ｍ量％である特許
    請求の範囲第１５項に記載の部品。 ｔ１７）　　（ｂ）が、水素化１，６−ブタジェン／ス
    チレンブロックコポリマーである特許請求の範囲第１〜
    １６項の任意の１項に記載の部品。 ｔ１８１　　（ｂ）か、水素化イソプレン／スチレンブ
    ロックコポリマーである特許請求の範囲第１〜１６項の
    任意の１項に記載の部品。 ｔｌ湧前記のブロックコポリマーのスチレン含量力、該
    コポリマーの全重量に基づいて約１０〜約９０ｉ量％で
    あり、該ブロックコポリマーが、少な（とも約８０％の
    脂肪族二重結合の水素化、および、約２５％未満の芳香
    族二重結合の水素化を％徴とし、そして、該水素化され
    たブロックコポリマーが、約２５，０００〜約３５０，
    ０００の重量平均分子慮を有する特ｆｌｆ請求の範囲第
    １８項に記載の部品。 αω　前記の°電子部品が、 コンデンサー、 抵抗器、 抵抗器ネットワーク、 集積回路、 トランジスター、 ダイオード、 トライオード、 サイリスター、 コイル、 バリスター、 コネクター、 コンデンサー、 変換器、 水晶発振ａ） ヒユーズ、 姥ｂＩｔ　５、 遡源、または、 マイクロスイッチ である特許請求の範囲第１〜１９項の任意の１項に記載
    の部品。 ＩＸｌ！１１　　前記の組成９勿か、 （ａ）　　約２５〜約４５事量係のポリ（アリーレ／）
    サルファイド、 （ｂ）　　約（Ｊ、１〜酌１Ｕ亜量％の水素化共役ジエ
    ン／モノビニル−置換芳香族コポリマー＼（Ｃ）　　約
    ５〜．ｆ１３０重ｄ係の補強材、および、（ｄ）　　約
    ４Ｕ〜ＦＪ６０重量係の充填剤、（但し、前Ｈピの一重
    量％は、（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）の合討亜
    寸に基づくものである）を含む組成物であって、その粘
    度が、６５０　’Ｆおよび１０［］０　＜秒）　−１の
    剪断速度において細・ａレオメータ−で測定シてｔＪ８
    ００ポアズを超えないものであり、そして、前記の電子
    部品が能動的電子部品である特許請求の範囲第１〜１９
    項に記載の部品。 ■　前記の組成物の粘度が、約１５０ポアズを超えない
    特許請求の帷りｍ第２１項に記載の部品。 Ｑ　前記の電子部品が、ワイヤーリードを備えた集積回
    路である特許請求の範囲第２２項に記載の部品。 囚　前記の組成物が、 （ａ）　　約２５〜約４５重量係のポリ（アリーレンサ
    ルファイド）、 （ｂ）　　約０．１〜約１０重量係の水紫化共役ジエン
    ／モノヒニルー置換芳香族コポリマー、（Ｃ）　　約２
    ０〜約５０厘量％の補強材、および、（ｄ）　　約１８
    〜約６８重量％の充填剤、（但し、前記の重量％は、（
    ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）の合計Ｍ量に基づく
    ものである）を含む組Ｉ′ｆＣ１＃で・あって、その粘
    度が、６５０’Ｆｋよヒ１００１Ｊ　（抄）−”の剪断
    速度において細骨レオメータ−で創建して約１２００ポ
    アズを超えないものであり、そして、前記の電子部品が
    受動的電子部品である特許請求の範囲第１〜１９項の任
    意の１項に記載の部品。 （至）前記の充填剤が、タルクであり、前記の電子部品
    が、コンデンサーである特許請求の範囲第２４項に記載
    の部品。 圀　前記の元ＪＤ４刑が、嘘酸カルシウムであり、前記
    の電子部品が、コネクターである特許請求の範囲第２４
    項に記載の部品。 （４）（ａ）カ、ポリ（フェニレンサルファイド）であ
    る特許請求の範囲第１〜２６項の任意の１項に記載の部
    品。 （ハ）前記の組成物か、オルガノシランをさらに含む特
    許請求の範囲第１〜２７項の任意の１項に記載の部品。 （２）（ａ）　　約２５〜約４５重量％のポリ（アリー
    レンサルファイド）、 （ｂ）　　約し１．１〜約１０重重係の水素化共役ジエ
    ン／モノビニル−置換芳香族コポリマー、（Ｃ）　　約
    ５〜約６０重瀘％の補強材、および、（ｄ）　　約４０
    〜約６０貞量チの充填剤、（但し、前記の重量％は、（
    ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）の合計重量に基づく
    ものである）を含む、特に能動的岨子部品封入用の組成
    物であって、その粘度が６５０−Ｆおよび１０００（秒
    ）−１の剪断速度において細管レオメータ−で測定して
    約８００ポアズを超えないことを特赦とする前記ポリマ
    ー組成物。 （至）前記の充填剤が、シリカであり、前記の補強材が
    、ガラス繊維または珪酸カルシウム繊維である特許請求
    の範囲第２９項に記載の組成物。 ０υ　（ａ）が、ポリ（フェニレンサルファイド）であ
    る特許請求の範囲第２９または６０項に記載の組成物。 ｃ３功　（ｂ）が、前記コポリマーの全重量に基づいて
    約１０〜約９０重量係のスチレン含はを有する水素化イ
    ソゾレン／スチレ／ブロックコポリマー−ｃあり、該コ
    ポリマーが、少なくとも約８０％の脂肪族二重結合の水
    素化および約２５％未満の芳香族二重結合の水素化を％
    ＠とし、該水素化コポリマーが、約２５，０００〜約３
    ５０，０００の重量平均分子量を有する特許請求の範囲
    第２９〜６１項の任意の１項に記載の組成物。 Ｃ→　前記組成物の前記の粘度が、約１５０ポアズを超
    えない特許請求の範囲第２９〜６２項の任意の１項に記
    載の組成物。 ■　オルガノシランをさらに含む特許請求の範囲第２９
    〜６６項の任意の１項に記載の組成物。 （至）（ａ）　　約２５〜約４５Ｍ重％のポリ（アリー
    レンサルファイド）、 （ｂ）　　約（Ｊ、１〜約１０重量係の水嵩化共役ジエ
    ン／モノビニルー置換芳香族コポリマー、（Ｃ）　　約
    ２０〜約５０亘量係の情強材、および、（ｄ）　　約１
    ８〜約６８Ｍ虚チの充填剤、（但し、前記の重量％は、
    （ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）の合計Ｊｉ屋に基
    づ（ものである）を含む、特に受動的ぼ子部品封入用の
    ポリマー組成物であって、咳、雨成物の粘度が、６５０
    Ｆおよび１０００（秒）−１の剪１１９Ｔ速度において
    細管レオメータ−で測定して約１２００ポアズを超えな
    いことを！ｐ１微とする前記ポリマー組成物。 …　前記の充填剤が、タルクおよび硫酸カルシウムから
    選はれる特許請求の範囲第３５項に記載の組成物。 ＠　前記の補強材が、ガラス繊維および珪岐カルシウム
    から選はれる％許請求の範囲第６５または３６項に記載
    の組成物。 （イ）（ａ）が、ポリ（フェニレンサルファイド）であ
    る特許請求のＩＩＩｇ囲第３５〜６７項の任意の１項に
    記載の組成物。 ＠（ｂ）　カ、前記のコポリマーの全重量に基づいて約
    １０〜約９０重量％のスチレン含量を何する水素化イン
    プレン／スチレンブロックコポリマーであり、該コポリ
    マーが、少なくとも約８０％の脂肪族二重結合の水素化
    、および約２５％未満の芳香族二重結合の水素化を特徴
    とし、そして、該水素化コポリマーが、約２５．０００
    〜約３５０，００００重量平均分子量を有する特許請求
    の範囲第３５〜６８項の任意の１項に記載の組成物。 （至）　前記の充填剤が、タルクである特許請求の範囲
    第３５〜３９項の任意の１項に記載の組成物。 （財）　前記の充填剤が、眺バカルシウムである特許請
    求の範囲第６５〜６９項の任意の１項に記載の組成物。 （１４オルガノシランを、さらに含む％許請求の範囲第
    ６５〜４１項の任意の１項に記載の組成物。 （財）（ａ）　　ポリ（アリーレンサルファイド）と、
    ｆｂ）　　水累化共役ジエン／モノビニルー置侯芳香族
    コポリマー とを含む混合物を、少なくとも該ポリ（アリーレンサル
    ファイド）のほぼ融点の温度まで加熱し、そして、該混
    合物で電子Ｓ品を封入することを特徴とするポリマー組
    ｂｙ、物で刺入された電子部品の製盾方法。 ■　前記のポリ（アリーレンサルファイド）カ、ポリ（
    フェニレンサルファイド）である特許請求の範囲第４６
    項に記載の方法。 （ハ）　前記の混合物か、（Ｃ）補強材および（ｄ）充
    填剤をさらに言む特許請求の範囲第４６または４４項に
    記載の方法。 ｔｉｃｓ　　前記の電子部品の封入に射出酸型を使用す
    る特許請求の範回４６〜４５項の任意の１項に記載の方
    法。
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