JPS591586A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS591586A JPS591586A JP10934182A JP10934182A JPS591586A JP S591586 A JPS591586 A JP S591586A JP 10934182 A JP10934182 A JP 10934182A JP 10934182 A JP10934182 A JP 10934182A JP S591586 A JPS591586 A JP S591586A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal composition
- chain alkyl
- carbon atoms
- alkyl group
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- Pending
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、時分割駆動用液晶組成物に関するものである
。
。
対問する1板の透明電極を有するガラス基板間に、正の
ネマチック液晶を平行配向させ、表示画素に電圧を印加
除去を行なう事により画g1表示を行なう液晶表示体は
、いわゆる電界効果屋液晶表示装置と呼ばれ、従来より
電卓、時計、ゲーム、計測機器、事務機器々どのデスプ
レー用として広範囲に使用されているが、最近の市場動
向として、より多くの情報表示量が塔載できる液晶表示
体の要求が高まっている。この様な要求に対応した駆動
方式の一つに時分割駆動方式(マルチプレクス、駆動)
がおり、現在、高時分割駆動の液晶表示装置も市場に出
される様になってきた。
ネマチック液晶を平行配向させ、表示画素に電圧を印加
除去を行なう事により画g1表示を行なう液晶表示体は
、いわゆる電界効果屋液晶表示装置と呼ばれ、従来より
電卓、時計、ゲーム、計測機器、事務機器々どのデスプ
レー用として広範囲に使用されているが、最近の市場動
向として、より多くの情報表示量が塔載できる液晶表示
体の要求が高まっている。この様な要求に対応した駆動
方式の一つに時分割駆動方式(マルチプレクス、駆動)
がおり、現在、高時分割駆動の液晶表示装置も市場に出
される様になってきた。
それにともない、高時分割駆動に適した液晶組゛成物の
出現が望まれるわけであるが、その為に要求される特性
としては、 (1)電圧輝度特性が急峻である事 (り低粘度である事 (■温度依存性が小さい事 (4)広温度範囲である事 などの特性をもった温晶である事が必要である。
出現が望まれるわけであるが、その為に要求される特性
としては、 (1)電圧輝度特性が急峻である事 (り低粘度である事 (■温度依存性が小さい事 (4)広温度範囲である事 などの特性をもった温晶である事が必要である。
さらに、駆動電圧も低電圧化される傾向にあり液晶組成
物としては低電圧輝度特性を有した液晶組成物の必要性
も生じてきている。
物としては低電圧輝度特性を有した液晶組成物の必要性
も生じてきている。
とかなシ急峻性が悪くなり、多分割用液晶としては実用
に適さない、また応登速度に関しても、従来のビフェニ
ル。エステル系は粘度が比較的高い為、応答速度は一般
に遅いという問題点があった本発明は、上記の様な問題
点を除去する為になされたものであり、電圧輝度特性の
急峻性、応答性に優れた、さらに低電圧化しても急峻性
、応答性の優れた液晶組成物を提供する事を目的とした
ものである。即ち、本液晶組成物の特徴は、メタジオキ
サン系液晶化合物(Rs −CgX)ON )とフルオ
ロシクロヘキサンカルボン酸エステル系液晶化合物(R
t −@rO−o−o−Ir) ト負’り n [異方
性’x有するPOH系(Rs−位>0−R4)と光学活
性物質を主体としたものであり、それに各種品質特性に
合せて他の液晶化合物を混合する裏により、電圧輝度特
性、応答性の優れた液晶組成物が得られる。さらに上記
液晶組成物を主体としたものであれば急峻性、応答性を
そこなわずにかなりの低電圧化も計れる点にある。
に適さない、また応登速度に関しても、従来のビフェニ
ル。エステル系は粘度が比較的高い為、応答速度は一般
に遅いという問題点があった本発明は、上記の様な問題
点を除去する為になされたものであり、電圧輝度特性の
急峻性、応答性に優れた、さらに低電圧化しても急峻性
、応答性の優れた液晶組成物を提供する事を目的とした
ものである。即ち、本液晶組成物の特徴は、メタジオキ
サン系液晶化合物(Rs −CgX)ON )とフルオ
ロシクロヘキサンカルボン酸エステル系液晶化合物(R
t −@rO−o−o−Ir) ト負’り n [異方
性’x有するPOH系(Rs−位>0−R4)と光学活
性物質を主体としたものであり、それに各種品質特性に
合せて他の液晶化合物を混合する裏により、電圧輝度特
性、応答性の優れた液晶組成物が得られる。さらに上記
液晶組成物を主体としたものであれば急峻性、応答性を
そこなわずにかなりの低電圧化も計れる点にある。
以下実施例に従い本発明を説明する。第−表に実施例の
液晶組成比金示す。
液晶組成比金示す。
実施例1は、2−P−シアノフェニル−5−yaプロヒ
ル−1,3−メタジオキサン(以下0D−3、lj、)
及び2−P−シアノフェニル−5−n−ブチル−1,
3−メタジオキサンC以下0D−4,!:略す。) 及
び、4−フルオロフェニル−トランス−4’−nペンチ
ルシクロヘキサンカルボン酸エステルC以下5HE]Z
と略す。〕及び、〕4−フルオロフェニルートランス4
1−sヘプチルシクロヘキサンカルボン酸エステル(以
下7 HPZと略す。)及び、4−(トランス−4−プ
ロ5− ビルシクロヘキシル)−エトキシベンゼン(以下3Pθ
2と略す。)及び、4エチル安息香酸−41−シアノフ
ェニルエステル(以下2”0と略ス。
ル−1,3−メタジオキサン(以下0D−3、lj、)
及び2−P−シアノフェニル−5−n−ブチル−1,
3−メタジオキサンC以下0D−4,!:略す。) 及
び、4−フルオロフェニル−トランス−4’−nペンチ
ルシクロヘキサンカルボン酸エステルC以下5HE]Z
と略す。〕及び、〕4−フルオロフェニルートランス4
1−sヘプチルシクロヘキサンカルボン酸エステル(以
下7 HPZと略す。)及び、4−(トランス−4−プ
ロ5− ビルシクロヘキシル)−エトキシベンゼン(以下3Pθ
2と略す。)及び、4エチル安息香酸−41−シアノフ
ェニルエステル(以下2”0と略ス。
)及び、4−nブチル安息香酸−4′−シアノフェニル
エステル(以下4KOと略す。)及び1.4−n−ブチ
ルシクロヘキサンカルボン酸−41−エトキシフェニル
エステル(以下4HBθ2と略す。)及ヒ4− x−プ
ロピルシクロヘキサンカルボン酸−41−エトキシフェ
ニルエステル(以下3HKθ2と略す、)及びP−3−
ペンチルシクロヘキサン−p+−シアノビフェニル(以
下5 HBOと略す。)及びP−3−ベンチルーア1−
シ了ツターフェニルC以下T 15と略す。〕及び〕P
−ルーペンチルシクへキチン−P’−B−プロピルシク
ロヘキサンビフェニル(以下0BO−53と略す。)及
びP−イソベンチルーp+シアノビフェニル(以下OB
−15と略す。)の液晶を混合した液晶組成物。
エステル(以下4KOと略す。)及び1.4−n−ブチ
ルシクロヘキサンカルボン酸−41−エトキシフェニル
エステル(以下4HBθ2と略す。)及ヒ4− x−プ
ロピルシクロヘキサンカルボン酸−41−エトキシフェ
ニルエステル(以下3HKθ2と略す、)及びP−3−
ペンチルシクロヘキサン−p+−シアノビフェニル(以
下5 HBOと略す。)及びP−3−ベンチルーア1−
シ了ツターフェニルC以下T 15と略す。〕及び〕P
−ルーペンチルシクへキチン−P’−B−プロピルシク
ロヘキサンビフェニル(以下0BO−53と略す。)及
びP−イソベンチルーp+シアノビフェニル(以下OB
−15と略す。)の液晶を混合した液晶組成物。
実施例2は、0D−3,0D−4,5H]l[iZ。
7HEZ、3Pθ2.4HEθ2.3HElθ2、6−
4mo、5HBO,T15.0B−15の液晶を混合し
た液晶組成物。
た液晶組成物。
11人 下 iマロ −
7一
以上列記した混合液晶の組成比と液晶温度範囲を表−1
に、父上記液晶Mi底物を透過型液晶セル(セル厚〜1
0μ?+1.、千行配同処理、ツイスト角は答速度(0
℃と25℃)を第2表に示す。
に、父上記液晶Mi底物を透過型液晶セル(セル厚〜1
0μ?+1.、千行配同処理、ツイスト角は答速度(0
℃と25℃)を第2表に示す。
−)・又千 敞 自 −
く第2表〉
(0注1) Vth、 V8cLtは電圧無印加時の透
過率がそれぞれ10%、901f化する時の実効電圧で
ある(注2)p値=(■8αt −v t5 /V t
h(注3)γ値= (V 50%−V th) /V
th第−表、第二表より明らかな様に、本発明の液晶組
成物によれば、液晶温度範囲が広く、温度依存性の小さ
い、かつ急峻性の優れた特性が得られる。tた、応答速
度に関しても従来のビフェニル系に比べて優るとも劣ら
ない特性を示している。
過率がそれぞれ10%、901f化する時の実効電圧で
ある(注2)p値=(■8αt −v t5 /V t
h(注3)γ値= (V 50%−V th) /V
th第−表、第二表より明らかな様に、本発明の液晶組
成物によれば、液晶温度範囲が広く、温度依存性の小さ
い、かつ急峻性の優れた特性が得られる。tた、応答速
度に関しても従来のビフェニル系に比べて優るとも劣ら
ない特性を示している。
従って、高時分割用液晶として従来のビフェニル。エス
テル系液よりも著しく改善された液晶組成物であると言
う事ができる。
テル系液よりも著しく改善された液晶組成物であると言
う事ができる。
以上
出願人 株式会社第二精工★
代理人 弁理士最上 務
11−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 一般式が R1−ぐ:)−e−ON (
但し、R8は炭素数3〜5の直鎖アルキル基を示す、)
で表わされる液晶化合物全10%〜40%含有し、かっ
け炭素数3〜7の直鎖アルキル基を示す。)で表わされ
る液晶化合物全10%〜40%含有し、かつ一般式が、
Rs −訃0−R+ (但し、RIsR4は炭素数
2〜6の直鎖アルキル基を示す。〕で表わされる液晶化
合物を2〜20q6含有し、かつ光学活性物負ヲ含有し
ている液晶組成物。 し、R6は炭素数2〜6の直鎖アルキル基を示す。)で
表わされる液晶化合物を含有する特許請求の範囲第1項
記載の液晶組成物。 但し、Ra*R7は炭素数2〜4の直鎖アルキル基を示
す。)で表わされる液晶化合物を含有する特許請求の範
囲第1項又は第2項記載の液晶組成物。 (4) 一般式が R6−〔昏ON (但し、
R8は炭素数3〜7の直鎖アルキル基を示す。〕で表わ
される液晶化合物を含有する特許請求の範囲第1項第2
項又は3項記載の液晶組成物。 (5)一般式が R9−◎梨トON(但し、Roは炭
素数3〜6の直鎖アルキル基を示す。)で表わされる液
晶化合物を含有する特許請求の範囲第1項、2項又は3
項記載の液晶組成物。 (6)一般式が RIO−軟鴬亭R11(但し、Rl
Gは炭素数3〜5の直鎖アルキル基を示す。)で表わさ
れる液晶化合物を含有する特許請求の範囲第1項、2項
、3項又は4項記載の液晶組成物(ことで、−〇−はト
ランス型シクロヘキサンを示す。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10934182A JPS591586A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10934182A JPS591586A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS591586A true JPS591586A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14507764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10934182A Pending JPS591586A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS591586A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4737312A (en) * | 1984-10-17 | 1988-04-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid crystal composition |
US4846999A (en) * | 1984-07-09 | 1989-07-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal composition |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5668636A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | Phenyl cyclohexane derivative |
JPS56100886A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-13 | Chisso Corp | Liquid crystal composition |
JPS56149486A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-19 | Chisso Corp | Nematic liquid crystal composition |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10934182A patent/JPS591586A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5668636A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | Phenyl cyclohexane derivative |
JPS56100886A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-13 | Chisso Corp | Liquid crystal composition |
JPS56149486A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-19 | Chisso Corp | Nematic liquid crystal composition |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4846999A (en) * | 1984-07-09 | 1989-07-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal composition |
US4737312A (en) * | 1984-10-17 | 1988-04-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid crystal composition |
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