JPS59154085A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子

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Publication number
JPS59154085A
JPS59154085A JP58027583A JP2758383A JPS59154085A JP S59154085 A JPS59154085 A JP S59154085A JP 58027583 A JP58027583 A JP 58027583A JP 2758383 A JP2758383 A JP 2758383A JP S59154085 A JPS59154085 A JP S59154085A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electric
thin film
pattern
sensor pattern
electric field
Prior art date
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Pending
Application number
JP58027583A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuaki Suzuki
鈴木　哲昭
Katsuyoshi Tamura
勝義 田村
Hiromi Kanai
紘美 金井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58027583A priority Critical patent/JPS59154085A/ja
Publication of JPS59154085A publication Critical patent/JPS59154085A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は高透磁率強磁性体によりセンサパタンに作用す
る磁場を強くして感度を高めた磁気抵抗効果素子に関す
る。
〔従来技術〕
例えば、移動物体に信号磁場発生手段を設け、磁気抵抗
効果素子により信号磁場の変化を検出させ、移動物体の
移動量のエンコーダとする場合、移動物体とセンサであ
る磁気抵抗効果素子との間隔は、移動物体が移動する際
のぶれなどを考慮すると大きくとるのが望ましいが、実
際には感度上の制約から望ましい大きい間隔をとれない
場合も多い。
〔発明の目的〕
本発明の目的は従来よりも感度の高い磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明においては、高貴ｉ磁
率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタンを、絶縁体薄膜
を介して電気絶縁を保たせながら、信号磁場変化による
電気抵抗変化の検出に用いるセンサパタンに近接して設
置することにした。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明一実施例の断面図、１は本発明に係る高
透磁率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタン、２はセン
サパタン、３は絶縁体薄膜７．４は基板である。このよ
うにすれば、信号磁場発生媒体からの磁場を、集磁用パ
タン１の集磁効果によって有効にセンサパタンに導（こ
とができ、その磁場変化による電気抵抗変化も大きくな
り、感度が高くなる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、信号磁場発生媒体
からの磁場が有効にセンサパタンに導かれ、実際にセン
サパタンに作用する磁場の変化が太き（なって信号出力
も太き（なり感度が高くなる。また逆に低磁場でも有効
に動作させることができるよう罠なり、信号磁場発生媒
体と磁気抵抗効果素子との間隔を従来よりも広くとれる
ようになり、エンコーダなどの組立裕度な大きくできる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明一実施例の断面図である。 ｌ・・・本発明に係る高透磁率強磁性体薄膜よりなる集
磁用バタン、２・・・センサパタン、３・・・絶縁体薄
膜、４・−・基板。 第　　１　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高透磁率強磁性体薄膜よりなる集磁用バタンを、絶縁体
    薄膜を介して電気的絶縁を保ちながら、電気抵抗変化の
    検出に用いるセンサパタンに近接して設置したことを特
    徴とする磁気抵抗効果素子。
JP58027583A 1983-02-23 1983-02-23 磁気抵抗効果素子 Pending JPS59154085A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58027583A JPS59154085A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 磁気抵抗効果素子

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JP58027583A JPS59154085A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 磁気抵抗効果素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59154085A true JPS59154085A (ja) 1984-09-03

Family

ID=12224978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58027583A Pending JPS59154085A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 磁気抵抗効果素子

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JP (1) JPS59154085A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61248486A (ja) * 1985-04-25 1986-11-05 Nippon Denso Co Ltd 強磁性磁気抵抗素子
US6396114B1 (en) 1999-06-07 2002-05-28 Yazaki Corporation Magneto-electric device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61248486A (ja) * 1985-04-25 1986-11-05 Nippon Denso Co Ltd 強磁性磁気抵抗素子
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