JPS59152521A - 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59152521A JPS59152521A JP2615883A JP2615883A JPS59152521A JP S59152521 A JPS59152521 A JP S59152521A JP 2615883 A JP2615883 A JP 2615883A JP 2615883 A JP2615883 A JP 2615883A JP S59152521 A JPS59152521 A JP S59152521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- magnetoresistive
- magneto
- resistance effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マルチトオツク用電流バイアス方式磁気抵抗
効果型再生ヘッドの構造に関するも・のである。
効果型再生ヘッドの構造に関するも・のである。
磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいては、応劉の線型性を
得るために、電流工の方向と磁化Ｍの方向を約４５０に
傾ける必要がある。
得るために、電流工の方向と磁化Ｍの方向を約４５０に
傾ける必要がある。
従来から知られている代表的な磁化Ｍを傾ける方式（バ
イアス方式）として、電流バイアス方式がある。電流バ
イアス方式は更にシールドをバイアス導体として用いる
方式と、バイアス導体を新たに設ける方式とに分類され
る。
イアス方式）として、電流バイアス方式がある。電流バ
イアス方式は更にシールドをバイアス導体として用いる
方式と、バイアス導体を新たに設ける方式とに分類され
る。
以下、第１図〜第３図を用いてシールドをノミイアス導
体として用いる電流バイアス方式について詳細に説明す
る。
体として用いる電流バイアス方式について詳細に説明す
る。
第１図及び第２図は従来の電流バイアス方式を用いたマ
ルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構成概略を
示すものであり、第１図ばテープ摺動面から見た正面図
、第２図は側断面図を示し、同図において、左側がテー
プ摺動面にあたる。また第６図は磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示したもので、横軸に磁界、縦軸
に抵抗値を目盛ったものである。尚図中１はＮｉ −Ｚ
、ｎ ７エライト等の磁性基板、２ば５ｉ０２等の下部
ギャップ、３は磁気抵抗効果素＋！ご４ ＆”Ｌ ５ｉ
０２％の上部ギャップ、５はパーマロイ等の磁性薄膜か
ら成るシールドである。磁気抵抗効果素子としては、膜
厚が約５００Ａ程度のパー受ロイ膜が用いられ、一般的
にはその磁化容易軸がテープ摺動面に平行になるように
形成されでいる。また信号検出用の電流Ｌ（〜ｉＲ）、
も第１゜図中に示したようにテープ摺動面に対して平行
に流されている。従って無バイアス状態におい、ては、
磁化ｆｖｌと、電流、ｔ（ＭＲ）、とは平行になってい
る。
ルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構成概略を
示すものであり、第１図ばテープ摺動面から見た正面図
、第２図は側断面図を示し、同図において、左側がテー
プ摺動面にあたる。また第６図は磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示したもので、横軸に磁界、縦軸
に抵抗値を目盛ったものである。尚図中１はＮｉ −Ｚ
、ｎ ７エライト等の磁性基板、２ば５ｉ０２等の下部
ギャップ、３は磁気抵抗効果素＋！ご４ ＆”Ｌ ５ｉ
０２％の上部ギャップ、５はパーマロイ等の磁性薄膜か
ら成るシールドである。磁気抵抗効果素子としては、膜
厚が約５００Ａ程度のパー受ロイ膜が用いられ、一般的
にはその磁化容易軸がテープ摺動面に平行になるように
形成されでいる。また信号検出用の電流Ｌ（〜ｉＲ）、
も第１゜図中に示したようにテープ摺動面に対して平行
に流されている。従って無バイアス状態におい、ては、
磁化ｆｖｌと、電流、ｔ（ＭＲ）、とは平行になってい
る。
すなわち前述した状態の動作点は第３図中Ａ“点に相当
し、この状態でテープからの信号磁界を再生した場合、
第３図から容易に判るように。
し、この状態でテープからの信号磁界を再生した場合、
第３図から容易に判るように。
その再生信号強度は小さく、かつ再生信号の周波数はテ
ープに記録された信号周波数の２信と）なり、忠実にテ
ープ信号を再生することばできない。従って一般的に用
いられている出猟抵抗効果型再生ヘッドにおいては、最
も高い出力が得られかつひずみも少ない動作点（第６図
中Ｂ；Ｂｒ）に、バイアスする必要がある。
ｌ＋＋電流バイアス方式は、磁気抵抗効果素子以外の導
体に電流を流し、 ｉ（ｆ３ｉａｓ ） 、その電流が
発生する磁界により磁気抵抗効果素子の磁化の方向゛を
変化させ、最適動作点（第６図中Ｂ、Ｂ・）゛にバイア
スしようとするものである。このためスに必要な磁界は
磁気抵抗効果素子の異方性磁界なＨｋとすると約±ｏ、
、７Ｈｋとなる。更に具体的に電流バイアス方式につい
て第２図を用いて説明する。第２図に示したような方向
に電流、Ｌ（Ｂ・ｉａｓ ）を流した場合、 １（Ｂｉ
ａｓ）が発生する磁界・により、＠気抵抗−効果累子６
の磁化Ｍはテーク１摺動面の方向に向き、最適動作点Ｂ
、Ｂ・にバイアスすることができる。
ープに記録された信号周波数の２信と）なり、忠実にテ
ープ信号を再生することばできない。従って一般的に用
いられている出猟抵抗効果型再生ヘッドにおいては、最
も高い出力が得られかつひずみも少ない動作点（第６図
中Ｂ；Ｂｒ）に、バイアスする必要がある。
ｌ＋＋電流バイアス方式は、磁気抵抗効果素子以外の導
体に電流を流し、 ｉ（ｆ３ｉａｓ ） 、その電流が
発生する磁界により磁気抵抗効果素子の磁化の方向゛を
変化させ、最適動作点（第６図中Ｂ、Ｂ・）゛にバイア
スしようとするものである。このためスに必要な磁界は
磁気抵抗効果素子の異方性磁界なＨｋとすると約±ｏ、
、７Ｈｋとなる。更に具体的に電流バイアス方式につい
て第２図を用いて説明する。第２図に示したような方向
に電流、Ｌ（Ｂ・ｉａｓ ）を流した場合、 １（Ｂｉ
ａｓ）が発生する磁界・により、＠気抵抗−効果累子６
の磁化Ｍはテーク１摺動面の方向に向き、最適動作点Ｂ
、Ｂ・にバイアスすることができる。
しかし第１図に示したように、シールド５が各トラック
間（各再生ヘッド間）で共通になるスように形成されて
いる場合（磁気的に接続されている状態で形成されてい
る場合）以下に述べる問題点がある。
間（各再生ヘッド間）で共通になるスように形成されて
いる場合（磁気的に接続されている状態で形成されてい
る場合）以下に述べる問題点がある。
すなわち、動作点Ｂ、Ｂ・で前述した磁気抵抗効果再生
ヘッドを動作せしめた場合、バルクハウ・・センノイズ
に類似したノイズ（以後様バルクハウゼンノイズと記す
２．）が発生するため鏡比が低下し、かつヘッド安定性
もすこぶる劣化する。このノイズは動作点をＢ、Ｂ′が
らＣ、Ｃｔに移行させることにより減少し、それと同時
にヘットち。
ヘッドを動作せしめた場合、バルクハウ・・センノイズ
に類似したノイズ（以後様バルクハウゼンノイズと記す
２．）が発生するため鏡比が低下し、かつヘッド安定性
もすこぶる劣化する。このノイズは動作点をＢ、Ｂ′が
らＣ、Ｃｔに移行させることにより減少し、それと同時
にヘットち。
安定性も向上する。従って従来の電流バイアス方式磁気
抵抗効果型拘生ヘッドは、動作点を、・ｃ、Ｃｔにおい
て動作させていた。動作点をｃ、ｃ・にバイアスした場
合は、最適動作点Ｂ、Ｂ・にバイアスした場合に比べ再
生感度が劣化することは第、・６図より明らかであり、
改めて説明するまでもない。
抵抗効果型拘生ヘッドは、動作点を、・ｃ、Ｃｔにおい
て動作させていた。動作点をｃ、ｃ・にバイアスした場
合は、最適動作点Ｂ、Ｂ・にバイアスした場合に比べ再
生感度が劣化することは第、・６図より明らかであり、
改めて説明するまでもない。
以上、従来の電流バイアス方式を用いたマルチトラック
用磁気抵抗効果型再生ヘッドには前述せる問題点があっ
た。
用磁気抵抗効果型再生ヘッドには前述せる問題点があっ
た。
本発明の目的は、従来技術のもつ欠点を解決し、再生感
度、ヘッド安定性とも良好でかつい比の高い電流バイア
ス方式マルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構
造を提供す石′ことにある。
度、ヘッド安定性とも良好でかつい比の高い電流バイア
ス方式マルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構
造を提供す石′ことにある。
我々の電流バイアス方式マルチトラック用磁気抵抗効果
型再生ヘッドに関する一連の系統的研究の結果、以下に
示すことが明らかとなった↓すなわち、■従来のヘッド
にみられた擬バルクハウゼンノイズの発生原因はシール
ド５の形状に起因するものであること、■シールドを各
トラック毎に分離した島状構造にすることにより前述シ
たノイズは一２０ｄＢ程度抑圧されること”４１ｉ■前
述したノイズの減少と共にヘッド安定性も向上すること
、が明らかとなった。
型再生ヘッドに関する一連の系統的研究の結果、以下に
示すことが明らかとなった↓すなわち、■従来のヘッド
にみられた擬バルクハウゼンノイズの発生原因はシール
ド５の形状に起因するものであること、■シールドを各
トラック毎に分離した島状構造にすることにより前述シ
たノイズは一２０ｄＢ程度抑圧されること”４１ｉ■前
述したノイズの減少と共にヘッド安定性も向上すること
、が明らかとなった。
すなわち、各トラック毎に磁気的に分離された島状のシ
ールドを用いることにより、ヘッド安定性、再生感度、
φ比を損うことな（最適動作点Ｂ、Ｂ′でヘッドを動作
せしめることができることがわかった。
ールドを用いることにより、ヘッド安定性、再生感度、
φ比を損うことな（最適動作点Ｂ、Ｂ′でヘッドを動作
せしめることができることがわかった。
しかしこの場合、バイアス電流、 １（ｆ３ｉａｓ ）
。
。
を流すために各シールド間は電気的に接続しておく必要
がある。
がある。
以下本発明について実施例を用いて更に詳細に説明する
。
。
本発明の実施例について第４図を用いて説明する。第４
図は本発明により成るマルチトラック用電流バイアス方
式磁気抵抗効果型再生ヘッドのテープ摺動面から見た構
成概略図である。・同図において６はＮｔ−ＺｒＬフェ
ライト、７はＳｉｎ、薄膜（膜厚；０．６μｍ）から成
る下部ギャップ、８は８１％Ｎｉパーマロイ薄膜から成
る磁気抵抗効果素子（膜厚； ５００Ａ） 、 ９は５
ｉｎ２薄膜（。
図は本発明により成るマルチトラック用電流バイアス方
式磁気抵抗効果型再生ヘッドのテープ摺動面から見た構
成概略図である。・同図において６はＮｔ−ＺｒＬフェ
ライト、７はＳｉｎ、薄膜（膜厚；０．６μｍ）から成
る下部ギャップ、８は８１％Ｎｉパーマロイ薄膜から成
る磁気抵抗効果素子（膜厚； ５００Ａ） 、 ９は５
ｉｎ２薄膜（。
膜厚；０．３μｍ）から成る上部ギャップ、１０は８１
％Ｎｉパーマロイ薄膜から成るシールド、１１はＴＬ：
薄膜（膜厚；０，５μ７７＋、）から成るバイアス用導
体である。
％Ｎｉパーマロイ薄膜から成るシールド、１１はＴＬ：
薄膜（膜厚；０，５μ７７＋、）から成るバイアス用導
体である。
なお、フェライト基板６はメカノケミカル研。
摩された多結晶フェライトである。またＳｉｎ、薄膜７
，９は通常のげスパッタリング法、ｆＢ気低抵抗効果素
子１０用パーマロイ薄膜は真空蒸着法（。
，９は通常のげスパッタリング法、ｆＢ気低抵抗効果素
子１０用パーマロイ薄膜は真空蒸着法（。
基板温度； ６ｓｏ℃） 、シールド１０用パーマロイ
薄１膜＜ｓ ＤＣ対向スパッタリング法、バイアス導体
１１用Ｔｉ薄膜は真空蒸着法で形成した。各部のパタ。
薄１膜＜ｓ ＤＣ対向スパッタリング法、バイアス導体
１１用Ｔｉ薄膜は真空蒸着法で形成した。各部のパタ。
−ニングに関しては、通常のホトエツチング法を用いて
行なった。
行なった。
上述した方法で形成したヘッドを最適動作点）で動作せ
しめたところ、従来のものに比べ擬ノ（ルクハウゼンノ
イズは約−２０ｄＢ程度減少し、かつ再生感度は６．ｄ
ＢＢ度向上した。またー・ラド安定性もすこぶる向上し
た。
しめたところ、従来のものに比べ擬ノ（ルクハウゼンノ
イズは約−２０ｄＢ程度減少し、かつ再生感度は６．ｄ
ＢＢ度向上した。またー・ラド安定性もすこぶる向上し
た。
尚本実施例においては、バイアス導体１１がテ−プ摺動
面に露出する形状のものについて記じたが、バイアス導
体が摺動面に露出しない場合でも同等の結果が得られる
こと。またパイアメ導体１１の材料としてＴｉ以外のも
のでも同一結果が得られることも改めて言及するまでも
ない。
面に露出する形状のものについて記じたが、バイアス導
体が摺動面に露出しない場合でも同等の結果が得られる
こと。またパイアメ導体１１の材料としてＴｉ以外のも
のでも同一結果が得られることも改めて言及するまでも
ない。
以上、述べたように本発明によれば再生感度が高く、か
つψ比の良好な安定したマルチドラック用電流バイアス
方式磁気抵抗効果型再ゲヘッドの提供が可能となった。
つψ比の良好な安定したマルチドラック用電流バイアス
方式磁気抵抗効果型再ゲヘッドの提供が可能となった。
第１図は従来の電流バイアス方式磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドのテープ摺動面からみた構成概略図、第２図は同ヘ
ッドの側断面図、第３図は磁気抵抗効果素子の磁気抵抗
変化を示す特性図Ｑ第４図は本発明により成るマルチト
ラック用電流バイアス方式磁気抵抗効果型再生ヘッドの
テープ摺動面から見た概略図である。 １・・・高透磁率基板、 ２・・・下部ギャップ、 ３・・・磁気抵抗効果素子、 ４・・・上部ギャップ、 ５・・・シールド、 ６・・・Ｎｉ −Ｚｎフェライト、 ７・・・５ｉｎ２から成る下部ギャップ、８・・・パー
マロイから成る磁気抵抗効果素子、 ９・・・５ｉｎ２から成る上部ギャップ、１０・・・パ
ーマロイから成るシールド、１１・・・バイアス導体。 代理人弁理士 高 橋 明・−一） 第 ／ 必 ■λ（Ｉ３畝５） （２−ス） 第３層 （ボ抗） 蔀 ４ 図
ッドのテープ摺動面からみた構成概略図、第２図は同ヘ
ッドの側断面図、第３図は磁気抵抗効果素子の磁気抵抗
変化を示す特性図Ｑ第４図は本発明により成るマルチト
ラック用電流バイアス方式磁気抵抗効果型再生ヘッドの
テープ摺動面から見た概略図である。 １・・・高透磁率基板、 ２・・・下部ギャップ、 ３・・・磁気抵抗効果素子、 ４・・・上部ギャップ、 ５・・・シールド、 ６・・・Ｎｉ −Ｚｎフェライト、 ７・・・５ｉｎ２から成る下部ギャップ、８・・・パー
マロイから成る磁気抵抗効果素子、 ９・・・５ｉｎ２から成る上部ギャップ、１０・・・パ
ーマロイから成るシールド、１１・・・バイアス導体。 代理人弁理士 高 橋 明・−一） 第 ／ 必 ■λ（Ｉ３畝５） （２−ス） 第３層 （ボ抗） 蔀 ４ 図
Claims (2)
- （１） 高透磁率を有する第１の磁性層、第１の非磁
性絶縁層、磁気抵抗効果を有す４第２の磁性層、第２の
非磁性絶縁層、高透磁率を有する第６の磁性層を順次積
層して成る磁気抵抗効果型再生ヘッドを同一磁性もしく
は非磁性基板上に・複数個具備した多素子磁気ヘッドに
おいて、各々の磁気抵抗効果型再生ヘッドの第１または
第３の磁性層の少くとも一方が、互いに電気的に接続さ
れかつ磁気的に非接続であることを特徴とする磁気抵抗
効果型多素子磁気ヘッド。 - （２） 第１の非磁性絶縁層、磁気抵抗効果を有す５
る第２の磁性層、第２の非磁性絶縁層、高透磁率を有す
る第２の磁性層を順次積層して成る磁気抵抗効果型再生
ヘッドを同一磁性基板上に複数個具備した多素子磁気ヘ
ッドにおいて、各々。 の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の磁性層が互Ｘ、えに、
電気的に接続されかつ磁気的に非接続であることを特徴
とする磁気抵抗効果型多素子磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2615883A JPS59152521A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2615883A JPS59152521A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152521A true JPS59152521A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12185735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2615883A Pending JPS59152521A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152521A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| EP0617410A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| EP0617409A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP2615883A patent/JPS59152521A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| EP0617410A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| EP0617409A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| EP0617410A3 (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacturing method of a thin film magnetic head and magnetic head produced thereafter. |
| EP0617409A3 (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method for manufacturing a thin film magnetic head and magnetic head obtainable by this method. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6985338B2 (en) | Insulative in-stack hard bias for GMR sensor stabilization | |
| US6903906B2 (en) | Magnetic head with a lamination stack to control the magnetic domain | |
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2571347B2 (ja) | 磁気抵抗変換器及び磁気記憶システム | |
| JP2003092442A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
| JPH10289417A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US4907114A (en) | Mangeto-resistive type read head | |
| US5140484A (en) | Magnetoresistive head having electrodes with a predetermined length and positioned to form a predetermined angle with the head surface | |
| JPS59152521A (ja) | 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド | |
| JP2596934B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2002305336A (ja) | スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法 | |
| JPH11175925A (ja) | 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置 | |
| JPH0473210B2 (ja) | ||
| JPS6018812A (ja) | 多素子磁気ヘツド | |
| JPH0135404B2 (ja) | ||
| JPH04245011A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3160947B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06251336A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS6295711A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘツドおよびその再生駆動方法 | |
| JPH04298809A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS62219221A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド |