JPS5915179B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5915179B2 JPS5915179B2 JP51072365A JP7236576A JPS5915179B2 JP S5915179 B2 JPS5915179 B2 JP S5915179B2 JP 51072365 A JP51072365 A JP 51072365A JP 7236576 A JP7236576 A JP 7236576A JP S5915179 B2 JPS5915179 B2 JP S5915179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal film
- insulating layer
- metal
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属バンプを有する半導体装置のより１０有効
的製造方法に関するものであつて、金属膜を除去する際
に発生するパツトオ極近傍の汚染、腐蝕を積極的に防止
せんとするものであり、本発明の構成においてはパッド
電極近傍に酸化物層を形成せしめる事により、前記金属
膜の除去液に対し、１５耐腐蝕性をもたせた製造方法を
提供せんとするものである。
的製造方法に関するものであつて、金属膜を除去する際
に発生するパツトオ極近傍の汚染、腐蝕を積極的に防止
せんとするものであり、本発明の構成においてはパッド
電極近傍に酸化物層を形成せしめる事により、前記金属
膜の除去液に対し、１５耐腐蝕性をもたせた製造方法を
提供せんとするものである。
従来、回路素子が形成された半導体基板上に金属バンプ
を形成するための方法として第１図に示すような製造方
法が提案されている。
を形成するための方法として第１図に示すような製造方
法が提案されている。
すなわち、２０シリコン等の半導体基板１上に形成され
たＳｉＯ２等の第１の絶縁層２に電極形成用のアルミニ
ウム膜を電子ビーム、抵抗加熱等の手段で５０００〜１
００００Λ被着せしめ、電極部分３を残し他を除去せし
め、しかる後ＣＶＤ法で形成されたＳ１０２２５（以下
ＣＶＤＳｉ０２と略記する）膜４を５０００〜１（）０
００Ｘ被着し、前記電極部分３の一部を残し、他を除去
する。これを第１図ａに示す。次いＣ複数層からなる金
属膜５を蒸着法により全面に形成するが、前記金属膜５
はＣｒ■Ｃｕ、Ｎ卜３０Ｃｕ、Ｃｒ−Ｎｆ−Ｃｕもしく
はＣｒ■−Ｃ叶ＡＵ、Ｎｉ−ＣＩＦ−Ａｕ、Ｃｒ−Ｎｉ
−Ｃｕ等の複数層であつて同一の蒸着時に真空を止める
事なく順次に蒸着するものである。Ｃｒ又はＮｉはアル
ミニウムの電極部分３もしくはＣＶＤＳｉ０２膜４との
密着力を高めるため３５の膜であり、Ｃｕ又はＣｕ−Ａ
ｕはメッキ処理によるバンプの形成を容易ならしめるた
めの膜であつて、Ｃｒ、Ｎｉのそれぞれの厚さは約１０
００Λ、Ｃｕは１０００〜５０００λの膜厚を有する。
又、Ｃｒ，ＮｉのかわりにＴｉ膜を用いる事もある（第
１図ｂ）。更に前記金属膜５上にメツキマスク用の感光
性樹脂６を前記電極部近傍に設け開孔部７を形成する（
第１図ｃ）。
たＳｉＯ２等の第１の絶縁層２に電極形成用のアルミニ
ウム膜を電子ビーム、抵抗加熱等の手段で５０００〜１
００００Λ被着せしめ、電極部分３を残し他を除去せし
め、しかる後ＣＶＤ法で形成されたＳ１０２２５（以下
ＣＶＤＳｉ０２と略記する）膜４を５０００〜１（）０
００Ｘ被着し、前記電極部分３の一部を残し、他を除去
する。これを第１図ａに示す。次いＣ複数層からなる金
属膜５を蒸着法により全面に形成するが、前記金属膜５
はＣｒ■Ｃｕ、Ｎ卜３０Ｃｕ、Ｃｒ−Ｎｆ−Ｃｕもしく
はＣｒ■−Ｃ叶ＡＵ、Ｎｉ−ＣＩＦ−Ａｕ、Ｃｒ−Ｎｉ
−Ｃｕ等の複数層であつて同一の蒸着時に真空を止める
事なく順次に蒸着するものである。Ｃｒ又はＮｉはアル
ミニウムの電極部分３もしくはＣＶＤＳｉ０２膜４との
密着力を高めるため３５の膜であり、Ｃｕ又はＣｕ−Ａ
ｕはメッキ処理によるバンプの形成を容易ならしめるた
めの膜であつて、Ｃｒ、Ｎｉのそれぞれの厚さは約１０
００Λ、Ｃｕは１０００〜５０００λの膜厚を有する。
又、Ｃｒ，ＮｉのかわりにＴｉ膜を用いる事もある（第
１図ｂ）。更に前記金属膜５上にメツキマスク用の感光
性樹脂６を前記電極部近傍に設け開孔部７を形成する（
第１図ｃ）。
しかるのち、前記金属膜５を一方の共通電極として、Ａ
ｕ又はＣｕ，半田等を電着せしめ、金属バンプ８を形成
する（第１図ｄ）。
ｕ又はＣｕ，半田等を電着せしめ、金属バンプ８を形成
する（第１図ｄ）。
前記金属バンプを通常５〜２０μｍの高さに形惑し、終
れば、感光性樹脂６訃よび金属膜５の不ｉ部分をエツチ
ングし除去し、第１図ｅの構造を得るものであつた。こ
の様な従来の製造方法においては、金属バンプ８の形成
後に複数層の金属膜５を除去するために、金萬膜の除去
液（エツチング液）、例えばＣｒであればフエリシアン
化カリウムとカセイソーダの混合液、Ｃｕであれば強酸
を用いねばならない。このため金属バンプ８もエツチン
グされ所望の形状を消失してしまつたり、あるいは、長
時間のエツチングにより第１図ｅのＡ部にエツチング液
が浸透してしまい、金属バンプ８の接触面積を減少せし
め、付着強度を低下し、更にはＣＶＤＳｉＯ２膜４にピ
ンホールが存在する場合には前記エツチング液により、
電極配線もしくは回路素子を損傷，汚染してしまい、信
頼性を著しく低下させるものであつた。本発明は上述の
従来技術の欠点に鑑みてなされたものである。
れば、感光性樹脂６訃よび金属膜５の不ｉ部分をエツチ
ングし除去し、第１図ｅの構造を得るものであつた。こ
の様な従来の製造方法においては、金属バンプ８の形成
後に複数層の金属膜５を除去するために、金萬膜の除去
液（エツチング液）、例えばＣｒであればフエリシアン
化カリウムとカセイソーダの混合液、Ｃｕであれば強酸
を用いねばならない。このため金属バンプ８もエツチン
グされ所望の形状を消失してしまつたり、あるいは、長
時間のエツチングにより第１図ｅのＡ部にエツチング液
が浸透してしまい、金属バンプ８の接触面積を減少せし
め、付着強度を低下し、更にはＣＶＤＳｉＯ２膜４にピ
ンホールが存在する場合には前記エツチング液により、
電極配線もしくは回路素子を損傷，汚染してしまい、信
頼性を著しく低下させるものであつた。本発明は上述の
従来技術の欠点に鑑みてなされたものである。
本発明の構成例を金属バンプとしてＡｕバンプを形成す
る場合について第２図で詳述する。
る場合について第２図で詳述する。
熱酸化法により形成されたＳｉＯ２膜１２を有する半導
体基板１１上に形成された回路素子（図示せず。）上に
第１の金属膜としてアルミニウム膜１３を真空蒸着法に
より５０００λ〜１００００λの厚さに被着する。次い
で、前記アルミーウム膜１３上に第１の絶縁物層１４を
全面に被着する。前記第１の絶縁物層は感光性樹脂膜で
も良６・し、あるいは低温で形成したＣＶＤＳｉＯ２膜
でも良い。前記第１の絶縁物層１４によつてパット１極
に相当する部分のみを残存させたパターンを形成し、例
えば感光性樹脂膜パターンにより、前記アルミーウム膜
１３の表面を陽極酸化しＡｌ２Ｏ３膜１３′を形成する
。前記感光性樹脂膜パターンのかわりにＣＶＤＳｉＯ２
膜を用いれば、５００℃の酸素雰囲気中、もしくは酸素
プラズマ雰囲気中にさらす事により、容易にＡｌ２Ｏ３
膜１３′を形成できる。前記Ｍ２Ｏ３膜１３′は第１の
絶縁物層１４の下面には形成されない。次いで前記第１
の絶縁物層１４を除去し、パツト１極部分｝よび、形成
された回路素子間を結ぶ配線部分を残存させるために、
第２の絶縁物層１５として感光性樹脂膜を塗布し、パタ
ーン形成を行なう。前記第２の絶縁物層１５で被覆され
ない部分は、Ａｌ２Ｏ３膜１３／／＞Ｓ露出しているか
ら、Ｈ２Ｏ：Ｈ３ＰＯ４：ＣｒＯ３＝１００ｃｃ：３。
５ｃｃ：２９の８０℃の溶液に浸せば、１６０λ／６０
秒でＡｌ２Ｏ３膜１３／は除去され、次いでＨ３ＰＯ４
系の液に浸せばアルミニウム膜１３も除去され第２図ｂ
の構造を得る。
体基板１１上に形成された回路素子（図示せず。）上に
第１の金属膜としてアルミニウム膜１３を真空蒸着法に
より５０００λ〜１００００λの厚さに被着する。次い
で、前記アルミーウム膜１３上に第１の絶縁物層１４を
全面に被着する。前記第１の絶縁物層は感光性樹脂膜で
も良６・し、あるいは低温で形成したＣＶＤＳｉＯ２膜
でも良い。前記第１の絶縁物層１４によつてパット１極
に相当する部分のみを残存させたパターンを形成し、例
えば感光性樹脂膜パターンにより、前記アルミーウム膜
１３の表面を陽極酸化しＡｌ２Ｏ３膜１３′を形成する
。前記感光性樹脂膜パターンのかわりにＣＶＤＳｉＯ２
膜を用いれば、５００℃の酸素雰囲気中、もしくは酸素
プラズマ雰囲気中にさらす事により、容易にＡｌ２Ｏ３
膜１３′を形成できる。前記Ｍ２Ｏ３膜１３′は第１の
絶縁物層１４の下面には形成されない。次いで前記第１
の絶縁物層１４を除去し、パツト１極部分｝よび、形成
された回路素子間を結ぶ配線部分を残存させるために、
第２の絶縁物層１５として感光性樹脂膜を塗布し、パタ
ーン形成を行なう。前記第２の絶縁物層１５で被覆され
ない部分は、Ａｌ２Ｏ３膜１３／／＞Ｓ露出しているか
ら、Ｈ２Ｏ：Ｈ３ＰＯ４：ＣｒＯ３＝１００ｃｃ：３。
５ｃｃ：２９の８０℃の溶液に浸せば、１６０λ／６０
秒でＡｌ２Ｏ３膜１３／は除去され、次いでＨ３ＰＯ４
系の液に浸せばアルミニウム膜１３も除去され第２図ｂ
の構造を得る。
又、前記Ａｌ２Ｏ３膜１３′の膜厚は約３０００λが望
ましい。不要となつた第２の絶縁物層１５すなわち感光
性樹脂膜を除去し、更に第３の絶縁物層１６を全面に被
着する。前記第３の絶縁物層１６はＣＶＤＳｉＯ２であ
つて、パツド電極のみを開孔させるために第４の絶縁物
層・感光性樹脂膜を塗布し、前記パツト１極のみを開孔
したパターンを形成、しかるのち、ＨＦ系の腐蝕液に浸
せば、パツト電極上の前記第３の絶縁物層は腐蝕され、
開孔し、更に前記第４の絶縁物層を除去すれば第２図ｃ
′の構造を得る。前記工程に卦いて、第４の絶縁物層に
よつて開孔される大きさは、第１の絶縁物層１４による
パターンと第２の絶縁物層の間にあつて、少なく共ＣＶ
ＤＳｉＯ２膜１６によつて開孔された部分にＡｌ２Ｏ３
膜１３′が存在しなければならない。次いで、第２図ｃ
の状態に第２の金属膜１７を被着する。第２の金属膜は
本構成例に｝いては０−α膜の場合、同一真空容器内に
おいてＣｒ，ｌＯＯＯλ，ＣｒｌＯＯＯ〜５０００λと
順次に蒸着するものである。又、第２の金属膜の他の構
成を示せば、Ｎｉ−Ｃｕ，Ｔｉ−Ｑｌ，Ｃｒ−Ｍ−Ｃｕ
，Ｃｒ−Ｔｉ−０１，Ｎｉ−０１−Ａｕ，Ｎｉ−０】−
Ａｕ，Ｔｉ−Ｑ１−Ａｌ，Ｏ−Ｎｉ−α−Ａｕ，Ｃｒ−
Ｔｉ−α―顛の構成を用いても良い。更に前記第２の金
属膜１７上に第５の絶縁物層として感光性樹脂膜を塗布
し、パツト童極近傍のメツキする部分のみを開孔したパ
ターンを形成し次の工程でメツキ処理を実施するわけで
あるが、前記第５の絶縁物層により開孔し露出した第２
の金属膜１７の表面は、工程中に汚染されたり、酸化物
の形成があり、これらはメツキ処理にち・いて不良の金
属バンプを形成する結果になる。
ましい。不要となつた第２の絶縁物層１５すなわち感光
性樹脂膜を除去し、更に第３の絶縁物層１６を全面に被
着する。前記第３の絶縁物層１６はＣＶＤＳｉＯ２であ
つて、パツド電極のみを開孔させるために第４の絶縁物
層・感光性樹脂膜を塗布し、前記パツト１極のみを開孔
したパターンを形成、しかるのち、ＨＦ系の腐蝕液に浸
せば、パツト電極上の前記第３の絶縁物層は腐蝕され、
開孔し、更に前記第４の絶縁物層を除去すれば第２図ｃ
′の構造を得る。前記工程に卦いて、第４の絶縁物層に
よつて開孔される大きさは、第１の絶縁物層１４による
パターンと第２の絶縁物層の間にあつて、少なく共ＣＶ
ＤＳｉＯ２膜１６によつて開孔された部分にＡｌ２Ｏ３
膜１３′が存在しなければならない。次いで、第２図ｃ
の状態に第２の金属膜１７を被着する。第２の金属膜は
本構成例に｝いては０−α膜の場合、同一真空容器内に
おいてＣｒ，ｌＯＯＯλ，ＣｒｌＯＯＯ〜５０００λと
順次に蒸着するものである。又、第２の金属膜の他の構
成を示せば、Ｎｉ−Ｃｕ，Ｔｉ−Ｑｌ，Ｃｒ−Ｍ−Ｃｕ
，Ｃｒ−Ｔｉ−０１，Ｎｉ−０１−Ａｕ，Ｎｉ−０】−
Ａｕ，Ｔｉ−Ｑ１−Ａｌ，Ｏ−Ｎｉ−α−Ａｕ，Ｃｒ−
Ｔｉ−α―顛の構成を用いても良い。更に前記第２の金
属膜１７上に第５の絶縁物層として感光性樹脂膜を塗布
し、パツト童極近傍のメツキする部分のみを開孔したパ
ターンを形成し次の工程でメツキ処理を実施するわけで
あるが、前記第５の絶縁物層により開孔し露出した第２
の金属膜１７の表面は、工程中に汚染されたり、酸化物
の形成があり、これらはメツキ処理にち・いて不良の金
属バンプを形成する結果になる。
したがつて、アセトン，トリクレン等の有機溶剤により
洗浄を行ない１〜１０％ＨＣＩ溶液に浸し酸化物の除去
を行なう。例えば、５％ＨＣＩ溶液に５秒浸せば、Ｃｕ
表面は１００〜２００λ除去され清浄なＣｕ表面を得る
事が出来る。
洗浄を行ない１〜１０％ＨＣＩ溶液に浸し酸化物の除去
を行なう。例えば、５％ＨＣＩ溶液に５秒浸せば、Ｃｕ
表面は１００〜２００λ除去され清浄なＣｕ表面を得る
事が出来る。
又Ａｕメツキ用のメツキ浴として青化物浴，中性リン酸
塩浴，酸性リン酸塩浴，酸性クエン酸浴があるが、本構
成に訃いてはピンホールが少なく、適度の硬度を有する
酸性クエン酸浴が望ましい。
塩浴，酸性リン酸塩浴，酸性クエン酸浴があるが、本構
成に訃いてはピンホールが少なく、適度の硬度を有する
酸性クエン酸浴が望ましい。
メツキに際しては、半導体基板１１の端部に卦いて、第
２の金寓膜を露出せしめ、これをメツキ用の共通電極と
し、マイナスの電界を加え、一方Ｐｔ板等にプラスの電
界を加えれば、電流密度０．４ｍＡ／Ｍ７７ｌで４０〜
６０分間に１０〜１５μｍの高さのＡｕバンプ１８を前
記第２の金属膜１７の開孔部に形成できる。メツキの形
成が終れば第５の絶縁物層すなわち感 ｃ光性樹脂膜を
除去し、前記Ａｕバンプ１８をマスクとして第２の金属
膜１７を除去する。
２の金寓膜を露出せしめ、これをメツキ用の共通電極と
し、マイナスの電界を加え、一方Ｐｔ板等にプラスの電
界を加えれば、電流密度０．４ｍＡ／Ｍ７７ｌで４０〜
６０分間に１０〜１５μｍの高さのＡｕバンプ１８を前
記第２の金属膜１７の開孔部に形成できる。メツキの形
成が終れば第５の絶縁物層すなわち感 ｃ光性樹脂膜を
除去し、前記Ａｕバンプ１８をマスクとして第２の金属
膜１７を除去する。
本構成例に卦いては第２の金属膜がＣｒ−ＣｕＣ構成さ
れるから、Ｃｕ膜を例えば、１０％塩化第二鉄溶液で除
去し、Ｃｒ膜をフエリシアン化カリウムとＮａＯＨの混
合液で除去するものである。この様にして第２図ｅの構
造を得る。本発明の構成例に｝いては、金属バンプがＡ
ｕの場合であつたが、０】 あるいは半田バンプであつ
ても良い。
れるから、Ｃｕ膜を例えば、１０％塩化第二鉄溶液で除
去し、Ｃｒ膜をフエリシアン化カリウムとＮａＯＨの混
合液で除去するものである。この様にして第２図ｅの構
造を得る。本発明の構成例に｝いては、金属バンプがＡ
ｕの場合であつたが、０】 あるいは半田バンプであつ
ても良い。
又、各金属膜間の密着力（付着力）を高め、かつ電気的
接触抵抗を減少させるために例えば３００〜５５０℃で
２０〜６０分間の熱処理を行えば、金属膜は更に緻密に
なり、かつ合金化が促進され、前述した効果を得る事が
できるものである。本発明の製造方法に訃いては、第２
の金属膜のパターン形成時に腐蝕液が浸透し、パツド電
極近傍まで到達しても前記パツド電極の周縁部の表面上
が耐腐蝕性のＡｌ２Ｏ３膜であるために、従来の如くパ
ツド電極の損傷による電気特性の劣化や、金属バンプ強
度の低下を招く事がない。
接触抵抗を減少させるために例えば３００〜５５０℃で
２０〜６０分間の熱処理を行えば、金属膜は更に緻密に
なり、かつ合金化が促進され、前述した効果を得る事が
できるものである。本発明の製造方法に訃いては、第２
の金属膜のパターン形成時に腐蝕液が浸透し、パツド電
極近傍まで到達しても前記パツド電極の周縁部の表面上
が耐腐蝕性のＡｌ２Ｏ３膜であるために、従来の如くパ
ツド電極の損傷による電気特性の劣化や、金属バンプ強
度の低下を招く事がない。
参考に第３図Ｂに前記パツド電極１３が部分的に損傷し
た状態を示す。更にバツト電極の一部がＡｌ２Ｏ３膜で
あるために前記ＣＶＤＳｉＯ２膜１６はこの部分に｝い
て良好な密着力を有するため、ＣＶＤＳｉＯ２とパツド
電極間に卦ける汚染物質の進行を防止できる等の効果が
ある。
た状態を示す。更にバツト電極の一部がＡｌ２Ｏ３膜で
あるために前記ＣＶＤＳｉＯ２膜１６はこの部分に｝い
て良好な密着力を有するため、ＣＶＤＳｉＯ２とパツド
電極間に卦ける汚染物質の進行を防止できる等の効果が
ある。
第・１図ａ−ｅは従来の金属バンプの形成方法を説明す
るための半導体装置の構造断面図、第２図ａ−ｅは本発
明の一実施例における金属バンプの形成方法を説明する
ための半導体装置の構造断面図、第３図は本発明の効果
の一例を示すための半導体装置の構造断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１３・・・・・・パツド
電極、１３′・・・・・・Ａｌ２Ｏ３膜、１６・・・・
・・ＣＶＤＳｉＯ２膜、１７・・・・・・第２の金属膜
、１８・・・・・・金属バンプ。
るための半導体装置の構造断面図、第２図ａ−ｅは本発
明の一実施例における金属バンプの形成方法を説明する
ための半導体装置の構造断面図、第３図は本発明の効果
の一例を示すための半導体装置の構造断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１３・・・・・・パツド
電極、１３′・・・・・・Ａｌ２Ｏ３膜、１６・・・・
・・ＣＶＤＳｉＯ２膜、１７・・・・・・第２の金属膜
、１８・・・・・・金属バンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に配線用の第１の金属膜を形成する工
程と、前記第１の金属膜上に第１の絶縁物層のパターン
を形成する工程と、前記第１の絶縁物層で被覆されてい
ない前記第１の金属膜の露出表面上に酸化物を形成する
工程と、前記第１の絶縁物層を除去し、前記第１の絶縁
物層パターンの大きさよりも大き目のパターンを有する
第２の絶縁物層を前記第１の金属膜の酸化されていない
部分をおおうように形成する工程と、前記第２の絶縁物
層のパターンをマスクとして、前記第１の金属膜および
前記第１の金属膜表面上の酸化物を除去し、しかる後、
前記第２の絶縁物層を除去する工程と、周縁部表面に前
記酸化物が露出するように前記第１の金属膜面を露出せ
しめた第３の絶縁物層のパターンを形成する工程と、第
２の金属膜を全面に被着せしめ、第４の絶縁物層により
前記第１の金属膜上のみを開孔させたパターンを形成す
る工程と、前記第４の絶縁物層により開孔し露出された
前記第２の金属膜上に金属バンプを形成する工程と、前
記第４の絶縁物層および露出している前記第２の金属膜
を除去する工程とからなる事を特徴とする半導体装置の
製造方法。 ２ 第１の金属膜がアルミニウム膜で構成される事を特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51072365A JPS5915179B2 (ja) | 1976-06-18 | 1976-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51072365A JPS5915179B2 (ja) | 1976-06-18 | 1976-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52155050A JPS52155050A (en) | 1977-12-23 |
| JPS5915179B2 true JPS5915179B2 (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=13487201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51072365A Expired JPS5915179B2 (ja) | 1976-06-18 | 1976-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915179B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2796919B2 (ja) * | 1992-05-11 | 1998-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | メタライゼーション複合体および半導体デバイス |
-
1976
- 1976-06-18 JP JP51072365A patent/JPS5915179B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52155050A (en) | 1977-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4016050A (en) | Conduction system for thin film and hybrid integrated circuits | |
| US20080236872A1 (en) | Printed Wiring Board, Process For Producing the Same and Semiconductor Device | |
| US3386894A (en) | Formation of metallic contacts | |
| JPS5828736B2 (ja) | 平坦な薄膜の形成方法 | |
| JPH1032208A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5915179B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02253628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5950095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3785937A (en) | Thin film metallization process for microcircuits | |
| JPH03198342A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63122248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6336548A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS606555B2 (ja) | 混成集積回路の抵抗体構造 | |
| JPS5915180B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3532972B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2626028B2 (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPS5915181B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0290623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09270355A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2614237B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04307737A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3844707B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPS6132421A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2914019B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS62281356A (ja) | 半導体装置の製造方法 |