JPS59151459U - 発光受光素子 - Google Patents

発光受光素子

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Publication number
JPS59151459U
JPS59151459U JP4444883U JP4444883U JPS59151459U JP S59151459 U JPS59151459 U JP S59151459U JP 4444883 U JP4444883 U JP 4444883U JP 4444883 U JP4444883 U JP 4444883U JP S59151459 U JPS59151459 U JP S59151459U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
receiving element
emitting
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4444883U
Other languages
English (en)
Inventor
司 竹内
文彦 佐藤
幹彦 志村
Original Assignee
オムロン株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to JP4444883U priority Critical patent/JPS59151459U/ja
Publication of JPS59151459U publication Critical patent/JPS59151459U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の発光受光素子に関係する参考断面図、
第２図は本考案の発光受光素子の一実施例を示す断面図
、第３図〜第５図は第２図に示す発光受光素子の製造方
法を示す工程図、第６図および第７図は第２図に示す発
光受光素子の動作を説明する図である。 １・・・基板、１００・・・発光素子部、２００・・・
受光素子、２２・・・分離溝、２３・・・電流狭窄手段
（電流狭窄層）、５・・・発光層、１０・・・光吸収層
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板主面上に形成され発光層を有する発光素子部
    と、この発光素子部に対して環状の分離溝を挾んで前記
    主面上に形成された受光素子部と、前記発光素子部にあ
    って前記受光素子部の受光層と同じに形成された層の一
    部に、前記発光素子部の電流通路を狭める電流狭窄手段
    を形成してなる発光受光素子において、前記発光層と前
    記電流狭窄手段の間に、前記発光層からの光を吸収する
    光吸収層を形成してなることを特徴とする発光受光素子
    。
JP4444883U 1983-03-28 1983-03-28 発光受光素子 Pending JPS59151459U (ja)

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JP4444883U JPS59151459U (ja) 1983-03-28 1983-03-28 発光受光素子

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JP4444883U JPS59151459U (ja) 1983-03-28 1983-03-28 発光受光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59151459U true JPS59151459U (ja) 1984-10-11

Family

ID=30174978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4444883U Pending JPS59151459U (ja) 1983-03-28 1983-03-28 発光受光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59151459U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6085579A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 発光受光素子の製造方法
JPH08181350A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Nec Corp 半導体光集積素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6085579A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 発光受光素子の製造方法
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