JPS59151114A - 時分割二重焦点検出法 - Google Patents

時分割二重焦点検出法

Info

Publication number
JPS59151114A
JPS59151114A JP58024552A JP2455283A JPS59151114A JP S59151114 A JPS59151114 A JP S59151114A JP 58024552 A JP58024552 A JP 58024552A JP 2455283 A JP2455283 A JP 2455283A JP S59151114 A JPS59151114 A JP S59151114A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
prism
optical path
mask
sensor
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58024552A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Yoneyama
米山 義弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58024552A priority Critical patent/JPS59151114A/ja
Priority to US06/580,709 priority patent/US4614431A/en
Priority to EP84101569A priority patent/EP0116953A2/en
Publication of JPS59151114A publication Critical patent/JPS59151114A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、例えば半導体ウェハの露光装置などのように
、微小間隙を介して対向する検出体の少なくとも一方が
ほぼ透明である場合に、双方の検出体の相対的位置を光
学的に検出する方法に関する。
〔従来技術〕
微小間隙を介して対向しているウエノ・とマスクとの相
対位置を検出する方法として、従来、第1図に示す二重
焦点光学検出法が一般に用いられている。
第1図に示す1はウェハで、その面上には第2図例)に
示すようにパターン1′と、3個のアライメントマーク
6が設けられている。
第1図に示す2はマスクで、その面上には第2図(向に
示すようにパターン面2′と、6個のアライメントマー
ク4が設けられている。
第1図に示す二重焦点検出法においては、上記ウェハ1
のアライメントマーク6と、上記マスク2のアライメン
トマーク4とを後に詳述するようにしてセンサ8の上に
結像させ、第2図(C1のように双方のアライメントマ
ーク6.4の像をセンサ8の上に重ね合わせ、第1図に
付記したZ軸方向の焦点合わせによってウエノ・1とマ
スク2との相対位置を検出する。
上述の従来の二重焦点法においては、ウエノ・1とマス
ク2との間隙ダを次のようにして検出する。
第3図は上記の検出方法の原理を示す説明図で、1はウ
ェハ、2はマスクであシ、第3図(Aはウェハ1上のア
ライメントマーク(矢印で表わす)3が対物レンズ5に
よって拡大実像3′を結ぶ状態を示している。同図力)
は同様にマスク2上のアライメントマーク4が拡大実像
4′を結ぶ状態を示している。
本図(ハに示すことく、対物レンズ5の前側主点6から
α2の距離にあるマスク2上のアライメントマーク4は
後側主点7からb3の距離に倍率iA ’OB’=約43倍の実像4′を結像する。また、本図
(Aに示すごとく、対物レンズ5の前側主点6かうcL
lの距離にあるウェハ1上のアライメントマ4 −り3は後側主点7からhlの距離に倍率(−7H)=
約40倍の実像3′を結像する。
ウェハ1とマスク2の相対位置を検出するためにはセン
サ8上に、ウエノ凡1とマスク2それぞれのアライメン
トマーク6.4を等倍率で結A 像させなければならないが、前述の様に■〉ニル、b3
> blであるため、このままではセンA す8上に等倍率の像を結像させることは出来ない。
このため、対物レンズ5の後側主点7と、結像位置まで
の間の光路に光路補正系9を挿入して、ウェハ1のアラ
イメントマーク30倍率補正を行な力、対物レンズ5の
後側主点7からh2の距離に倍率(h5)−約43倍−
Mの像を結像させOA          (JB ると共vc、b”、光路を途中で胚曲させることでセン
サ8にウエノ11とマスク2のアライメントマーク6.
4上等倍率で結像させてrhる。第1図において、光源
10から出だ照明光は照明光学系11、ハーフミラ−1
2、ミラー13、対物レンズ5をへてマスク2、ウエノ
・1上に照射される。ウェハ1、およびマスク2から反
射した光は再び対物レンズ5、ミラー13、)−−フミ
ラ12を通ってビームスプリッタ−14に達し、このビ
ームスプリッタ〜14によって光路、415、光路B1
6に分肉1Fされる。
ここで、光路、415はマスク2上のアライメントマー
ク4をセンサ8上に結像させる光路であり、つ°C路B
16はウェハ1上のアライメントマーク3をセンサ8に
結像させるだめの光路である。
光路B16には、ウェハ1上のアライメントマーク30
倍率をマスク2のアライメントマーク4の倍率制と同じ
倍率にするだめの倍率補正レンズ17、及びミラー18
が設けられて因る。
第6図(Aに仮想線で示した光路は、上記のよう(でし
て補正された光路を示して卦り、光路補正系9(第1図
の例では倍率補正レンズ17)により、3″なる実像(
寸法IA、)を結ぶ、そしてこA の場合の倍率併が前記の倍率面と同じになるように補正
系9が設定されている。第1図において光路A15はマ
スク2上のアライメントマーク4をセンサ8上に結像す
るだめの光路であシ、ウェハ1とマスクのアライメント
マーク3.4をセンサ上に結像するために光路を屈曲さ
せ光路長の補正を行なうプリズム20を通シ、さらにミ
ラー21を通ってビームスプリッタ19に達する。
ビームスプリッタ19で光路、415と光路B16は重
合されて、第一結像点22にマスク2、ウェハ1のアラ
イメントマーク6.4の等倍率の実像を結像する。
ここからさらにリレーレンズ23を通シセンサ8上に結
像させる。
従来一般に上述の様な方式でウェハ1とマスク2との相
対位置を検出していたが、この方式には次の様な間駅点
があった。第4図は前述のビームスプリッタ14からセ
ンサ8までの間の光路図である。前述のようにしてウェ
ハ1とマスク2との間の距離を検出する場合、0.1μ
m以下の精度で検出するためには、第4図に示す光路誤
差ε2、即ちセンサ8への入射点における光路A15と
(iil B ’16との間隔を0.1μm以下の精度
で重合しなければならないが、このためには、プリズム
20の位置精度ε1を005μm以下にしなければなら
ない、またこの他にも倍率補正レンズ17、ミラ−18
、ミラー21等についても高精度に設定し、なければな
らなかった。
オたピント合せに方法につ−ても、光学系の伯爵精度が
厳しく、光学部品を動かすことが出来な層ためマスク2
とウェハ1を別々にZ N]力方向移動させて行なわな
ければならなかった。
まだ対物レンズ5はX線露光中に邪魔になるため退避し
なければならない。このため、ウェハ1、マスク2、対
物レンズ5の全てがZ 11+方向に動くので、それぞ
れの絶対位置を精度良ぐ出すことが回部である。
上記の不具合を解消[〜、簡単な構成の光学系統を用い
て高精度の検出を行なうために、第5図乃至第8図に示
す方法が考えられる。この方法は本発明者が本発明を創
作する途中で案出したもので、その基本的原理は前述の
如き光路合わせ誤差ε、を生じさせな込ように双方のア
ライメントマークの結像光路を分解することなく、同一
の光路を用い、かつ、その光路長を変えて双方のアライ
メントマークの検出を順次に行なうものである。以下、
説明の便宜上、第5図乃至第8図に示す方法を試案と呼
ぶ。第5図は試案の光路図で、従来方法における第1図
に対応する。
光跡10から出だ照明光は照明光学系11、)・〜フミ
ラー12、ミラー13、対物レンズ5をへてマスク2.
ウェハ1に照射される。
ウェハ1及びマスク2から反射した光は再びA[物レン
ズ5、ミラー13、)1−フミラ−13、全iM I)
、ミラー25で曲げられてプリズム24に達する。この
プリズム24は往復矢印F方向に移動可能となっている
プリズム24で反射した元は再びミラー25を通り、第
一結像点に実像を結像し、さらにリレーレンズ26によ
ってセンサ8にアライメントマーク3又はアライメント
マーク4を結像する。第6図は上記第5図を平面に展開
した光路図で、第7図は同ブロック図、27はセンサで
ある。センサ8に結像する像は対物レンズ5の後側十点
7から第1結像点22までの距離に係り、プリズム24
の屈折率を1と仮定した場合には次のようになる。対物
レンズ5の前側主点6からα1の距1li1トにウェハ
がある時には、t、 +4 +z、 +t、 +t。
=力1の距離にプリズム22を移動させた時にウェハ1
のアライメントマークろを結俄し、対物レンズ5の前側
主点6からσ2の距離にマスク2がある時は、t、 +
t、−+−t3+t、 +t、−h’hの距離にプリズ
ムを移動させた時にマスクのアライメントマーク4を結
像する。この試案のように光路中にプリズムを置き、こ
のプリズム孕移動させて光路長を変える方法を用いると
、光路長を無段階的に変えることができるので各種の測
定条件に応じて容易に精密な検出ができるという効果が
ある。
上記の検出を行なうために動かすプリズムの移動化へは
(A5−AI)/2である。
検出は、まずhlなる位置でウエノ・1上のアライメン
トマーク3をセンサ8で検出し、記憶装置図26に記憶
する。次にプリズム24をh3の距離になる位置に移動
し、マスク2上のアライメントマーク4を検出し第7図
に示す記憶装g、26に記憶する。さらにプリズム24
を移動させた卵内1〔t。
をセンサ27で計測し記憶装置26に記憶させる。
これら記憶装置26に記憶された検出値は、ウェハ1の
アライメントマーク乙の結像倍率m1=崩 率m2”o″′Bと異なるため、ウェハ1のアライメン
トパターン3の検出値を計算機28で下記割算をまた、
ウェハ1とマスク2の間隙(α1−a2)はで表わすこ
とが出来る。
以上説明したように、光路長さを測定して、結像の倍率
補正全計算によって行なうと、ウェハ1とマスク2との
間隙全自由に設定することができる。J:記の試案にふ
−いてd、この計pによる補正を施すことによりウェハ
、マスク間隔をO〜1001Enの間で自由に設定し得
ることが確認された。
第8図は、上記の試案にかけるプリズム24ヲ支承して
移動させるために構成したガイド機構の平面図に光路図
全付記した図である。
本実施例のガイド機構では、プリズム24を載せた移動
ステージ29及びセンサ271、駆動源28をそなえだ
固定ステージ30から成り、双方のステージを節、43
1〜IB8と腕、439 、 B2Oからなる弾性変形
リンク機構によって構成する。
第9図は上記試案の変形例を示す。この変形例では光路
長を変える手段として、光路中に平面レンズを挿入した
り除去したシして光路の実効値を変える。その原理を第
3図メ)について次に略述する。マスク2のアライメン
トマーク3の結像距離h1は既述のごと< h2−bま
たけ不足している。ここで光路補正系9として、厚さt
−移動(−てアライメントマーク像3″が結像する。
この実施例のように、光路長の変更手段とじて光路中に
屈折率の異なる媒体全挿入、除去すると、簡単な構成の
部材を用いて光路長を高精度で段階的に変えることがで
きる。
しかし、上述の試案においては次記のような技術的田無
がある。即ち、第5図に示しだようにプリズム24を動
かして光路長を変える方式においては、第10図(−4
)に示す様にプリズム24が移動する際にプリズム24
の横振れ(ε3)や回転によって光軸振れ(ε、)が生
じる。プリズム24のガイドを精密に行なっても、プリ
ズム24の横振れや回転を完全になくすることは出来な
いので光軸振れに5’E全になくすことが出来なかった
。この場合、光軸撮れε4=2×63となる。
また、第9図に示したように平面レンズ41を挿入して
光路長を変える方法においては、第10図Bに示す様に
平面レンズ41の傾き(θI)が生じると光軸振れ(ε
、)が生じると言う問題を含んでsin  θ いた。この場合の光軸振れε、はt ×−−ユとなる。
〔発明の目的〕
本発明は上述の事情に鑑みて為され、以上に述べた試案
を更に改良して光軸振れを防止し得る時分割二重検出法
を提供しようとするものである。
〔発明の棚、要〕
上記の目的を達成するため、本発明は間隙を介して対向
している検出体Aとほぼ透明な検出体Bとのそれぞれの
検出像を1個のセンサ上に結像させて双方の検出体の相
対位置を検出する光学検出法において、検出体A及び検
出体Bの像を検出する対物レンズから結像位置との間に
、移動可能な1対のプリズムと、固定した1個の倒立プ
リズムとを設け、上記1対のプリズムの相対位置を変え
ることなく光路方向に移動せしめて光路長を変化せしめ
つつ双方の検出体A。
Bの像を順次にセンサ上に結像することを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に、本発明の1実施例を第111PIC/fl、(詞
を参照しつつ説明する。
2個のプリズム42.46を移動ステージ48に載置し
て固定する。これによシ、1対のプリズム42.46は
相対的な位置を変えることなく移動し得る。そして、上
記1対のプリズムの対称線上に倒立プリズム44を固定
する。
ウェハ1、及びマスク2からそれぞれ反射した光はハー
フミラ−12を通りプリズム42に反射しミラー43を
通り、倒立プリズム44で像を反転し1、ミラー45を
通り、プリズム46に反射して、ミラー47を通り第一
結像点22に実像を結像する。
さらにリレーレンズ26によってセンサー8上に実像を
結像し、位舒検出を行なう。
この光路構成において、倒立プリズム44ヲ設けること
により、プリズム42とプリズム46は互いに対称形な
光路を形成する。プリズム44ドブリズム46を同一の
移動ステージ4日に載せ、この移動ベース48を往復失
印イのごと〈動かすことによって光路長変更を行なり得
る。
以上のように構成して試案におけると同様の手順で時分
割二重検出を行なうと、第11図(,41のように移動
ステージ48が矢印口方同に傾すた場合、1対のプリズ
ム42.46には同じ量の回転02を生じる。従ってプ
リズム42で生じた光軸振れU 倒立フIJズム44で
反転されてプリズム46に入シ、ここで光軸振れが相殺
される。
壕だ、第11図(ツノ)のように移動ステージ48が矢
印ハの如く偏っプξ場合、プリズム42.46にハ等縫
の横振れε、を生じ、倒立プリズム44を介し7て上記
の横振れε、が相殺される。
上記のごとく、移動ステージを往←矢印イ方1iJに動
かして光路長を変える場合、矢印Q方向の回転−や矢印
ハ方向の横撮れを生じても、光軸振れを発生しな(への
で高閘度の検出ができる。
第14図は本実施例における光学要素の配置を示し7た
光路図である。プリズム42.4 (S は移動ステー
ジ48に固定され、移動ステージ48と固定部材50の
間はボールガイド49で摺動自在に支持されて卦り、ネ
ジ51、駆動モータ52で前述した摺動自在の方向に動
かすことが出来る。
ネジ51はホルダー53によp固定部材に回転自在な方
法で取付けられている。
移動ステージ4日の移動量はセンサ27で検出し、この
検出値によシ前述した倍率補正及びウエノ・構成の光学
系統を用−て、微小間隙を隔てて対向する2個の検出体
の相対的位置を容易かつ迅速に高精度で検出することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来方法の二重焦点光学系の光路図、第2図(
A、 (B+ 、 (C1はアライメントマーク合わせ
の説明図、第6図(Alaは光路長補正の説明図、第4
図は第1図の光路図の要部拡大図、第5図は時分割二重
検出法に関する試案における光路の斜視図、第6図は同
士面図、第7図は同ブロック図、第8図は同光学系の平
面図、第9図は上記と異なる試案の光路の斜視図、第1
0図(A)。 β)は四元軸振れの説明図である。第11図及び第12
図は本発明の時分割二重焦点検出法を示し、第11図(
,41,(73+は作用説明のための光路図、第12図
は光学系の配置図である。 1・・−ウェハ      2・・・マスク5・・・対
物レンズ    42・・・〕IJ 、7: ム44・
・倒立プリズム   46・・・プリズム8・・センサ
ー     27・・センサ48・・・移動ステージ 第 1 口 第7引△)   第2図CB)     窮2図(C)
笛3 図(ハ)        第 3 図(B)第4
 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 間隙を介して対向している検出体Aとほぼ透明な検出体
    Bとのそれぞれの検出像を1個のセンサ上に結像させて
    双方の検出体の相対位置を検出する光学検出法にbl、
    nて、検出体A及び検出体Bの像を検出する対物レンズ
    から結像位置との間に、移動可能な1対のプリズムと、
    固定したプリズムとを設け、上記1対のプリズムの相対
    位置を変えることなく光路方向に移動せしめで光路長を
    変化せしめつつ双方の検出体A。 Bの像を順次にセンサ上に結像することを特徴とする時
    分割二重焦点検出法。
JP58024552A 1983-02-18 1983-02-18 時分割二重焦点検出法 Pending JPS59151114A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58024552A JPS59151114A (ja) 1983-02-18 1983-02-18 時分割二重焦点検出法
US06/580,709 US4614431A (en) 1983-02-18 1984-02-16 Alignment apparatus with optical length-varying optical system
EP84101569A EP0116953A2 (en) 1983-02-18 1984-02-16 Alignment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58024552A JPS59151114A (ja) 1983-02-18 1983-02-18 時分割二重焦点検出法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59151114A true JPS59151114A (ja) 1984-08-29

Family

ID=12141309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58024552A Pending JPS59151114A (ja) 1983-02-18 1983-02-18 時分割二重焦点検出法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59151114A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008111690A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Aichi Tokei Denki Co Ltd 超音波流量計
CN101961817A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 株式会社迪思科 光学***和激光加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008111690A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Aichi Tokei Denki Co Ltd 超音波流量計
CN101961817A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 株式会社迪思科 光学***和激光加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5674650A (en) Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate, and apparatus for performing the method
JP3064433B2 (ja) 位置合わせ装置およびそれを備えた投影露光装置
US5140366A (en) Exposure apparatus with a function for controlling alignment by use of latent images
KR100471524B1 (ko) 노광방법
TW200915010A (en) Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
KR20000065214A (ko) 오프축 얼라인먼트 유니트를 갖는 리소그래픽 투영 장치
KR20090034784A (ko) 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200925789A (en) Drive method and drive system for movably body
TWI358529B (en) Shape measuring apparatus, shape measuring method,
JPS6049886B2 (ja) 顕微鏡
JP2771546B2 (ja) 孔内面測定装置
JPS59151114A (ja) 時分割二重焦点検出法
WO2005057635A1 (ja) 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
TWI503634B (zh) Exposure apparatus, exposure management system, and exposure method
JP2001338870A (ja) 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
JP2008304200A (ja) 偏芯測定用ヘッドの高さ位置調整方法
JPH04115518A (ja) 露光装置
JP4388341B2 (ja) 偏心測定装置
JPS59220604A (ja) 微小間隙をおいて相対する2物体間の位置検出方法
JP2005003667A (ja) 基準軸設定光学系、並びにこれを用いた偏心量測定機及び偏心測定方法
JP4604651B2 (ja) 焦点検出装置
JPS59152624A (ja) 時分割二重焦点検出法
JP2005005329A (ja) ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JPH10209029A (ja) アライメント系を備える露光装置
JPH0432217A (ja) 入射角度設定装置