JPS5914609A - 非晶質磁性材料の熱処理方法 - Google Patents
非晶質磁性材料の熱処理方法Info
- Publication number
- JPS5914609A JPS5914609A JP57123487A JP12348782A JPS5914609A JP S5914609 A JPS5914609 A JP S5914609A JP 57123487 A JP57123487 A JP 57123487A JP 12348782 A JP12348782 A JP 12348782A JP S5914609 A JPS5914609 A JP S5914609A
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- Japan
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- magnetic field
- temperature
- heat treatment
- thin plate
- magnetic
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15341—Preparation processes therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質磁性材の熱処理方法に関する。
軟磁性材料として製造された非晶質磁性合金は、製造さ
れたままの状態では、一般に保磁力が大きく、そして透
磁率が低い。軟磁性材料として使用す゛るには、通常熱
処理を施して透磁率を大きくする必要がある。従来、非
晶質磁性合金の透磁率を改善する熱処理方法としては、
主として2つの方法が知られている。第1の方法は結晶
化温度Txがキュリ一温度Tcより高い非晶質磁性合金
に施される場合であシ、キュリ一温度Tcよシ高くかつ
結晶化温度Txよりも低い温度Taで適当な時間保持し
、その後急冷する熱処理方法である。第2の方法は回転
磁場中熱処理と呼ばれるもので、結晶化温度Txよシ低
くかクキユリ一温度Tcより低い温度で非晶質磁性合金
薄板の主面内で十分強い磁場を回転させて行う方法であ
る。この方法は静磁場中で非晶質磁性合金薄板を回転さ
せても同等の効果が得られる。非晶質磁性合金として望
まれる高磁束密度材料の場合は、結晶化温度Txがキュ
リ一温度Tcよりも低くなることが多く、従って第1の
方法ではなく第2の方法(回転磁場中熱処理)が施され
る。しかし、これらの熱処理方法においては高周波域で
の透磁率が低い。
れたままの状態では、一般に保磁力が大きく、そして透
磁率が低い。軟磁性材料として使用す゛るには、通常熱
処理を施して透磁率を大きくする必要がある。従来、非
晶質磁性合金の透磁率を改善する熱処理方法としては、
主として2つの方法が知られている。第1の方法は結晶
化温度Txがキュリ一温度Tcより高い非晶質磁性合金
に施される場合であシ、キュリ一温度Tcよシ高くかつ
結晶化温度Txよりも低い温度Taで適当な時間保持し
、その後急冷する熱処理方法である。第2の方法は回転
磁場中熱処理と呼ばれるもので、結晶化温度Txよシ低
くかクキユリ一温度Tcより低い温度で非晶質磁性合金
薄板の主面内で十分強い磁場を回転させて行う方法であ
る。この方法は静磁場中で非晶質磁性合金薄板を回転さ
せても同等の効果が得られる。非晶質磁性合金として望
まれる高磁束密度材料の場合は、結晶化温度Txがキュ
リ一温度Tcよりも低くなることが多く、従って第1の
方法ではなく第2の方法(回転磁場中熱処理)が施され
る。しかし、これらの熱処理方法においては高周波域で
の透磁率が低い。
本発明は上述の点に鑑み、特に10kliz程度以上の
高周波域での透磁率の改善を図った非晶質磁性材料の熱
処理方法を提供するものである。
高周波域での透磁率の改善を図った非晶質磁性材料の熱
処理方法を提供するものである。
本発明においては、非晶質磁性薄板に対して、この薄板
の主面内で薄板と相対的に回転する磁場の中で行う熱処
理、つまシ薄板の主面内で磁場を回転させるか、或は静
磁場中で薄板を回転させて行う所謂垂直磁場中熱処理と
、薄板の主面にほぼ垂直でかつ飽和させるに十分な強さ
の磁場中で行う熱処理即ち所謂垂直磁場中熱処理とを施
して成る。この場合、熱処理の順序としては、非晶質磁
性薄板に対して回転磁場中熱処理を施して後、垂直磁場
中熱処理を施してもよく、或はその逆に垂直磁場中熱処
理を施して後、回転磁場中熱処理を施してもよい。しか
して、いずれの熱処理順序によっても、最初に施される
熱処理の温度+11a 1と、次に施される熱処理の温
度Ta2は次の関係を満すようになす。温度l1la1
は300℃以上かつ非晶質磁性材料のキュリ一温度Tc
以下とし、温度1゛a2は’l’a1より低温で250
℃以上かっ350 ’C以下に選定する。即ち 300℃<、 ’I’al <TC 250℃<Ta2 <350℃ Ta2< Ta1 温度Ta1が300℃より低温では処理時間がかがシ且
つ歪除去の効果が上がらず、またキュリ一温度Tcよシ
高温では被処理物が磁性を失うので磁場中熱処理になら
ない。温度’l’a2が250℃よシ低温では後処理の
方向の誘導磁気異方性が充分に出す、かつ処理時間がか
がって工業的には意味が余りない。また温度Ta2が3
50 ’Oよシ高温では後処理の方向への誘導磁気異方
性が強すぎて透磁率が下がる。
の主面内で薄板と相対的に回転する磁場の中で行う熱処
理、つまシ薄板の主面内で磁場を回転させるか、或は静
磁場中で薄板を回転させて行う所謂垂直磁場中熱処理と
、薄板の主面にほぼ垂直でかつ飽和させるに十分な強さ
の磁場中で行う熱処理即ち所謂垂直磁場中熱処理とを施
して成る。この場合、熱処理の順序としては、非晶質磁
性薄板に対して回転磁場中熱処理を施して後、垂直磁場
中熱処理を施してもよく、或はその逆に垂直磁場中熱処
理を施して後、回転磁場中熱処理を施してもよい。しか
して、いずれの熱処理順序によっても、最初に施される
熱処理の温度+11a 1と、次に施される熱処理の温
度Ta2は次の関係を満すようになす。温度l1la1
は300℃以上かつ非晶質磁性材料のキュリ一温度Tc
以下とし、温度1゛a2は’l’a1より低温で250
℃以上かっ350 ’C以下に選定する。即ち 300℃<、 ’I’al <TC 250℃<Ta2 <350℃ Ta2< Ta1 温度Ta1が300℃より低温では処理時間がかがシ且
つ歪除去の効果が上がらず、またキュリ一温度Tcよシ
高温では被処理物が磁性を失うので磁場中熱処理になら
ない。温度’l’a2が250℃よシ低温では後処理の
方向の誘導磁気異方性が充分に出す、かつ処理時間がか
がって工業的には意味が余りない。また温度Ta2が3
50 ’Oよシ高温では後処理の方向への誘導磁気異方
性が強すぎて透磁率が下がる。
通常、多くの非晶質磁性材料は磁場中熱処理で誘導磁気
異方性が発生する。本発明においては上述のように回転
磁場中熱処理と垂直磁場中熱処理を組み合せ、 KXンKYミに2 但し、Kx:x方向の誘導磁気異方性定数Ky:Y方向
の誘導磁気異方性定数 Kz: z方向の誘導磁気異方性定数 第1図に非晶質磁性薄板薄&(1)に対する上記x、y
、z方向を示す。
異方性が発生する。本発明においては上述のように回転
磁場中熱処理と垂直磁場中熱処理を組み合せ、 KXンKYミに2 但し、Kx:x方向の誘導磁気異方性定数Ky:Y方向
の誘導磁気異方性定数 Kz: z方向の誘導磁気異方性定数 第1図に非晶質磁性薄板薄&(1)に対する上記x、y
、z方向を示す。
となすことにより、非晶質磁性材料薄板内の誘導磁気異
方性をtlとんど無くすことができ、10kHz以上の
高周波域での透磁率を改善することができる。なお、逆
に適当にある方向に誘導磁気異方性を持たせるととも可
能である。
方性をtlとんど無くすことができ、10kHz以上の
高周波域での透磁率を改善することができる。なお、逆
に適当にある方向に誘導磁気異方性を持たせるととも可
能である。
一方、一般に熱処理においては処理温度が高かければ高
いほど構造緩和が速い。また2回の熱処理を行う場合、
1回目の処理温度’l’alを結晶化温度Txよシ低温
(’I’at < Tx )とし、2回月の処理温度1
゛a2を結晶化温度Txよシ低温(Ta2<Tx)とし
た場合、’l” 2 〉’l’a 1で2回目の熱処理
を行うと構造緩和は、’1”2 < Ta1のときに比
べて著しく速い。
いほど構造緩和が速い。また2回の熱処理を行う場合、
1回目の処理温度’l’alを結晶化温度Txよシ低温
(’I’at < Tx )とし、2回月の処理温度1
゛a2を結晶化温度Txよシ低温(Ta2<Tx)とし
た場合、’l” 2 〉’l’a 1で2回目の熱処理
を行うと構造緩和は、’1”2 < Ta1のときに比
べて著しく速い。
誘導磁気異方性は非晶質磁性材料の構造緩和の一種であ
るから、上記の2種の磁場中熱処理を施して、所要の誘
導磁気異方性を生じせしめて10 kl(z以上の高周
波域での透磁率を改善するにはl1182< ’l’a
lとして1回目及び2回目の熱処理を夫夫適当な時間行
う。これによって容易かつ特性のバラツキが少なく実現
できる。
るから、上記の2種の磁場中熱処理を施して、所要の誘
導磁気異方性を生じせしめて10 kl(z以上の高周
波域での透磁率を改善するにはl1182< ’l’a
lとして1回目及び2回目の熱処理を夫夫適当な時間行
う。これによって容易かつ特性のバラツキが少なく実現
できる。
次に本発明の実施例について述べる。
実施例(1)
Fes C075844816(原子比)なる組成の低
磁歪非晶質磁性合金薄板(但し結晶化温度Txは420
℃、キュリ一温度Tcは570℃、板厚18 ptn
) K対して、板面を平行な磁場Ha : 2.4 k
Oe 、回転数:1100rpの回転磁場中でTa1:
370’Qの温度に保持し、30分間熱処理し、しかる
後、薄板の板面と垂直に13.8 koeの磁場1ia
を印加しながら’l’alよシ低い温度Ta2に保ち1
0分間熱処理を行った。第2図に2回目の処理温度’l
’a2を変えたときの各透磁率μ′の周波数In 性t
示t。同図中、曲線(I) 、 (II) 、 +1
3 、 GV)は夫々処理温度Ta2が241℃、26
1’01275℃、305℃の場合である。
磁歪非晶質磁性合金薄板(但し結晶化温度Txは420
℃、キュリ一温度Tcは570℃、板厚18 ptn
) K対して、板面を平行な磁場Ha : 2.4 k
Oe 、回転数:1100rpの回転磁場中でTa1:
370’Qの温度に保持し、30分間熱処理し、しかる
後、薄板の板面と垂直に13.8 koeの磁場1ia
を印加しながら’l’alよシ低い温度Ta2に保ち1
0分間熱処理を行った。第2図に2回目の処理温度’l
’a2を変えたときの各透磁率μ′の周波数In 性t
示t。同図中、曲線(I) 、 (II) 、 +1
3 、 GV)は夫々処理温度Ta2が241℃、26
1’01275℃、305℃の場合である。
実施例(2)
実施例(1)と同じ組成の非晶質磁性合金薄板(板厚3
9μm)に対して、その板面と垂直に13.8kOeの
磁場14aを印加しながら温度Ta1=370’Qに保
って30分間熱処理を行い、しかる後、板面と平行な磁
場Ha : 2.4 koe 、回転数=10Orpm
の回転磁場中で’l’a1よシ低い温度’J’a2 K
保ち1o分間熱処理を行った。第3図に2回目の処理温
度1゛a2を変えたときの各透磁率μ′の周波数特性を
示す。同図中、曲線(a) 、 (b)はTa2が30
0 ℃、332℃の場合である。また曲線[C)は第1
回目の垂直磁場中処理のみの場合、曲線(dlは回転磁
場中処理のみ(温度Ta : 370 oC,処理時間
ta:10分間)1曲線(elは製造された1まの(無
処理)の場合である。
9μm)に対して、その板面と垂直に13.8kOeの
磁場14aを印加しながら温度Ta1=370’Qに保
って30分間熱処理を行い、しかる後、板面と平行な磁
場Ha : 2.4 koe 、回転数=10Orpm
の回転磁場中で’l’a1よシ低い温度’J’a2 K
保ち1o分間熱処理を行った。第3図に2回目の処理温
度1゛a2を変えたときの各透磁率μ′の周波数特性を
示す。同図中、曲線(a) 、 (b)はTa2が30
0 ℃、332℃の場合である。また曲線[C)は第1
回目の垂直磁場中処理のみの場合、曲線(dlは回転磁
場中処理のみ(温度Ta : 370 oC,処理時間
ta:10分間)1曲線(elは製造された1まの(無
処理)の場合である。
上記実施例から明らかなように回転磁場中熱処理と垂直
磁場中熱処理とを組合せ、且つ温度Ta1及びTa2を
上述した関係に選ぶときには、3次元的に誘導磁気異方
性が制御され、回転磁場中熱処理あるいは無処理の場合
に比べてl Q kHz以上の高周波域での透磁率が改
善される。
磁場中熱処理とを組合せ、且つ温度Ta1及びTa2を
上述した関係に選ぶときには、3次元的に誘導磁気異方
性が制御され、回転磁場中熱処理あるいは無処理の場合
に比べてl Q kHz以上の高周波域での透磁率が改
善される。
なお、本発明は結晶化温度Txがキュリ一温度Tcよシ
も高い非晶質磁性合金についても有効である。
も高い非晶質磁性合金についても有効である。
第1図は本発明の説明に供する座゛標、軸1のとシ方を
示す図、第2図及び第3図は夫々実施例(1)及び(2
)の熱処理によって得られた透磁率の周波数特性図であ
る。 (1)は非晶質磁性材料薄板である。 11図 第1頁の続き 0発 明 者 林和彦 横浜市保土ケ谷区藤塚町174番 地ソニー株式会社中央研究所内
示す図、第2図及び第3図は夫々実施例(1)及び(2
)の熱処理によって得られた透磁率の周波数特性図であ
る。 (1)は非晶質磁性材料薄板である。 11図 第1頁の続き 0発 明 者 林和彦 横浜市保土ケ谷区藤塚町174番 地ソニー株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 非晶質磁性材料薄板に、該薄板の主面内で該薄板と相対
的に回転する磁場の中で行う熱処理と、該薄板の主面に
略々垂直な磁場中で行う熱処理を含む熱処理方法であっ
て、第1の熱処理は300℃以上かつ該非晶質磁性材料
のキュリ一温度以下であり、第2の熱処理は第1の熱処
理より低温で250℃以上かつ350℃以下で行われる
ことを特徴とする非晶質磁性材料の熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57123487A JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57123487A JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5914609A true JPS5914609A (ja) | 1984-01-25 |
JPH0337721B2 JPH0337721B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=14861838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57123487A Granted JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5914609A (ja) |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57123487A patent/JPS5914609A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0337721B2 (ja) | 1991-06-06 |
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