JPS5914609A - 非晶質磁性材料の熱処理方法 - Google Patents
非晶質磁性材料の熱処理方法Info
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- JPS5914609A JPS5914609A JP57123487A JP12348782A JPS5914609A JP S5914609 A JPS5914609 A JP S5914609A JP 57123487 A JP57123487 A JP 57123487A JP 12348782 A JP12348782 A JP 12348782A JP S5914609 A JPS5914609 A JP S5914609A
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- Japan
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- magnetic field
- temperature
- heat treatment
- thin plate
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15341—Preparation processes therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質磁性材の熱処理方法に関する。
軟磁性材料として製造された非晶質磁性合金は、製造さ
れたままの状態では、一般に保磁力が大きく、そして透
磁率が低い。軟磁性材料として使用す゛るには、通常熱
処理を施して透磁率を大きくする必要がある。従来、非
晶質磁性合金の透磁率を改善する熱処理方法としては、
主として２つの方法が知られている。第１の方法は結晶
化温度Ｔｘがキュリ一温度Ｔｃより高い非晶質磁性合金
に施される場合であシ、キュリ一温度Ｔｃよシ高くかつ
結晶化温度Ｔｘよりも低い温度Ｔａで適当な時間保持し
、その後急冷する熱処理方法である。第２の方法は回転
磁場中熱処理と呼ばれるもので、結晶化温度Ｔｘよシ低
くかクキユリ一温度Ｔｃより低い温度で非晶質磁性合金
薄板の主面内で十分強い磁場を回転させて行う方法であ
る。この方法は静磁場中で非晶質磁性合金薄板を回転さ
せても同等の効果が得られる。非晶質磁性合金として望
まれる高磁束密度材料の場合は、結晶化温度Ｔｘがキュ
リ一温度Ｔｃよりも低くなることが多く、従って第１の
方法ではなく第２の方法（回転磁場中熱処理）が施され
る。しかし、これらの熱処理方法においては高周波域で
の透磁率が低い。
れたままの状態では、一般に保磁力が大きく、そして透
磁率が低い。軟磁性材料として使用す゛るには、通常熱
処理を施して透磁率を大きくする必要がある。従来、非
晶質磁性合金の透磁率を改善する熱処理方法としては、
主として２つの方法が知られている。第１の方法は結晶
化温度Ｔｘがキュリ一温度Ｔｃより高い非晶質磁性合金
に施される場合であシ、キュリ一温度Ｔｃよシ高くかつ
結晶化温度Ｔｘよりも低い温度Ｔａで適当な時間保持し
、その後急冷する熱処理方法である。第２の方法は回転
磁場中熱処理と呼ばれるもので、結晶化温度Ｔｘよシ低
くかクキユリ一温度Ｔｃより低い温度で非晶質磁性合金
薄板の主面内で十分強い磁場を回転させて行う方法であ
る。この方法は静磁場中で非晶質磁性合金薄板を回転さ
せても同等の効果が得られる。非晶質磁性合金として望
まれる高磁束密度材料の場合は、結晶化温度Ｔｘがキュ
リ一温度Ｔｃよりも低くなることが多く、従って第１の
方法ではなく第２の方法（回転磁場中熱処理）が施され
る。しかし、これらの熱処理方法においては高周波域で
の透磁率が低い。
本発明は上述の点に鑑み、特に１０ｋｌｉｚ程度以上の
高周波域での透磁率の改善を図った非晶質磁性材料の熱
処理方法を提供するものである。
高周波域での透磁率の改善を図った非晶質磁性材料の熱
処理方法を提供するものである。
本発明においては、非晶質磁性薄板に対して、この薄板
の主面内で薄板と相対的に回転する磁場の中で行う熱処
理、つまシ薄板の主面内で磁場を回転させるか、或は静
磁場中で薄板を回転させて行う所謂垂直磁場中熱処理と
、薄板の主面にほぼ垂直でかつ飽和させるに十分な強さ
の磁場中で行う熱処理即ち所謂垂直磁場中熱処理とを施
して成る。この場合、熱処理の順序としては、非晶質磁
性薄板に対して回転磁場中熱処理を施して後、垂直磁場
中熱処理を施してもよく、或はその逆に垂直磁場中熱処
理を施して後、回転磁場中熱処理を施してもよい。しか
して、いずれの熱処理順序によっても、最初に施される
熱処理の温度＋１１ａ １と、次に施される熱処理の温
度Ｔａ２は次の関係を満すようになす。温度ｌ１ｌａ１
は３００℃以上かつ非晶質磁性材料のキュリ一温度Ｔｃ
以下とし、温度１゛ａ２は’ｌ’ａ１より低温で２５０
℃以上かっ３５０ ’Ｃ以下に選定する。即ち ３００℃＜、 ’Ｉ’ａｌ ＜ＴＣ ２５０℃＜Ｔａ２ ＜３５０℃ Ｔａ２＜ Ｔａ１ 温度Ｔａ１が３００℃より低温では処理時間がかがシ且
つ歪除去の効果が上がらず、またキュリ一温度Ｔｃよシ
高温では被処理物が磁性を失うので磁場中熱処理になら
ない。温度’ｌ’ａ２が２５０℃よシ低温では後処理の
方向の誘導磁気異方性が充分に出す、かつ処理時間がか
がって工業的には意味が余りない。また温度Ｔａ２が３
５０ ’Ｏよシ高温では後処理の方向への誘導磁気異方
性が強すぎて透磁率が下がる。
の主面内で薄板と相対的に回転する磁場の中で行う熱処
理、つまシ薄板の主面内で磁場を回転させるか、或は静
磁場中で薄板を回転させて行う所謂垂直磁場中熱処理と
、薄板の主面にほぼ垂直でかつ飽和させるに十分な強さ
の磁場中で行う熱処理即ち所謂垂直磁場中熱処理とを施
して成る。この場合、熱処理の順序としては、非晶質磁
性薄板に対して回転磁場中熱処理を施して後、垂直磁場
中熱処理を施してもよく、或はその逆に垂直磁場中熱処
理を施して後、回転磁場中熱処理を施してもよい。しか
して、いずれの熱処理順序によっても、最初に施される
熱処理の温度＋１１ａ １と、次に施される熱処理の温
度Ｔａ２は次の関係を満すようになす。温度ｌ１ｌａ１
は３００℃以上かつ非晶質磁性材料のキュリ一温度Ｔｃ
以下とし、温度１゛ａ２は’ｌ’ａ１より低温で２５０
℃以上かっ３５０ ’Ｃ以下に選定する。即ち ３００℃＜、 ’Ｉ’ａｌ ＜ＴＣ ２５０℃＜Ｔａ２ ＜３５０℃ Ｔａ２＜ Ｔａ１ 温度Ｔａ１が３００℃より低温では処理時間がかがシ且
つ歪除去の効果が上がらず、またキュリ一温度Ｔｃよシ
高温では被処理物が磁性を失うので磁場中熱処理になら
ない。温度’ｌ’ａ２が２５０℃よシ低温では後処理の
方向の誘導磁気異方性が充分に出す、かつ処理時間がか
がって工業的には意味が余りない。また温度Ｔａ２が３
５０ ’Ｏよシ高温では後処理の方向への誘導磁気異方
性が強すぎて透磁率が下がる。
通常、多くの非晶質磁性材料は磁場中熱処理で誘導磁気
異方性が発生する。本発明においては上述のように回転
磁場中熱処理と垂直磁場中熱処理を組み合せ、 ＫＸンＫＹミに２ 但し、Ｋｘ：ｘ方向の誘導磁気異方性定数Ｋｙ：Ｙ方向
の誘導磁気異方性定数 Ｋｚ： ｚ方向の誘導磁気異方性定数 第１図に非晶質磁性薄板薄＆（１）に対する上記ｘ、ｙ
、ｚ方向を示す。
異方性が発生する。本発明においては上述のように回転
磁場中熱処理と垂直磁場中熱処理を組み合せ、 ＫＸンＫＹミに２ 但し、Ｋｘ：ｘ方向の誘導磁気異方性定数Ｋｙ：Ｙ方向
の誘導磁気異方性定数 Ｋｚ： ｚ方向の誘導磁気異方性定数 第１図に非晶質磁性薄板薄＆（１）に対する上記ｘ、ｙ
、ｚ方向を示す。
となすことにより、非晶質磁性材料薄板内の誘導磁気異
方性をｔｌとんど無くすことができ、１０ｋＨｚ以上の
高周波域での透磁率を改善することができる。なお、逆
に適当にある方向に誘導磁気異方性を持たせるととも可
能である。
方性をｔｌとんど無くすことができ、１０ｋＨｚ以上の
高周波域での透磁率を改善することができる。なお、逆
に適当にある方向に誘導磁気異方性を持たせるととも可
能である。
一方、一般に熱処理においては処理温度が高かければ高
いほど構造緩和が速い。また２回の熱処理を行う場合、
１回目の処理温度’ｌ’ａｌを結晶化温度Ｔｘよシ低温
（’Ｉ’ａｔ ＜ Ｔｘ ）とし、２回月の処理温度１
゛ａ２を結晶化温度Ｔｘよシ低温（Ｔａ２＜Ｔｘ）とし
た場合、’ｌ” ２ 〉’ｌ’ａ １で２回目の熱処理
を行うと構造緩和は、’１”２ ＜ Ｔａ１のときに比
べて著しく速い。
いほど構造緩和が速い。また２回の熱処理を行う場合、
１回目の処理温度’ｌ’ａｌを結晶化温度Ｔｘよシ低温
（’Ｉ’ａｔ ＜ Ｔｘ ）とし、２回月の処理温度１
゛ａ２を結晶化温度Ｔｘよシ低温（Ｔａ２＜Ｔｘ）とし
た場合、’ｌ” ２ 〉’ｌ’ａ １で２回目の熱処理
を行うと構造緩和は、’１”２ ＜ Ｔａ１のときに比
べて著しく速い。
誘導磁気異方性は非晶質磁性材料の構造緩和の一種であ
るから、上記の２種の磁場中熱処理を施して、所要の誘
導磁気異方性を生じせしめて１０ ｋｌ（ｚ以上の高周
波域での透磁率を改善するにはｌ１１８２＜ ’ｌ’ａ
ｌとして１回目及び２回目の熱処理を夫夫適当な時間行
う。これによって容易かつ特性のバラツキが少なく実現
できる。
るから、上記の２種の磁場中熱処理を施して、所要の誘
導磁気異方性を生じせしめて１０ ｋｌ（ｚ以上の高周
波域での透磁率を改善するにはｌ１１８２＜ ’ｌ’ａ
ｌとして１回目及び２回目の熱処理を夫夫適当な時間行
う。これによって容易かつ特性のバラツキが少なく実現
できる。
次に本発明の実施例について述べる。
実施例（１）
Ｆｅｓ Ｃ０７５８４４８１６（原子比）なる組成の低
磁歪非晶質磁性合金薄板（但し結晶化温度Ｔｘは４２０
℃、キュリ一温度Ｔｃは５７０℃、板厚１８ ｐｔｎ
） Ｋ対して、板面を平行な磁場Ｈａ ： ２．４ ｋ
Ｏｅ 、回転数：１１００ｒｐの回転磁場中でＴａ１：
３７０’Ｑの温度に保持し、３０分間熱処理し、しかる
後、薄板の板面と垂直に１３．８ ｋｏｅの磁場１ｉａ
を印加しながら’ｌ’ａｌよシ低い温度Ｔａ２に保ち１
０分間熱処理を行った。第２図に２回目の処理温度’ｌ
’ａ２を変えたときの各透磁率μ′の周波数Ｉｎ 性ｔ
示ｔ。同図中、曲線（Ｉ） 、 （ＩＩ） 、 ＋１
３ 、 ＧＶ）は夫々処理温度Ｔａ２が２４１℃、２６
１’０１２７５℃、３０５℃の場合である。
磁歪非晶質磁性合金薄板（但し結晶化温度Ｔｘは４２０
℃、キュリ一温度Ｔｃは５７０℃、板厚１８ ｐｔｎ
） Ｋ対して、板面を平行な磁場Ｈａ ： ２．４ ｋ
Ｏｅ 、回転数：１１００ｒｐの回転磁場中でＴａ１：
３７０’Ｑの温度に保持し、３０分間熱処理し、しかる
後、薄板の板面と垂直に１３．８ ｋｏｅの磁場１ｉａ
を印加しながら’ｌ’ａｌよシ低い温度Ｔａ２に保ち１
０分間熱処理を行った。第２図に２回目の処理温度’ｌ
’ａ２を変えたときの各透磁率μ′の周波数Ｉｎ 性ｔ
示ｔ。同図中、曲線（Ｉ） 、 （ＩＩ） 、 ＋１
３ 、 ＧＶ）は夫々処理温度Ｔａ２が２４１℃、２６
１’０１２７５℃、３０５℃の場合である。
実施例（２）
実施例（１）と同じ組成の非晶質磁性合金薄板（板厚３
９μｍ）に対して、その板面と垂直に１３．８ｋＯｅの
磁場１４ａを印加しながら温度Ｔａ１＝３７０’Ｑに保
って３０分間熱処理を行い、しかる後、板面と平行な磁
場Ｈａ ： ２．４ ｋｏｅ 、回転数＝１０Ｏｒｐｍ
の回転磁場中で’ｌ’ａ１よシ低い温度’Ｊ’ａ２ Ｋ
保ち１ｏ分間熱処理を行った。第３図に２回目の処理温
度１゛ａ２を変えたときの各透磁率μ′の周波数特性を
示す。同図中、曲線（ａ） 、 （ｂ）はＴａ２が３０
０ ℃、３３２℃の場合である。また曲線［Ｃ）は第１
回目の垂直磁場中処理のみの場合、曲線（ｄｌは回転磁
場中処理のみ（温度Ｔａ ： ３７０ ｏＣ，処理時間
ｔａ：１０分間）１曲線（ｅｌは製造された１まの（無
処理）の場合である。
９μｍ）に対して、その板面と垂直に１３．８ｋＯｅの
磁場１４ａを印加しながら温度Ｔａ１＝３７０’Ｑに保
って３０分間熱処理を行い、しかる後、板面と平行な磁
場Ｈａ ： ２．４ ｋｏｅ 、回転数＝１０Ｏｒｐｍ
の回転磁場中で’ｌ’ａ１よシ低い温度’Ｊ’ａ２ Ｋ
保ち１ｏ分間熱処理を行った。第３図に２回目の処理温
度１゛ａ２を変えたときの各透磁率μ′の周波数特性を
示す。同図中、曲線（ａ） 、 （ｂ）はＴａ２が３０
０ ℃、３３２℃の場合である。また曲線［Ｃ）は第１
回目の垂直磁場中処理のみの場合、曲線（ｄｌは回転磁
場中処理のみ（温度Ｔａ ： ３７０ ｏＣ，処理時間
ｔａ：１０分間）１曲線（ｅｌは製造された１まの（無
処理）の場合である。
上記実施例から明らかなように回転磁場中熱処理と垂直
磁場中熱処理とを組合せ、且つ温度Ｔａ１及びＴａ２を
上述した関係に選ぶときには、３次元的に誘導磁気異方
性が制御され、回転磁場中熱処理あるいは無処理の場合
に比べてｌ Ｑ ｋＨｚ以上の高周波域での透磁率が改
善される。
磁場中熱処理とを組合せ、且つ温度Ｔａ１及びＴａ２を
上述した関係に選ぶときには、３次元的に誘導磁気異方
性が制御され、回転磁場中熱処理あるいは無処理の場合
に比べてｌ Ｑ ｋＨｚ以上の高周波域での透磁率が改
善される。
なお、本発明は結晶化温度Ｔｘがキュリ一温度Ｔｃよシ
も高い非晶質磁性合金についても有効である。
も高い非晶質磁性合金についても有効である。
第１図は本発明の説明に供する座゛標、軸１のとシ方を
示す図、第２図及び第３図は夫々実施例（１）及び（２
）の熱処理によって得られた透磁率の周波数特性図であ
る。 （１）は非晶質磁性材料薄板である。 １１図 第１頁の続き ０発 明 者 林和彦 横浜市保土ケ谷区藤塚町１７４番 地ソニー株式会社中央研究所内
示す図、第２図及び第３図は夫々実施例（１）及び（２
）の熱処理によって得られた透磁率の周波数特性図であ
る。 （１）は非晶質磁性材料薄板である。 １１図 第１頁の続き ０発 明 者 林和彦 横浜市保土ケ谷区藤塚町１７４番 地ソニー株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 非晶質磁性材料薄板に、該薄板の主面内で該薄板と相対
的に回転する磁場の中で行う熱処理と、該薄板の主面に
略々垂直な磁場中で行う熱処理を含む熱処理方法であっ
て、第１の熱処理は３００℃以上かつ該非晶質磁性材料
のキュリ一温度以下であり、第２の熱処理は第１の熱処
理より低温で２５０℃以上かつ３５０℃以下で行われる
ことを特徴とする非晶質磁性材料の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123487A JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123487A JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914609A true JPS5914609A (ja) | 1984-01-25 |
| JPH0337721B2 JPH0337721B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=14861838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123487A Granted JPS5914609A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914609A (ja) |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57123487A patent/JPS5914609A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337721B2 (ja) | 1991-06-06 |
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