JPS5913611A - Si↓3N↓4の超微粉の製造方法ならびに製造装置 - Google Patents

Si↓3N↓4の超微粉の製造方法ならびに製造装置

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JPS5913611A
JPS5913611A JP11942082A JP11942082A JPS5913611A JP S5913611 A JPS5913611 A JP S5913611A JP 11942082 A JP11942082 A JP 11942082A JP 11942082 A JP11942082 A JP 11942082A JP S5913611 A JPS5913611 A JP S5913611A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、粒径1μ以下のアモルファス状捷たはα型も
しくはβ型のSI3N4の超微粉とその製造方法ならび
に製造装置に関し、粒体特性の陵れた単一組成をもつ5
I8N4を量産的に得ることを目的とする。
近年、ニューセラミックスに関する世間の関心は急速に
高まりつ\あるが、とりわけ熱機関(14造材としてS
 I 3 N4. 、 S + Cが特に有望視されて
いる。
しかし之等を構造材として大量に使用する為には是非と
も克服せねばならぬ大きい2つの壁がある。
第1の問題は、之等を構成する粉体個々の特性に関する
問題である。現状得られる粉体は、個々の粒子の径が大
小まちまちであり、又個々が凝結1〜て塊をなしたり、
又連鎖状であったりする」−1粉体の結晶組織がα、β
、アモルファス等が不特定に混在して居り、之等は、い
ずれも粉体を成型焼結する際不均一性を生ずる原因とな
る事は容易に■1解されるところである。
又セラミック構造材は微少な傷に対し極めて鋭敏であ(
9、/l程度の傷が問題となる為少くとも1)!以下の
揃った超微粉が望まれるが後記する如く代表的製造法で
ある因−気反応によるものでは全稈慎重に作られたもの
でも数μの粒の混入が避けられないのが現状である。
I−記の如く、セラミックを構成する個々の粉体を観察
すると、寸法、結晶構造、その他粉体特性があ−まりに
も不揃いで捷ちまちのものの集合でありこれらは通常の
構造材の常識では到底考えられないところである。
セラミックの不均一性を解消し強度メンバーとして信頼
出来るセラミックを得る為にはそれを構成する粉体個々
の特性を、根本的に改善して均一性をもたせ、随伴する
焼結工程での変形を最小にする必要がある。その為に必
要とされる粉体特性は(1)、少くとも粒径が1μ以下
望ましくは0.5μ以下でかつ揃っている事、(2)8
個々の粉体が凝結又は連鎖していない事(粒径が小さく
なればなる程活性が強くなり、互に凝結し易くなる)、
(3)。
結晶組織の異なるものが混在する事なく単一組織である
事(例えばαの中にβが不特定に混在する事は望ましく
ない)、である。しかるに現状得られる粉体はいずれも
上記特性から甚しくずれて居り、その原因は従来法によ
る粉体の製造法そのものに根本的欠陥があった。
第2の問題は価格の壁を破る必要がある。その為には出
発原料が安価である事、と同時に多量生産が可能な事が
必須条件となる。
後記する如く、従来法ではいずれも第1及び第2の問題
が解決されていない。まして、第1及び第2の問題を同
時に解決する方法は、全く手がつけられていない現状で
ある。
本発明は、これら第1及び第2の問題を同時に解決し、
安価で、単一組成で粒径の揃った粉末からブよる”’3
N4m’s3N4最終的に得る事を目的としている。発
明の理解を助ける為に代表的な従来法を例記すると次の
通りである。
(1)金属Si粉末の直接窒化  ・・・・・・固−気
反応3Si(2N2→513N4       ・・・
・・・■(2)  8102粉の還元窒化     ・
・・・固−気反応3S10□+−6C十N2→s + 
3N4 +6 CO・・・・・・■3 S + 02 
+4 ”’3→513N4+6II20   ・・・・
・・■(3)  5iCt、とNl+3を原料とする方
法・・・気−気反応3 S + CZ4 + 4 N 
II3→S i3N、 +12HCt  ・・・・・■
(4)  5ill、とNl+3を原料とする方法 ・
・気−気反応38闇14+4 Nll3→S 13N4
4” 121’(2・・・・■先す(1)の方法はSi
゛の直接窒化と呼ばれ面J人物11?、造利ロ的に最イ
)良く利用されている。即ち金属Si を粉砕して細粉
を作りこれを窒素ガス中で1’200−1.450 t
ll’で窒化する。
しかし、この方法では■反応が激しい発熱反応で局所的
に高温になるとβS−3N4が生ずる為、反応温度の下
限で長時間かけて窒化せねばならぬ、■製品の粒径、粒
度分布は、窒化工程前後に行う粉砕工程で決1す、これ
を微粉化する為には、長時間を要するだけでなく数μの
粒径やβ8i3N、の不特定混在が避けられぬ、■粉砕
工程による不純物混入、酸化が避けられぬ等の為、耐火
レンガ等には用いられても、自動車用構造相などには適
さない、の如き欠点があつf′c。
又、(2)の方法は、原料が充分精製されたものを用い
る必要あり、生成物はα、β、 Si3N4.5i2N
20゜SiC混在形であり、又製品中に未反応5i02
.Cの混入の危険があり、反応時間も長い欠点があった
さらに」7記(1) 、 (2)の方法は固−気反応と
呼ばれ反応が固体と気体間で行われる為、共通の難点は
、■出発原料の粒径、粒度分布がその寸\製品の粒径、
粒度分布に関連してくる、一般に・(ラツキが大きい、
■出発原料を積層した状態で高温で長時間反応させる為
、粒体同志の凝結が避けられぬ、■製品に出発原料の未
反応分が混入する、■α。
βの混在が不可避である、■反応に長時間を要し、生産
性が劣る、等である。
次に(3)及び(4)の方法は気−気反応と呼ばれ気相
から析出させる為、一般に超微粒子が得やすい利点があ
る。また、超微粒子は粒径が小さい程活性が強い為、互
に結合して成長し凝結したり鎖状に連結したりする性質
があり、この成長を適当に抑制する工夫が必要であるに
も不拘、従来法では適当な方法がなく、それ等の製品に
は凝結や連鎖が数多くみられる。
又」−記(3)及び(4)法の出発原料はI、Cや太陽
電池に使う高純度S1製造用の出発原料として知られた
SICZ4やS + )+4  を出発原料とする為、
原料が極めて高価であり、又その取扱いがいずれも相当
厄介である。
又(3)の方法では目的物1に対し、約4倍(重量)の
lIC4が発生する一方、又(4)の方法では、SiH
を製造する場合、それ自身の数倍(重量)の廃棄物が発
生するために、これらを多量生産を行う場合には、それ
等の処置が相当の問題になる事は注意しておく必要があ
る。
以上S l3N4の従来法の要点をまとめると、固−気
反応は、粉体特性が劣り、気相反応では、粉体特性は幾
分改善されるが高価につきいずれの場合にも共通してい
る事は生産性が極めて低く、得られた製品粉体も上記せ
る理想的な粉体特性とは程遠い現状である。
したがって、本発明は、粒径1μ以下のSi、N。
してなる超微粉のアモルファス状SiOを還元窒化雰囲
気中で熱処理する手段とよりなる製造装置を用いて、s
io蒸気をノズルに通して還元窒化雰囲た少くとも表面
が窒イ嘘てなる超微粉のアモルファ ス捷 の513N4の超微粉を得るようにしたものである。
すなわち、本発明は比較的純度の高いものが安価に得ら
れる5102 を出発原料とし、下記するが911き方
法でSiO蒸気を発生せしめ、これをノズルを介し分子
運動速度以」二の高速で窒素を含む雰囲気内に噴射ぜし
め、断熱膨張による急冷により表面が窒化アモルファス
SiOの超微粉を作り、しかる後これをアンモニヤ雰囲
気中で熱処理を行い、それ等熱処理温度及び時間により
、アモルファス状513N4.またはα型5i31’l
、、もしくはβ型8 +3 N4を単一組成で、かつ理
想的粉体特性をもつ超微粉の形で、安価大量に得る事を
特長とする。更に、本発明を段階的に説明すると、 (1)第一段階として、下記するが如きいずれかの方法
によりSiO蒸気を発生せしめ、これをノズルに導き断
熱膨張急冷し、均一なアモルファスSiOの超微粉をつ
る。
鎖が避けられる。
(3)ついで第3段階として表面が窒化又は炭化された
アモルファス超微粉を例えばアンモニヤの如き還元窒化
雰囲気2は例11忽勾黴槃め如茗朦尻〆RJE’3 俄
の中で熱処理を行う事により次の様な変化が起る。
」7記変化の多段階毎の熱処理温度及び処理時開で処理
することによって上記物質の内のうち所望のものを各々
単一組成でかつ理想的粉体特性をもつ超微粉が得られる
」−1記各段階を更に詳しく説明する。
(1)第1段階はSiO蒸気を発生せしめこれを所定の
ノズルに導き断熱膨張急冷して均一なアモルファスSi
Oの超微粉をうる段階である。
SiOの蒸気を発生する方法は色々の方法があり、いず
れの方法によっても差支えないが、代表的なものとして
次の2つが知られている。
S;02−+−81+2S;0     ・・山■5i
n2+C、:!  SiO+ Co   ・・山■1(
[]ち、5IO2にメタリックS1、又は炭素を加え約
1.300 C以上に加熱するとSiO蒸気が多量に発
生ずる。SiQの蒸気圧は第1図に示すSi。
SiO、sio、、の温度(0K)−真空圧(torr
 )関係線図より明らかな如く例えば2000’k(1
727C)でN、−87Q torrで、Slや5I0
2ノ約18+orr  の約200倍の蒸気圧をもつ。
この事はSiやSiO□を蒸発させる事よりはるかに豊
富なSIOの蒸気を容易に得る事が可能であり、はるか
にSiO蒸気の高速生産が可能である事を意味する。
tた、このような蒸気圧の高いSiO蒸気を発生させる
為に、蒸気圧の低い5I02やCの混入が殆んどなく、
又原料中の不純物は一般にSiOの蒸気圧より蒸気圧が
ずっと低い為、比較的安い原料を使って、高純度のSi
O超微粉が量産的にイ↓)られる長所がある。
ついで豊富に発生したSiO蒸気をノズルに導き断熱膨
張急冷により均一なアモルファスSiO超i粉が得られ
る。断熱膨張に用いるノズルはたとえを第3図の断面図
に示す如き従来から用いられている(イ)先細ノズル、
(ロ)末拡ノズルの2種類があり、この種先細ノズル(
イ)は出1コで音速迄、末拡ノズル(ロ)は超音速を出
しつる事は公知である。一般に蒸気を超急冷すると超微
粉が得られる事が知られている。本発明では望ましい粒
径に応じて、先細ノズルまたは末拡ノズルを使い分ける
事が出来る。
たとえは先細ノズルは1マツハ1で末拡ノズルは数マツ
ハ1での音速が得られる。したがって、粒径に応じその
分子運動速度(0,6〜09マツハ)から超音速(数マ
ツ・・)に至る速度を使い分け、断熱膨張急冷する事に
より1μ〜数十人の範囲で狙った粒径のアモルファス超
微粉をつる事が出来る。
寸だ、本発明において、ノズルを使い望ましくは分子運
動速度以上の速度でS’i0蒸気を噴射するのは他に2
つの重要な理由がある。
すなわち、その1つはSiOは高温例えば1600C以
上では安定であるがそれ以下の低温では、次の如き分解
的変化を行い、 2sio→si  +sio□    ・〜・・・・・
■に従って不安定で直ちにSiOが分解してS+ とS
in、、の混合物になる事である。
この変化を有効に阻止するためには少くとも分子運動速
度以上で断熱膨張急冷する事により有効に阻14−出来
る。
さらに9.もう1つの理由は分子運動速度以上の速度で
SiO蒸気をノズルから噴射する事により、ノズル下流
の窒化雰囲気ノズルを介−してノズル」7流の反応室に
逆流する事が有効に1114止される。もし万一、窒化
雰囲気が反応室に逆流すると、温度によっては反応室内
で窒化が起り、それによって生じ2フら窒化物は原料の
Sin、、の粗大な粒径にりj応するためとても超微粉
にならずに好ましくない為である。
したがって、本発明ではノズルを使用して望ましくけ分
子運動速度以上でSiO蒸気を噴射する事によりSiO
のSi +S夏02への分解を有効に抑える一方、ノズ
ル下流の雰囲気ガスの反応室への逆流を抑えることがで
きる上にノズルでの断熱膨張急冷により、特性のすぐれ
たアモルファスSiOの超微粉を量産的に得る事を可能
にした。
階である。                    
 ノ一般に超微粉は粒径が小さくなればなる稈屑性が強
くなり、互に凝結して粗粒となったり、連鎖状をなす事
はよく知られている。
階 」7記本発明の第1段でノズルから噴射されて生△ した超微粉状のアモルフ、アスSiOは当然非常に強気
内にこれらSIOの超微粉を噴射すると、直に反凝結や
連鎖が有効に防止出来る著しい特長がある。
アモルファスSiO超微粉は非常に活性があるためもし
上記処理を行わず大気中に取出すと直に酸化を起し燃焼
して5in2になってしまうが、本発明の如き処理によ
り超微粉の凝結、連鎖による粗大ファスのSiOの超微
粉を得ることができる。
以上本発明の第1段、第2段は説明の便宜上分けて書い
たが実施の場合はこれら2つの段階は殆んど同時瞬間的
に行われることになる。
(3)さらに、本発明の第3段階は、かくて得られた少
くとも表面窒化されたアモルファス状SiOを適当な雰
囲気中で熱処理して、その熱処理の温度および時間を変
える事により、以下にのべる重要な物質のいずれかを単
一組成でかつ理想的粉体特性をもつ超微粉の形で安価大
量に得られる。
このようにこれらを熱処理する場合アモルファつんで処
理しても、互に凝結したり連鎖する事はなく最初の良好
な粉体特性を保ったま\で超微粉の製品を得ることが出
来る。
少くとも表面窒化されたアモルファスSiO超微粉は、
例えばNH3の如き還元窒化雰囲気中で昇温しで行くと
順次温度に従って次の如くアモルファと変化して行く。
従って反応温度、反応時間を適当に選ぶ事により、望ま
しいアモルファスS + 3 N4又はα型SI、N4
をそれぞれ単一組成で且理想的な粉体特性をもつ超微粉
の形で安価大量に得られる。
以上の如く、本発明の第3段階に於ては上記第1.2段
階を経て作られた表面を窒化又は炭化しり、アモルファ
ス状Si3N、、α型Si3N、またはβ型SI3N4
等の工業的に重要な物質を高純度でかつそれぞれ単一組
成でかつ理想的な粉体特性をもつ1μ以下の超微粉の形
で高純度品が安価大量に得る事が出来る。
以上、本発明の一大特長は少くとも表面が窒化又は炭化
した粉体特性の極めて優れた粒径1μ以下のアモルファ
スSiO超微粉を量産的に作り、これを適当な熱処理を
加える事により工業上重要な上記1群の81窒化物系の
超微粉のいずれかを純粋な単一組成で、揃ったかつ高純
度の超微粉を量産的に得る事を可能にしたものである。
したがって表面が窒化又は炭化したSiO超微粉を用い
て87窒化物系〆ばZz〆化物系の超微粉を得るべく熱
処理をする際積層しても凝結や連鎖を生ずる事なく、良
好な粉体特性を保ったま\、上記Si窒化物の超微粉を
得ることを可能にした画期的なものである。
次に、本発明の与える種々の工業効果を下記に列記する
(1)従来S I+ S ’ OZを出発原料として窒
化を行うには、微粉砕、窒化のいずれの工程に於ても多
大の時間を必要として生産性の極めて低いものであった
が、本発明はsi、sio□より数百倍蒸気圧の高いS
iO蒸気を使用する為、その生産性は極めて高いもので
ある。
(2)sio蒸気をノズルにより分子運動速度以北で噴
射し断熱膨張急冷を行う事により、SiOの分解を有効
に両市すると同時にノズル条件の変更による断熱膨張の
急冷条件を変更する事ができ、この変更によって粒径数
十人〜1μの範囲で任意の粒径の揃ったアモルファスS
iOの超微粉をつる事が可能となった。
(3)ノズル下流の雰囲気を窒化雰囲気又は炭化雰り、
SiO超微粉の凝結、連鎖が有効に両市出来るばかりで
なく、活性の強いアモルファスSIO超微いる為、次工
程の熱処理工程で積層しても粉体の凝結や連鎖を生じる
事なく、良好な粉体特性を保ったまX還元窒化IA/〆
Z及び結晶化が可能である事は画期的である。
(4)これらアモルファスSiO超微粉はノズルを通し
て断熱膨張で製造されるために超微粉は球形でしたアモ
ルファスsio超微粉を出発原料とし、還元窒化雰囲気
中で熱処理を行い、熱処理の温度、時間を適当に選ぶ事
によりアモルファス状SI3N4゜α型5i3N、、ま
たはβ型S I 3 N4を、それぞれ単一組成でかつ
理想的な粉体特性をもつ各種の超微粉が得られる。
(6)」−記熱処理時間は本発明の場合、超微粉であの
問題である粉体個々の粒径、粒形、結合組織のそろった
セラミック相料の高純度超微粉が得られる事、又その製
造法が従来法に比し格段の生産性をもち、°かつ安価な
5in2原料が使える事により従来の第2の問題である
価格の問題も大巾に低減しつる。
本発明はこの第1、第2の問題を同時に解決するもので
あり、その工業的効果は絶大である。
次に、本発明の実施の一例として図面に示す装置につい
て説明する。
第2図は本発明の製造装置の全体の構成を示す断面図で
、大略SiO蒸気を発生させる反応室1と、該反応室l
に連結したSiO蒸気を断熱膨張させるノズル22と、
該ノズル22を開口したSiO蒸気をノズルから噴射さ
せる捕集室34と、該捕集室34を還元窒化または還元
炭化Yyりは減メンメ酸z彰雰囲気にする手段50より
なる。
密閉した耐熱材よりなる反応室1はその外部に断熱材3
および削真空耐圧容器4ならびに水冷ジャケット5によ
って三重に囲まれている。また反応室1と断熱材30間
に発熱体2を設けて反応室1を常時所定温度に加熱する
。反応室1は耐熱拐よりなる導管21を介しノズル22
0入ロ部ト気密に連結されている。ノズル22と導管2
1よりなるノズル室はその外周にノズル加熱用発熱体2
3を有し、SiO蒸気の温度降下による逆反応やノズル
の閉塞を防止する。なお、ノズル室は反応室と同様に断
熱拐24および附真空面4圧容器25ならびに水冷ジャ
ケット26によって囲まれている。
ノズル22の開口部は密閉した捕集室34に向って開口
して取付けられる。ノズル22は第3図に示す末拡ノズ
ル又は先細ノズルを用いる。ノズル室の開口部を除いて
ノズル室25と捕集室34は仕切板47で仕切られる。
■真空耐圧容器よりなる捕集室34はその中に断熱桐3
3と金属製の捕集筒30が設けられ、それらの間に発熱
体32を備えて常時捕集室34内を適温に加熱する事力
玉可會旨になっている。捕集室34の捕集筒30の上部
に設けたガス分配リング29は開閉弁51を介して口に
開閉自在に密閉した製品取出用の蓋をイ賄えると共に排
気管48及びダストフィルター39並びに開閉弁43を
介して、真空ポンプ44に連結される。
ル しす る一方、反応室1の下部は連結管14及び開閉弁16を
介して残渣を取り出す残渣槽17に連結してV 真4 槽の下部開口には夫々開閉蓋37を備える。
なお、反応容器1、ノズル室25、捕集室34、ダスト
フィルター39等は耐真空、耐圧構造で1体構造として
組立てられ、かつボンベ50、貯槽11、残渣槽11等
は夫々開閉弁を介して一体的に連結され、これら全体が
それぞれ真空ノくツキン9.13,15,19,20,
35.38.42等を使用し、耐真空、耐圧構造を為し
ている。
7記反応容器1、捕集室34等の一体構造とは1に、熱
処理炉60を備える。熱処理炉60は開閉可の蓋板61
を備える処理室62と該処理室62内を加熱する発熱体
63、該発熱体63を被覆する断熱拐64及び外容器6
5よりなり、かつ備える。なお、熱処理炉60はその蓋
板61を設けた開[]部を捕集室34の開閉蓋37と直
結して、両者を一体構造にして、開閉蓋37を開くと捕
集室34内のものを処理室62内へ自動的に送り込むこ
とができるようにしてもよい。いづれにしても処理室6
2内に投入されたものが、ボンベ65より供給される戯
峠化】雰囲気で、発熱体63の加熱により熱処理される
ようになる。この熱処理の温度は発熱体63への電流の
増減によって自在に調整できることはいうまでもない。
このような構造の熱処理炉は新規に作ることな〈従来用
いられているこの種熱処理炉を用いてよいことは勿論で
ある。
上記の如き構造よりなる製造装置を用いて、超微粉のア
モルファス状SiOを得るには、先づ原料として、Si
O□とSi 又は5in2とCを略等モルの比率で良く
混合し適当な圧力でブリケットして貯槽11内に投入、
収納する。
次に真空ポンプ44を作動して反応室に一連に連通した
導管21、ノズル22、捕集室34、ダストフィルター
39を介して該反応室1を真空ポンプ44で減圧しなが
ら発熱体2で1800c以上に加熱する一方、捕集室3
4内の捕集筒3oの上部には、ガス分配リング29があ
り、第2図のガス導入管46を介し、外部のボンベ50
から窒素又ハアンモニャメ麦!材Jlを送り込むように
する。この時(図省略)ガス分配リング29には斜下方
に向って小孔が均等に適当貼設けられ、」1記ガスが比
較的均一に下方に噴射される。このような状態で、次に
開閉弁10を開いて貯槽11内にある原料ブリケットを
反応室1に投下すると、反応室l内にSiO蒸気が直に
発生する。反応室内に発生したSiO蒸気は導管21を
通りノズル22を介して捕集室34内に向けて断熱膨張
で噴射される。捕集室34とノズル室25とめ間には仕
切板47があるが、ノズルから噴射されるSiO蒸気は
分子運動速度以上の速度で捕集室の捕集筒30゜内に噴
射され、」1記ガスが反応室1へ逆流出来ない構造とな
っている。ノズル22から捕集筒30内に噴出した一8
iO蒸気は急速な断熱膨張により超急速冷却を受けSi
Oの非常に活性のある超微粉体となるが、捕集筒30に
充満している窒素あるいはアンモニヤ又は炭素2瑳杉ノ
は酸麦L2より、直に表面に窒化層又は炭化層tWtば
酸逝夛を作る事分及び反応により生成したガス及び蒸気
等は捕集筒3−p下部に設けられた小孔を通り、排気管
48及びダストフィルター39を介し真空ボンダ44で
排気される。真空ポンプ44より排出されたガス及び蒸
気の処置は通常の方法で処理される。また、捕集筒30
の下部に堆積したアモルファスSiOの超微粉は開閉M
37を開いて取り出される。
このようにして得た少くとも表面窒化されたアモルファ
スSiO超微粉は、熱処理炉60へ投入して例えばN2
あるいはNH3の如き還元窒化雰囲中で昇温して行くと
順次温度に従って次の如くと変化して行く。
従って反応温度、反応時間を適当に選ぶ事により、望ま
しいアモルファス状5I3N4又はα型Si3N。
もしくはβ型SI3N4をそれぞれ単一組成でかつ理想
的な粉体特性をもつ超微粉の形で安価大量に得られる。
実施例 属Si粉末を略等モルを良く混合し、20m×12扉の
円柱状ブリケットを作りこれを上記装置の反応室1に入
れて真空ポンプ44で1Qtorrに減圧する。つづい
て反応室1を発熱体2で昇温すると約150CI’付近
からSiO蒸気の噴出が反応室1内で認められる。
次にSiO蒸気の噴出が始ったら直にNH3(又はの下
方の捕集室34にボンベ50から充填し、該捕集室34
内の圧力が数Torrから数+i’orrになる様NH
3の流量を調節する。一方反応室1は更に昇温をつづけ
、1600〜1sooCとする。この温度でノズルから
噴射されたSiO超微粉は捕集室34のN I−(3雰
囲気の中で直に表面窒化され、見かけ比重0.06〜0
.1の範囲にある黄土色のふわふわしたアモルファスS
iO超微粉の集合体が捕集室に貯った。この生成物は、
軽く振動を与える程度で容易に分離して超微粉単体とす
ることができる。
これを電子顕微鏡で調べると個々の粉体の粒径は略30
0人〜400人で、粒の形状は球形であり、それらの球
径は大略揃っていた。これを、従来から用いられている
電子顕微鏡の観察とX線デイフjラクトメーターよりア
モルファス状SiOの超微粉である事を第5図に示ずX
 −ray 5ouroe Cu−にαの反則X線相対
強度と超微粉同棲角度の関係線図の波形から確認した。
このアモルファス状SiOの超微粉を28,000倍の
電子顕微鏡で撮影した電子顕微鏡写真が第6図に示す黒
色のものであり、該黒点は粗大粒子であるかの如くみえ
るが、これは凝結ではなく、軽い振動を与えれば容易に
微細単粒子に分れるものである。
上記少くとも表面窒化したアモルファスSiOの超微粉
を通常の雰囲気熱処理炉に入れ、NH3雰囲気中で昇温
した。
(1)1200t:’約2時間の還元窒化処理により白
色のアモルファス状S r 3N4の超微粉が得られた
電子顕微鏡及びX線ディフラクトメーターにより粒径約
800〜500人の球形で凝結や連鎖のないアモルファ
ス状SI3N4の超微粉である事を確認した。
(1−2)  J−記アモルファス状Si3N、超微粉
を上記熱処理炉中窒素雰囲気で1400c約1時間処理
する事によりα型Si3N、の超微粉が、又約1600
C以ト約1時間でβ型5i31’tl、の超微粉が得ら
れた。
一部 −硝子−一部 (2)実験例1においてid、SiO蒸気の噴出が始ま
ったら直ちにN1−18を捕集室34に導入して少なく
とも表面が窒化したアモルファヌS loa 倣粉全得
だ。今、NHaの代りにCL−1a等の法化水素を数T
o r r乃至数−1−I−o r r 導入すると、
少なくとも表面が炭化しだSiO超微粉が得られる。色
はやや濃い目の1土色である。これを実験例1と同様N
Ha(又はN2とH2の混合ガヌ)の如き還元窒化処理
気で同様の熱処理をイ1なうことによりアモルファヌ5
iaN4.α5iaN4.βS i 8N4が夫々得ら
れた。
熱処理の出発原料が表面窒化又は炭化したアモルファヌ
SiOのいずれであっても同様の結果が得られることが
分った。
これらアモルファス51gN4.α型Si8N4及びβ
型5iaN4の超微粉を夫々従来から用いられている電
子顕微鏡の観察とX線ディフラクトメーターより第7図
(イ) 、 (口1 、(ハ)に示すx−ray  5
ourceCu−にαの反射X線相対強度と超徽粉同棲
角度の関係線図の波形から確認した。まだ、これら超微
粉を夫々28000倍の電子顕微鏡で撮影した電子顕微
鏡写真が第8図(イ)、(ロ)、(ハ)に示す黒色のも
のであり、該写真は粗大粒子である炉の如くみえるがこ
れは凝結ではなく、軽い振動を与えれば容易に黴、細小
粒子に分れるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はSi、SiO,5iOzの温度−真空圧の関係
線図、第2図は本発明に用いる製造装置の全体構成の概
1賂を示す断面図、第3図(イ)、(ロ)は夫々第2図
の装置に用いるノズルの断面図、第4図は第2図の装置
の一部の拡大図、第5図はアモルファス状SiOの超微
粉の反射X線相対強度−超微粉同棲角度の関係線図、第
6図は図面に代り本発明で得タアモルファス状SiOの
超微粉の28000倍の電子IH1!鋭写真、第7図(
イ)、(ロ)、(/→は夫々本発明で得だアモルファス
状Si3N4およびα型S i 3N4ならびにβ型5
iaN4の超微粉の反則X線相対強度−超微粉同棲角度
の関係線図、第8図(イ)、(ロ)。(ハ)は夫々図面
の代りに示す第7図(イ)、(ロ)9(ハ)の夫々の超
微粉の28000倍の電子顕微鏡写真である。 ■・・・反応室、22・・・ノズル、34・・・捕集室
、50・・・ボンベ、60・・・熱処理炉。 特許出願人 堀 文雄 代 理 人 ノ↑理士  百出 葆ほか2名第1図 →夕蚤膚(qKl 第2図 344 )  ノ 第3図げ) 第3図(0) ρC 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)SiO蒸気を還元窒化雰囲気内又は還元炭化雰囲気
    内に断熱膨張で噴射させて得た少なくとも表面が窒化又
    は炭化してなる超微粉のアモルファス状SiOを、還元
    窒化雰囲気中で熱処理して得た粒径1 tt以下のSl
    、N、の超微粉。 2、特許請求の範囲第1項において、」−記熱処理を1
    200乃至1400Cで行って得たアモルファス状SI
    3N4の超微粉。 3)特許請求の範囲第1項において、上記熱処理を13
    50乃至1550Cで行って得たα型Si3N4の超微
    粉。 4)特許請求の範囲第1項において、上記熱処理を15
    00C以上で行って得たβ型S l 3 N4の超微粉
    。 5)  sio蒸気をノズルに通して還元窒化雰囲気又
    は還元炭化雰囲気内 内に断熱膨張で噴g、+させる工程と、該工程で得た又
    は炭化 少くとも表面が窒イ賢てなる超微粉のアモルファス状S
    iOを還元窒化雰囲気中で熱処理する工程とよりなる粒
    径lμ以下の超微粉のSi3N、の製造方囲気を有する
    捕集箱と、」7記SiO蒸気を断熱膨張のアモルファス
    状SiOを還元窒化雰囲気中で熱処理する手段とよりな
    る粒径1μ以下の超微粉のSi3N、の製造装置。
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