JPS59124128A - ビ−ム露光装置の露光精度測定方法 - Google Patents
ビ−ム露光装置の露光精度測定方法Info
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- JPS59124128A JPS59124128A JP57233568A JP23356882A JPS59124128A JP S59124128 A JPS59124128 A JP S59124128A JP 57233568 A JP57233568 A JP 57233568A JP 23356882 A JP23356882 A JP 23356882A JP S59124128 A JPS59124128 A JP S59124128A
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- Japan
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の枝術分野〕
本発明はビーム露光装置の露光精度測定方法に関し、詳
しくけ露光精度を決定する偏向特性とビーム強度の測定
方法に係る。
しくけ露光精度を決定する偏向特性とビーム強度の測定
方法に係る。
ビーム露光装置、例えばラスタ一方式の電子ビーム露光
装置では第１図に示す如く偏向電極ｌで電子ビームを一
方向に偏向させ、基板２を保持したステージ（図示せず
）を偏向方向に対して直角方向に等速度で移動させなが
ら、選択露光してノ９ターン形成を行なうものである。
装置では第１図に示す如く偏向電極ｌで電子ビームを一
方向に偏向させ、基板２を保持したステージ（図示せず
）を偏向方向に対して直角方向に等速度で移動させなが
ら、選択露光してノ９ターン形成を行なうものである。
偏向幅（Ｗ）は精度、析械的制限等から、例えば２５６
μｍに限られるため、ビーム偏向方向には２５６μｍの
ヌトライプ（フレームと称ス）の描画を、ステージの移
動毎に繰り返すことによシ行なわれる。フレーム内の描
画は例えば１１１ｍのアドレス値で１μｍφ径の電子ビ
ームｋｍ択的に照射することにより行なわれる。こうし
た電子ビームの露光においては、高粍゛度の・ぐターン
ヲ形成する観点から露光精度を測定することが重要であ
る。 □ このようなことから、最近、電子ビーム露光装置の露光
精度測定方法として、５ｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ／Ｆｅｂ 、 １９８２．１０６ ｐ
〜’１１０ｐに報告された方法が知られている。この方
法は第１図図示の露光装置で第２図に示す如く基板２の
異なった偏向位置（アドレス位置）に複数の十字形・ぐ
ターン３・・・を形成し、・ヤターン３・・・のエツジ
よυそれらツヤターン３，３の中心位仏間の距離（Ｌ）
やパターン３の幅を測定することにより露光精度を求め
るものである。
μｍに限られるため、ビーム偏向方向には２５６μｍの
ヌトライプ（フレームと称ス）の描画を、ステージの移
動毎に繰り返すことによシ行なわれる。フレーム内の描
画は例えば１１１ｍのアドレス値で１μｍφ径の電子ビ
ームｋｍ択的に照射することにより行なわれる。こうし
た電子ビームの露光においては、高粍゛度の・ぐターン
ヲ形成する観点から露光精度を測定することが重要であ
る。 □ このようなことから、最近、電子ビーム露光装置の露光
精度測定方法として、５ｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ／Ｆｅｂ 、 １９８２．１０６ ｐ
〜’１１０ｐに報告された方法が知られている。この方
法は第１図図示の露光装置で第２図に示す如く基板２の
異なった偏向位置（アドレス位置）に複数の十字形・ぐ
ターン３・・・を形成し、・ヤターン３・・・のエツジ
よυそれらツヤターン３，３の中心位仏間の距離（Ｌ）
やパターン３の幅を測定することにより露光精度を求め
るものである。
しかしながら、電子ビーム露光装置で電子ビームを偏向
、選択照射した後、現像処理することによりパターンを
形成した場合、その・ぐターンエツジ位置は現像等の処
理が同一条件下でも、電子ビームの偏向特性（偏向リニ
アリティ等）及び偏向位置によるビーム強度変動によシ
第３図（ａ）に示す正常な状態から同図（ｂ）に示す状
態に変動する。なお、第３図（ａ） 、 （ｂ）中のビ
ーム偏向位置Ｐ” ｔ ｐｌｓｅ ＰＥ ｅ Ｐ’Ｅが
パターンのエツジとなる。その結果、前述した偏向方向
に対して前後段側のエツジを利用して露光ね度の測定指
標となる十字形パターンの中心位置やｉ＋ターン幅を求
める従来方法では、パターンの中心位置や・セターン幅
の測定値、が偏向特性とビーム強度変動の両方の影響を
受ける。したがって、従来方法では露光精度（パターン
寸法精度、パターンピッチ精度）を決定する偏向特性と
ビーム強度変動を個々に測定していないことになり、ひ
いてはその測定情報に基づいて電子ビーム露光装置の露
光条件を制御しても高精度の露光を遂行し得ないという
欠点があった。
、選択照射した後、現像処理することによりパターンを
形成した場合、その・ぐターンエツジ位置は現像等の処
理が同一条件下でも、電子ビームの偏向特性（偏向リニ
アリティ等）及び偏向位置によるビーム強度変動によシ
第３図（ａ）に示す正常な状態から同図（ｂ）に示す状
態に変動する。なお、第３図（ａ） 、 （ｂ）中のビ
ーム偏向位置Ｐ” ｔ ｐｌｓｅ ＰＥ ｅ Ｐ’Ｅが
パターンのエツジとなる。その結果、前述した偏向方向
に対して前後段側のエツジを利用して露光ね度の測定指
標となる十字形パターンの中心位置やｉ＋ターン幅を求
める従来方法では、パターンの中心位置や・セターン幅
の測定値、が偏向特性とビーム強度変動の両方の影響を
受ける。したがって、従来方法では露光精度（パターン
寸法精度、パターンピッチ精度）を決定する偏向特性と
ビーム強度変動を個々に測定していないことになり、ひ
いてはその測定情報に基づいて電子ビーム露光装置の露
光条件を制御しても高精度の露光を遂行し得ないという
欠点があった。
本発明はビーム露光装置のパターン寸法精度、パターン
ピッチ精度を決定するビーム偏向特性とビーム強度変動
を分離して、夫々の特性を定ぶ的に測定することを可能
としたビーム露光装置の拓光鞘度測定方法を提供しよう
とするものである。
ピッチ精度を決定するビーム偏向特性とビーム強度変動
を分離して、夫々の特性を定ぶ的に測定することを可能
としたビーム露光装置の拓光鞘度測定方法を提供しよう
とするものである。
種（７） ハターン群（第１パターンＲ１１４２パター
ン群）を作製した場合、ビーム偏向特性によるそれらパ
ターン群間の各々のエツジのずれ汀は同一方向、同量で
あるのに対し、ビーム強度変動によるそれらパターン群
間の各々のエツジのずれ量は逆方向、同量であることに
着目し、ある定めた基準位置から前記各・リーン群のパ
ターンエツジまでの距離を求めることによって、ビーム
偏向特性とビーム強度変動とを分離して夫々定量的に測
定できる方法を見い出したものである。
ン群）を作製した場合、ビーム偏向特性によるそれらパ
ターン群間の各々のエツジのずれ汀は同一方向、同量で
あるのに対し、ビーム強度変動によるそれらパターン群
間の各々のエツジのずれ量は逆方向、同量であることに
着目し、ある定めた基準位置から前記各・リーン群のパ
ターンエツジまでの距離を求めることによって、ビーム
偏向特性とビーム強度変動とを分離して夫々定量的に測
定できる方法を見い出したものである。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
寸ず、第１図図示のラスク方式の電子ビーム偏向位置（
アドレス値）でビーム照射、選択治を行なって基板１１
上のレジスト膜に例えば幅３μｍの矩形状パターン（第
１パターン）ｉ８μｍ間隔で偏向方向に１フレーム内に
３２個形成選択を行なって同レジスト膜に幅４μｍの矩
形状・ぐターン（第２パターン）を同様な間隔で同個数
形成して第２パターン群を作製した。つまり、第２パタ
ーン群の各パターンはその右エツジがμｍ、１９μｍ・
・・２５μｍ）となるように形成した。
アドレス値）でビーム照射、選択治を行なって基板１１
上のレジスト膜に例えば幅３μｍの矩形状パターン（第
１パターン）ｉ８μｍ間隔で偏向方向に１フレーム内に
３２個形成選択を行なって同レジスト膜に幅４μｍの矩
形状・ぐターン（第２パターン）を同様な間隔で同個数
形成して第２パターン群を作製した。つまり、第２パタ
ーン群の各パターンはその右エツジがμｍ、１９μｍ・
・・２５μｍ）となるように形成した。
つづいて現像処理を行なった。これにより、偏向方向に
おいて同一偏向位置（電子ビームの露光時点）に左エツ
ジＥｌ・・・、右エツジＥｒ・・・をもつ複数の第２レ
ジストパターン１３・・・、第２レジヌトパターン１３
・・・が基板１１上に夫々フレーム方向に形成された。
おいて同一偏向位置（電子ビームの露光時点）に左エツ
ジＥｌ・・・、右エツジＥｒ・・・をもつ複数の第２レ
ジストパターン１３・・・、第２レジヌトパターン１３
・・・が基板１１上に夫々フレーム方向に形成された。
なお、複数の第ルジ、ｘ ） ノ４ ターン１２・・・
１４ルジヌトノやターン群１４、複数の第２レジストパ
ターン１３・・・全第２レジストパターン群いと称す（
第４図図示）。
１４ルジヌトノやターン群１４、複数の第２レジストパ
ターン１３・・・全第２レジストパターン群いと称す（
第４図図示）。
しかして、第４図図示のある定めた基準位置、例えば第
１フレームの開始位置Ｆ８がら第１、第２のレジ７トパ
ターン群ヨ、１５の各レジ７トパターン１２・・・、１
３・・・のエツジ（左エツジＥｔ、右エツジＥｒ’ ）
ｉでの距離を求める。こうして求めた各レジ７トパタ
ーン群１４．１５のエツジＥｌ 、 Ｅｒの距離を夫々
Ｘｉ 、 Ｘｒとすると、Ｘｌ＝ ２５６ ｎＨ＋ｘｔ
＋ｄ（Ｘｉ） −ｈ（Ｘｌ） ・＝ （１）Ｘｒ
＝ ２５６ ｎ、 ＋Ｘｉ 十ｄ（Ｘ、） ＋ ｈ（Ｘ
ｉ） −（２）〔但し、 ｎ ； （各パターンのフレ
ームｉり−１、Ｘｉ：各フレームでのフレーム内のアド
レス値（偏向位置）、 ｄ（Ｘｔ） ；理想的なビーム偏向特性によるずれ開、 ｈ（Ｘｉ） ：ビーム強度変動等によるレジヌトパター
ンのエツジのフレーム 方向の前進、後退量、 を示す〕にて表わされる。
１フレームの開始位置Ｆ８がら第１、第２のレジ７トパ
ターン群ヨ、１５の各レジ７トパターン１２・・・、１
３・・・のエツジ（左エツジＥｔ、右エツジＥｒ’ ）
ｉでの距離を求める。こうして求めた各レジ７トパタ
ーン群１４．１５のエツジＥｌ 、 Ｅｒの距離を夫々
Ｘｉ 、 Ｘｒとすると、Ｘｌ＝ ２５６ ｎＨ＋ｘｔ
＋ｄ（Ｘｉ） −ｈ（Ｘｌ） ・＝ （１）Ｘｒ
＝ ２５６ ｎ、 ＋Ｘｉ 十ｄ（Ｘ、） ＋ ｈ（Ｘ
ｉ） −（２）〔但し、 ｎ ； （各パターンのフレ
ームｉり−１、Ｘｉ：各フレームでのフレーム内のアド
レス値（偏向位置）、 ｄ（Ｘｔ） ；理想的なビーム偏向特性によるずれ開、 ｈ（Ｘｉ） ：ビーム強度変動等によるレジヌトパター
ンのエツジのフレーム 方向の前進、後退量、 を示す〕にて表わされる。
しかるに、既述の如くビーム偏向特性による腑１、第２
のレジヌトノぐターン群ｔａ、ｘｓの各々の工、−）Ｅ
ｌ・・・、 Ｅｒ・・・間のずれ舊・は同一方向、同量
であるため、フレーム開始点Ｆ８から各ハターン群ｒ
ｎ 、 ２ ｓのｉ９ターン１２・・・、１３・・・の
エツジＥＺ ＊ Ｅｙまでの距離 ｘｔ 、 Ｘｒ 、
（（１）式、（２）式）の和のμを計算（下記（３）式
）することによシ、ビーム偏向特性を正確に測定できる
。
のレジヌトノぐターン群ｔａ、ｘｓの各々の工、−）Ｅ
ｌ・・・、 Ｅｒ・・・間のずれ舊・は同一方向、同量
であるため、フレーム開始点Ｆ８から各ハターン群ｒ
ｎ 、 ２ ｓのｉ９ターン１２・・・、１３・・・の
エツジＥＺ ＊ Ｅｙまでの距離 ｘｔ 、 Ｘｒ 、
（（１）式、（２）式）の和のμを計算（下記（３）式
）することによシ、ビーム偏向特性を正確に測定できる
。
また、ビーム強度変動による第１１第２のレジ７トパタ
ーフ群１４．１５の各々のレジヌトパターンＪ２・・・
、１３−・・のエラ）Ｅｌ・・・ｒ Ｅｒ・・・間のず
れ量は逆方向、同量であるため、距離ｘｔ 、 Ｘｒ
（（１）式、（２）式）の差の≠を計算（下記（４）式
）することにより、ビーム強度変動を正確に測定できる
。
ーフ群１４．１５の各々のレジヌトパターンＪ２・・・
、１３−・・のエラ）Ｅｌ・・・ｒ Ｅｒ・・・間のず
れ量は逆方向、同量であるため、距離ｘｔ 、 Ｘｒ
（（１）式、（２）式）の差の≠を計算（下記（４）式
）することにより、ビーム強度変動を正確に測定できる
。
したがって、本発明によればパターン寸法精度、パター
ンピッチ精度（露光精度）′ｆ：決定するビーム偏向特
性とビーム強度変動を分断１して夫々の特性を正確に測
定できる。
ンピッチ精度（露光精度）′ｆ：決定するビーム偏向特
性とビーム強度変動を分断１して夫々の特性を正確に測
定できる。
なお、上記実施例では各レジヌトパターン１２・・・、
１３・・・のエツジＥｌ 、 Ｅｒがどのアドレス値で
も同一位置にあることを前提にしてビーム偏向特性とビ
ーム強度変動を分離して夫々足部的に測定したが、これ
に限定されない。例えば第５図に示す如く、偏向方向に
おいて同一偏向位置（電子ビームの露光時点）にアドレ
ス単位に階段状のステップＳ＋、Ｓｔ・・・Ｓ＋ｏ＋Ｓ
’＋＋Ｂ／、・・・Ｓ／ 、ｏを有する右エツジＥｔ１
右エツジＥｒヲモつｍｌレノストノぐターン１２、第２
レシヌト・クターン１３を実施例と同様にフレーム方向
に検数形成して第１、第２のレジヌ） ノ４ターン群を
作製する。こうした第１、第２のレジ７トパターン群に
おいて、ある定めた基準位ｇ（第１フレームの開始位置
）から第１、第２のレジヌトノやターン群の各レジ７ト
パターン１２゜１３のエツジ（左エツジＥｔ、右エツジ
Ｅｒ ）の第１ヌテツプＳｓ＋Ｓ’＋ までの距離を求
め、以下実施例と同様にエツジＥＺ ＋ Ｅｒの第１ス
テップ８１．Ｓ’ｗに注目したビーム偏光特性とビーム
強度変動を測定する。ひきつづき、第１、第２のレジヌ
トパターン１２＋ １３のエラ）Ｅｔ。
１３・・・のエツジＥｌ 、 Ｅｒがどのアドレス値で
も同一位置にあることを前提にしてビーム偏向特性とビ
ーム強度変動を分離して夫々足部的に測定したが、これ
に限定されない。例えば第５図に示す如く、偏向方向に
おいて同一偏向位置（電子ビームの露光時点）にアドレ
ス単位に階段状のステップＳ＋、Ｓｔ・・・Ｓ＋ｏ＋Ｓ
’＋＋Ｂ／、・・・Ｓ／ 、ｏを有する右エツジＥｔ１
右エツジＥｒヲモつｍｌレノストノぐターン１２、第２
レシヌト・クターン１３を実施例と同様にフレーム方向
に検数形成して第１、第２のレジヌ） ノ４ターン群を
作製する。こうした第１、第２のレジ７トパターン群に
おいて、ある定めた基準位ｇ（第１フレームの開始位置
）から第１、第２のレジヌトノやターン群の各レジ７ト
パターン１２゜１３のエツジ（左エツジＥｔ、右エツジ
Ｅｒ ）の第１ヌテツプＳｓ＋Ｓ’＋ までの距離を求
め、以下実施例と同様にエツジＥＺ ＋ Ｅｒの第１ス
テップ８１．Ｓ’ｗに注目したビーム偏光特性とビーム
強度変動を測定する。ひきつづき、第１、第２のレジヌ
トパターン１２＋ １３のエラ）Ｅｔ。
Ｅｒの第２ステツプ８２１８’！、第３ヌテツゾＳ ｓ
＋ ８’３・・・第１０ステツプＳ＋ｏの夫々に着
目したビーム偏向特性とビーム強度変動を測定する。し
たがって、このような方法によれば、ビーム偏向特性と
ビーム強度変動とを分離して、夫々の特性を更に正確に
測定できる。
＋ ８’３・・・第１０ステツプＳ＋ｏの夫々に着
目したビーム偏向特性とビーム強度変動を測定する。し
たがって、このような方法によれば、ビーム偏向特性と
ビーム強度変動とを分離して、夫々の特性を更に正確に
測定できる。
上記実施例では偏向方向において同一の偏向位置に左エ
ツジ、右エツジをもつ笛１、第２のレジストパターンを
形成したが、これに限定されず、はぼ同一の偏向位置に
左エツジ、右エツジをもつ第１、第２のレジストパター
ンを形成しても、同様な効果を期待できる。
ツジ、右エツジをもつ笛１、第２のレジストパターンを
形成したが、これに限定されず、はぼ同一の偏向位置に
左エツジ、右エツジをもつ第１、第２のレジストパター
ンを形成しても、同様な効果を期待できる。
本発明は上記実施例の如きラスク方式の電子ビーム露光
装置の露光精度の測定のみならず、Ｘ、Ｙ両方向に偏向
を行ない・ぐターン形成を行なうベクタ一方式の電子ビ
ーム露光装ｒ１その仙イオンビーム露光装置等の露光精
度の測定にも同様に適用できる。
装置の露光精度の測定のみならず、Ｘ、Ｙ両方向に偏向
を行ない・ぐターン形成を行なうベクタ一方式の電子ビ
ーム露光装ｒ１その仙イオンビーム露光装置等の露光精
度の測定にも同様に適用できる。
只上詳述した如く、本発明に係るビーム露うＹ。
装置の露光８度測定方法によれ（ロ）、パターン寸法′
！？ｆ度、パターンピッチ精度を法定するビーム仰向生
性とビーム強度変動を分路１して夫々の特性を定カニ的
に測定でき、ひいてはこれら測足値を指標としてビーム
露光装部の炙、光栄性を制御することによυ高精度の露
光、・ソターン形成を行なうことができる等顕著な効果
を有する。
！？ｆ度、パターンピッチ精度を法定するビーム仰向生
性とビーム強度変動を分路１して夫々の特性を定カニ的
に測定でき、ひいてはこれら測足値を指標としてビーム
露光装部の炙、光栄性を制御することによυ高精度の露
光、・ソターン形成を行なうことができる等顕著な効果
を有する。
第１図はラヌタ方式の電子ビーム露光装置による露光方
法を説明するための概略図、第２図は従来の電子ビーム
露光装置の露光精度１ｆＩＩＪ定に用いられるパターン
を示す平面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は夫々ラスク方式の電子と一ム斃光装置でのビー
ム偏向特性及びビーム強度変動を受けない場合、及びそ
れらの特性を受けた場合、のパターン形状をモデル的に
示した図、第４図は本発明の電子ビーム露光装置の露光
精度測定に用いられるレソヌ） ｔＺターンの一例を示
す平面図、第５図は本発明の電子ビーム露光装置の露光
稲゛度の測定に用いられるレジストパターンの他の例を
示す平面図である。 ｌ・・・偏向電極、２．１１・・・基板、１２・・・第
２レジストパターン、１３・・・第２レジストパターン
、１４−・・第ルジヌトパターン群、１５−ｍ２レジヌ
トパタ一ン群、Ｅｔ・・・左エツジ、Ｅｒ・・・右エツ
ジ、Ｓ１〜Ｓ＋（１＋Ｓ’ｌ〜Ｓ’ Ｉ Ｏ・・・ヌテ
ップ。 第１図 第２図 第３図 第５図 −１０９−
法を説明するための概略図、第２図は従来の電子ビーム
露光装置の露光精度１ｆＩＩＪ定に用いられるパターン
を示す平面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は夫々ラスク方式の電子と一ム斃光装置でのビー
ム偏向特性及びビーム強度変動を受けない場合、及びそ
れらの特性を受けた場合、のパターン形状をモデル的に
示した図、第４図は本発明の電子ビーム露光装置の露光
精度測定に用いられるレソヌ） ｔＺターンの一例を示
す平面図、第５図は本発明の電子ビーム露光装置の露光
稲゛度の測定に用いられるレジストパターンの他の例を
示す平面図である。 ｌ・・・偏向電極、２．１１・・・基板、１２・・・第
２レジストパターン、１３・・・第２レジストパターン
、１４−・・第ルジヌトパターン群、１５−ｍ２レジヌ
トパタ一ン群、Ｅｔ・・・左エツジ、Ｅｒ・・・右エツ
ジ、Ｓ１〜Ｓ＋（１＋Ｓ’ｌ〜Ｓ’ Ｉ Ｏ・・・ヌテ
ップ。 第１図 第２図 第３図 第５図 −１０９−
Claims (4)
- （１） エネルギービームを偏向、追択照射して基板
上にパターンを形成するビーム露光装置のち、かつ該エ
ツジが偏向方向の前段側と後段側となる２種のパターン
を、基板上に夫々偏向方向に菩定間隔で複数形成して２
釉の・・タール群を作製し、ある定めた基準位笥から前
記各パターン群のパターンエツジ１での距離を求めるこ
とにより、露光精度を測定することを特命とするビーム
露光装偶の露光精度測定方法。 - （２） エネルギービームが電子ビームであることを
特徴とする特許ｔｈ求の９間第１項記載のビーム露光装
ドの露光精度測定方法。 - （３） エネルギービームがイオンビームであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のビーム露光装
置の露光精度測定方法。 - （４） エネルギービームが光ビームであることを特
徴とする特許請求のわ間第１項記載のビーム露光装置の
露光精度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233568A JPS59124128A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ビ−ム露光装置の露光精度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233568A JPS59124128A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ビ−ム露光装置の露光精度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124128A true JPS59124128A (ja) | 1984-07-18 |
| JPS633451B2 JPS633451B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=16957107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233568A Granted JPS59124128A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ビ−ム露光装置の露光精度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021044352A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム評価方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57233568A patent/JPS59124128A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021044352A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム評価方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633451B2 (ja) | 1988-01-23 |
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