JPS59121927A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置

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Publication number
JPS59121927A
JPS59121927A JP22870882A JP22870882A JPS59121927A JP S59121927 A JPS59121927 A JP S59121927A JP 22870882 A JP22870882 A JP 22870882A JP 22870882 A JP22870882 A JP 22870882A JP S59121927 A JPS59121927 A JP S59121927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
memory means
volatile memory
storage means
non volatile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22870882A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Hattori
正行 服部
Isao Nishimura
勲 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP22870882A priority Critical patent/JPS59121927A/ja
Publication of JPS59121927A publication Critical patent/JPS59121927A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は電子ビーム露光装置に係り、特に電子計算機を
用いて電子ビーム露光装置を制御する時に不揮発性記憶
手段を有効に利用し得るようにした電子ビーム露光装置
に関する。
(2) 技術の背景 一般に電子ビーム露光装置は大規模集積回路(LSI)
等を露光するときに電子計算機による制御が行なわれて
いるが、その場合の露光に必要な基本のパターンデータ
は極めて膨大なもので通常は100万パターン程度のデ
ータが不揮発性記憶手段にメモリされる。該不揮発性記
憶手段としては磁気ディスクが用いられ、露光用の基本
パターンデータとしては各チップ内でのパターンの位置
データ、露光条件、ビームの大きさ等がメモリされてい
るがこれらのデータを読み出して電子ビーム露光するた
めの速度は1oo万パターンを1秒程度で読み出す必要
があり、磁気ディスクや磁気ドラムではアクセスタイム
が長く露光用には利用出来ないため、高速半導体記憶手
段に1ウエーハあるいは1チツプ露光毎に上記不揮発性
記憶手段より露光用データを転送して電子ビーム露光装
置内で露光が行なわれる。
(3) 従来技術と問題点 上述の如き電子計算機用の不揮発性記憶手段と電子ビー
ム露光装置との関係を第1図に示す。第1図で不揮発性
記憶手段としては磁気ディスクまたは磁気ドラム2が用
いられ該磁気ディスクは電子計算機1によりウェーハ等
の露光に必要な基本パターンデータが記憶されている。
電子ビーム露光装置4のXYステージ5上に載置したウ
ェーハを電子ビーム6により露光する場合には上記した
ようにアクセスタイムの関係から磁気ディスク又は磁気
ドラム等の不揮発性記憶手段2から直接露光データを取
り出すことなく高速半導体記憶手段3に露光毎に順次転
送させつつ制御回路8−デジタル−アナログ変換回路9
,10.11等を通して電子ビーム露光装置4の偏向系
にアナログ信号を供給して電子ビーム6を偏向させてウ
ェーハ5上の所定パターンを露光する。このような場合
ウェーハが露光されている間、不揮発性記憶手段2は専
有されてしまうため他の作業を上記不揮発性記憶手段2
を用いて行うことが出来ない。このように、他の作業を
上記不揮発性記憶手段2を用いて行なう場合は、露光の
終了を待ってからでないと行なえないという欠点を有し
ていた。
(4) 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑みなされたものであり、そ
の目的とするところは電子ビーム露光装置が露光中であ
っても不揮発性記憶手段を利用し得るようにして効率良
く作業を行い得るようにした電子ビーム露光装置を提供
するにある。
(5) 発明の構成 そして上記目的は本発明によれば露光基本パターンデー
タを記憶した第1の不揮発性記憶手段と、該第1の不揮
発性記憶手段のデータを記憶し得るバッファ用の第2の
不揮発性記憶手段と、該第2の不揮発性記憶手段より露
光時に必要な露光データを記憶する記憶手段と、該記憶
手段よりの露光データにより制御される電子ビーム露光
手段を具備し、上記第1の不揮発性記憶手段より上記第
2の不揮発性記憶手段に基本パターンデータを転送後上
記第1の不揮発性記憶手段を露光手段から切り離すよう
にしてなることを特徴とする電子ビーム露光装置によっ
て達成される。
(6)発明の実施例 以下1本発明の一実施例を第2図について詳記する。尚
第1図と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略
するも露光用基本的パターンデータは電子計算機1によ
って磁気ディスクまたは磁気ドラム等の不揮発性記憶手
段2に書き込まれ。
大容量の同じく磁気ディスクまたは磁気ドラム等よりな
る第2の不揮発性記憶手段14に電子計算機1により転
送される。
第2の不揮発性記憶手段14にメモリされた露光に必要
な基本的パターンデータは高速読み出し可能な半導体記
憶手段3に露光チップ単位で与えられ制御回路8.デジ
タル−アナログ変換回路9゜10.11等を通じて電子
ビーム露光装置4の偏向系6やXYステージを偏向また
は移動させてウェーハ5上にパターンを露光する。この
ようにウェーハ5を露光している間第1の不揮発性記憶
手段2と第2の不揮発性記憶手段14とは完全に切り離
されているのでウェーハ露光中に電子計算機■あるいは
、電子計算機7において第1の不揮発性記憶手段2を有
効にかつ、効率良く使用することができる。
(7) 発明の効果 本発明は叙上の如く構成し且つ動作するので例えば成る
種のデータを繰り返して使用するような場合には最初に
第1の不揮発性記憶手段より第2の不揮発性記憶手段に
転送するだけで半永久的に第2の不揮発性記憶手段にメ
モリされ第1の不揮発性記憶手段よりの再転送が不要に
なるだけでなく第1の不揮発性記憶手段を効率よく他の
処理に使用出来る特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子ビーム露光装置の系統図。 第2図は本発明の電子ビーム露光装置の系統図である。 ■・・・電子計算機   2・・・第1の不揮発性記憶
手段   3・・・半導体記憶手段4・・・電子ビーム
露光装置   5・・・ウェーハ   7・・・電子計
算機   8・・・制御回路   9,10.11・・
・デジタル−アナログ変換回路   14・・・第2の
不揮発性記憶手段 特許出願人  富士通株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 露光基本パターンデータを記憶した第1の不揮発性記憶
    手段と、該第1の不揮発性記憶手段のデータを記憶し得
    るバッファ用の第2の不揮発性記憶手段と、該第2の不
    揮発性記憶手段より露光時に必要な露光データを記憶す
    る記憶手段と、該記憶手段よりの露光データにより制御
    される電子ビーム露光手段を具備し、上記第1の不揮発
    性記憶手段より上記第2の不揮発性記憶手段に基本パタ
    ーンデータを転送後上記第1の不揮発性記憶手段を露光
    手段から切り離すようにしてなることを特徴とする電子
    ビーム露光装置。
JP22870882A 1982-12-28 1982-12-28 電子ビ−ム露光装置 Pending JPS59121927A (ja)

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