JPS59110129A - Marking apparatus in semiconductor probing test - Google Patents
Marking apparatus in semiconductor probing testInfo
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- JPS59110129A JPS59110129A JP22044082A JP22044082A JPS59110129A JP S59110129 A JPS59110129 A JP S59110129A JP 22044082 A JP22044082 A JP 22044082A JP 22044082 A JP22044082 A JP 22044082A JP S59110129 A JPS59110129 A JP S59110129A
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- laser beam
- pellet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半纏体ウエノ１に形成された複数のペレット
のうち特定ペレットが不良であると検出された場合にそ
のへレッド上に形成されるコーテイング材をレーザ光に
て剥離するようにしたことを特徴とする半導体ブロービ
ングテストにおけるマーク装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention provides a coating that is formed on a semi-wrapped Ueno 1 when a specific pellet is detected to be defective among a plurality of pellets formed on the semi-wrapped Ueno 1. The present invention relates to a marking device for semiconductor blobbing testing, characterized in that a material is peeled off using a laser beam.
半導体ウェハに形成された複数のペレットヲ試験する半
導体ブロービングテストにおいては、マーク装置により
不良ペレット上にインクでしるしが付けられていた。つ
まり、第１図に示すように、半導体ウニ八試験装置から
不良ペレットを検出したときに発生する不良信号により
、ソレノイド１１が駆動されて、テグス１２が下方に押
される。そして、インクつぼ１３を通過したテグス１２
がウニ八１４面に到達し、テグス１２についたインクが
不良ペレット上に付着して、不良ペレットであることの
マークとして示されていた。In a semiconductor blobbing test in which a plurality of pellets formed on a semiconductor wafer are tested, defective pellets are marked with ink by a marking device. That is, as shown in FIG. 1, the solenoid 11 is driven by a defective signal generated when a defective pellet is detected from the semiconductor Urinahachi testing device, and the leg 12 is pushed downward. Then, the ink 12 that passed through the inkwell 13
reached the 14th surface of the sea urchin 8, and the ink on the strip 12 adhered to the defective pellet, marking it as a defective pellet.
しかし、従来のマーク装置においては、不良ペレット上
に付着したマークの形状の均一性を維持することが難し
く：、ＩＣ（集積回路）組立時において不良ペレットの
識別誤差の原因となっていた。さらに、不良ペレット上
にインクを付着させる場合に良品のペレットをインクに
よ、り汚染してしまい、さらにはインクによＩＪ半導体
ウェハ試験装置までも汚染してしまうとり）う欠点があ
った。さらには、高温デノくイス時にインクつぼ１３内
のインクが乾燥してしまｌ、Ｘ不良ペレットにマークが
付けれなくなるとしＡう欠点があった。However, in the conventional marking device, it is difficult to maintain the uniformity of the shape of the marks attached to the defective pellets, which causes errors in identifying defective pellets during IC (integrated circuit) assembly. Furthermore, when ink is applied to defective pellets, the good pellets are contaminated by the ink, and the ink also contaminates the IJ semiconductor wafer testing equipment. Furthermore, there is a drawback that the ink in the ink fountain 13 dries during high-temperature denostation, making it impossible to mark defective pellets.
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は半導体ウエノ＼に形成される複数のペレットの試験を
行ない不良ペレットカｌ検出され、た場合に、該ペレッ
ト上に形成される保護用コーテイング材をレーザ光にて
剥離しておくことにより不良ペレットの示しとした半導
体ブロービングテストにおけるマーク装置を提供するこ
とにある。This invention was made in view of the above points, and its purpose is to test a plurality of pellets formed on a semiconductor wafer, and if a defective pellet is detected, a protective An object of the present invention is to provide a marking device in a semiconductor blobbing test that indicates defective pellets by peeling off a coating material with a laser beam.
不良ペレットに対してペレット上に形成される保護用コ
ーテイング材をレーザ光にて剥離している。For defective pellets, the protective coating material formed on the pellets is removed using a laser beam.
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、第２図にペレット上をコーティングされた半導体
ウニ八に示す。第２図において、２１は半導体ウェハ、
２２は上記半導体ウェハ２１に形成されるペレット上に
形成される保護用のコーテイング材である。つまり、上
記コーテイング材２２は各ペレット毎に分離して形成さ
れているものである。First, FIG. 2 shows a semiconductor urchin coated on a pellet. In FIG. 2, 21 is a semiconductor wafer;
22 is a protective coating material formed on the pellet formed on the semiconductor wafer 21. In other words, the coating material 22 is formed separately for each pellet.
次に、第３図はこの発明の一実施例に２ける半導・体プ
ロービングテストにおけるマーク装置を示す図である。Next, FIG. 3 is a diagram showing a mark device in a semiconductor/body probing test in accordance with a second embodiment of the present invention.
図において、２３はレーザ光源で、このレーザ光源２３
から放たれたレーザ光はレンズ２４に形成されているコ
ーテイング材２５上に照射される。また、２６はスリッ
トで、半導体ウニ八試験装置（図示せず）からのエラー
信号により開かれるもので、スリット２６が開かれると
上記レーザ光源２３からのレーザ光がスリット２６を通
過する。In the figure, 23 is a laser light source, and this laser light source 23
The laser beam emitted from the lens 24 is irradiated onto the coating material 25 formed on the lens 24. A slit 26 is opened by an error signal from a semiconductor testing device (not shown). When the slit 26 is opened, a laser beam from the laser light source 23 passes through the slit 26.
次に、上記のように構成されたこの発明の詳細な説明す
る。今、例えば半導体ウニ八試験装置からエラー信号が
出力されるとスリット２６が開かれて、レーザ光源２３
力）らのレーザ光カーレンズ２４により電束されて、不
良ペレット上に形成されるコーテイング材２５力１部分
的に刷１離される。つまり、上記スリット２６の開放は
半導体ウエノ１試験装゛置から出力されるエラーイ言号
に同期されて行なわれるため、半導体ウエノλ試験装置
により検出された不良ペレット上に形成されたコーテイ
ング材の一部カー駒］離される。Next, the present invention configured as described above will be explained in detail. Now, for example, when an error signal is output from the semiconductor Unihachi testing equipment, the slit 26 is opened and the laser light source 23 is opened.
The laser beam from the laser beam 24 is electrically focused by the Kerr lens 24, and the coating material 25 formed on the defective pellet is partially removed. In other words, since the opening of the slit 26 is performed in synchronization with the error signal output from the semiconductor wafer 1 test device, the coating material formed on the defective pellet detected by the semiconductor wafer λ test device Division Car Piece] is separated.
第４図において、２７は上Ｕ己のようにして一部が剥離
されたコーテイング材を示して１７Ａる。また、ｚ８．
２９も同様な理由によｉＪ一部力Ｓ ＩＩ Ｊｌされた
コーテイング材である。In FIG. 4, reference numeral 27 indicates the coating material from which a portion has been peeled off as shown in FIG. 17A. Also, z8.
No. 29 is also a coating material in which iJ is partially applied for the same reason.
以上詳述したようにこの発明によれｌｉ、従来インクに
より良品のペレットを汚染する危険性があったのを阻止
することができる。また、高温デバイス時にインクつ１
円のインク力玉乾燥してしまい不良ペレットにマーフカ
；付（すれなくなる欠点をなくすことができる。また、
レーザ光り
壷となる。As described in detail above, according to the present invention, it is possible to prevent the conventional ink from contaminating good pellets. In addition, when using high-temperature devices,
A circle of ink can be applied to defective pellets that have dried out.
It becomes a laser-lit pot.
第１図は従来のマーク装置を示す図、第２図は半導体ウ
ェハ上に形成されたコーテイング材を示す図、第３図は
この発明の一実施例を示す半導体ブロービングテストに
おけるマーク装置の図、第４図はコーテイング材が剥離
された様子を示す図である。
２３・・・レーザ光源、２４・・・レンズ、２６・・・
スリン ト。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図
ｊＩ４図FIG. 1 is a diagram showing a conventional marking device, FIG. 2 is a diagram showing a coating material formed on a semiconductor wafer, and FIG. 3 is a diagram showing a marking device in a semiconductor probing test showing an embodiment of the present invention. , FIG. 4 is a diagram showing how the coating material is peeled off. 23... Laser light source, 24... Lens, 26...
Slint. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 2, Figure jI4
Claims (1)
時に出力されるエラー信号により開閉されるスリットと
、ペレット不良検出時に上記エラー信号により上記スリ
ットを開き上記レーザ光源からのレーザ光を不良ペレッ
ト上に照射して不良ペレット上に形成されたコーディン
グ材を剥離するようにしたことを特徴とする半導体ブロ
ービングテストにおけるマーク装置。A laser light source, a slit that opens and closes according to an error signal outputted from a semiconductor wafer testing device when a pellet is defective, and when a pellet defect is detected, the slit is opened by the error signal and the laser beam from the laser light source is irradiated onto the defective pellet. 1. A marking device for semiconductor blobbing testing, characterized in that the marking device is adapted to peel off a coating material formed on a defective pellet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22044082A JPS59110129A (en) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | Marking apparatus in semiconductor probing test |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22044082A JPS59110129A (en) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | Marking apparatus in semiconductor probing test |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110129A true JPS59110129A (en) | 1984-06-26 |
Family
ID=16751138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22044082A Pending JPS59110129A (en) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | Marking apparatus in semiconductor probing test |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110129A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559409B1 (en) * | 1994-12-09 | 2003-05-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for marking integrated circuits with a laser |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22044082A patent/JPS59110129A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559409B1 (en) * | 1994-12-09 | 2003-05-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for marking integrated circuits with a laser |
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