JPS59101493A - 複素環チオ化合物及びその製造方法並びに該化合物を含有する医薬 - Google Patents
複素環チオ化合物及びその製造方法並びに該化合物を含有する医薬Info
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- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/553—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07F9/568—Four-membered rings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の構成)
この発明は、新規な2−ヘテロシクリルチオ−低級アル
キル4ネム化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含
有する医薬、及び該化合物の医系製造のだめの、又は薬
理学的に活性な化合物としての使用に関する。
キル4ネム化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含
有する医薬、及び該化合物の医系製造のだめの、又は薬
理学的に活性な化合物としての使用に関する。
この発明は特に、次の一般式(1)、
3
(式中、
R1は水素又はメチルであシ、
R2は保護されている場合があるヒドロキシ基であり、
Rs ハカルzキシ又は保護されたカルボキシR,/で
あり、 R4は環炭素原子を介して硫黄原子に結合している不飽
和単環式へテロシクリル貼であり、そして mは2.3、又は4である。) で表わされる2−へテロシクリル−低級アルキル−2−
ペネム化合物、及び酸形成基を翁する式(1)の化合物
の塙、式(1)の化合物の光学異性体及び該光学異性体
の混合物、式(1)の化合物の製造方法、該化合物を含
有する医薬、並びに該化合物の医薬製造のだめの、又は
薬理学的に活性な化合物としての使用に関する。
あり、 R4は環炭素原子を介して硫黄原子に結合している不飽
和単環式へテロシクリル貼であり、そして mは2.3、又は4である。) で表わされる2−へテロシクリル−低級アルキル−2−
ペネム化合物、及び酸形成基を翁する式(1)の化合物
の塙、式(1)の化合物の光学異性体及び該光学異性体
の混合物、式(1)の化合物の製造方法、該化合物を含
有する医薬、並びに該化合物の医薬製造のだめの、又は
薬理学的に活性な化合物としての使用に関する。
(構成の具体的な説明)
この明細書中に1更用する定義は好甘しくは次の意味を
冶する。
冶する。
環炭素原子を介して硫黄原子に、i′石合している不飽
和単環式へテロシクリル糸R4は、!rヶに、1〜4個
の壌屋素原子を有し、そして場合によってはさらに酸素
及び硫黄からなる群から選ばれた追加の環異原子を有す
る対応する5員もしくは6Mへテロアリール基又は部分
的に11 +uされたヘテロアリール浩であシ、列えは
対応する芳沓族性の5員アザー、ジアザ−、トリアザ−
、テトラアザ−、オギサザー、オキザジアデー、チアザ
−、テアジアザ−もしくはテアトリアザ−環式基又は対
応するジヒドロh(、あるいは対応する芳行族性の6員
アザ−、ジアザ−もしくはトリアザ−環式基又は対応す
るジヒドロもしくはテトラヒドロ基である。
和単環式へテロシクリル糸R4は、!rヶに、1〜4個
の壌屋素原子を有し、そして場合によってはさらに酸素
及び硫黄からなる群から選ばれた追加の環異原子を有す
る対応する5員もしくは6Mへテロアリール基又は部分
的に11 +uされたヘテロアリール浩であシ、列えは
対応する芳沓族性の5員アザー、ジアザ−、トリアザ−
、テトラアザ−、オギサザー、オキザジアデー、チアザ
−、テアジアザ−もしくはテアトリアザ−環式基又は対
応するジヒドロh(、あるいは対応する芳行族性の6員
アザ−、ジアザ−もしくはトリアザ−環式基又は対応す
るジヒドロもしくはテトラヒドロ基である。
これらの基は置換されておらず、あるいは、場合によっ
てはエーテル化もしくはエステル化されたヒドロキシ(
保護されだヒドロキシをaむ)、例えばヒドロキシ、低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシもしくはハロケ
°ン、エーテル化されている場合があるメルカプト、例
えばメルカプト、低級アルキルチオもしくはファニルチ
オ、低級アルキル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級ア
ルコキシ−低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、
揚台によってはN−低級アルキル化されているアミノ−
低級アルキル、例えはアミノ−低級アルキルもしくはジ
ー低級アルキルアミノ−低級アルキル、スルホ−低級ア
ルキル、場合によっては一侠さJしているアミン(保護
されているアミノを含む)、L+lJえはアミン、低級
アルキルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、低級アルキ
レンアミノもしくはアシルアミノ、■えば低級アルカノ
イルアミノ、場合によっては官能的に&tiされでいる
カルボキシもしくはスルホ(保護されている場合葡含む
)、例えばカルどキシ、エステル化カル?キシ、y1j
工ば低級アルコキシカルH?ニル、’14合によってC
」、1:j−模されているカルバモイル、NJJJ、N
−モノ−もしくはN、N−ジー低級アルキル化カルバモ
イル、シアン、スルホもしくはスルファモイル、場行に
よっては低級アルキル、ニトロ、低級アルコキシ及び/
もしくはハロゲンにより1〇−伊されているフェニル、
シクロアルキル、ニトロ、オキシ1+k O’に/又は
オキシドにより、置換されて」・・9、レリえは七ノー
もしくはポリー直侯されており、特にシー置換されてい
る。
てはエーテル化もしくはエステル化されたヒドロキシ(
保護されだヒドロキシをaむ)、例えばヒドロキシ、低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシもしくはハロケ
°ン、エーテル化されている場合があるメルカプト、例
えばメルカプト、低級アルキルチオもしくはファニルチ
オ、低級アルキル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級ア
ルコキシ−低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、
揚台によってはN−低級アルキル化されているアミノ−
低級アルキル、例えはアミノ−低級アルキルもしくはジ
ー低級アルキルアミノ−低級アルキル、スルホ−低級ア
ルキル、場合によっては一侠さJしているアミン(保護
されているアミノを含む)、L+lJえはアミン、低級
アルキルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、低級アルキ
レンアミノもしくはアシルアミノ、■えば低級アルカノ
イルアミノ、場合によっては官能的に&tiされでいる
カルボキシもしくはスルホ(保護されている場合葡含む
)、例えばカルどキシ、エステル化カル?キシ、y1j
工ば低級アルコキシカルH?ニル、’14合によってC
」、1:j−模されているカルバモイル、NJJJ、N
−モノ−もしくはN、N−ジー低級アルキル化カルバモ
イル、シアン、スルホもしくはスルファモイル、場行に
よっては低級アルキル、ニトロ、低級アルコキシ及び/
もしくはハロゲンにより1〇−伊されているフェニル、
シクロアルキル、ニトロ、オキシ1+k O’に/又は
オキシドにより、置換されて」・・9、レリえは七ノー
もしくはポリー直侯されており、特にシー置換されてい
る。
この明細書において、基又は化合物について使用する「
低級」なる語は、特にことわらない限シ、7個以’T’
(7個を含む)、好丑しくけ4個以下(4個を含む)の
炭素原子を崩する塾及び化合物を討味する。
低級」なる語は、特にことわらない限シ、7個以’T’
(7個を含む)、好丑しくけ4個以下(4個を含む)の
炭素原子を崩する塾及び化合物を討味する。
低級アルコキシは、レリえはメトキシ、さラニエトキシ
、n−70ロポキシ、インプロポキシ、n−ブトキシ、
・rソブトギシ又はtert−ブトキシであり、そして
さらにn−ペンチルオキシ、n−へキシルオキシ又はn
−へブチルオキシである。
、n−70ロポキシ、インプロポキシ、n−ブトキシ、
・rソブトギシ又はtert−ブトキシであり、そして
さらにn−ペンチルオキシ、n−へキシルオキシ又はn
−へブチルオキシである。
低級アルカノイルオキシは、1刑えばアセトキシ又はプ
ロピルチオギシである。
ロピルチオギシである。
ハロゲンは、例えば都電、塩素、臭素又はヨウ素である
。
。
低級アルキルチオは、レリえばメチルチオ、エチルチオ
、n−プロピルチオ、インゾロビルチオ又はn−ブチル
チオである。
、n−プロピルチオ、インゾロビルチオ又はn−ブチル
チオである。
iaf&アルキルは、しUえばメチル、エテル、n−フ
0ロピル、インゾロビル、n−ブチル、イソブチ\ ル、5ec−ブチル又はtert−ブチル、そしてさk
) ニn−<メチル、1】−ヘギシル又はn−へグチル
である。
0ロピル、インゾロビル、n−ブチル、イソブチ\ ル、5ec−ブチル又はtert−ブチル、そしてさk
) ニn−<メチル、1】−ヘギシル又はn−へグチル
である。
ヒドロキシ−低級アルキルは、)タリえはヒドロキシメ
チル、2−ヒドロキシエチル又は2.3−ジヒドロキシ
ゾロビルである。
チル、2−ヒドロキシエチル又は2.3−ジヒドロキシ
ゾロビルである。
低級アルコキシ−低級アルキルは、l’1」えばメトキ
シメチル、2−メトキシエチル、エトキシメチル又は2
−エトキシエチルである。
シメチル、2−メトキシエチル、エトキシメチル又は2
−エトキシエチルである。
カルブキシ−低級アルキルは、I同えはカルピキシメチ
ル、l−カルゲキシー、2−カルブキシ−又は1.2−
ジカルデキシーエチルである。
ル、l−カルゲキシー、2−カルブキシ−又は1.2−
ジカルデキシーエチルである。
アミノ−低級アルキルは、レリえはアミノメチル又は2
−アミノエチルであり、ジー低級アルキルアミノ−低級
アルキルは、1列えはジエチルアミノノテル、2−ジメ
チルアミノエチル又は2−・ジエチルアミノエチルであ
る。
−アミノエチルであり、ジー低級アルキルアミノ−低級
アルキルは、1列えはジエチルアミノノテル、2−ジメ
チルアミノエチル又は2−・ジエチルアミノエチルであ
る。
スルホ−低級アルキルは、レリえばスルホメチル又は2
−スルホエテルである。
−スルホエテルである。
低級アルキルアミノは、例えばメチルアミノ、エチルア
ミン、n−プロピルアミン、インプロピルアミン又はn
−ブナルアミノであり、ジー低級アルキルアミノは、例
えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−n−プロピ
ルアミン又はジイソプロピルアミノである。
ミン、n−プロピルアミン、インプロピルアミン又はn
−ブナルアミノであり、ジー低級アルキルアミノは、例
えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−n−プロピ
ルアミン又はジイソプロピルアミノである。
低級アルキレンアミノは!侍に4〜6III!dの炭素
鎖員を有し、そしてt+lJえはピロリジノ又はビにリ
ジンである。
鎖員を有し、そしてt+lJえはピロリジノ又はビにリ
ジンである。
低級アルカノイルアミノは、Blえばアセチルアミノ又
はプロピオニルアミノである。
はプロピオニルアミノである。
低級アルコキシカルぎニルは、Nえばメトキシカルボニ
ルにはエトキシカルボニルである。
ルにはエトキシカルボニルである。
N−モノー低級アルキル化カルバモイルは、クリkc−
f−N−メチルー1N−エテル−又はN−プロピル−カ
ルバモイルであp、N、N−ジー低級アルキル化カルバ
モイルは、クリえばN、N−ジメチル−父はN、N−ジ
エチルカルバモイルである。
f−N−メチルー1N−エテル−又はN−プロピル−カ
ルバモイルであp、N、N−ジー低級アルキル化カルバ
モイルは、クリえばN、N−ジメチル−父はN、N−ジ
エチルカルバモイルである。
シクロアルキルは、好ましくは3〜8個、仔9に5又は
611ωの環員をGみ、そして例えばシクロインチル又
はシクロヘキシル、ぞしてさらにシクロプロピル及びシ
クロへブチルである。
611ωの環員をGみ、そして例えばシクロインチル又
はシクロヘキシル、ぞしてさらにシクロプロピル及びシ
クロへブチルである。
場合によっては部分的に飽和されている対応する5はへ
テロアリール基R4は、V”Jえは、場合によっては低
級アルキルによH2Sされているピロリルえはジヒドロ
ピロリル、クリえば1−メチル−2−ピロリル又は4.
5−ジヒドロ−3−ピロリル;ジアゾリル、クリえば、
場合によっては低級アルキルによシ直換されているイミ
ダゾリル、)クリえば2−イミダゾリル;トリアゾリル
、1列えば、場合によっては低級アルキル、カルボキシ
−低級アルキル又はフェニルによシ置慄されているIH
−1,2,3−トリアゾル−4−イル、IH−1゜2.
4−トリアゾル−3−イル父は4 H−1。
テロアリール基R4は、V”Jえは、場合によっては低
級アルキルによH2Sされているピロリルえはジヒドロ
ピロリル、クリえば1−メチル−2−ピロリル又は4.
5−ジヒドロ−3−ピロリル;ジアゾリル、クリえば、
場合によっては低級アルキルによシ直換されているイミ
ダゾリル、)クリえば2−イミダゾリル;トリアゾリル
、1列えば、場合によっては低級アルキル、カルボキシ
−低級アルキル又はフェニルによシ置慄されているIH
−1,2,3−トリアゾル−4−イル、IH−1゜2.
4−トリアゾル−3−イル父は4 H−1。
2.4−トリアゾル−3−イル、クリえば対応する非置
換基、及びさらにl−メチル−IH−1゜2.3−トリ
アゾル−4−イル、5−メナルーIH−1.2.4−1
リアゾルー:う−イル、3−メチル−1−フェニル−I
H−1,2,4−)リアゾル−5−イル、4.5−ジメ
チル−14−カルボキシメチル−又は4−フェニル−4
H−1゜2.4−トリアゾル−3−イル;テトラゾリル
、クリえは、場合によっては低級アルキル、カルボキシ
低級アルキル、スルホ−低級アルキル、ジー低級アルキ
ルアミノ−低級アルキル、又は場合によってはハロゲン
のごとき14侠承をイjするフェニル ・によシ直
侯されているI H−又は2 H−テトラゾ°′ルー5
−イル、クリえば1)I−テトラゾルー5−イル、■−
メチルーI H−テトラゾルー5−イル、l−力ルがキ
シメチル−I H−テトラゾルー5−イル、】−(2−
カルボキシメチル)−1H−テトラゾルー5−イル、1
−スルホメチル−IH−テトラゾルー5−イル、1−(
2−スルホエテル)−1H−テトラゾルー5−イル、1
−(2−ジメチルアミノエテル)−1H−テトラゾルー
5−イル、■−フェニルーIH−f’)う:/”ルー5
−イルには2−メチル−2H−テトラゾルー5−イル;
テアI”)ル、Wuえば、場合によっては低級アルキル
塾又はアミノによシ置侠されている2−チアゾリル、又
はインチアゾリル、例えば3−インチアゾリル、ρりえ
は、2−チアゾリル、4,5−ジメチル−2−チアゾリ
ル又は3−インチアゾリル;チアジアゾリル、利えば、
場合によっては低級アルキルにはアミノによシ直洟され
ている1、2゜3−チアジアゾル−4−イル、1,2.
3−テアジアゾル−5−イル、1,3.4−テアジアゾ
ル−2−イル又は1,2.4−テアジアゾル−5−イル
、クリえば対応する非は決清、及びさらに2−メチル−
1,3,4−チアジアゾル−5−イル、2−アミノ−1
,3,4−テアジアゾル−5−イル之は3−メチル−1
,2,4−1−アジアゾル−5−イル;テアトリアゾル
、しく]えは、1,2゜3.4−テアトリアゾル−5−
イル;テトラゾリル又はインオキサシリル、囲えば、嚇
1千によっては低級アルキル及び/又はフェニルにより
直換されている2−オキサシリルには5−オキサシリル
、151Jえは対応する非直良括、及びさらに4−メチ
ル−5−オキサシリル、4.5−ジフェニル−2−オキ
サシリル又は3−メチル−5−インオキサシリル;又は
オキサジアゾリル、クリえば、場合によっては低級アル
キルによシ、又はニトロ直換されている場合があるフェ
ニルにより+i;i、 +mされている1、2.4−オ
キサジアゾル−5−イル又は1゜3.4−オキサジアゾ
ル−2−イル、例えば対応する非置還基、そしてさらに
2−メチル−1゜3.4−オキサジアゾル−5−イル、
2−フエニルー1 、 :つ、 4−オキサジアゾル−
5−イル又は2−(4−ニトロフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾル−5−イルである。
換基、及びさらにl−メチル−IH−1゜2.3−トリ
アゾル−4−イル、5−メナルーIH−1.2.4−1
リアゾルー:う−イル、3−メチル−1−フェニル−I
H−1,2,4−)リアゾル−5−イル、4.5−ジメ
チル−14−カルボキシメチル−又は4−フェニル−4
H−1゜2.4−トリアゾル−3−イル;テトラゾリル
、クリえは、場合によっては低級アルキル、カルボキシ
低級アルキル、スルホ−低級アルキル、ジー低級アルキ
ルアミノ−低級アルキル、又は場合によってはハロゲン
のごとき14侠承をイjするフェニル ・によシ直
侯されているI H−又は2 H−テトラゾ°′ルー5
−イル、クリえば1)I−テトラゾルー5−イル、■−
メチルーI H−テトラゾルー5−イル、l−力ルがキ
シメチル−I H−テトラゾルー5−イル、】−(2−
カルボキシメチル)−1H−テトラゾルー5−イル、1
−スルホメチル−IH−テトラゾルー5−イル、1−(
2−スルホエテル)−1H−テトラゾルー5−イル、1
−(2−ジメチルアミノエテル)−1H−テトラゾルー
5−イル、■−フェニルーIH−f’)う:/”ルー5
−イルには2−メチル−2H−テトラゾルー5−イル;
テアI”)ル、Wuえば、場合によっては低級アルキル
塾又はアミノによシ置侠されている2−チアゾリル、又
はインチアゾリル、例えば3−インチアゾリル、ρりえ
は、2−チアゾリル、4,5−ジメチル−2−チアゾリ
ル又は3−インチアゾリル;チアジアゾリル、利えば、
場合によっては低級アルキルにはアミノによシ直洟され
ている1、2゜3−チアジアゾル−4−イル、1,2.
3−テアジアゾル−5−イル、1,3.4−テアジアゾ
ル−2−イル又は1,2.4−テアジアゾル−5−イル
、クリえば対応する非は決清、及びさらに2−メチル−
1,3,4−チアジアゾル−5−イル、2−アミノ−1
,3,4−テアジアゾル−5−イル之は3−メチル−1
,2,4−1−アジアゾル−5−イル;テアトリアゾル
、しく]えは、1,2゜3.4−テアトリアゾル−5−
イル;テトラゾリル又はインオキサシリル、囲えば、嚇
1千によっては低級アルキル及び/又はフェニルにより
直換されている2−オキサシリルには5−オキサシリル
、151Jえは対応する非直良括、及びさらに4−メチ
ル−5−オキサシリル、4.5−ジフェニル−2−オキ
サシリル又は3−メチル−5−インオキサシリル;又は
オキサジアゾリル、クリえば、場合によっては低級アル
キルによシ、又はニトロ直換されている場合があるフェ
ニルにより+i;i、 +mされている1、2.4−オ
キサジアゾル−5−イル又は1゜3.4−オキサジアゾ
ル−2−イル、例えば対応する非置還基、そしてさらに
2−メチル−1゜3.4−オキサジアゾル−5−イル、
2−フエニルー1 、 :つ、 4−オキサジアゾル−
5−イル又は2−(4−ニトロフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾル−5−イルである。
場合によってはg;11分的に飽和されている対応する
6、はヘテロアリール晶I尤、は、列えば、ビリジノペ
βIJえば、嚇鋒によってtよハロダン及び/′y−は
オキシドにより1ご+J呉されている2−13−父は4
−ピリジル、ヒ1]えば2−ピリジル、4−ピリジル、
1−オキシド−2−ピリジル又は4−クロロ−1−オキ
シド−2−ピリジル;ピリダジニル、向見は、褐分によ
っては低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、ハ
ロヶ9ン及び/又はオキシドによりI+ffi 懐され
ている6−ピリダジニル、)+lJえば3−ヒドロキシ
−6−ピリダジニル、2−オキシド−〇−ピリダジニル
、3−クロロ−1−オキシド−6−ピリダジニル、3−
メチル−2−オキシド−6−ピリダジニル、3−メトキ
シ−1−オキシド−6−ピリダジニル又は3−エトキシ
−1−オキシド−6−ピリダジニル;l、2−ジヒドロ
ピリミジニル1.13’lえば、場合によっては低級ア
ルキル、アミン、ジー低級アルキルアミノ、メキソ及び
/又はカルボキシによシlIJ′決されている1、2−
ジヒドロ−4−ピリミジニル、クリえCユ2−オキソ−
1,2−ジヒドロ−4−ピリミジニル、6−メチル−,
5−メチル−16−アミノ−16−ジメチルアミノ−,
5−カルボキシ−又は(5−力ルポキシ−2−オキソ−
1,2−ジヒドロー4−ピリミジニル;又は部分的に飽
和されているトリアジニル、例えば、場合によっては1
1級アルキル及び/又は2個以下のオキソ基により直侠
されていキン−1,4,5,6−チトラヒドロー1.2
゜4−トリアジン−3−イルである。
6、はヘテロアリール晶I尤、は、列えば、ビリジノペ
βIJえば、嚇鋒によってtよハロダン及び/′y−は
オキシドにより1ご+J呉されている2−13−父は4
−ピリジル、ヒ1]えば2−ピリジル、4−ピリジル、
1−オキシド−2−ピリジル又は4−クロロ−1−オキ
シド−2−ピリジル;ピリダジニル、向見は、褐分によ
っては低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、ハ
ロヶ9ン及び/又はオキシドによりI+ffi 懐され
ている6−ピリダジニル、)+lJえば3−ヒドロキシ
−6−ピリダジニル、2−オキシド−〇−ピリダジニル
、3−クロロ−1−オキシド−6−ピリダジニル、3−
メチル−2−オキシド−6−ピリダジニル、3−メトキ
シ−1−オキシド−6−ピリダジニル又は3−エトキシ
−1−オキシド−6−ピリダジニル;l、2−ジヒドロ
ピリミジニル1.13’lえば、場合によっては低級ア
ルキル、アミン、ジー低級アルキルアミノ、メキソ及び
/又はカルボキシによシlIJ′決されている1、2−
ジヒドロ−4−ピリミジニル、クリえCユ2−オキソ−
1,2−ジヒドロ−4−ピリミジニル、6−メチル−,
5−メチル−16−アミノ−16−ジメチルアミノ−,
5−カルボキシ−又は(5−力ルポキシ−2−オキソ−
1,2−ジヒドロー4−ピリミジニル;又は部分的に飽
和されているトリアジニル、例えば、場合によっては1
1級アルキル及び/又は2個以下のオキソ基により直侠
されていキン−1,4,5,6−チトラヒドロー1.2
゜4−トリアジン−3−イルである。
式(1)の化合物中に存在する官龍へ、1クリえはヒド
ロキシ、カルボキシ、アミノ又d、スルホ基、行にヒド
ロキシiR及びカルゼキシ基lt3は、場合により−’
DJ:、−’!ネム、被ニジリン、セファロスポリン及
び被ゾテド化字において便用沁れる保祿栖によシ保護さ
れる。
ロキシ、カルボキシ、アミノ又d、スルホ基、行にヒド
ロキシiR及びカルゼキシ基lt3は、場合により−’
DJ:、−’!ネム、被ニジリン、セファロスポリン及
び被ゾテド化字において便用沁れる保祿栖によシ保護さ
れる。
このような保楯基は、容易に、すなわち不所望の副反応
を生ずることなく、加溶媒分解もしくは還元によυ、又
はこれに代えて生理的条件下で除去することができる。
を生ずることなく、加溶媒分解もしくは還元によυ、又
はこれに代えて生理的条件下で除去することができる。
このタイプの保d基及びこれらを尋人し又は除去する方
法は例えは、J、F、W、マコーミー(McOmie
[Protectlve Groups In Org
anicChemystryJ、プレナムプレス(Pl
enum−Press ) 。
法は例えは、J、F、W、マコーミー(McOmie
[Protectlve Groups In Org
anicChemystryJ、プレナムプレス(Pl
enum−Press ) 。
ロンドン、ニューヨーク、1973年;’l’、W、グ
リーン(Greene)、 「Proteatlve
GroupsIn Qrganjc 5ynthes
lsJ 、、ウイレー、ニューー1−7.1981年:
「The Peptides J + gg 1巻
、シュ1/−ダー(5c11roeder )及びルブ
テ(Luebke ) 、アカデミツクプレス(Aca
demicPress ) 、 o ンドン、ニューヨ
ーク、1965年;及びポーペン−ウニイル(I(ou
’ben −Weyl ) 。
リーン(Greene)、 「Proteatlve
GroupsIn Qrganjc 5ynthes
lsJ 、、ウイレー、ニューー1−7.1981年:
「The Peptides J + gg 1巻
、シュ1/−ダー(5c11roeder )及びルブ
テ(Luebke ) 、アカデミツクプレス(Aca
demicPress ) 、 o ンドン、ニューヨ
ーク、1965年;及びポーペン−ウニイル(I(ou
’ben −Weyl ) 。
[A4ethode* der Organlsche
n ChemleJ 。
n ChemleJ 。
、(15/lja、グオルグティーメフェルラーク(G
eorg Thleme Verlag 、スツットガ
ルト。
eorg Thleme Verlag 、スツットガ
ルト。
1974年;に記載されている。
式(1)の化合物において、ヒドロキシJkR2、及び
基R4中に仔仕するヒドロキシル4(は、クリえばアシ
ル基によシ保護されていてもよい。適当なアシル基は、
例えば、場合によっては−・ログンによ多置換されてい
る低級アルカノイル、向えばアセチルもしくはトリフロ
オロアセテル、場合によってはニトロにより直換されて
いるベンゾイル、クリえばベンゾイル、4−ニトロベン
ゾイルもしくは2.4−ジニトロベンゾイル、場合によ
ってはノーロケ°ンにより置換されている低級アルコキ
シカルブニル、f)Ltif 2−ブロモエトキシカル
ボニルもしくは、2,2.2−)リクロロエトキシ力ル
ビニル、又は場合によってはニトロによυ置換されてい
るフェニル−低級アルコキシカルボニル、β°1]えば
4−ニトロベンジルオキシカルビニルでアル。
基R4中に仔仕するヒドロキシル4(は、クリえばアシ
ル基によシ保護されていてもよい。適当なアシル基は、
例えば、場合によっては−・ログンによ多置換されてい
る低級アルカノイル、向えばアセチルもしくはトリフロ
オロアセテル、場合によってはニトロにより直換されて
いるベンゾイル、クリえばベンゾイル、4−ニトロベン
ゾイルもしくは2.4−ジニトロベンゾイル、場合によ
ってはノーロケ°ンにより置換されている低級アルコキ
シカルブニル、f)Ltif 2−ブロモエトキシカル
ボニルもしくは、2,2.2−)リクロロエトキシ力ル
ビニル、又は場合によってはニトロによυ置換されてい
るフェニル−低級アルコキシカルボニル、β°1]えば
4−ニトロベンジルオキシカルビニルでアル。
前記以外の過当なヒドロキシ保s=Sは、クリえは、l
・り置換シリル、例えばトリー低級アルキルシリル、ク
リえばトリメチルシリルもしくはtert−ブチル−ジ
ノチル−シリル、2−ノ・ロー低級アルキル基、列えば
2−クロロ−12−ブロモー、2−イオドー及び2,2
.2−)ジークロローエチル、及び、場合によっては・
・ロダン列えは塩素、低級アルコキシ51Jえはメトキ
シ、及び/もしくはニトロにより1i−t 供されてい
るフェニル−低級アルキノへ911えは対応するベンジ
ルである。トリー低級アルキルシリルがヒドロキシ保F
aJaSとして好ましい。
・り置換シリル、例えばトリー低級アルキルシリル、ク
リえばトリメチルシリルもしくはtert−ブチル−ジ
ノチル−シリル、2−ノ・ロー低級アルキル基、列えば
2−クロロ−12−ブロモー、2−イオドー及び2,2
.2−)ジークロローエチル、及び、場合によっては・
・ロダン列えは塩素、低級アルコキシ51Jえはメトキ
シ、及び/もしくはニトロにより1i−t 供されてい
るフェニル−低級アルキノへ911えは対応するベンジ
ルである。トリー低級アルキルシリルがヒドロキシ保F
aJaSとして好ましい。
カルボキシ基R3及びさらに4R4中に存在するカルポ
ギシ粘烈通常はエステル化形で保禮されており、このエ
ステル承け、穏、fllな条件下、例えは穏、fllな
還冗的条件、例えば水素fヒ分屏条件下、又は穏和な加
M媒分喧条件下、しUえばば性、もしくは特に塩粘性も
しくは中性加水分11/f条注下で4易に開裂する。保
護されたカルボキシル基はさらに、生ft的条件下で開
二装でき、又(d池の1能的に液汁されたカルボキシル
基リえは池のエステル化カルボキシ基に容易に転換され
得るエステル化カルボキシ基であってもよい。
ギシ粘烈通常はエステル化形で保禮されており、このエ
ステル承け、穏、fllな条件下、例えは穏、fllな
還冗的条件、例えば水素fヒ分屏条件下、又は穏和な加
M媒分喧条件下、しUえばば性、もしくは特に塩粘性も
しくは中性加水分11/f条注下で4易に開裂する。保
護されたカルボキシル基はさらに、生ft的条件下で開
二装でき、又(d池の1能的に液汁されたカルボキシル
基リえは池のエステル化カルボキシ基に容易に転換され
得るエステル化カルボキシ基であってもよい。
このようなエステル化カル、14キシ基は、エステル化
基として1時に、1位において分枝している父は1−も
しくは2−位において適当に置」奥されている低級アル
キル^しをび有する。エステル化形の好ましいカルボキ
シ基は、’Iffに、低級アルコキシカルビニル、例え
はメトキシカルボニル、エトキシカルビニル、イソプロ
ポキシカルビニル又1j)tert−ブトキシカルボニ
ル、&ヒ’1〜3個のアリール基を有するか又kJ、
l fj&Iの単波式へテロアリール八を有する(ヘテ
ロ)アリールメトキシカルブニルであり、これらは、場
合によっては、例えば低級アルキル、飼えばter を
−低級アルキル、トリえはtert−ブチル、ハロヶ3
ン、例えば塩素及び/又はニトロによりモノ−又はポリ
ー置侯されている。このような凸のi+IJには、場合
によってはトリえは上記のように置づ1長されているベ
ンジルオキシカルボニル、[+Ltば4−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、場合によってはトリえは上6己の
ように1置換されているジフェニルメトキシヵルヂニル
もL<U)リフェニルメトキシ力ルビニル、(90k
if ’;フェニルメトキシカルビニル、又ハビコリル
オキシ力ルボニル、圀えば4−ピコリルオキシカルボニ
ル、又は場合によってはfllえば上す己のように(直
j桑されている2−フルフリルオキシカルボニル がある。iiiJ記以外の適当な柄は低級アルカノイル
メトキシカルビニル、’er”Jえばアセトニルオキシ
カルボニル;アロイルメトキシカルボニル(ここで、ア
ロイル基は好甘しくは、場合によってはρりえばハロケ
゛ン、トリえば臭素により11に俟されているベンゾイ
ルである)、1列えはフェナシルオキシカルボニル;ハ
ロー低級アルコキシカルボニル、[“リエハ2ーハロー
低級アルコキシカルボニル、I?!Itl;f2、2.
2−4リクロロエトキシカル71?ニル、2−クロロエ
トキシカルビニル、2−ブロモエトキシカルボニルもし
くは2−イオドエトキシ力ルボニル;にはωーハロー低
級アルコキシカ/L/ボニル(ここで、低級アルコキシ
は4〜7闇の炭素原子を官イjする)、汐1」えは4−
クロロブトキシカルボニル;フクリミドメトキシカルr
uffニル;低級アルケニルオキシカルボニル、例えば
アリルオキシカルボニル;又は2位において低級アルキ
ルニル、シアンもしくはトリ直侠シリル、にりえ翅、ト
リー低級アルキルシリルもしくはトリフェニルシリルに
より置換されたエトキシカルボニル、トリえば2−メチ
ルスルホニルエトキシカルボニル、2−シアノエトキシ
力ルポqル、2−)IJメチルシリルエトキシカルビニ
ルもしくは2−(ジー11−ブチル−メチルシリル)−
エトキシカルボニルであるO エステル化形の曲の保護されたツJノv 71?キシ基
妊、、対応する治膿シリルオキシカルボニル^(、及び
さうK 対応−j−る有戟スタンニルオキシカルH?ニ
ル^(である。これらの基において、11−素原子又は
錫j忌子は、置挨基として低級アルキル、竹にメチルも
しくはエチル、そしてさらしご(DJアルコキシ、し1
」えばメトキシを壱することが好ましい。適当なシリル
基及びスタンニル基は、特にトリーイ代,吸アルキルシ
リル、特にトリメチルシリルもしくはジメチル−ter
t−ブチル−シリル、又は対しもする置換されたスタン
ニル基、列えはトリー〇ーグチルスタンニルでおる。
基として1時に、1位において分枝している父は1−も
しくは2−位において適当に置」奥されている低級アル
キル^しをび有する。エステル化形の好ましいカルボキ
シ基は、’Iffに、低級アルコキシカルビニル、例え
はメトキシカルボニル、エトキシカルビニル、イソプロ
ポキシカルビニル又1j)tert−ブトキシカルボニ
ル、&ヒ’1〜3個のアリール基を有するか又kJ、
l fj&Iの単波式へテロアリール八を有する(ヘテ
ロ)アリールメトキシカルブニルであり、これらは、場
合によっては、例えば低級アルキル、飼えばter を
−低級アルキル、トリえはtert−ブチル、ハロヶ3
ン、例えば塩素及び/又はニトロによりモノ−又はポリ
ー置侯されている。このような凸のi+IJには、場合
によってはトリえは上記のように置づ1長されているベ
ンジルオキシカルボニル、[+Ltば4−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、場合によってはトリえは上6己の
ように1置換されているジフェニルメトキシヵルヂニル
もL<U)リフェニルメトキシ力ルビニル、(90k
if ’;フェニルメトキシカルビニル、又ハビコリル
オキシ力ルボニル、圀えば4−ピコリルオキシカルボニ
ル、又は場合によってはfllえば上す己のように(直
j桑されている2−フルフリルオキシカルボニル がある。iiiJ記以外の適当な柄は低級アルカノイル
メトキシカルビニル、’er”Jえばアセトニルオキシ
カルボニル;アロイルメトキシカルボニル(ここで、ア
ロイル基は好甘しくは、場合によってはρりえばハロケ
゛ン、トリえば臭素により11に俟されているベンゾイ
ルである)、1列えはフェナシルオキシカルボニル;ハ
ロー低級アルコキシカルボニル、[“リエハ2ーハロー
低級アルコキシカルボニル、I?!Itl;f2、2.
2−4リクロロエトキシカル71?ニル、2−クロロエ
トキシカルビニル、2−ブロモエトキシカルボニルもし
くは2−イオドエトキシ力ルボニル;にはωーハロー低
級アルコキシカ/L/ボニル(ここで、低級アルコキシ
は4〜7闇の炭素原子を官イjする)、汐1」えは4−
クロロブトキシカルボニル;フクリミドメトキシカルr
uffニル;低級アルケニルオキシカルボニル、例えば
アリルオキシカルボニル;又は2位において低級アルキ
ルニル、シアンもしくはトリ直侠シリル、にりえ翅、ト
リー低級アルキルシリルもしくはトリフェニルシリルに
より置換されたエトキシカルボニル、トリえば2−メチ
ルスルホニルエトキシカルボニル、2−シアノエトキシ
力ルポqル、2−)IJメチルシリルエトキシカルビニ
ルもしくは2−(ジー11−ブチル−メチルシリル)−
エトキシカルボニルであるO エステル化形の曲の保護されたツJノv 71?キシ基
妊、、対応する治膿シリルオキシカルボニル^(、及び
さうK 対応−j−る有戟スタンニルオキシカルH?ニ
ル^(である。これらの基において、11−素原子又は
錫j忌子は、置挨基として低級アルキル、竹にメチルも
しくはエチル、そしてさらしご(DJアルコキシ、し1
」えばメトキシを壱することが好ましい。適当なシリル
基及びスタンニル基は、特にトリーイ代,吸アルキルシ
リル、特にトリメチルシリルもしくはジメチル−ter
t−ブチル−シリル、又は対しもする置換されたスタン
ニル基、列えはトリー〇ーグチルスタンニルでおる。
生理的条件下でvij裂され得るエステル化カル?キシ
築は竹に、アシル基が1+11えは有機カルぎン酸、特
に鳴合によっては1代僕されているアルカンカルボン1
没の柄であり、又はアシルオキシメチルがラクトンのカ
(を構成するアシルオキシメトキシ力ルポニルメ占、低
等及アルキル ル、メチルもしくは特にエチルであシ、そして低級アル
コキシが[シリえはメトキシ、エトキシ、プロポキシも
しくはブトキシである1−低級アルコキシー低級アルコ
キシカルボニル又はt−低&uアルコキシカルボニルオ
キシ−低級アルコキシカルブニルである。これらの基は
、向えば低級アルカノイルオキ7メトキシカルシJ?ニ
ル、β・りえはアセトキシメトキシカルボニルもしくは
ピパロイルオキシメトキシカルブニル、アミノ−低級ア
ルカノ・イルオキシメI・キシカルH?ニル、特にα−
アミノ−低級アルカノイルオキシメトキシカルがニル、
例えばグリシルオキシメトキシカルボニル、L−バリル
オキシメトキシカルボニル、L−ロイシルオギシメトキ
シカルデニル、フタリジルオキシカルボニル、4−クロ
トノラクトニルもしくは4−ブナロラクトン−4−イル
、インダニルオキシカルボニル、圀工Id. 5 −
インダニルオギ/カルボニノへ1−エトキシカルがニル
オキシエトキシカルボニル、メトキシメトキシカルボニ
ルにQよ1−メトキシエトキシカルビニルである。
築は竹に、アシル基が1+11えは有機カルぎン酸、特
に鳴合によっては1代僕されているアルカンカルボン1
没の柄であり、又はアシルオキシメチルがラクトンのカ
(を構成するアシルオキシメトキシ力ルポニルメ占、低
等及アルキル ル、メチルもしくは特にエチルであシ、そして低級アル
コキシが[シリえはメトキシ、エトキシ、プロポキシも
しくはブトキシである1−低級アルコキシー低級アルコ
キシカルボニル又はt−低&uアルコキシカルボニルオ
キシ−低級アルコキシカルブニルである。これらの基は
、向えば低級アルカノイルオキ7メトキシカルシJ?ニ
ル、β・りえはアセトキシメトキシカルボニルもしくは
ピパロイルオキシメトキシカルブニル、アミノ−低級ア
ルカノ・イルオキシメI・キシカルH?ニル、特にα−
アミノ−低級アルカノイルオキシメトキシカルがニル、
例えばグリシルオキシメトキシカルボニル、L−バリル
オキシメトキシカルボニル、L−ロイシルオギシメトキ
シカルデニル、フタリジルオキシカルボニル、4−クロ
トノラクトニルもしくは4−ブナロラクトン−4−イル
、インダニルオキシカルボニル、圀工Id. 5 −
インダニルオギ/カルボニノへ1−エトキシカルがニル
オキシエトキシカルボニル、メトキシメトキシカルボニ
ルにQよ1−メトキシエトキシカルビニルである。
好ましい保護されたカルバ?ギシ基R,/は4−二トロ
ペンジルオキシ力ルボニル及U 低Mフルヶニルオキシ
力ルはニル法、及び2Mにおいて低級アルキルスルホニ
ル、シアノ又はトリー低級アルギルゾリルによシ置換さ
れているエトキシカルビニル基、並びに生理的条件下で
開裂され11Jるエステル化カルd?キシ21絋■えば
低級アルカノイルオキシメトキシカルボニル及び1−1
代級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルコキシカル
ボニルである。
ペンジルオキシ力ルボニル及U 低Mフルヶニルオキシ
力ルはニル法、及び2Mにおいて低級アルキルスルホニ
ル、シアノ又はトリー低級アルギルゾリルによシ置換さ
れているエトキシカルビニル基、並びに生理的条件下で
開裂され11Jるエステル化カルd?キシ21絋■えば
低級アルカノイルオキシメトキシカルボニル及び1−1
代級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルコキシカル
ボニルである。
保護されたアミノ基は、し1」えば、容易に1i4 要
し得るアシルアミノ、アシルイミノ、エーテル化メルカ
プトアミノ、シリルアミノもしくはスタンニルアミノ柄
の形、又はエナミン、ニトロもしくはアジド基の形であ
ってよい。
し得るアシルアミノ、アシルイミノ、エーテル化メルカ
プトアミノ、シリルアミノもしくはスタンニルアミノ柄
の形、又はエナミン、ニトロもしくはアジド基の形であ
ってよい。
対応するアシルアミノ柄においてアシルは、シリえば、
丙えば18個以下の炭素原子を廟する有機酸、特に、場
合によっては列えばー・ロケ゛ンもしくはフェニルによ
りil.ffijlAされているアルカンカルデン酸、
には場合によってはシリえばー・ログン、低級アルコキ
シもしくはニトロによ51ffi侯されている安息香酸
のアシル基、あるいは炭酸半エステルのアシル法である
。このよりなアシル法は、例えば、低級アルカノイル、
シリえはホルミル、アセチルもシくハプロビオニル、・
・ロー低級アルカノイル、vリエハ2−一・ロアセチル
、qすに2−フルオロ−、2−ブロモー、2−イオドー
、2,2.2−トリフルオロ−もしくは2,2.2−ト
リクロロ−アセチル、場aによってはIIイ俣されてい
るベンゾイル、1MえHベンゾイル、−・ロベンソイル
、IZ+]工は4−1’ロロベンゾイル、低級アルコキ
シベンソイル、シリえば4−メトキシベンゾイル、又は
ニトロベンゾイル、シリえば4−ニトロベンゾイルであ
る。
丙えば18個以下の炭素原子を廟する有機酸、特に、場
合によっては列えばー・ロケ゛ンもしくはフェニルによ
りil.ffijlAされているアルカンカルデン酸、
には場合によってはシリえばー・ログン、低級アルコキ
シもしくはニトロによ51ffi侯されている安息香酸
のアシル基、あるいは炭酸半エステルのアシル法である
。このよりなアシル法は、例えば、低級アルカノイル、
シリえはホルミル、アセチルもシくハプロビオニル、・
・ロー低級アルカノイル、vリエハ2−一・ロアセチル
、qすに2−フルオロ−、2−ブロモー、2−イオドー
、2,2.2−トリフルオロ−もしくは2,2.2−ト
リクロロ−アセチル、場aによってはIIイ俣されてい
るベンゾイル、1MえHベンゾイル、−・ロベンソイル
、IZ+]工は4−1’ロロベンゾイル、低級アルコキ
シベンソイル、シリえば4−メトキシベンゾイル、又は
ニトロベンゾイル、シリえば4−ニトロベンゾイルであ
る。
さらに、低級アルケニルオキシカルビニル、例えばアリ
ルオキシカルボニル、又はJjJ合によってはl−もし
くは2−位において1d侯されている低級アルコキシカ
ル+l”ニル、向えは低級アルコキシカルビニル、シリ
えばメトキシ−もしくはエトキシ−カルビニル、場合に
よっては+8 俣されているベンジルオキシカルビニル
、則えばベンジルオキシカルビニルもしくi.14−ニ
トロペンジルオキシカルブニル、アロイル法が好ましく
e」、ベンゾイル(場合によってはBlえばー・ログン
、しlえは臭素により1噴実されている)であるアロ桁
ルメトキゾ力ルボニル、1311エバフエナシルオキシ
カルづビニル、2−ハ0ー低IJJアルコキシカルボニ
ル、、 IzLtハ2 + 2 。
ルオキシカルボニル、又はJjJ合によってはl−もし
くは2−位において1d侯されている低級アルコキシカ
ル+l”ニル、向えは低級アルコキシカルビニル、シリ
えばメトキシ−もしくはエトキシ−カルビニル、場合に
よっては+8 俣されているベンジルオキシカルビニル
、則えばベンジルオキシカルビニルもしくi.14−ニ
トロペンジルオキシカルブニル、アロイル法が好ましく
e」、ベンゾイル(場合によってはBlえばー・ログン
、しlえは臭素により1噴実されている)であるアロ桁
ルメトキゾ力ルボニル、1311エバフエナシルオキシ
カルづビニル、2−ハ0ー低IJJアルコキシカルボニ
ル、、 IzLtハ2 + 2 。
2−トリクロロエトキシカルボニル、2−クロロエトキ
シカルボニル、2−ブロモエトキシカルボニルもシくは
2−イオドエトキシ力ルボニル、又i.J:2 − (
1− !JI&俟シリル)−エトキシカルビニル、例
えば2−トリー低級アルキルシリルエトキシカルボニル
、N,tハ2 − トリメチルシリルエトキシカルブニ
ルもしくハ2 − (ジーnーブナルーメチqヲ ルーシリル)−エトキシカルビニル、又i.j: )
!J 7リールシリルエトキシカルボニル、B’1lz
tば2−トリフェニルシリルエトキシカルブニルが特に
適当である。
シカルボニル、2−ブロモエトキシカルボニルもシくは
2−イオドエトキシ力ルボニル、又i.J:2 − (
1− !JI&俟シリル)−エトキシカルビニル、例
えば2−トリー低級アルキルシリルエトキシカルボニル
、N,tハ2 − トリメチルシリルエトキシカルブニ
ルもしくハ2 − (ジーnーブナルーメチqヲ ルーシリル)−エトキシカルビニル、又i.j: )
!J 7リールシリルエトキシカルボニル、B’1lz
tば2−トリフェニルシリルエトキシカルブニルが特に
適当である。
アシルイミノ基中のアシルは、シリえは、シリえば12
個身重の炭素原子を有する有機ジカルボン酸、特に対応
する芳香族ジカルボン酸、例えばフタル酸のアシル基で
ある。この基は特にフタルイミドである。
個身重の炭素原子を有する有機ジカルボン酸、特に対応
する芳香族ジカルボン酸、例えばフタル酸のアシル基で
ある。この基は特にフタルイミドである。
エーテル化されたメルカプトアミノ基は%K、場合によ
っては低級アルキル、[)!lえばメチルもしくはte
rt−ブチル、低級アルコキシ、例えばメトキシ、ハロ
グンシリえば塩素もしくは臭素、及び/又はニトロによ
シ直侯されているフェニルチオアミノ基、あるいはピリ
ジルチオアミノ基である。
っては低級アルキル、[)!lえばメチルもしくはte
rt−ブチル、低級アルコキシ、例えばメトキシ、ハロ
グンシリえば塩素もしくは臭素、及び/又はニトロによ
シ直侯されているフェニルチオアミノ基、あるいはピリ
ジルチオアミノ基である。
対応する基はし1jえば2−もしくは4−ニトロフェニ
ルチメアミノ又は2−ピリジルチオアミノである。
ルチメアミノ又は2−ピリジルチオアミノである。
シリル−にはスタンニル−アミノ基は特に、珪素原子又
は錫原子が好ましくは低級アルキル基、し11えばメチ
ル、エチル、n−ブチル又はtert −ブチル、さら
に低級アルコキシ、[&IJえばメトキシから選ばれた
置換基(11固、又はtゾ数イ向)を壱する有機シリル
−又はスタンニル−アミノ基である。
は錫原子が好ましくは低級アルキル基、し11えばメチ
ル、エチル、n−ブチル又はtert −ブチル、さら
に低級アルコキシ、[&IJえばメトキシから選ばれた
置換基(11固、又はtゾ数イ向)を壱する有機シリル
−又はスタンニル−アミノ基である。
対応するシリル又はスタンニル基はtF)に、トリー低
級アルキルシリル、特にトリメチルシリル、さらにジメ
チル−tert−ブチル−シリル、父は対応する置換ス
タンニル、例えば) IJ −n−ブチルスタンニルで
ある。
級アルキルシリル、特にトリメチルシリル、さらにジメ
チル−tert−ブチル−シリル、父は対応する置換ス
タンニル、例えば) IJ −n−ブチルスタンニルで
ある。
前記以外の保通されたアミン、lj%は、例えば、電子
吸引性置換基、例えばカルボニル基を2位の2束結合に
有するエナミノ基である。このタイプの保護基は、シリ
えばl−アシル−低級アルカ−l−エン−2−イル基で
あシ、この捕においてアシル基は、例えば低級アルカン
カルビン酸、1クリえば酢酸、場合によっては例えば低
級アルキル基、例えばメチルもしくはtert−ブチル
、低級アルコキシ、汐0えはメトキシ、〜・ログン、[
シリえば塩素、及び/又はニトロにより置換されている
安息香酸、又は特に炭酸半エステル、しIJえは炭酸−
低級アルキル半エステル、例えばカルボ21区メチル半
エステルもしくはエチル半エステルの対応する基であシ
、そして前記法において低級アルカ−1−エンは特にl
−プロペンである。対応する保膜糸は特に、1−低級ア
ルカノイルプロプ−1−エン−2−イル、ρりえば1−
アセチルプロプ−1−エン−2−イル、:yは1−(U
&アルコキシ力ルデニルプロデー1−エン−2−イル、
例えば1−エトキシ力ルポニルプロゾー1−エン−2−
イルでアル。
吸引性置換基、例えばカルボニル基を2位の2束結合に
有するエナミノ基である。このタイプの保護基は、シリ
えばl−アシル−低級アルカ−l−エン−2−イル基で
あシ、この捕においてアシル基は、例えば低級アルカン
カルビン酸、1クリえば酢酸、場合によっては例えば低
級アルキル基、例えばメチルもしくはtert−ブチル
、低級アルコキシ、汐0えはメトキシ、〜・ログン、[
シリえば塩素、及び/又はニトロにより置換されている
安息香酸、又は特に炭酸半エステル、しIJえは炭酸−
低級アルキル半エステル、例えばカルボ21区メチル半
エステルもしくはエチル半エステルの対応する基であシ
、そして前記法において低級アルカ−1−エンは特にl
−プロペンである。対応する保膜糸は特に、1−低級ア
ルカノイルプロプ−1−エン−2−イル、ρりえば1−
アセチルプロプ−1−エン−2−イル、:yは1−(U
&アルコキシ力ルデニルプロデー1−エン−2−イル、
例えば1−エトキシ力ルポニルプロゾー1−エン−2−
イルでアル。
保1洩されたスルホ基はtr+に、エステル化されたス
ルホ基、シリえば、脂肪族アルコール、脂環族アルコー
ル、脂環−脂肪族アルコール、芳香族アルコールもしく
は芳香脂肪族アルコール、例えば低級アルカノールによ
υ、又はシリル基もしくはスタンニル基、例えばトリー
低級アルキルシリル基によジエステル化されたスルホ基
である。スルホ基中のヒドロキシ基は、例えばエステル
化されたカルボキシ基中のヒドロキシ基のようにエーテ
ル化されていてもよい。
ルホ基、シリえば、脂肪族アルコール、脂環族アルコー
ル、脂環−脂肪族アルコール、芳香族アルコールもしく
は芳香脂肪族アルコール、例えば低級アルカノールによ
υ、又はシリル基もしくはスタンニル基、例えばトリー
低級アルキルシリル基によジエステル化されたスルホ基
である。スルホ基中のヒドロキシ基は、例えばエステル
化されたカルボキシ基中のヒドロキシ基のようにエーテ
ル化されていてもよい。
この発明の化合物の塩は特に、式(1)の化合物の医薬
として許容される非毒性塩である。これらの塩は、例え
ば、式(1)の化合物中に存在する酸ゼI:基、例えば
カルゲキシ法及びスルホ搗から形成され、そして特に雀
、四基又はアンモニウム塩、シリえはアルカリ金属塩及
びアルカリ土知釡4・4塩、シリえばナトリウム塩、カ
リウム塩、マグネシウム塩又はカルシウム塩、及びアン
モニアには過当な有情アミン、シリえば低級アルキルア
ミン、1+すえばl・リエチルアミン、ヒドロキシ−低
級アルキルアミン、シリえば2−ヒドロキシエチルアミ
ン、ビス−(2−ヒドロキシエチル)−アミン’14ハ
トリス−(2−ヒドロキシエチル)−アミン、カルボン
酸の塩哉性脂肪族エステル、d”Jえば4−アミノ安息
香酸2−ジエチルアミノエチルエステル、低級アルギル
アミン、し11えば、1−エチルビイリジン、シクロア
ルキルアミン、シリえはジシクロヘキシルアミン、又は
ベンジルアミン、例えばN 、 N’−ジペンジルエテ
レンジアミン、ジベンジルアミンにはN−ベンジル−β
−フェネチルアミンとの塩である。塩基性基、りIJえ
ばアミノ基を有する式(りの化合物は、列えば無機酸、
し1]えば塩酸、硫1友もしくは燐酸と共に、又は適当
な鳴機カルボン酸もしくはスルホン酸、し・りえば酢酸
、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、―石酸、蓚酸、ク
エン酸、安息香酸、マンデル酸、リンゴ酸、アスコルビ
ン酸、メタンスルホン酸もしくは4−トルエンスルホン
酸と共に酸付加塩を形成する。敵性基及び塩基性基を有
する式(1)の化合物はさらに、内部塩の形、すなわち
分子内イオン形で存在するとともできる。
として許容される非毒性塩である。これらの塩は、例え
ば、式(1)の化合物中に存在する酸ゼI:基、例えば
カルゲキシ法及びスルホ搗から形成され、そして特に雀
、四基又はアンモニウム塩、シリえはアルカリ金属塩及
びアルカリ土知釡4・4塩、シリえばナトリウム塩、カ
リウム塩、マグネシウム塩又はカルシウム塩、及びアン
モニアには過当な有情アミン、シリえば低級アルキルア
ミン、1+すえばl・リエチルアミン、ヒドロキシ−低
級アルキルアミン、シリえば2−ヒドロキシエチルアミ
ン、ビス−(2−ヒドロキシエチル)−アミン’14ハ
トリス−(2−ヒドロキシエチル)−アミン、カルボン
酸の塩哉性脂肪族エステル、d”Jえば4−アミノ安息
香酸2−ジエチルアミノエチルエステル、低級アルギル
アミン、し11えば、1−エチルビイリジン、シクロア
ルキルアミン、シリえはジシクロヘキシルアミン、又は
ベンジルアミン、例えばN 、 N’−ジペンジルエテ
レンジアミン、ジベンジルアミンにはN−ベンジル−β
−フェネチルアミンとの塩である。塩基性基、りIJえ
ばアミノ基を有する式(りの化合物は、列えば無機酸、
し1]えば塩酸、硫1友もしくは燐酸と共に、又は適当
な鳴機カルボン酸もしくはスルホン酸、し・りえば酢酸
、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、―石酸、蓚酸、ク
エン酸、安息香酸、マンデル酸、リンゴ酸、アスコルビ
ン酸、メタンスルホン酸もしくは4−トルエンスルホン
酸と共に酸付加塩を形成する。敵性基及び塩基性基を有
する式(1)の化合物はさらに、内部塩の形、すなわち
分子内イオン形で存在するとともできる。
分離又はイδ製のために医薬として計容されない塩を用
いることもできる。しかしながら、医薬として♂1[さ
れる無毒性塩のみが医療的に使用され従ってこれらを使
用するのが好ましい。
いることもできる。しかしながら、医薬として♂1[さ
れる無毒性塩のみが医療的に使用され従ってこれらを使
用するのが好ましい。
式(1)の被ネム化合物において、5位及び6位にある
2個の不斉炭素原子は、R−配置直、S−配置、又はラ
セミR,s−配置にある。5位炭素原子の配(6が天然
ペニシリンのそれ(,5R−配fl )に相当する化合
物が好ましい。5位及び6位の水素原子は相反に一7x
−位、又は好ましくはトランス−位にあることができる
。好ましい配置においては6位の1tff、侯晶はS配
置である。R4がメチルである式(1)の化合物は、1
lfi加の対掌中心(炭素原子8)を有し、これはS配
置、ラセミh、s配置1LX、には好ましくはR−Qd
i直で仔在し得る。
2個の不斉炭素原子は、R−配置直、S−配置、又はラ
セミR,s−配置にある。5位炭素原子の配(6が天然
ペニシリンのそれ(,5R−配fl )に相当する化合
物が好ましい。5位及び6位の水素原子は相反に一7x
−位、又は好ましくはトランス−位にあることができる
。好ましい配置においては6位の1tff、侯晶はS配
置である。R4がメチルである式(1)の化合物は、1
lfi加の対掌中心(炭素原子8)を有し、これはS配
置、ラセミh、s配置1LX、には好ましくはR−Qd
i直で仔在し得る。
この発明は特に、R,か水素又はメチルでh’):R,
がヒドロキシ又は保、bされたヒドロキシであり;R3
がカルボキシ又は保護されたカルボキシH31、特に、
生理的条件下で開裂され?4Iるエステル化カルボキシ
g 3/であシ:R,が環炭素原子を介して’+IAi
黄原子に結合しており、そして1〜4個の」式望系原子
、及び場合によってはさらに酸素及び硫黄から成る14
0から選ばれる追加の猿異原子をイjする単環式5員又
は6jAへテロアリール柄であり、向えば、対応する″
h香族性の5μ、アザ−、ジアザ−、トリアザ−、テト
ラアザ−、オキザザー、オキシジアザー、テアデー、テ
アシアデーもしくはチアトリアザ−環式浩又tよ対応す
るジヒドロ槙、あるいは対応する芳香族性の6負アザ−
、ジアザ−もしくはトリアザ−環式晶又は対応するジビ
ドロもしくはテトラヒドロ基であシ、これらの晶はla
L侯されておらず、又はヒドロキシ、低級アルコキシ、
低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、メルカプト、低級
アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキル、ヒドロキ
シ−低級アルキル、低級アルコキシ−低級アルキル、カ
ルボキシ低級アルキル、アミノ−低級アルキル、ジー低
級アルキルアミノ−低級アルキル、スルボー低級アルキ
ル、アミノ、低級アルキルアミノ、ジー低級アルキルア
ミノ、低級アルキレンアミノ、低級アルカノイルアミノ
、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、場合によっ
てはN−七ノーもしくはN、N−ジー低級アルキル化さ
れているカルバモイル、シアノ、スルホもシくハスルフ
ァモイル、場合によっては低級アルキル、ニトロ、低級
アルコキシ及び/もしくはハロゲンによシ置換されてい
るフェニル、シクロアルキル、ニトロ、オキシ、並びに
/又はオキシドによシ1h換されておシ;そしてmが2
,3又は4である式(1)の化合物、兼ひに塩形成基を
有する式(1)の化付物の塙、及び式(1)の化合物の
元竿異性体及びこれらの光学異性体の混合物に関する。
がヒドロキシ又は保、bされたヒドロキシであり;R3
がカルボキシ又は保護されたカルボキシH31、特に、
生理的条件下で開裂され?4Iるエステル化カルボキシ
g 3/であシ:R,が環炭素原子を介して’+IAi
黄原子に結合しており、そして1〜4個の」式望系原子
、及び場合によってはさらに酸素及び硫黄から成る14
0から選ばれる追加の猿異原子をイjする単環式5員又
は6jAへテロアリール柄であり、向えば、対応する″
h香族性の5μ、アザ−、ジアザ−、トリアザ−、テト
ラアザ−、オキザザー、オキシジアザー、テアデー、テ
アシアデーもしくはチアトリアザ−環式浩又tよ対応す
るジヒドロ槙、あるいは対応する芳香族性の6負アザ−
、ジアザ−もしくはトリアザ−環式晶又は対応するジビ
ドロもしくはテトラヒドロ基であシ、これらの晶はla
L侯されておらず、又はヒドロキシ、低級アルコキシ、
低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、メルカプト、低級
アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキル、ヒドロキ
シ−低級アルキル、低級アルコキシ−低級アルキル、カ
ルボキシ低級アルキル、アミノ−低級アルキル、ジー低
級アルキルアミノ−低級アルキル、スルボー低級アルキ
ル、アミノ、低級アルキルアミノ、ジー低級アルキルア
ミノ、低級アルキレンアミノ、低級アルカノイルアミノ
、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、場合によっ
てはN−七ノーもしくはN、N−ジー低級アルキル化さ
れているカルバモイル、シアノ、スルホもシくハスルフ
ァモイル、場合によっては低級アルキル、ニトロ、低級
アルコキシ及び/もしくはハロゲンによシ置換されてい
るフェニル、シクロアルキル、ニトロ、オキシ、並びに
/又はオキシドによシ1h換されておシ;そしてmが2
,3又は4である式(1)の化合物、兼ひに塩形成基を
有する式(1)の化付物の塙、及び式(1)の化合物の
元竿異性体及びこれらの光学異性体の混合物に関する。
以下余白
この発明は特にR1が水素又はメチルであシ、R2がヒ
ドロキシであシ、R3がカルボキシ、低級アルカノイル
オキシメトキシカルデニノへ例工ばピパロイルオキシメ
トキシカルボニル、又は1−低級アルコキシカルボニル
−オキシ−低級アルコキシカルボニル、fLtld’l
−エトキシカルダニルーオキシエトキシカルボニルであ
、D、R4がチアジアゾリル、例えば、場合によっては
低級アルキルにより置換ぢれている1、2.3−チアジ
アゾル−4−イル、1,2.3−チアジアゾル−5−イ
ル、1.3.4−チアジアゾル−2−イル又は1,2.
4−チアジアゾル−5−イル、例えば1.3.4−チア
ジアゾル−2−イル又は2−メチル−1,3,4−チア
ジアゾル−5−イル:オキサジアゾイル、例えば、場合
によっては低級ア 5ルキル基によりti換されている
1、2.4−、l−サジアゾルー5−イル又Fil 、
3 、4−オキサジアゾル−2−イル、例えば2−メ
チル−1,3,4−オキサジアゾル−5−イル:テトラ
ゾリル、例えば、場合によっては低級アルキル、カノν
ボキシ−低級アルキル、スルホ−低級アルキル又はジー
低級アルキルアミノ−低級アルキルにより置換されティ
るIH−又は2■−テトラゾルー5−イル、例えばI
H−テトラゾルー5−イル、1−メチル−11丁−テト
ラゾル−5−イル、1−力ルボキシメチルーIH−テト
ラツルー5−’fル、1−スルホメチル−I H−テト
ラゾルー5−イル、1−(2−ジメチルアミノエチル)
−1B−テトラゾルー5−イル又は2−メチル−2H−
テトラゾルー5−イル;又はピリジル、例えば2−ピリ
ジルであって、それぞれが環炭素原子を介して硫黄原子
に結合しており、そしてmが2又は3である式(1)の
化合物、並びに塩形成基を有する式(I)の化合物の医
薬として許容される塩、光学異性体、例えば(5R,6
S)−異性体、及びこれらの光年異性体の混合物に関す
る。
ドロキシであシ、R3がカルボキシ、低級アルカノイル
オキシメトキシカルデニノへ例工ばピパロイルオキシメ
トキシカルボニル、又は1−低級アルコキシカルボニル
−オキシ−低級アルコキシカルボニル、fLtld’l
−エトキシカルダニルーオキシエトキシカルボニルであ
、D、R4がチアジアゾリル、例えば、場合によっては
低級アルキルにより置換ぢれている1、2.3−チアジ
アゾル−4−イル、1,2.3−チアジアゾル−5−イ
ル、1.3.4−チアジアゾル−2−イル又は1,2.
4−チアジアゾル−5−イル、例えば1.3.4−チア
ジアゾル−2−イル又は2−メチル−1,3,4−チア
ジアゾル−5−イル:オキサジアゾイル、例えば、場合
によっては低級ア 5ルキル基によりti換されている
1、2.4−、l−サジアゾルー5−イル又Fil 、
3 、4−オキサジアゾル−2−イル、例えば2−メ
チル−1,3,4−オキサジアゾル−5−イル:テトラ
ゾリル、例えば、場合によっては低級アルキル、カノν
ボキシ−低級アルキル、スルホ−低級アルキル又はジー
低級アルキルアミノ−低級アルキルにより置換されティ
るIH−又は2■−テトラゾルー5−イル、例えばI
H−テトラゾルー5−イル、1−メチル−11丁−テト
ラゾル−5−イル、1−力ルボキシメチルーIH−テト
ラツルー5−’fル、1−スルホメチル−I H−テト
ラゾルー5−イル、1−(2−ジメチルアミノエチル)
−1B−テトラゾルー5−イル又は2−メチル−2H−
テトラゾルー5−イル;又はピリジル、例えば2−ピリ
ジルであって、それぞれが環炭素原子を介して硫黄原子
に結合しており、そしてmが2又は3である式(1)の
化合物、並びに塩形成基を有する式(I)の化合物の医
薬として許容される塩、光学異性体、例えば(5R,6
S)−異性体、及びこれらの光年異性体の混合物に関す
る。
この発明はさらに、Rが水素であり、R2がヒドロキシ
であシ、Rがカルボキシであり、R4が低級アルキルに
よシ又はジー低級アルキルアミノ−低級アルキルにより
置換されているテトラゾルー5−イル、例えば1−メチ
ル−L H−テトラゾルー5−イル又は1−(2−ジメ
チルアミノエチル)’−II(−テトラゾルー5−イル
であシ、そしてmが2又は3である式(1)の(5旦、
6旦)−配置化合物、及び式(I)の化合物の医薬とし
て許容きれる地に関する。
であシ、Rがカルボキシであり、R4が低級アルキルに
よシ又はジー低級アルキルアミノ−低級アルキルにより
置換されているテトラゾルー5−イル、例えば1−メチ
ル−L H−テトラゾルー5−イル又は1−(2−ジメ
チルアミノエチル)’−II(−テトラゾルー5−イル
であシ、そしてmが2又は3である式(1)の(5旦、
6旦)−配置化合物、及び式(I)の化合物の医薬とし
て許容きれる地に関する。
この発明は特に、例に記載する式(1)の化合物及びそ
の医薬として許容される塩に1呈する。
の医薬として許容される塩に1呈する。
この発明の化合物は、鐸、゛れ目体公知の方法に」:h
v造することができる。
v造することができる。
この新規化合物は例えば、
R3/
(式中、R1* R2+ R3J r R4及びmは式
(I)について前記した意味を有し、ヒドロキシ基R2
及び基R4中に存在する場合がある′1能基は好ましく
は保關された形であシ、2は酸素又は硫黄であシ、そし
てX■はトリ置換ホスホニオ基、又は陽イオンと一緒に
、ジエステル化ホスホノ基である)で表わされるイリド
化合物を環化し、あるいは(b) 次の式(110。
(I)について前記した意味を有し、ヒドロキシ基R2
及び基R4中に存在する場合がある′1能基は好ましく
は保關された形であシ、2は酸素又は硫黄であシ、そし
てX■はトリ置換ホスホニオ基、又は陽イオンと一緒に
、ジエステル化ホスホノ基である)で表わされるイリド
化合物を環化し、あるいは(b) 次の式(110。
(式中、R1,R2,R31,R4及びmは式(I)に
ついて前記した意味を有し、そしてヒドロキシ基R2及
び基R4中に存在する場合がある官能基は好ましくは保
護された形である。) で表わされる化合物を三価燐の有機化合物により処理し
、あるいは (c) 次の弐〇い、 以下余白 st (式中、R,* R2,R3/及びmは前記の意味を有
し、そしてQは求核セ:反応によって置き侯えることが
できる基である。) で辰わづれる化合物を式R4−8Hのメルカプタンによ
)処理し、そして、所望によシ又は必要的に、式(1)
の得られた化合物中の保護されたヒドロキシ基R2を遊
離ヒドロキシ基に転換し、そして/又は所望によシ、式
(1)の得られた化合物中の保藤されたカルボキシ基R
3tを遊^ILカル7にキシ基にもしくは他の保護され
たカルボキシ基R3tに転換し、そして/又は所望によ
り、基R4中の他の仙;護された官能基を遊離官能基に
転換し、そして/又は所望によシ、式(1)の得られた
化合物中の基R4を他の基R4に転換踵そして/又は所
望によシ、塩形成基を有する得られた化合物を塩に転換
し、又は得られた塩を遊離化合物もしくは他の塩に転換
し、そして/又は所望によシ、得られた異性体化合物の
混合物を個々の異性体に分離することにより$、ji遣
される。
ついて前記した意味を有し、そしてヒドロキシ基R2及
び基R4中に存在する場合がある官能基は好ましくは保
護された形である。) で表わされる化合物を三価燐の有機化合物により処理し
、あるいは (c) 次の弐〇い、 以下余白 st (式中、R,* R2,R3/及びmは前記の意味を有
し、そしてQは求核セ:反応によって置き侯えることが
できる基である。) で辰わづれる化合物を式R4−8Hのメルカプタンによ
)処理し、そして、所望によシ又は必要的に、式(1)
の得られた化合物中の保護されたヒドロキシ基R2を遊
離ヒドロキシ基に転換し、そして/又は所望によシ、式
(1)の得られた化合物中の保藤されたカルボキシ基R
3tを遊^ILカル7にキシ基にもしくは他の保護され
たカルボキシ基R3tに転換し、そして/又は所望によ
り、基R4中の他の仙;護された官能基を遊離官能基に
転換し、そして/又は所望によシ、式(1)の得られた
化合物中の基R4を他の基R4に転換踵そして/又は所
望によシ、塩形成基を有する得られた化合物を塩に転換
し、又は得られた塩を遊離化合物もしくは他の塩に転換
し、そして/又は所望によシ、得られた異性体化合物の
混合物を個々の異性体に分離することにより$、ji遣
される。
(al 式(II)の化合物の環化
式(Illの出発物質中の基X■はウィッティッヒ(W
ittig)縮合反応において常用されているホスホニ
オ基又はホスホノ基の1種であシ、特にトリアリール、
例えばトリフェニル−1もしくはトリー低級アルキル−
1例えば) IJ −n−ブチル−ホスホニオ基、又は
低級アルキル、例えばエチルによりジエステル化された
ホスホノ基であり、ホスホノ基の場合の記号X0はさら
に11強塩基、特に適当な金属イオン、例えばアルカリ
金属イオン、例えばリチウム、ナトリウム又はカリウム
イオンを含有する。基Xeとしては、一方でトリフ−ニ
ルホスホニオが好ましく、他方でアルカリ金属イオン、
例えばナトリウムイオンと一緒にジエチルホスホノが好
ましい。
ittig)縮合反応において常用されているホスホニ
オ基又はホスホノ基の1種であシ、特にトリアリール、
例えばトリフェニル−1もしくはトリー低級アルキル−
1例えば) IJ −n−ブチル−ホスホニオ基、又は
低級アルキル、例えばエチルによりジエステル化された
ホスホノ基であり、ホスホノ基の場合の記号X0はさら
に11強塩基、特に適当な金属イオン、例えばアルカリ
金属イオン、例えばリチウム、ナトリウム又はカリウム
イオンを含有する。基Xeとしては、一方でトリフ−ニ
ルホスホニオが好ましく、他方でアルカリ金属イオン、
例えばナトリウムイオンと一緒にジエチルホスホノが好
ましい。
式(n)のイリド化合物は、異性体イレン形においてホ
スホラン化合物とも称される。式(II)のホスホニオ
化合物において、負電荷は正に荷電したホスホニオ基に
よシ中和される。式(II)のホスホノ化合物において
負電荷は強塩基の陽イオンにより中オ]」される。この
強塩基は、ホスホノ出発物質の製造方法に依存して、例
えばアルカリ金Mイオン、例えばナトリウム、リチウム
又はカリウムイオンである。従って、ホスホノ出発物質
は反応に2いて塩として使用でれる。
スホラン化合物とも称される。式(II)のホスホニオ
化合物において、負電荷は正に荷電したホスホニオ基に
よシ中和される。式(II)のホスホノ化合物において
負電荷は強塩基の陽イオンにより中オ]」される。この
強塩基は、ホスホノ出発物質の製造方法に依存して、例
えばアルカリ金Mイオン、例えばナトリウム、リチウム
又はカリウムイオンである。従って、ホスホノ出発物質
は反応に2いて塩として使用でれる。
城化け、目見的、すなわち出発智l質の製j音において
行われ、又は例えば約30℃〜160℃・U−tましく
は約り0℃〜約100 ℃に加i;、7)することによ
シ実施される。反応tよ、過当な不油性溶剤、例えば脂
肪族炭化水垢、脂環族炭化水系又は芳有族戻化水累、例
えばヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン又はトルエン
、ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、エーテル
、例えはジエチルエーテル、ジメトキシエタン又はノエ
チレングリコールージメチルエーテル、塊状エーテル、
例えばノオキサン又はテトラヒドロフラン、カルボン酸
アミド、例えはジメチルホルムアミド、ジー低級アルキ
ルスルホキシド、例えばジメチルスルホキシド、又は低
級アルカノール、例えはメタノール、エタノール又はt
ert−ブタノール中で、又はこれらの混合物中で、そ
して所望により不活性気体囲囲気中、例えば窒素雰囲気
中で行うのが好ましい。
行われ、又は例えば約30℃〜160℃・U−tましく
は約り0℃〜約100 ℃に加i;、7)することによ
シ実施される。反応tよ、過当な不油性溶剤、例えば脂
肪族炭化水垢、脂環族炭化水系又は芳有族戻化水累、例
えばヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン又はトルエン
、ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、エーテル
、例えはジエチルエーテル、ジメトキシエタン又はノエ
チレングリコールージメチルエーテル、塊状エーテル、
例えばノオキサン又はテトラヒドロフラン、カルボン酸
アミド、例えはジメチルホルムアミド、ジー低級アルキ
ルスルホキシド、例えばジメチルスルホキシド、又は低
級アルカノール、例えはメタノール、エタノール又はt
ert−ブタノール中で、又はこれらの混合物中で、そ
して所望により不活性気体囲囲気中、例えば窒素雰囲気
中で行うのが好ましい。
X■が陽イオンと一緒にホスホノ基である式(II)の
出発物質は、好壕しくはその場で、次の式%式%) (式中、X′にrホスホノ基である、)で表わされる化
合物を、過当な塩基性試薬、例えば態様塩基、例えばア
ルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸ナトリウム又は炭酸カリ
ウムと、あるいは有機塩基、例えばトリー低級アル含′
ルアミン、例えばトリエチルアミン、又はアミジン型の
環#):、Ll清込湿、例えば対応するジアザビシクロ
アルケン化合物、例えば1.5−ジアザビシクロ[5、
4,、0]ウランチカー5−エと反応せしめることによ
りヨ傳遺される。
出発物質は、好壕しくはその場で、次の式%式%) (式中、X′にrホスホノ基である、)で表わされる化
合物を、過当な塩基性試薬、例えば態様塩基、例えばア
ルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸ナトリウム又は炭酸カリ
ウムと、あるいは有機塩基、例えばトリー低級アル含′
ルアミン、例えばトリエチルアミン、又はアミジン型の
環#):、Ll清込湿、例えば対応するジアザビシクロ
アルケン化合物、例えば1.5−ジアザビシクロ[5、
4,、0]ウランチカー5−エと反応せしめることによ
りヨ傳遺される。
(b) 式(lll)の化合物の環化三価燐の有機化
合物は、例えば層厚・を畝力・ら誘4rさノt、そして
特に、この酸と低級アルカノール例えばメタノールもし
くはエタノール、及び/又は場合によってはIM換”A
れている芳香族ヒドロキシ化合物、例えばフェノールも
しくはピロカテコールとのエステルであムあるいは式 p(oR.a)2−N(Rh)2(式中、RaJびRb
はそ11ぞれ独立に低級アルキル、例えはメチル、もし
くVよアリール、例えばフェニルである)で示さ第1,
る前記の酸のアミドエステルである。三価かrの好まし
い化合物はトリー低級アルキル ばトリメチルホスフィト又はトリエチルンJクスフイト
である。
合物は、例えば層厚・を畝力・ら誘4rさノt、そして
特に、この酸と低級アルカノール例えばメタノールもし
くはエタノール、及び/又は場合によってはIM換”A
れている芳香族ヒドロキシ化合物、例えばフェノールも
しくはピロカテコールとのエステルであムあるいは式 p(oR.a)2−N(Rh)2(式中、RaJびRb
はそ11ぞれ独立に低級アルキル、例えはメチル、もし
くVよアリール、例えばフェニルである)で示さ第1,
る前記の酸のアミドエステルである。三価かrの好まし
い化合物はトリー低級アルキル ばトリメチルホスフィト又はトリエチルンJクスフイト
である。
反応は、不活性溶剤、例えば芳香族炭化水素、例えばベ
ンゼンもシくはトルエン、エーテル、例えばジオキサン
もしくはテトラヒドロフラン、又はハロゲン化炭化水素
、例えば塩化メチレンもしくはクロロホルム中で、約り
0℃〜約80℃、好ましくけ約り0℃〜約60℃の温度
において行い、1モル当量の式(ト)の化合物を2モル
当量の隣化合物と反応せしめる。好ましくは、式(ト)
の化合物を不活性溶剤に入れ、そして同じ溶剤に好まし
くは溶f+γした燐化合物を、長時間、例えば2〜4時
間にわたって流加する。
ンゼンもシくはトルエン、エーテル、例えばジオキサン
もしくはテトラヒドロフラン、又はハロゲン化炭化水素
、例えば塩化メチレンもしくはクロロホルム中で、約り
0℃〜約80℃、好ましくけ約り0℃〜約60℃の温度
において行い、1モル当量の式(ト)の化合物を2モル
当量の隣化合物と反応せしめる。好ましくは、式(ト)
の化合物を不活性溶剤に入れ、そして同じ溶剤に好まし
くは溶f+γした燐化合物を、長時間、例えば2〜4時
間にわたって流加する。
式(111)の出発物質は、例えば次のようにして、す
なわち次の式(■、 で表わδi]、るアゼチジノンを弐R3’−C0OHの
化合物、又は特にその反応性誘導体、例えば醒ノ・ログ
ン化物、例えば酸塩化物と、20℃〜80℃・好ましく
は40℃〜60℃の温度に丸・いて、不活性溶剤、例え
ば式(至)の化合物の式(1)の化合物への反応につい
て記載した溶剤の1種中で反応せしめることによって製
造する。酸ハロゲン化物を用いる場合、反応を、酸結合
剤、f+3えばtert−脂肪族アミン、例えばトリエ
チルアミン、芳香族アミン、例えばビリノン、又は特に
アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の炭酸塩もしく
は炭酸水素塩、例えば炭酸カリウム又は炭酸カルシウム
の住在下で行うのが好ましい。
なわち次の式(■、 で表わδi]、るアゼチジノンを弐R3’−C0OHの
化合物、又は特にその反応性誘導体、例えば醒ノ・ログ
ン化物、例えば酸塩化物と、20℃〜80℃・好ましく
は40℃〜60℃の温度に丸・いて、不活性溶剤、例え
ば式(至)の化合物の式(1)の化合物への反応につい
て記載した溶剤の1種中で反応せしめることによって製
造する。酸ハロゲン化物を用いる場合、反応を、酸結合
剤、f+3えばtert−脂肪族アミン、例えばトリエ
チルアミン、芳香族アミン、例えばビリノン、又は特に
アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の炭酸塩もしく
は炭酸水素塩、例えば炭酸カリウム又は炭酸カルシウム
の住在下で行うのが好ましい。
この方法の好ましい態様においては、式(IIDの出発
物質は、前記のようにして製造し、そして反応混合物か
ら分離することなく三価燐の有(炭化合物と反応せしめ
ることによシ式(1)の最終生jyQ物を生成せしめる
。
物質は、前記のようにして製造し、そして反応混合物か
ら分離することなく三価燐の有(炭化合物と反応せしめ
ることによシ式(1)の最終生jyQ物を生成せしめる
。
(C) へテロシクリルチオ基の導入式(財)の出発
物個において、求核反応によシ泗き換えることができる
基Qは、好1しくけエステル化されたヒドロキシ基、特
に、場合によってはオキソ−置換された低級アルカンカ
ルビン酸、例えばアセト酢酸、蟻酸もしくは酢酸にょシ
、低級アルカンスルホン酸もしくは場合によっては置換
されているベンゼンスルホン酸、例えばメタン−、ベン
ゼン−14−710モベンゼンーモL<ハ4−トルエン
−スルホン酸にょシ、又ハハロタン化水素酸、例えば塩
酸、臭化水素酸もしくはヨウ化水素酸によフエステル化
されたヒドロキシ基である。
物個において、求核反応によシ泗き換えることができる
基Qは、好1しくけエステル化されたヒドロキシ基、特
に、場合によってはオキソ−置換された低級アルカンカ
ルビン酸、例えばアセト酢酸、蟻酸もしくは酢酸にょシ
、低級アルカンスルホン酸もしくは場合によっては置換
されているベンゼンスルホン酸、例えばメタン−、ベン
ゼン−14−710モベンゼンーモL<ハ4−トルエン
−スルホン酸にょシ、又ハハロタン化水素酸、例えば塩
酸、臭化水素酸もしくはヨウ化水素酸によフエステル化
されたヒドロキシ基である。
このような基Qは特に、アセトキシ、ホルミルオキシ、
メタンスルホニルオキシ、p−トルエンスルホニルオキ
シ又は臭累である。
メタンスルホニルオキシ、p−トルエンスルホニルオキ
シ又は臭累である。
式R4−5i(のメルカプタンとの反応は、水及び場合
によっては水混和性有機溶剤の存在下で、中性栄件にお
いて行うことができる。水混和性有機溶剤として、例え
ば低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエタノ
ール、低級アルカノン、例えばアセトン、低級アルカン
カルボン酸アミド、例えばツメチルホルムアミド、又は
低級アルカンカルセン酸ニトリル、例えばアセト二トリ
ルヲ使用することができる。さらに、収率を高める目的
で、反応混合物に適当な垣、例えばアルカリ金属塩、例
えば、無機酸、例えば)・ログン化水素酸、例えば塩酸
、そして特にヨウ化水;(低酸、及びチオシアン酸、あ
るいは有機酸、例えば低級アルカンカルビン酸、例えば
酢酸のアルカリ金MJA、例えばナトリウム塩、そして
特にカリウム↓バ特にヨウ化カリウム及びチオシアン1
.ノカリウムを添加することができる。さらにこの目的
で、酸、例えば酢酸と適当な陰イオン交換体との塩、例
えば基型の液体イオン交換体、例えばアンバーライ)
LA−1(351〜3930分子量を有する液体第二ア
ミンであり、例えばアセテート型においてモル当舖“/
# = 2.5〜2.7である)を使用することもで
きる。しかしながら、反応を@塩基付条件下で行うこと
もできる。塩基性条件Q゛1、例えば無機九−X基、例
えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水Kl化物、
炭酸塩又は炭酸水素塩、例えばナトリウム、カリウム又
はカルシウムの水酸化物、炭し?塩又は炭酸水素塩によ
シ得られる。反応は室温において、又は反応性に応じて
冷却しもしくは穏オUに加熱して、例えば−20℃〜8
0℃の温度にお−て行う。
によっては水混和性有機溶剤の存在下で、中性栄件にお
いて行うことができる。水混和性有機溶剤として、例え
ば低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエタノ
ール、低級アルカノン、例えばアセトン、低級アルカン
カルボン酸アミド、例えばツメチルホルムアミド、又は
低級アルカンカルセン酸ニトリル、例えばアセト二トリ
ルヲ使用することができる。さらに、収率を高める目的
で、反応混合物に適当な垣、例えばアルカリ金属塩、例
えば、無機酸、例えば)・ログン化水素酸、例えば塩酸
、そして特にヨウ化水;(低酸、及びチオシアン酸、あ
るいは有機酸、例えば低級アルカンカルビン酸、例えば
酢酸のアルカリ金MJA、例えばナトリウム塩、そして
特にカリウム↓バ特にヨウ化カリウム及びチオシアン1
.ノカリウムを添加することができる。さらにこの目的
で、酸、例えば酢酸と適当な陰イオン交換体との塩、例
えば基型の液体イオン交換体、例えばアンバーライ)
LA−1(351〜3930分子量を有する液体第二ア
ミンであり、例えばアセテート型においてモル当舖“/
# = 2.5〜2.7である)を使用することもで
きる。しかしながら、反応を@塩基付条件下で行うこと
もできる。塩基性条件Q゛1、例えば無機九−X基、例
えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水Kl化物、
炭酸塩又は炭酸水素塩、例えばナトリウム、カリウム又
はカルシウムの水酸化物、炭し?塩又は炭酸水素塩によ
シ得られる。反応は室温において、又は反応性に応じて
冷却しもしくは穏オUに加熱して、例えば−20℃〜8
0℃の温度にお−て行う。
前に特に好ましいと記載した式(1)の化合物を生成せ
しめる式(n) 、 (I[D及び(財)の出発物質、
特に、3旦、4旦−配置を有する式(n)及びQlll
の化合物、又は5 ?、 、 6 S−配置を有する式
(財)の出発化合物を使用するのが好まし込。
しめる式(n) 、 (I[D及び(財)の出発物質、
特に、3旦、4旦−配置を有する式(n)及びQlll
の化合物、又は5 ?、 、 6 S−配置を有する式
(財)の出発化合物を使用するのが好まし込。
1個又は+M数個の官能器が保睦されている式(I)の
得られた化合物において、これらの基、例えば保護され
ているアミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基及び/又
はスルホ基は、場合によっては同時K又は段階的に、加
溶媒分解特に加水分解、アルコール分解もしくは酸分解
により、又は還元、特に水素化分解もしくは化学還元に
よシ、それ自体公知の方法によシ遊離せしめることがで
きる。
得られた化合物において、これらの基、例えば保護され
ているアミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基及び/又
はスルホ基は、場合によっては同時K又は段階的に、加
溶媒分解特に加水分解、アルコール分解もしくは酸分解
により、又は還元、特に水素化分解もしくは化学還元に
よシ、それ自体公知の方法によシ遊離せしめることがで
きる。
この発明に従って得られる保護されたアミン基を有する
式(1)の化合物において、この基はそれ自体公知の方
法により、例えば保護基の性質に応じて、好ましくは加
溶媒分解又は還元によル遊離アミノ基に転換することが
できる。例えば、2−ハロー低級アルコキシカル?ニル
アミノ(場合によっては2−ブロモ−低級アルコキシカ
ルビニルアミノ基を2−イオドー低級アルコキシカルボ
ニルアミノ基に転換した後)、アロイルメトキシカルボ
ニルアミノ又は4−ニトロペンシルオキシカルボニルア
ミノを、適当な化学社元剤、例えば適当なカルボン酸、
例えば酢酸水溶液の存在下での亜鉛で処理することによ
り、又はパラジウム触媒の存在下での水素を用いる触媒
反応によ、り1iLgせしめることができる。アロイル
メトキシカルボニルアミノは、求核性の、好ましくは−
を形成する試薬例えばナトリウムチオフェル〜トによる
処理によっても開裂せしめることができ、そして4−ニ
トロペンシルオキシカルボニルアミノは、アルカリ金属
ジチオナイト、例えばナトリウムジチオナイトによる処
理によっても開裂せしめることができる。場合によって
は置換されているベンジルオキシカルビニルアミノは、
例えは、水素化分解によシ、すなわち、適当な水素化1
i*1)4:、例えばパラジウム触媒の存在下で水素で
処理することによシ開裂せしめることができ、そしてア
リルオキシカルボニルアミノは、トリフェニルホスフィ
ンの存在下ノソラジウム化合物、例えばテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)−パラジウムと反応せしめ、そ
してカルがン酸、例えば2−エトキシヘキサン酸もしく
はその塩で処理することによシ開裂せしめることができ
る。有機シリル基又スタンニル基によシ保護されている
アミノ基は、例えば、加水分解又はアルコール分解によ
シ、そして2−ハロー低級アルカノイル、例えば2−ク
ロロアセチルによシ保護されているアミノ基は、塩基の
存在下チオ尿素により又はチオ尿素のチオレート塩、例
えばアルカリ金属チオレートによシ処理し、次に生成し
た縮合生成物を加舗媒分解、例えばアルコール分解又は
加水分解することによシ、遊離せしめることができる。
式(1)の化合物において、この基はそれ自体公知の方
法により、例えば保護基の性質に応じて、好ましくは加
溶媒分解又は還元によル遊離アミノ基に転換することが
できる。例えば、2−ハロー低級アルコキシカル?ニル
アミノ(場合によっては2−ブロモ−低級アルコキシカ
ルビニルアミノ基を2−イオドー低級アルコキシカルボ
ニルアミノ基に転換した後)、アロイルメトキシカルボ
ニルアミノ又は4−ニトロペンシルオキシカルボニルア
ミノを、適当な化学社元剤、例えば適当なカルボン酸、
例えば酢酸水溶液の存在下での亜鉛で処理することによ
り、又はパラジウム触媒の存在下での水素を用いる触媒
反応によ、り1iLgせしめることができる。アロイル
メトキシカルボニルアミノは、求核性の、好ましくは−
を形成する試薬例えばナトリウムチオフェル〜トによる
処理によっても開裂せしめることができ、そして4−ニ
トロペンシルオキシカルボニルアミノは、アルカリ金属
ジチオナイト、例えばナトリウムジチオナイトによる処
理によっても開裂せしめることができる。場合によって
は置換されているベンジルオキシカルビニルアミノは、
例えは、水素化分解によシ、すなわち、適当な水素化1
i*1)4:、例えばパラジウム触媒の存在下で水素で
処理することによシ開裂せしめることができ、そしてア
リルオキシカルボニルアミノは、トリフェニルホスフィ
ンの存在下ノソラジウム化合物、例えばテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)−パラジウムと反応せしめ、そ
してカルがン酸、例えば2−エトキシヘキサン酸もしく
はその塩で処理することによシ開裂せしめることができ
る。有機シリル基又スタンニル基によシ保護されている
アミノ基は、例えば、加水分解又はアルコール分解によ
シ、そして2−ハロー低級アルカノイル、例えば2−ク
ロロアセチルによシ保護されているアミノ基は、塩基の
存在下チオ尿素により又はチオ尿素のチオレート塩、例
えばアルカリ金属チオレートによシ処理し、次に生成し
た縮合生成物を加舗媒分解、例えばアルコール分解又は
加水分解することによシ、遊離せしめることができる。
2−置換シリルエトキシカルブニルによフ保趙されてい
るアミノ基は、マクロシフリックポリエーテル(クラウ
ンエーテル)の存在下弗素陰イオンを供する弗化水素酸
の塩、例えばアルカリ金属弗化物で処理することにより
、又は有機第四塩基の弗化物、例えばtert−低級ア
ルキルアンモニウムフルオリド、例えばテトラエチルア
ンモニウムフルオリドで処理することによシ、遊離アミ
ノ基に転換することができる。アジド又はニトロ基の形
の保護されたアミノ基は、例えば還元により、例えば、
水素化触媒、例えば酸化白金、パラジウムもしくはラネ
ーニッケルの存在下での水素を用いる触媒的水素化によ
り、又はr設、例えば酢酸の存在下での亜鉛による処理
によシ、遊離アミン基に転換することができる。フクリ
ミドの形で保護されているアミノ基は、ヒドラジンとの
反応により遊離アミン基に転換することができる。さら
に、アリールチオアミノ基は、求核性試薬、例えば亜燐
酸で処理することによジアミノ基に転換することができ
る。
るアミノ基は、マクロシフリックポリエーテル(クラウ
ンエーテル)の存在下弗素陰イオンを供する弗化水素酸
の塩、例えばアルカリ金属弗化物で処理することにより
、又は有機第四塩基の弗化物、例えばtert−低級ア
ルキルアンモニウムフルオリド、例えばテトラエチルア
ンモニウムフルオリドで処理することによシ、遊離アミ
ノ基に転換することができる。アジド又はニトロ基の形
の保護されたアミノ基は、例えば還元により、例えば、
水素化触媒、例えば酸化白金、パラジウムもしくはラネ
ーニッケルの存在下での水素を用いる触媒的水素化によ
り、又はr設、例えば酢酸の存在下での亜鉛による処理
によシ、遊離アミン基に転換することができる。フクリ
ミドの形で保護されているアミノ基は、ヒドラジンとの
反応により遊離アミン基に転換することができる。さら
に、アリールチオアミノ基は、求核性試薬、例えば亜燐
酸で処理することによジアミノ基に転換することができ
る。
R3が保護されたカルボキシ基であシそして/又は基R
4が置換基として保護されたカル号?キシ基を含有する
この発明の方法により待られる式(I)の化合物におい
て、このカルボキシル基を、それ自体公知の方法によシ
遊離せしめることができる。
4が置換基として保護されたカル号?キシ基を含有する
この発明の方法により待られる式(I)の化合物におい
て、このカルボキシル基を、それ自体公知の方法によシ
遊離せしめることができる。
すなわち、tert−低級アルコキシカルボニル、又は
2位においてトリ置換シリル基によシ、もしくは1位に
、15・いて低級アルコキシによシ置換された低級アル
コキシノフルH?ニル、又は場合によっては置換さ力、
ているジフェニルメトキシカルボニルは、fl、lえげ
、子―合によっては求核性化合物、例えばフェノール又
はアニソールを絡加して、カルボン酸、例えば蟻酸もし
くはトリフルオロ(II[酸によシ処理することにより
遊離カルボキシに転換することができる。場合によって
は置換されているベンジルオキシカルボニルは、例えば
水素化分解によυ、ずなわぢ金1山性水素化触媒、例え
ば・ぐラジウム触媒の着任下で水素で処理することによ
如しi4裂せしめることができる。さらに、3Vn当に
置i%−Jれたベンジルオキシカルボニル、flltハ
4−ニトロベンジル−オキシカルボニルは、化学的還元
によシ、例えばアルカリ金属ジチオナイト、例えばナト
リウムジチオナイトで処理することによシ、又は還元付
金属、例えば錫、もしくは還元性金ハ塩、例えはクロム
(It) JJ、 、例えば見化クロム(II)で処理
することにより、通常、金属と共に発生期の水素を生成
することができる水素発生剤、例えば濤尚なカルボン酸
、例えば場合によっては例えばヒドロ・■シによυ置換
式れている低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸、蟻酸
もしくはグリコールしり、又はアルコールもしくは千オ
ール(水を加えるのが好寸しい)の存在下で遊離カルボ
キシ基に転換することができる。アリル保厩基の除去は
、例えば・ トリフェニルホスフィンの存在下で、カル
ボンr12、例えば2−エチルヘキサン酸又はその塩を
派別して、・ぐラジウム化合物、例えばテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)−ハラジウムと反応せしめるこ
とにより行うことができる。上記のように趙九性金属又
は金属塩で処理することにより、2−ハロー低級アルコ
キシカ元ボニル(場合によっては2−ブロモ−低級アル
コキシカルゼニル基ヲ対応する2−イオドー低級アルコ
キシカルボニル基Kk換した後に)又はアロイルメトキ
シカルルを遊離力ルボギシに転換することができ、同(
、^にアロイルメトキシカルボニルを、求核性の好まし
くは塩形成塩、例えばナトリウムチオフエルレート又は
ヨウ化ナトリウムで処理することによシ開裂せしめるこ
とができる。置換された2−シリルエトキシカルボニル エーテル(クラウンエーテル)の存在下、都電tsイオ
ンを供する弗化水素酸の塩、例えばアルカリ金属の弗化
物、例えば弗化す) IJウムで処理することにより、
又は有機第四塩基のフルレオリド例えばデトラー低級ア
ルキルアンモニウムフルオリト9、例えばテトラブチル
アンモニウムフルオリドによっても遊離カルボキシに転
換することができる。
2位においてトリ置換シリル基によシ、もしくは1位に
、15・いて低級アルコキシによシ置換された低級アル
コキシノフルH?ニル、又は場合によっては置換さ力、
ているジフェニルメトキシカルボニルは、fl、lえげ
、子―合によっては求核性化合物、例えばフェノール又
はアニソールを絡加して、カルボン酸、例えば蟻酸もし
くはトリフルオロ(II[酸によシ処理することにより
遊離カルボキシに転換することができる。場合によって
は置換されているベンジルオキシカルボニルは、例えば
水素化分解によυ、ずなわぢ金1山性水素化触媒、例え
ば・ぐラジウム触媒の着任下で水素で処理することによ
如しi4裂せしめることができる。さらに、3Vn当に
置i%−Jれたベンジルオキシカルボニル、flltハ
4−ニトロベンジル−オキシカルボニルは、化学的還元
によシ、例えばアルカリ金属ジチオナイト、例えばナト
リウムジチオナイトで処理することによシ、又は還元付
金属、例えば錫、もしくは還元性金ハ塩、例えはクロム
(It) JJ、 、例えば見化クロム(II)で処理
することにより、通常、金属と共に発生期の水素を生成
することができる水素発生剤、例えば濤尚なカルボン酸
、例えば場合によっては例えばヒドロ・■シによυ置換
式れている低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸、蟻酸
もしくはグリコールしり、又はアルコールもしくは千オ
ール(水を加えるのが好寸しい)の存在下で遊離カルボ
キシ基に転換することができる。アリル保厩基の除去は
、例えば・ トリフェニルホスフィンの存在下で、カル
ボンr12、例えば2−エチルヘキサン酸又はその塩を
派別して、・ぐラジウム化合物、例えばテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)−ハラジウムと反応せしめるこ
とにより行うことができる。上記のように趙九性金属又
は金属塩で処理することにより、2−ハロー低級アルコ
キシカ元ボニル(場合によっては2−ブロモ−低級アル
コキシカルゼニル基ヲ対応する2−イオドー低級アルコ
キシカルボニル基Kk換した後に)又はアロイルメトキ
シカルルを遊離力ルボギシに転換することができ、同(
、^にアロイルメトキシカルボニルを、求核性の好まし
くは塩形成塩、例えばナトリウムチオフエルレート又は
ヨウ化ナトリウムで処理することによシ開裂せしめるこ
とができる。置換された2−シリルエトキシカルボニル エーテル(クラウンエーテル)の存在下、都電tsイオ
ンを供する弗化水素酸の塩、例えばアルカリ金属の弗化
物、例えば弗化す) IJウムで処理することにより、
又は有機第四塩基のフルレオリド例えばデトラー低級ア
ルキルアンモニウムフルオリト9、例えばテトラブチル
アンモニウムフルオリドによっても遊離カルボキシに転
換することができる。
有基シリル基又はスタンニル基、例えばト9ー低級アル
キルシリル又はトリー低級アルキルスタンニルによジエ
ステル化されたカルボキシは、通′帛の加溶媒分解によ
シ、例えば水又はアルコール処理することによシ遊離せ
しめることができる。
キルシリル又はトリー低級アルキルスタンニルによジエ
ステル化されたカルボキシは、通′帛の加溶媒分解によ
シ、例えば水又はアルコール処理することによシ遊離せ
しめることができる。
2位において低級アルキルスルホニル
によシf6換された低級アルコキシカル例えば、塩基性
試薬、例えばアルカリ金属又はアルカリ土類金鴎の水酸
化物又は炭酸塩、fl)えば水醒化ナトリウムもしくは
水酸化力1ノウム、又は炭酸ナトリウムもしくは炭酸カ
リウムで処理することによシ、遊離カルボキシに転換す
ることができる。
試薬、例えばアルカリ金属又はアルカリ土類金鴎の水酸
化物又は炭酸塩、fl)えば水醒化ナトリウムもしくは
水酸化力1ノウム、又は炭酸ナトリウムもしくは炭酸カ
リウムで処理することによシ、遊離カルボキシに転換す
ることができる。
R2 が保護されたヒドロキシ基であり、そして/又は
基R4 が盟換基として保倣ネわ,たヒドロキシ基を含
有するこの発明の方法により得らi]7る式(I)の化
合物において、保訛されだヒl”ロキシ基1はそれ自体
公知の方法によシ遊離ヒドロキ・ン基にlす;換するこ
とができる。例えば、適当なアシル基により、又は有機
シリル基もしくはスタンニルレス1;により保護された
ヒドロキシ基は、同林に保畝さね。
基R4 が盟換基として保倣ネわ,たヒドロキシ基を含
有するこの発明の方法により得らi]7る式(I)の化
合物において、保訛されだヒl”ロキシ基1はそれ自体
公知の方法によシ遊離ヒドロキ・ン基にlす;換するこ
とができる。例えば、適当なアシル基により、又は有機
シリル基もしくはスタンニルレス1;により保護された
ヒドロキシ基は、同林に保畝さね。
たアミノ基の場合と同様にして遊離せしめることができ
る。例えば、トリー低級アルキルシ1フル基ハ、テトラ
ブチルアンモニウムフ71, 71− JJド及び自1
酸によシ除去することができる。(このような条件下テ
ハ、トリ置換シリルエトキシによシ保護されたカルボキ
シ基は開裂しない。)2−ノ・ローイへ級アルギル基及
び場合によっては置換さtl.ているベンジル基は還元
により除去される。
る。例えば、トリー低級アルキルシ1フル基ハ、テトラ
ブチルアンモニウムフ71, 71− JJド及び自1
酸によシ除去することができる。(このような条件下テ
ハ、トリ置換シリルエトキシによシ保護されたカルボキ
シ基は開裂しない。)2−ノ・ローイへ級アルギル基及
び場合によっては置換さtl.ているベンジル基は還元
により除去される。
保護された特にエステル化されたスル4二基は、保護さ
れたカルボキシ基の場合と同様にして遊離せしめる。
れたカルボキシ基の場合と同様にして遊離せしめる。
イ[[シ方、R3がカルボキシである式(1)の化合物
を、R3が保菌されたカルボキシ基、特にエステル化カ
ル?ホシである式(1)の化合物に転換することもでき
る。すなわち、遊離カルボキシ基を、例えば、必要であ
ればルイス酸、例えば?ロントリフルオリドの存在下で
、適当なジアゾ化合物、例えばジアゾ−低級アルカン、
例えばジアゾメタン、又ハフェニルジアゾー低級アルカ
ン、例えばジフェニルジアゾメタンで処理することによ
シ、あるいはエステノー化剤、例えばカルボジイミド、
例えばジシクロへキシルカルボジイミド、及ヒカルボニ
ルジイミダゾールの存在下でエステル化のために適当な
アルコールと反応せしめることによジエステル化するこ
とができる。エステルはさらに、酸の塩(この塩は場合
によってはその場で製造される)をアルコールの反応性
エステル及び強無機酸、例えば硫酸、又は強有機スルホ
ン酸、例えば4−トルエンスルホン酸と反応せしめるこ
とによっても製造することができる。さらに、酸ハロケ
゛ン化物、例えば塩化物(例えば、オキザリルクロリド
による処理によって製造される)、活性化されたエステ
ル(例えば、N−ヒト“ロキシOy化合物、例えばN−
ヒドロキンザクシンイミドによシ形成される)、又は混
合無水物〔例えば、・・口蟻酸(halcformic
acid)低級アルギルエステル、例、tばクロロ蟻
酸エチルエステルもしくはクロロ蟻酸イソブチルエステ
ルによ)、又はハロ61酸ハライド、例工ばトリクロロ
アセチルクロリドにより得られる〕を、場合によっては
塩基、例えばビリノンの存在下で、アルコールと反応せ
しめることによってエステル化カルデキシ基に転換する
ことができる。
を、R3が保菌されたカルボキシ基、特にエステル化カ
ル?ホシである式(1)の化合物に転換することもでき
る。すなわち、遊離カルボキシ基を、例えば、必要であ
ればルイス酸、例えば?ロントリフルオリドの存在下で
、適当なジアゾ化合物、例えばジアゾ−低級アルカン、
例えばジアゾメタン、又ハフェニルジアゾー低級アルカ
ン、例えばジフェニルジアゾメタンで処理することによ
シ、あるいはエステノー化剤、例えばカルボジイミド、
例えばジシクロへキシルカルボジイミド、及ヒカルボニ
ルジイミダゾールの存在下でエステル化のために適当な
アルコールと反応せしめることによジエステル化するこ
とができる。エステルはさらに、酸の塩(この塩は場合
によってはその場で製造される)をアルコールの反応性
エステル及び強無機酸、例えば硫酸、又は強有機スルホ
ン酸、例えば4−トルエンスルホン酸と反応せしめるこ
とによっても製造することができる。さらに、酸ハロケ
゛ン化物、例えば塩化物(例えば、オキザリルクロリド
による処理によって製造される)、活性化されたエステ
ル(例えば、N−ヒト“ロキシOy化合物、例えばN−
ヒドロキンザクシンイミドによシ形成される)、又は混
合無水物〔例えば、・・口蟻酸(halcformic
acid)低級アルギルエステル、例、tばクロロ蟻
酸エチルエステルもしくはクロロ蟻酸イソブチルエステ
ルによ)、又はハロ61酸ハライド、例工ばトリクロロ
アセチルクロリドにより得られる〕を、場合によっては
塩基、例えばビリノンの存在下で、アルコールと反応せ
しめることによってエステル化カルデキシ基に転換する
ことができる。
エステル化力ルゼキシ基を有する式(I)の化合物にお
いて、この基は他のエステル化カルボキシ基に転換する
ことができ、例えば、2−クロロエトキシカルボニル又
は2−プロモエトキシ力ルゼニルは、ヨウ素の塩、例え
ばヨウ化ナトリウムで処理することによシ2−ヨウドエ
トキシカルボニルに転換することができる。さらに、エ
ステル化された形で保護されているカルボキシ基を有す
る式(1)の化合物において、カルボキシ保護基を上記
のようにして除去し、そして遊離のカルボキシ基を有す
る式(I)のイ17られた化合物又1dその塩を、対応
するアルコールの反応性エステルと反応せしめることに
より、R5が生理的条件下で開裂し得るエステル化カル
デキシ基である式(1)の化合物に転換することができ
る。
いて、この基は他のエステル化カルボキシ基に転換する
ことができ、例えば、2−クロロエトキシカルボニル又
は2−プロモエトキシ力ルゼニルは、ヨウ素の塩、例え
ばヨウ化ナトリウムで処理することによシ2−ヨウドエ
トキシカルボニルに転換することができる。さらに、エ
ステル化された形で保護されているカルボキシ基を有す
る式(1)の化合物において、カルボキシ保護基を上記
のようにして除去し、そして遊離のカルボキシ基を有す
る式(I)のイ17られた化合物又1dその塩を、対応
するアルコールの反応性エステルと反応せしめることに
より、R5が生理的条件下で開裂し得るエステル化カル
デキシ基である式(1)の化合物に転換することができ
る。
さらに、式(1)の化合物において、基R4を他の基R
4に転換することができる。
4に転換することができる。
す外わち、例えば、複素環基R4がカルぎキシ基で置換
されている式(1)の化合物において、このカルボキシ
基を、それ自体公知の方法により官能的に変性きれたカ
ルボキシ基、例えばエステル化きれたカルボキシ基又は
置換されている場合があるカルバモイルに転換すること
ができる。例えば、R4がカルぎキシによジ置換されて
いる複素環である式(1)の化合物をアルコール、特に
低級アルコールと反応ぜしめることによシ、R4がエス
テル化力A41シ基特に低級アルコキシカルボニルによ
ジ置換された複素環基である式(1)の化合物が得られ
、この操作は、適当な縮合剤、例えばカルボジイミドの
存在下で行い、あるいは共弗蒸留により生放水を除去す
るのが好ましい。他方、基R4中のカルボキシ基を反応
性官能誘4体、例えは’(Jts合無合物水物えば酸ハ
ロダン化物、又は活性化されたエステルに転換し、そし
てこれらを、アルコール、例えば低級アルコール、アン
モニア又t」、第一もしくは第三アミン、例えは低1級
アルキルアミン又はノー低級アルキルアミンと反応ぜし
めることによシ対応するエステル化又はアミド化カルボ
キシ基に転換することができ、混合舗水物を用いる場合
には酸結合剤、例えば芳香族アミンもしくは第三アミン
又はアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の炭酸塩の
存在下で操作を行う場合に好ましい。
されている式(1)の化合物において、このカルボキシ
基を、それ自体公知の方法により官能的に変性きれたカ
ルボキシ基、例えばエステル化きれたカルボキシ基又は
置換されている場合があるカルバモイルに転換すること
ができる。例えば、R4がカルぎキシによジ置換されて
いる複素環である式(1)の化合物をアルコール、特に
低級アルコールと反応ぜしめることによシ、R4がエス
テル化力A41シ基特に低級アルコキシカルボニルによ
ジ置換された複素環基である式(1)の化合物が得られ
、この操作は、適当な縮合剤、例えばカルボジイミドの
存在下で行い、あるいは共弗蒸留により生放水を除去す
るのが好ましい。他方、基R4中のカルボキシ基を反応
性官能誘4体、例えは’(Jts合無合物水物えば酸ハ
ロダン化物、又は活性化されたエステルに転換し、そし
てこれらを、アルコール、例えば低級アルコール、アン
モニア又t」、第一もしくは第三アミン、例えは低1級
アルキルアミン又はノー低級アルキルアミンと反応ぜし
めることによシ対応するエステル化又はアミド化カルボ
キシ基に転換することができ、混合舗水物を用いる場合
には酸結合剤、例えば芳香族アミンもしくは第三アミン
又はアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の炭酸塩の
存在下で操作を行う場合に好ましい。
ヘテロアリール基R4がヒドロキ77$を含有する場合
、この基は常法に従ってエーテル化することができる。
、この基は常法に従ってエーテル化することができる。
対応する低級アルキル−へテロアリールエーテルを形成
する反応は、例えば、塩基、例えばアルカリ金属の水酸
化物又は炭酸塩、例えば水素化ナトリウム又は炭酸カリ
ウムの存在下で、ジー低級アルキルザルフェート又は低
級アルキルハライドによシ、又はジアゾ−低級アルヵン
ニょシ、あるいは、脱水剤、例えばジシクロへキシルカ
ル?ジイミドの存在下、低級アルカノールにょシ行うこ
とができる。さらに、ヒドロキシは、例えば、対応する
低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸の反応性誘導体、
例えば核酸の無水物、例えばその対称無水物、又はハロ
ダン化水素酸との混合無水物との反応によシ、所望によ
シ塩基性縮合剤、例えばアルカリ金属の水酸化物もしく
は炭酸塩、又は屋素塩基、例えばピリジンの存在下で、
エステル化されたヒドロキシ、例えば低級アルカノイル
オキシに転換することができる。低級アルカノイルオキ
シのヒドロキシへの転換は、例、tば、アルコール分解
、又は好ましくは加水分解、例えば塩基に触媒される加
水分解によシ、例えば水酸化ナトリウムの住仕下で行う
。
する反応は、例えば、塩基、例えばアルカリ金属の水酸
化物又は炭酸塩、例えば水素化ナトリウム又は炭酸カリ
ウムの存在下で、ジー低級アルキルザルフェート又は低
級アルキルハライドによシ、又はジアゾ−低級アルヵン
ニょシ、あるいは、脱水剤、例えばジシクロへキシルカ
ル?ジイミドの存在下、低級アルカノールにょシ行うこ
とができる。さらに、ヒドロキシは、例えば、対応する
低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸の反応性誘導体、
例えば核酸の無水物、例えばその対称無水物、又はハロ
ダン化水素酸との混合無水物との反応によシ、所望によ
シ塩基性縮合剤、例えばアルカリ金属の水酸化物もしく
は炭酸塩、又は屋素塩基、例えばピリジンの存在下で、
エステル化されたヒドロキシ、例えば低級アルカノイル
オキシに転換することができる。低級アルカノイルオキ
シのヒドロキシへの転換は、例、tば、アルコール分解
、又は好ましくは加水分解、例えば塩基に触媒される加
水分解によシ、例えば水酸化ナトリウムの住仕下で行う
。
R4がアミノによシ置換されたネd素環基である式(1
)の化合物において、アミノ基を置換されたアミノ基、
例えば低級アルキルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、
低級アルキレンアミノ又は低級アルカノイルアミノ基に
転換することができる。低級アルキルアミノ又はノー低
級アルキルアミノ基への転換は、例えば、反応性エステ
ル化低級アルカノール、例えば低級アルキルハライド又
はスルホネートと反応せしめることによシ、塩基性縮合
剤、例えばアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の水
酸化物もしくは炭酸塩、又dヘテロ芳香族窒素塩基、例
えばピリジンの存仕下で行う。争同様にして、アミノを
、低級アルキレンシバライド又はジスルホネートで処理
することによジ低級アルキレンアミノに、そして低級ア
ルカンカルボン酸の反応性官能銹導体、例えば対応する
カルボン酸ハライドで処理することによジ低級アルカノ
イルアミノに転換することができる。
)の化合物において、アミノ基を置換されたアミノ基、
例えば低級アルキルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、
低級アルキレンアミノ又は低級アルカノイルアミノ基に
転換することができる。低級アルキルアミノ又はノー低
級アルキルアミノ基への転換は、例えば、反応性エステ
ル化低級アルカノール、例えば低級アルキルハライド又
はスルホネートと反応せしめることによシ、塩基性縮合
剤、例えばアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の水
酸化物もしくは炭酸塩、又dヘテロ芳香族窒素塩基、例
えばピリジンの存仕下で行う。争同様にして、アミノを
、低級アルキレンシバライド又はジスルホネートで処理
することによジ低級アルキレンアミノに、そして低級ア
ルカンカルボン酸の反応性官能銹導体、例えば対応する
カルボン酸ハライドで処理することによジ低級アルカノ
イルアミノに転換することができる。
酸形成基を有する式(1)の化合物のノ逓は、それ自体
公知の方法によシ製造することができる。すなわち、遊
陥カルボキシ基を有する式(1)の化合物の塩は、例え
ば、金属化合物、例えば適当な有機カルボン酸のアルカ
リ金属塩、例えばα−エチルカプロン酸のナトリウム塩
で処理することにょシ、又はIP、枦アルカリ金属もし
くはアルカリ土類金属塩、例えば炭酸水素ナトリウムで
処理することによシ、又はアンモニアもしくは適当な有
機アミンで処理することによ多形成することができ、こ
の場合、理論量又はわずかに過剰量の塩形成剤を使用す
るのが好ましい。式(1)の化合物の酸付加塩は、常法
に従って、例えば適当な酸又は適当な陰イオン交換剤で
処理することによシ得られる。式(1)の化合物の内部
地は、例えば、塩、例えば酸付加塩を、例えば弱塩基に
よシ、又はイオン交換体で処理することによって等電点
まで中和することによ多形成することができる。
公知の方法によシ製造することができる。すなわち、遊
陥カルボキシ基を有する式(1)の化合物の塩は、例え
ば、金属化合物、例えば適当な有機カルボン酸のアルカ
リ金属塩、例えばα−エチルカプロン酸のナトリウム塩
で処理することにょシ、又はIP、枦アルカリ金属もし
くはアルカリ土類金属塩、例えば炭酸水素ナトリウムで
処理することによシ、又はアンモニアもしくは適当な有
機アミンで処理することによ多形成することができ、こ
の場合、理論量又はわずかに過剰量の塩形成剤を使用す
るのが好ましい。式(1)の化合物の酸付加塩は、常法
に従って、例えば適当な酸又は適当な陰イオン交換剤で
処理することによシ得られる。式(1)の化合物の内部
地は、例えば、塩、例えば酸付加塩を、例えば弱塩基に
よシ、又はイオン交換体で処理することによって等電点
まで中和することによ多形成することができる。
塩は常法に従って遊離化合物に転換することができる。
金属塩又はアンモニウム塩は例えば適当な酸で処理する
ことによシ、そして酸付加塩は例えば適当な塩基性剤で
処理することによシ遊離化合物に転換することができる
。
ことによシ、そして酸付加塩は例えば適当な塩基性剤で
処理することによシ遊離化合物に転換することができる
。
得られた異性体の混合物は、それ自体公知の方法に従っ
て個々の異性体に分離することができる。
て個々の異性体に分離することができる。
ジアステレオマー異性体の混合物は、例えば分別蒸留、
吸着クロマトグラフィー(カラムクロマトグラフィー又
は薄層クロマトグラフィー)、又は他の適当な分離法に
よシ分離することができる。
吸着クロマトグラフィー(カラムクロマトグラフィー又
は薄層クロマトグラフィー)、又は他の適当な分離法に
よシ分離することができる。
得られたラセミ体の光学対掌体への分割はυ々の方法に
より行うことができる。
より行うことができる。
これらの方法の1つはラセミ体をブじ生活性補助剤と反
応せしめ、生成した2種のジアステレオマー化合物の混
合物を適当な物理化♀的方法によ・り分離し、そして次
に個々のジアステレオ化合物を光学活性化合物に開裂せ
しめる。
応せしめ、生成した2種のジアステレオマー化合物の混
合物を適当な物理化♀的方法によ・り分離し、そして次
に個々のジアステレオ化合物を光学活性化合物に開裂せ
しめる。
対掌体に分離するのに特に適当なラセミ体は酸性基を含
有するもの、例えばR3がカルボキシである式(1)の
化合物のラセミ体である。これらの1投性ラセミ体を光
学活性塩基、例えば光学活性アミノ酸のエステル、又は
←)−ブルシン、←)−キニジン、←)−キニジン、(
ト)−シンコニン、(ト)−デヒドロアビニチルアミン
、←)−及ヒ←)−エフェドリン、←)−及ヒ←)−1
−フェニルエチルアミン、又はこれらのN−モノ−もし
くはN、N−ジ−アルキル化誘導体と反応ぜしめること
により2種のジアステレオマー塩から斂る混合物を生成
せしめることができる。
有するもの、例えばR3がカルボキシである式(1)の
化合物のラセミ体である。これらの1投性ラセミ体を光
学活性塩基、例えば光学活性アミノ酸のエステル、又は
←)−ブルシン、←)−キニジン、←)−キニジン、(
ト)−シンコニン、(ト)−デヒドロアビニチルアミン
、←)−及ヒ←)−エフェドリン、←)−及ヒ←)−1
−フェニルエチルアミン、又はこれらのN−モノ−もし
くはN、N−ジ−アルキル化誘導体と反応ぜしめること
により2種のジアステレオマー塩から斂る混合物を生成
せしめることができる。
カルボキシ基を含有するラセミ体において、このカルボ
キシ基は光学的活性アルコール、例えば←)−メントー
ル、(ト)−一?ルネオール、(−1−14は(→−2
−オクタツールによシすでにエステル化されていてもよ
く、あるいはニスデル化してもよい。
キシ基は光学的活性アルコール、例えば←)−メントー
ル、(ト)−一?ルネオール、(−1−14は(→−2
−オクタツールによシすでにエステル化されていてもよ
く、あるいはニスデル化してもよい。
その後所望のノアステレオマ−の分熱を行い、カルボキ
シ基を遊離せしめる。
シ基を遊離せしめる。
ラセミ体の分離のために、ヒドロキシ基を光学活性酸又
はその反応性官能誘導体によジエステル化し、ジアステ
レオマーエステルを形成することもできる。このような
酸は、例えば←)−アビエチン酸、D(ト)−及UL<
→−リンコ8酸、N−アシル化光学活付アミノ酸、(ト
)−及び(→−カンファン酸、(1)−及び(→−ケト
ビン酸、L←)−アスコルビン酸、(ト)−樟IM、(
−1−3−カンファー−10−スルホン酸イ、(→−又
ハ←)−α−ブロモカンファー−π−スルホンi、D(
−)−キニン酸、D←)−インアスコルビン酸、D(−
)−及びL(ト)−マンデル酸、(+1−1−メトキシ
酢酸、D(−)−及びL(ト)−酒石酸並びにこれらの
ジー〇−ベンゾイル誘導体及びジー0−p−トルイル誘
導体である。
はその反応性官能誘導体によジエステル化し、ジアステ
レオマーエステルを形成することもできる。このような
酸は、例えば←)−アビエチン酸、D(ト)−及UL<
→−リンコ8酸、N−アシル化光学活付アミノ酸、(ト
)−及び(→−カンファン酸、(1)−及び(→−ケト
ビン酸、L←)−アスコルビン酸、(ト)−樟IM、(
−1−3−カンファー−10−スルホン酸イ、(→−又
ハ←)−α−ブロモカンファー−π−スルホンi、D(
−)−キニン酸、D←)−インアスコルビン酸、D(−
)−及びL(ト)−マンデル酸、(+1−1−メトキシ
酢酸、D(−)−及びL(ト)−酒石酸並びにこれらの
ジー〇−ベンゾイル誘導体及びジー0−p−トルイル誘
導体である。
光学活性イソシアナート、例えば(ト)−又は←)−1
−フェニルエチルイソシアナートとの反応によシ、R3
が保訛されたカルボキシでありそしてR2がヒドロキシ
である式(1)の化合物をノアステレオマ−ウレタンの
混合物に転換することができる。
−フェニルエチルイソシアナートとの反応によシ、R3
が保訛されたカルボキシでありそしてR2がヒドロキシ
である式(1)の化合物をノアステレオマ−ウレタンの
混合物に転換することができる。
塩基性ラセミ体、例えばR4がアミンによ多置換されて
いる式(1)の化合物は、すでに記載した光学活性酸と
ノアステレオマ−塩を形成することができる。
いる式(1)の化合物は、すでに記載した光学活性酸と
ノアステレオマ−塩を形成することができる。
分離されたジアステレオマーの式(1)の光学活性化合
物への開裂も又、常用の方法に行って行う。
物への開裂も又、常用の方法に行って行う。
例えばり(は塩基を、最初に使用したものよシ強い酸又
は塩基で処理することによシ、塩から遊離せしめる。所
望の光学活性化合物は、例えばアルカリ加水分解の後又
は水素化錯体例えばリチウムアルミニウムヒドリドで還
元りだ後、エステル又はウレタンから得られる。
は塩基で処理することによシ、塩から遊離せしめる。所
望の光学活性化合物は、例えばアルカリ加水分解の後又
は水素化錯体例えばリチウムアルミニウムヒドリドで還
元りだ後、エステル又はウレタンから得られる。
ラセミ体を分離するための前記以外の方法は、光学活性
化合物、例えば蔗糖上でのクラマドグラフィーを含む。
化合物、例えば蔗糖上でのクラマドグラフィーを含む。
第3の方法によれば、ラセミ体を光学活性溶剤に溶解し
、そしてよシ溶解性の少ない光学活性対掌体を結晶化す
ることができる。
、そしてよシ溶解性の少ない光学活性対掌体を結晶化す
ることができる。
第4の方法は、生物学的材料、例えば微生物又は分1’
71された酵素に関する光学対掌体の反応性の相異を利
用する。
71された酵素に関する光学対掌体の反応性の相異を利
用する。
第5の方法によれば、ラセミ体を溶解し、そして上記の
いずれかの方法によって得られた光学活性生成物の少量
を加えることによシ光学対掌体の一方を結晶化する。
いずれかの方法によって得られた光学活性生成物の少量
を加えることによシ光学対掌体の一方を結晶化する。
ノアステレオマ−の個々のラセミ体への分離及びそのラ
セミ体の光学対掌体への分離はこの発明の方法の任意の
段階において行うことができる。
セミ体の光学対掌体への分離はこの発明の方法の任意の
段階において行うことができる。
すなわち、式(n)〜(IV)の出発物質の段階で行う
こともでき、又は式(Il)〜(財)の出発物質の後記
の製造方法の任意の段階において行うこともできる。
こともでき、又は式(Il)〜(財)の出発物質の後記
の製造方法の任意の段階において行うこともできる。
式(1)の得られた化合物のその後のすべての転換拠お
いて、それらの反応は中性、塩基性又は弱酸性条件下で
行うのが好ましい。
いて、それらの反応は中性、塩基性又は弱酸性条件下で
行うのが好ましい。
この方法はさらに、中間体として生成した化合物を出発
物質として使用して残シの工程を行い、又は工程を任意
の段階で中止する7g444をも含む。
物質として使用して残シの工程を行い、又は工程を任意
の段階で中止する7g444をも含む。
さらに、出発物質を誘導体の形で使用する仁とができ、
又場合によっては反応条件下でその場で生成せしめるこ
ともできる。例えば、2が酸素である式(II)の出発
物質は、後記のごとく、Zが場合によっては置換されて
いるメチリデン基である式(II)の化合物から、後記
の方法(段階3.3)と同様に、オゾン化及び生成した
オシニドのその次の段階での還元によルその場で製造し
、その後で、この反応溶液中で式(1)の化合物の環化
を行うことができる。
又場合によっては反応条件下でその場で生成せしめるこ
ともできる。例えば、2が酸素である式(II)の出発
物質は、後記のごとく、Zが場合によっては置換されて
いるメチリデン基である式(II)の化合物から、後記
の方法(段階3.3)と同様に、オゾン化及び生成した
オシニドのその次の段階での還元によルその場で製造し
、その後で、この反応溶液中で式(1)の化合物の環化
を行うことができる。
式(1) 、 ([V)及び(Vlの出発物質、並びに
その前駆体は反応方式(1) 、 (n)及び(ト)に
示すようにして製造することができる。
その前駆体は反応方式(1) 、 (n)及び(ト)に
示すようにして製造することができる。
以下余白
匡
哨式(Vつ、(ν1.(■ン及び(■′)の化合物に
おいて、Z′は1ム硫黄、又は場合によっては1個又は
2個の置換基Yにより置換されておシ、そして1化によ
りオキソ4iZに転換することができるメチリデン基で
ある。このメチリデン基の置換基Yは、有機基、例えば
場合によっては置俣名第1.ている低級アルキル基、例
えばメチルもしくはエチル、シクロアルキル、例えばシ
クロペンチルもしくはシクロヘギシル、フェニルもしく
はフェニル低級アルキル、例えばベンジル、又は荷にエ
ステル化カルボキシ基、例えばブら字曲性アルコール・
haえば1−メントールによジエステル化されたカルボ
キシ基、例えば場合によっては置換もれている低級アル
コキシカルボニルもしくはR3に関して舶載したアリー
ルメトキシカルボニル基、父は1−メンチルオキシカル
ボニルでめる。メチリデン基2/は好ましくは上記の置
換基の1つを担持する。特に、メトキシカルボニルメチ
リデン、エトキシカルがニルメチリデン及び1−メンチ
ルオキシカルボニルメチリデン 者は、式(V’) 、(口)、 (liili)及び(
■′)のり七字曲4」゛化合物の製造に使用することが
できる。
哨式(Vつ、(ν1.(■ン及び(■′)の化合物に
おいて、Z′は1ム硫黄、又は場合によっては1個又は
2個の置換基Yにより置換されておシ、そして1化によ
りオキソ4iZに転換することができるメチリデン基で
ある。このメチリデン基の置換基Yは、有機基、例えば
場合によっては置俣名第1.ている低級アルキル基、例
えばメチルもしくはエチル、シクロアルキル、例えばシ
クロペンチルもしくはシクロヘギシル、フェニルもしく
はフェニル低級アルキル、例えばベンジル、又は荷にエ
ステル化カルボキシ基、例えばブら字曲性アルコール・
haえば1−メントールによジエステル化されたカルボ
キシ基、例えば場合によっては置換もれている低級アル
コキシカルボニルもしくはR3に関して舶載したアリー
ルメトキシカルボニル基、父は1−メンチルオキシカル
ボニルでめる。メチリデン基2/は好ましくは上記の置
換基の1つを担持する。特に、メトキシカルボニルメチ
リデン、エトキシカルがニルメチリデン及び1−メンチ
ルオキシカルボニルメチリデン 者は、式(V’) 、(口)、 (liili)及び(
■′)のり七字曲4」゛化合物の製造に使用することが
できる。
式(V’) 、 (Vl番,01)及び(11つの化合
物Gこ訃いて、Rは基−SR又は反応性エステル化ヒド
ロキシ基4 Qである。
物Gこ訃いて、Rは基−SR又は反応性エステル化ヒド
ロキシ基4 Qである。
式(V′)〜(財)及び(n′)の化合物において、基
R2は、好ましくは上記のように’I;Ig j+曵を
itたヒドロキ7基の1つ、例えば場合によっては拘−
侯さレテいる1−ブエニルー低級アルコキシ、e tc
よっては置mlれているフェニル−低級アルコキシカル
ゼニルオキシ、又はトリ廊換草ノtプこシ1ノルオキシ
基である。
R2は、好ましくは上記のように’I;Ig j+曵を
itたヒドロキ7基の1つ、例えば場合によっては拘−
侯さレテいる1−ブエニルー低級アルコキシ、e tc
よっては置mlれているフェニル−低級アルコキシカル
ゼニルオキシ、又はトリ廊換草ノtプこシ1ノルオキシ
基である。
以下余白
段階1.1
式(V′)のチオアゼチジノンは、Wが離係性(nue
leofugal )脱離基である式(Vl)の4−W
−アゼチジノンを次の式 %式%( で表わされるメルカプト化合物又はその塩、例えばアル
カリ金属塩、例えばナトリウム塩もしくはカリウム塩で
処理し、そして所望によシR2がヒドロキシである式(
Vつの得られた化合物中のヒドロキシを保穫されたヒド
ロキンに転換することにより得られる。
leofugal )脱離基である式(Vl)の4−W
−アゼチジノンを次の式 %式%( で表わされるメルカプト化合物又はその塩、例えばアル
カリ金属塩、例えばナトリウム塩もしくはカリウム塩で
処理し、そして所望によシR2がヒドロキシである式(
Vつの得られた化合物中のヒドロキシを保穫されたヒド
ロキンに転換することにより得られる。
式(VDの出発物質中の離係性脱離基Wは、求核性基
R5−(cH2 )m−c(=zつーS−によジ1直換
さfl得る基である。このような基Wは、例えはアシロ
キシ基、Roが有機基であるスルホニル基R。−SO2
− 、アット、又はー・ログンである。
さfl得る基である。このような基Wは、例えはアシロ
キシ基、Roが有機基であるスルホニル基R。−SO2
− 、アット、又はー・ログンである。
アシロキシ基Wにおいてアシルは、例えハ、、有機カル
ボン酸、例えば光学活性カルボン酸の基でろり、そして
例えば低級アルカノイル、例えはアセチルもしくはゾロ
ビオニル、場合によっては置恨されているベンゾイル、
例えはベンゾイルもしく[2,’4ージニトロベンゾイ
ル、フェニルイ氏級カルカッイル、例えばフェニルアセ
チル、又は前記の光学活性酸のいずれかのアシル基であ
る。スルホニル基R。−S02−中のR。は、例えし」
、、場合によってはヒドロキシにより置換されている低
級アルキル、例えばメチル、エチルもしくは2−ヒドロ
キシエチル、そしてさらに対応して置換された)自学活
性低級アルキル、例えは(2旦)−もしくは(2S)−
1− ヒドロキシゾロブー2−イル、)’(= 9’
1占注基例えばカンフォリルによυ直戻されたメチル、
又はベンジル、場合VCよってvs in vy+され
ているフェニル、?lltハフェニル、4−プaモフェ
ニルモしくは4−メチルフェニルである。−・ロケ゛ン
基Wは、例えば臭素、ヨウ素、又は9fに墳素である。
ボン酸、例えば光学活性カルボン酸の基でろり、そして
例えば低級アルカノイル、例えはアセチルもしくはゾロ
ビオニル、場合によっては置恨されているベンゾイル、
例えはベンゾイルもしく[2,’4ージニトロベンゾイ
ル、フェニルイ氏級カルカッイル、例えばフェニルアセ
チル、又は前記の光学活性酸のいずれかのアシル基であ
る。スルホニル基R。−S02−中のR。は、例えし」
、、場合によってはヒドロキシにより置換されている低
級アルキル、例えばメチル、エチルもしくは2−ヒドロ
キシエチル、そしてさらに対応して置換された)自学活
性低級アルキル、例えは(2旦)−もしくは(2S)−
1− ヒドロキシゾロブー2−イル、)’(= 9’
1占注基例えばカンフォリルによυ直戻されたメチル、
又はベンジル、場合VCよってvs in vy+され
ているフェニル、?lltハフェニル、4−プaモフェ
ニルモしくは4−メチルフェニルである。−・ロケ゛ン
基Wは、例えば臭素、ヨウ素、又は9fに墳素である。
Wは好ましくはメチル−もしくは2−ヒドロキシエチル
−スルホニル、アセトキシ、又は均素である。求核性置
換は、中性又は弱塩基性集注下で、水、及び場合によっ
ては水混和性有機溶創の右−往下で行うことができる。
−スルホニル、アセトキシ、又は均素である。求核性置
換は、中性又は弱塩基性集注下で、水、及び場合によっ
ては水混和性有機溶創の右−往下で行うことができる。
塩基性条件は、例えば、鐸機塩基、例えばアルカリ金属
又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素
塩、例えばナトリウム、カリウム又はカルシウムの水酸
化物、炭酸塩又は炭酸水素塩の添加により得られる。有
機浴剤として例えば、水混和性アルコール、例えば低級
アルカノール、例えばメタノール又はエタノール、ケト
ン、例えば低級アルカノン、例えはアセトン、アミド、
例えば低級アルカンカルボン酸アミド、例えばツメチル
ホルムアミド、アセトニトリル、及びこれらvc類する
ものを使用することができる。反応は通常至温において
行うが、それより篩部又は低温において行うこともでき
る。
又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素
塩、例えばナトリウム、カリウム又はカルシウムの水酸
化物、炭酸塩又は炭酸水素塩の添加により得られる。有
機浴剤として例えば、水混和性アルコール、例えば低級
アルカノール、例えばメタノール又はエタノール、ケト
ン、例えば低級アルカノン、例えはアセトン、アミド、
例えば低級アルカンカルボン酸アミド、例えばツメチル
ホルムアミド、アセトニトリル、及びこれらvc類する
ものを使用することができる。反応は通常至温において
行うが、それより篩部又は低温において行うこともでき
る。
ヨウ化水素酸又はチオシアン酸の塩、例えはアルカリ金
鵡塙、例えはす) IJウム塩の添加により反応全促進
することができる。
鵡塙、例えはす) IJウム塩の添加により反応全促進
することができる。
反応においては、式σ1)の光学的に不活性なyy。
−もしくはLΣ72−化合物及びその混合物、又は対応
する光学油性化@、 ′$1j1.使用することができ
る。導入される基R5−(CH2)m−C(=Zつ−8
−1ユ、Wが基(R1,R2)CT(−に対してニー位
にあるかトランス−位にあるかにかかわらず、基(R4
,R2)CH−によシ選択的にトランス−位に向けられ
る。トランス−異性体が支配的に生成するが、場合によ
ってはヱヱI異性体も分F41jされる。72−及びト
ランス−異性体の分離に、常法に従って、特にクロマト
グラフィー及び/又Fi結晶化Vこより1前記のように
して行う。
する光学油性化@、 ′$1j1.使用することができ
る。導入される基R5−(CH2)m−C(=Zつ−8
−1ユ、Wが基(R1,R2)CT(−に対してニー位
にあるかトランス−位にあるかにかかわらず、基(R4
,R2)CH−によシ選択的にトランス−位に向けられ
る。トランス−異性体が支配的に生成するが、場合によ
ってはヱヱI異性体も分F41jされる。72−及びト
ランス−異性体の分離に、常法に従って、特にクロマト
グラフィー及び/又Fi結晶化Vこより1前記のように
して行う。
これに続くメチリデン基2′のメゾン化O′よ後記のよ
うにして行うことができる。得られた式(V′)のラセ
ミ体は光学活性化合物に分離することができる。R2B
!ひWがそれぞれアセトキンであり、そしてR1が水素
である成苗)のアセチジノンは独目出iM公開第295
0898号に記載さノtている。
うにして行うことができる。得られた式(V′)のラセ
ミ体は光学活性化合物に分離することができる。R2B
!ひWがそれぞれアセトキンであり、そしてR1が水素
である成苗)のアセチジノンは独目出iM公開第295
0898号に記載さノtている。
式(1’l)のそのほかのアセチジノンはそれ自体公知
の方法によシ、例えば式(R1,Ft2)CH−C旧C
f1−Wのビニルエステル全クロロスルホニルイソシア
ネートと反応せしめ、そして生成したシクロアダクト全
還元剤、例えば亜硫酸す・斗すウムと反L6せしめ□る
ことにより製造することができる。この合成eこおいて
、通常Z五−及びLL乙五−異性体の混合物が得られ、
これを、例えばクロマトグラフィー及び/又は結晶化又
は蒸留により純粋な72−又はトランス−異性体に分離
することができる。例えは、式(vI)の化合物のアシ
ロキシ基W中のアシルが光学活性−に由来する場合、i
開枠なlヱー及びLΣZヱー異性体はラセミ体の形で存
在し、そしてこれ全光学対掌体に分離することができる
。式(VDの化合物、特Qこその光学活性形は、仮配の
反応方式(n)及びOIの方法によっても製造すること
ができる。
の方法によシ、例えば式(R1,Ft2)CH−C旧C
f1−Wのビニルエステル全クロロスルホニルイソシア
ネートと反応せしめ、そして生成したシクロアダクト全
還元剤、例えば亜硫酸す・斗すウムと反L6せしめ□る
ことにより製造することができる。この合成eこおいて
、通常Z五−及びLL乙五−異性体の混合物が得られ、
これを、例えばクロマトグラフィー及び/又は結晶化又
は蒸留により純粋な72−又はトランス−異性体に分離
することができる。例えは、式(vI)の化合物のアシ
ロキシ基W中のアシルが光学活性−に由来する場合、i
開枠なlヱー及びLΣZヱー異性体はラセミ体の形で存
在し、そしてこれ全光学対掌体に分離することができる
。式(VDの化合物、特Qこその光学活性形は、仮配の
反応方式(n)及びOIの方法によっても製造すること
ができる。
R僅工1
弐〇’l[lのα−ヒドロキシカル−ずン師化合物ハ式
(V′)の化合物を、式oHe−R′3のグリオキシル
酸化合物、又はその適当な1誘導体、例えば水和物、半
水和物又はセミアセタール、例えは低級アルカノール例
えはメタノールもしくはエタノールとのセミアセタール
と反L6せしめ、そして所望により、R2がヒドロキシ
である式(rlDの得られた化合物中のヒドロキシを保
獲されたヒドロキシに転換することによシ得られる。
(V′)の化合物を、式oHe−R′3のグリオキシル
酸化合物、又はその適当な1誘導体、例えば水和物、半
水和物又はセミアセタール、例えは低級アルカノール例
えはメタノールもしくはエタノールとのセミアセタール
と反L6せしめ、そして所望により、R2がヒドロキシ
である式(rlDの得られた化合物中のヒドロキシを保
獲されたヒドロキシに転換することによシ得られる。
通常、式(vlDの化合物は、2種の異性体(基〉CH
IVVvOH&’(関して)の混合物の形でイ尋られる
。しかしながら、その純粋な異性体に分離することもで
きる。
IVVvOH&’(関して)の混合物の形でイ尋られる
。しかしながら、その純粋な異性体に分離することもで
きる。
ラクタム環の窒素原子へのグリオキル醒エステルの付加
は、室温において、又は必要であれは例えば約100℃
以下に加熱しながら、そして真の縮合剤の不存在下でそ
して/又は月の形成を伴わないで行われる。グリオキシ
ル酸化合物の水和物を使用する場合には水が生成し、こ
の水は、必要があれば蒸留、例えば共沸蒸留により、又
は314当な脱水剤、例えは分子篩により防そする。こ
の操作は、適当な溶剤、例えはジオキーリ゛ン、トルエ
ンモジくはジメチルホルムアミド、又は溶剤混合物の存
在下で、所望により又は必要的に、不活性気体、例えば
望素雰囲気中で行うのが好ましいO反応において、式(
Vつの光学的Qこ油性な一乙ヱーもしくはトランス−化
合物及びその混合物、又は対応する光学活性化合物を使
用することができる。
は、室温において、又は必要であれは例えば約100℃
以下に加熱しながら、そして真の縮合剤の不存在下でそ
して/又は月の形成を伴わないで行われる。グリオキシ
ル酸化合物の水和物を使用する場合には水が生成し、こ
の水は、必要があれば蒸留、例えば共沸蒸留により、又
は314当な脱水剤、例えは分子篩により防そする。こ
の操作は、適当な溶剤、例えはジオキーリ゛ン、トルエ
ンモジくはジメチルホルムアミド、又は溶剤混合物の存
在下で、所望により又は必要的に、不活性気体、例えば
望素雰囲気中で行うのが好ましいO反応において、式(
Vつの光学的Qこ油性な一乙ヱーもしくはトランス−化
合物及びその混合物、又は対応する光学活性化合物を使
用することができる。
得られた式(11IDのラセミ体は、光学活性化合物に
分離することができる。
分離することができる。
匡亘1ユ
Xoが反応性エステル化ヒドロキシ基、特にハロケ゛ン
又ハ有機スルホニルオキシである式幡の化合物は、式(
1″IDの化合物中の第二ヒトaキシ基金反応性エステ
ル化ヒドロキシ基、特にハロゲン、例えば塩紫もしくは
臭素、又は有機スルホニルオキシ基、例えは低級アルカ
ンスルホニルオキシ、例エバメタンスルホニルオキシ、
又はアレンスルホニルオキシ、例えはベンゼン−もしく
は4−メチルベンゼン−スルホニルオキシに転換するコ
トニより製造される。
又ハ有機スルホニルオキシである式幡の化合物は、式(
1″IDの化合物中の第二ヒトaキシ基金反応性エステ
ル化ヒドロキシ基、特にハロゲン、例えば塩紫もしくは
臭素、又は有機スルホニルオキシ基、例えは低級アルカ
ンスルホニルオキシ、例エバメタンスルホニルオキシ、
又はアレンスルホニルオキシ、例えはベンゼン−もしく
は4−メチルベンゼン−スルホニルオキシに転換するコ
トニより製造される。
弐〜ルの出発化合物において、R2は保護されたヒドロ
キシ基であることが好ましい。
キシ基であることが好ましい。
式暢の化合物は、異性体(基〉C市内X。に関して)の
混合物の形で、又は純粋な異性体の形で得られる。
混合物の形で、又は純粋な異性体の形で得られる。
上記の反応は、適当なエステル化剤、例えばチオニルハ
ライド、例えばクロライド、オキシハロダン化燐、特に
オキシ塩化燐、−・ロホスホニウムハライド、例えばト
リフェこルホスホノージブロミドもしくは一シイオシド
、又は適当な有就スルホン酸ハライド、例えばクロライ
ドで処理することによυ、好ましくは塩基性剤、特に有
義塩基件剤、例えば脂肪族第三アミン、例えばトリエチ
ルアミン、ジイソゾロビルエチルアミンもしくは、[ホ
リスチレンヒューニツヒ([−1sunig) 塩4−
又はピリジンタイプの複累環塩基、例えはビリノンも
しくはコリノンの存在下で行う。セ1z作r、i:、過
当な溶剤、例えはジオキサンもしくはテトラヒドロフラ
ン、又は溶剤混合物の存在下で、必苅があitば冷却し
ながら、そして/又は不活性気体、例えば窒累雰囲気中
で行うのが好ましい。
ライド、例えばクロライド、オキシハロダン化燐、特に
オキシ塩化燐、−・ロホスホニウムハライド、例えばト
リフェこルホスホノージブロミドもしくは一シイオシド
、又は適当な有就スルホン酸ハライド、例えばクロライ
ドで処理することによυ、好ましくは塩基性剤、特に有
義塩基件剤、例えば脂肪族第三アミン、例えばトリエチ
ルアミン、ジイソゾロビルエチルアミンもしくは、[ホ
リスチレンヒューニツヒ([−1sunig) 塩4−
又はピリジンタイプの複累環塩基、例えはビリノンも
しくはコリノンの存在下で行う。セ1z作r、i:、過
当な溶剤、例えはジオキサンもしくはテトラヒドロフラ
ン、又は溶剤混合物の存在下で、必苅があitば冷却し
ながら、そして/又は不活性気体、例えば窒累雰囲気中
で行うのが好ましい。
このようにして得られる式6′卯の化合物において、反
応性エステル化ヒドロキシ基Xoハそれ自体公知の方法
によシ他の反応性エステル化ヒドロキシ基に転換するこ
とができる。すなわち列えは、好ましくは適当な溶剤、
例えはエーテルの存在下で、対応する塩素化合物を適当
な臭素塙又はヨウ素塩、例えば臭化リチウム又はヨウ化
リチウムで処理することにより、塩素原子を臭素原子又
はヨウ素原子で置換することができる。
応性エステル化ヒドロキシ基Xoハそれ自体公知の方法
によシ他の反応性エステル化ヒドロキシ基に転換するこ
とができる。すなわち列えは、好ましくは適当な溶剤、
例えはエーテルの存在下で、対応する塩素化合物を適当
な臭素塙又はヨウ素塩、例えば臭化リチウム又はヨウ化
リチウムで処理することにより、塩素原子を臭素原子又
はヨウ素原子で置換することができる。
反応においては、式(至)の純粋な光学不活性21−も
しくrJ、 LzZl−化合物及びその混合物、又は対
応する光学活性化合物を使用することができる。得られ
る式01;のラセミ体は光学活性化合物に分離すること
ができる。
しくrJ、 LzZl−化合物及びその混合物、又は対
応する光学活性化合物を使用することができる。得られ
る式01;のラセミ体は光学活性化合物に分離すること
ができる。
段階1.4
式(■つの出発化合物は、Xoが反応性エステル化ヒド
ロキン基である式(至)の化合物を、適当なホスフィン
化合物、例えばトリー低級アルキルホスフィン、囲えば
トリーn−ブチルホスフィン、又はトリアリールホスフ
ィン、例えばトリフェニルホスフィンにより、あるいは
適当なホスフィツト化合物、V/IJえはトリー低級ア
ルキルホスフィツト、例えばトリエチルホスフィツト、
又はアルカリ金属ノー低級アルキルホスフィツト、例え
ばジエチルホスフィツトによシ処理することによって倚
られ、この場合、選択する試薬に応じて式(■)〔又は
(…つ〕又は(I[a)の化合物を得ることかできる。
ロキン基である式(至)の化合物を、適当なホスフィン
化合物、例えばトリー低級アルキルホスフィン、囲えば
トリーn−ブチルホスフィン、又はトリアリールホスフ
ィン、例えばトリフェニルホスフィンにより、あるいは
適当なホスフィツト化合物、V/IJえはトリー低級ア
ルキルホスフィツト、例えばトリエチルホスフィツト、
又はアルカリ金属ノー低級アルキルホスフィツト、例え
ばジエチルホスフィツトによシ処理することによって倚
られ、この場合、選択する試薬に応じて式(■)〔又は
(…つ〕又は(I[a)の化合物を得ることかできる。
上記の反応は、適当な不活性浴jll 、例えば炭化水
素、例えばヘキサン、シクロヘキザン、ベンゼン、トル
エンもしくハキシレン、又はエーテル、例えはジオキサ
ン、テトラヒドロフランもしくはジエチレングリコール
ジメチルエーテル、又tま浴剤混合物の存在下で行うの
が好ましい。反応性Qこ応じて操作を冷却しながら又は
高温tこおいて、約−10℃〜+100℃において、好
ましくは20℃〜80℃において、そして/又は不活性
気体、例えば箪素雰囲気中で行う。酸化過程が生ずるの
を防止するため、触媒厘の酸化防止前1」、例えはヒド
ロキノンを添加することができる。
素、例えばヘキサン、シクロヘキザン、ベンゼン、トル
エンもしくハキシレン、又はエーテル、例えはジオキサ
ン、テトラヒドロフランもしくはジエチレングリコール
ジメチルエーテル、又tま浴剤混合物の存在下で行うの
が好ましい。反応性Qこ応じて操作を冷却しながら又は
高温tこおいて、約−10℃〜+100℃において、好
ましくは20℃〜80℃において、そして/又は不活性
気体、例えば箪素雰囲気中で行う。酸化過程が生ずるの
を防止するため、触媒厘の酸化防止前1」、例えはヒド
ロキノンを添加することができる。
ホスフィツト化合物を使用する場合、操作は一般に塩基
性剤、例えば有機塩基、例えばアミン、例えはトリエチ
ルアミン、ジイソゾロビルエチルアミン又は「ポリエチ
レンヒューニソヒ塩基」の存在下で行われ、そして対応
するホスホニウム塩から生成される式(■)〔又は(■
つ〕のイリド出発物質が直接得られる。
性剤、例えば有機塩基、例えばアミン、例えはトリエチ
ルアミン、ジイソゾロビルエチルアミン又は「ポリエチ
レンヒューニソヒ塩基」の存在下で行われ、そして対応
するホスホニウム塩から生成される式(■)〔又は(■
つ〕のイリド出発物質が直接得られる。
反応において、式(1伸の純粋な光学不活性yx−もし
くは1j二とヱエー化合物及びその混合物、又は対応す
る光学活性化合物全使用することができる。
くは1j二とヱエー化合物及びその混合物、又は対応す
る光学活性化合物全使用することができる。
得られた式(1つのラセミ体しょ光学活性化合物に分離
することができる。
することができる。
広1トし1〕=
2′がオキソである式(■つの出発物質はさらに、Mが
金属陽イオンである式ののメルカゾチド全、基R5−(
CH2)m−C(=O) −k導入するアンル化剤で処
理することによf)得られる。
金属陽イオンである式ののメルカゾチド全、基R5−(
CH2)m−C(=O) −k導入するアンル化剤で処
理することによf)得られる。
式妖)の出発物質において、金属17mイオンMは、例
えば式虻又はM2+/2の陽イオンであり、虻は特Vこ
銭湯イオンであり、そしてM2+は、例えば適当な遷移
金属の二価陽イオン、例えば銅、鉛又は水仙である。
えば式虻又はM2+/2の陽イオンであり、虻は特Vこ
銭湯イオンであり、そしてM2+は、例えば適当な遷移
金属の二価陽イオン、例えば銅、鉛又は水仙である。
基R5−(CH2)m−C(=O) −’z導入するア
ンル化剤は例えば、rn R5−(CT(2)m−co
oH又はその反応性官能誘導体、例えば醒−へロケ゛ン
化物、例えば塩化物もしくは臭化物、又は前記の削のア
ットもしくは無水物である。
ンル化剤は例えば、rn R5−(CT(2)m−co
oH又はその反応性官能誘導体、例えば醒−へロケ゛ン
化物、例えば塩化物もしくは臭化物、又は前記の削のア
ットもしくは無水物である。
アンル化ば、基R5−(CH2)m−000Hの遊離酸
を用いる場合には、例えば適当な水除云剤、例え6−J
:カルピノイミド、例えばN 、 N’−ノシクロヘギ
シル力ルポジイミドの存在下で行い、iらるい(・ユ、
1ンの誘導体を用いる場合には、適当なt)z jl□
:“ず合り11]、例えは第三脂肪族又は芳香族基、例
えばl−Uメチルアミン、ピリジン又はキノリンの存で
1−トで、不活仔6j剤、例えば塩素化炭化水素、1り
−0え(rj、j;j、1flニメチレン、又はエーテ
ル、例えQ」、ジエチルニーデルもしくはジオキサン中
で、′−貿温にる・いて、又は力11熱もしくは冷却を
行いながら、例えは)i(i50℃〜約+60℃、特に
約−30’C−朽+20℃の温度において行う。
を用いる場合には、例えば適当な水除云剤、例え6−J
:カルピノイミド、例えばN 、 N’−ノシクロヘギ
シル力ルポジイミドの存在下で行い、iらるい(・ユ、
1ンの誘導体を用いる場合には、適当なt)z jl□
:“ず合り11]、例えは第三脂肪族又は芳香族基、例
えばl−Uメチルアミン、ピリジン又はキノリンの存で
1−トで、不活仔6j剤、例えば塩素化炭化水素、1り
−0え(rj、j;j、1flニメチレン、又はエーテ
ル、例えQ」、ジエチルニーデルもしくはジオキサン中
で、′−貿温にる・いて、又は力11熱もしくは冷却を
行いながら、例えは)i(i50℃〜約+60℃、特に
約−30’C−朽+20℃の温度において行う。
式(社)の出発物質は、例えは、次の式(VD、で表わ
されるアゼチジノンを、チオー低級アルカンカルボン酸
、例えばチオ酢酸の、又はトリフェニルメチルメルカプ
タンのアルカリ金属塩、例えばナトリウム塩と反応せし
めることにまり、次の式(Vlつ 、 (式中、XV’ij)リフェニルメチルチオ又は低級ア
ルカノイルチオ、例えばアセチルチオである、)で表わ
される化合物に転換し、とね5を、反応段階1.2.1
.3及び1.4に記載した方法と同様にして、次の式(
Vつ、 3 で表わされる化合物に転換し、そしてこれを、塩基、例
えQよビ゛リジン又はトリーn−ブチルアミンの存在下
、適当な溶剤、例えばジエチルエーテル又はメタノール
中で、式(MA) C式中、Mは庁1記の意味を有する
が特に銭湯イオンで4うり、そしてAは選択さJtた1
d剤中での塩MAの浴解に好都合な通常の陰イオン、例
えば7+i4酸イオン、酊ミ1旨イオン又は弗素イオン
である)の塙と反L5−3 Lめる。
されるアゼチジノンを、チオー低級アルカンカルボン酸
、例えばチオ酢酸の、又はトリフェニルメチルメルカプ
タンのアルカリ金属塩、例えばナトリウム塩と反応せし
めることにまり、次の式(Vlつ 、 (式中、XV’ij)リフェニルメチルチオ又は低級ア
ルカノイルチオ、例えばアセチルチオである、)で表わ
される化合物に転換し、とね5を、反応段階1.2.1
.3及び1.4に記載した方法と同様にして、次の式(
Vつ、 3 で表わされる化合物に転換し、そしてこれを、塩基、例
えQよビ゛リジン又はトリーn−ブチルアミンの存在下
、適当な溶剤、例えばジエチルエーテル又はメタノール
中で、式(MA) C式中、Mは庁1記の意味を有する
が特に銭湯イオンで4うり、そしてAは選択さJtた1
d剤中での塩MAの浴解に好都合な通常の陰イオン、例
えば7+i4酸イオン、酊ミ1旨イオン又は弗素イオン
である)の塙と反L5−3 Lめる。
R5が反応性エステル化ヒドロキシ基である式(■′)
の化合物は、式R4−3Hのメルカプタンと反応せしめ
ることVこよりR5が基−8R4である式(■′〕の化
合物に転戻することができ、この場合、し1」えば方法
<C)/こおいて記載した反LL、条件を使用する。
の化合物は、式R4−3Hのメルカプタンと反応せしめ
ることVこよりR5が基−8R4である式(■′〕の化
合物に転戻することができ、この場合、し1」えば方法
<C)/こおいて記載した反LL、条件を使用する。
Z′が酸累又は髄、黄である式(II’)のイリドは、
式(1)の最終生成物を製造するための栖化反応におい
て直4d使用することができる。しかしながら、R2が
保護されているヒドロキシ基、し11えは、加4く分解
により容易に開裂し得る保護δれたヒドロキン基、例え
ばトリ置換されたシリルオキシである式(■′)の化合
物において、まずヒドロキン保4幕ヲ除去し、そして次
にIt2がヒドロキシである式(■つの僧られた化合物
ヲ環化及U’+’f、シこおいて使用することかできる
。
式(1)の最終生成物を製造するための栖化反応におい
て直4d使用することができる。しかしながら、R2が
保護されているヒドロキシ基、し11えは、加4く分解
により容易に開裂し得る保護δれたヒドロキン基、例え
ばトリ置換されたシリルオキシである式(■′)の化合
物において、まずヒドロキン保4幕ヲ除去し、そして次
にIt2がヒドロキシである式(■つの僧られた化合物
ヲ環化及U’+’f、シこおいて使用することかできる
。
式C11’)、(vつ、(vIl)及び(・池)化合物
において、場合によっては置侯されているメチリデン基
Z′は、段階33において後記する方法に従って、オゾ
ン化しそして次に、生成したオシニド’(iJf元する
ことによりオキソ基Zに転換することができる。
において、場合によっては置侯されているメチリデン基
Z′は、段階33において後記する方法に従って、オゾ
ン化しそして次に、生成したオシニド’(iJf元する
ことによりオキソ基Zに転換することができる。
段階1.5
式(IV)の出発物質は、2′がhり累又は(+dj黄
であゃ、セしてR5が反応性エステル化ヒドロキン基Q
である( II ’)のイリドを環化することにより得
られる。
であゃ、セしてR5が反応性エステル化ヒドロキン基Q
である( II ’)のイリドを環化することにより得
られる。
環化は、例えば式(II)のイリドからの式(1)の化
合物の製造′(方法a)について百ピ載したのと同様の
方法により行うことができる。
合物の製造′(方法a)について百ピ載したのと同様の
方法により行うことができる。
W カスA、 * = ル基l−10−A−802−テ
ある式(Vl) ノ出発物質は又、次の反L1p、方式
(11)によっても製造することができる。
ある式(Vl) ノ出発物質は又、次の反L1p、方式
(11)によっても製造することができる。
以下余白
Ft、R5
(VJa) (XC)式
(Xa) 〜(Xc)及び(VIaE化合物において、
Aは2個の異原子間[2又は3闘の炭素原子k ’ff
する低級アルキレン基であり、そして特にエチレン又は
1.2−プロピレンであるが、さらに1.3−プロピレ
ン、1,2−12,3−又は1.3−ブチレンであって
もよい。
(Xa) 〜(Xc)及び(VIaE化合物において、
Aは2個の異原子間[2又は3闘の炭素原子k ’ff
する低級アルキレン基であり、そして特にエチレン又は
1.2−プロピレンであるが、さらに1.3−プロピレ
ン、1,2−12,3−又は1.3−ブチレンであって
もよい。
式(Xa )〜(Xc)の化合物において、基R及ひR
6のそれぞれは水素、又は炭素原子を介して環炭素原子
Vこ結合している有機基であり、2つの基Ra及びR6
が相互に連結されていてもよく、そして特に水素、低級
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピルもしく
はインゾロビル、’ia:mさノ′している場合がある
フェニル、又はフェニル−低級アルギル、例えはベンノ
ルでろシ、あるいは−緒になっている場合Vこは好゛ま
しくば4〜6閘の炭素原子を有する低級アルキレン、例
えば1.4−ブチレン又(tユ1,5−ベンチレンであ
る。
6のそれぞれは水素、又は炭素原子を介して環炭素原子
Vこ結合している有機基であり、2つの基Ra及びR6
が相互に連結されていてもよく、そして特に水素、低級
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピルもしく
はインゾロビル、’ia:mさノ′している場合がある
フェニル、又はフェニル−低級アルギル、例えはベンノ
ルでろシ、あるいは−緒になっている場合Vこは好゛ま
しくば4〜6閘の炭素原子を有する低級アルキレン、例
えば1.4−ブチレン又(tユ1,5−ベンチレンであ
る。
式(xb )、(’Xc)及び(Vi&)の化合物Vこ
分いて、基R2Viヒドロキシ基、又はすでに記載した
保護さtしたヒドロキン基の1つ、例えばIt ?Aさ
れている場合がある1−フェニル−低級アルコヤシ、置
換されている場合があるノエニルー低級アルコキンカル
バ?ニルオキシ、又はトリー置戻ンリルオキンである。
分いて、基R2Viヒドロキシ基、又はすでに記載した
保護さtしたヒドロキン基の1つ、例えばIt ?Aさ
れている場合がある1−フェニル−低級アルコヤシ、置
換されている場合があるノエニルー低級アルコキンカル
バ?ニルオキシ、又はトリー置戻ンリルオキンである。
以下余白
段階2.1
式(Xb )の化合物は、式(Xa)の二煎化合物を金
属化剤、及び基(R,、R2)CI−を?jイ1人する
求電子的試薬と反応せしめ、次にこうして4F) yヒ
生成物を陽子源と反応せしめることに、H倫らノ′1.
る・適当な金属化剤は、例えは、直俣されたもしくはM
’FAされていないアルカリ金1局アミド、アルカリ金
属ヒドリド又はアルカリ金目−低級アルキル化合物(こ
こでアルカリ金4;+j 91.1yUえばす) l)
ラム、又は特にリチウムである)でるり、l(’11え
−ナトリヮムアミドもしくはリチウムアミド、リチウム
ビス−トリメチルシリルアミド、ナトリウムヒドリド、
リチウムヒドリド、及び好ましくはりチウムノイソゾロ
ピルアミド及びブチルリチウムである。
属化剤、及び基(R,、R2)CI−を?jイ1人する
求電子的試薬と反応せしめ、次にこうして4F) yヒ
生成物を陽子源と反応せしめることに、H倫らノ′1.
る・適当な金属化剤は、例えは、直俣されたもしくはM
’FAされていないアルカリ金1局アミド、アルカリ金
属ヒドリド又はアルカリ金目−低級アルキル化合物(こ
こでアルカリ金4;+j 91.1yUえばす) l)
ラム、又は特にリチウムである)でるり、l(’11え
−ナトリヮムアミドもしくはリチウムアミド、リチウム
ビス−トリメチルシリルアミド、ナトリウムヒドリド、
リチウムヒドリド、及び好ましくはりチウムノイソゾロ
ピルアミド及びブチルリチウムである。
基(R,、R2)CH−全導入する求′電子的試薬は、
例えは、式R+−C[]=Oで示さil−る化合物、又
は式(R,、tζ2)CH−Xで示される前記化合物の
颯能砺導体であジ、ここでXは離係性脱離基、特に−・
ログン、例えば塩累、臭素もしくはヨウ紫、又はスルホ
ニルオキシ、例えはメタンスルホニルオキシもシくは4
−トルエンスルホニルオキシであル。基(R1,R2)
CH−を導入する好ましい求電子的試薬はホルムアルデ
ヒド、並びにf+を換さnている場合があるベンジルオ
キシメチルクロリド及びアセトアルデヒドである。
例えは、式R+−C[]=Oで示さil−る化合物、又
は式(R,、tζ2)CH−Xで示される前記化合物の
颯能砺導体であジ、ここでXは離係性脱離基、特に−・
ログン、例えば塩累、臭素もしくはヨウ紫、又はスルホ
ニルオキシ、例えはメタンスルホニルオキシもシくは4
−トルエンスルホニルオキシであル。基(R1,R2)
CH−を導入する好ましい求電子的試薬はホルムアルデ
ヒド、並びにf+を換さnている場合があるベンジルオ
キシメチルクロリド及びアセトアルデヒドである。
金属化反応に適する溶剤は活性水素を含有すべきでなく
、そして例えば炭化水素、例えばヘキサン−ヘンセン、
トルエンもL<flキシ、レン、エーテル、例えば・ク
エチルエーテル、テトラヒドロフランもしくはジオキサ
ン、又は酸アミド、例えばヘキサメチル燐酸トリアミド
である。
、そして例えば炭化水素、例えばヘキサン−ヘンセン、
トルエンもL<flキシ、レン、エーテル、例えば・ク
エチルエーテル、テトラヒドロフランもしくはジオキサ
ン、又は酸アミド、例えばヘキサメチル燐酸トリアミド
である。
金に化中間体は分離する必要がなく、金属化反応に続い
て、基(R,、R2)CH−全導入する求電子的試薬と
反応せしめることができる。金属化反応は、約−100
℃〜およそ室温の範囲、女イましくは−先の反范、全回
−条件下で行うことができる。ホルムアルデヒドを、好
ましくは気体状の単量体の形で反応混合物に導入する。
て、基(R,、R2)CH−全導入する求電子的試薬と
反応せしめることができる。金属化反応は、約−100
℃〜およそ室温の範囲、女イましくは−先の反范、全回
−条件下で行うことができる。ホルムアルデヒドを、好
ましくは気体状の単量体の形で反応混合物に導入する。
単量体ホルムアルデヒドハ、例工ば、パラホルムアルデ
ヒドの熱分解により、又はホルムアルデヒドシクロヘキ
シルへミアセタールの熱分解により得ることができる。
ヒドの熱分解により、又はホルムアルデヒドシクロヘキ
シルへミアセタールの熱分解により得ることができる。
金属化反応のために、式(Xa)の化合物の([Ml
hの対掌体及びそのラセミ混合物又はノアステレオマ−
混合物を使用することができる。
hの対掌体及びそのラセミ混合物又はノアステレオマ−
混合物を使用することができる。
基(R,、R2)CH−f:導入する求電子的試薬の基
質に対する作用は一般に立体特異的に生する。出発物質
としてアゼチジノン環の炭素原子4において旦−位置を
有する式(Xa) アゼナジノンを用いる場合、アゼ
チジノン環の炭素原子4&こおいてニー配置を有しそし
て炭素原子3において旦−配置を有する式(Xb)の化
合物が支配的に生l戊する。すなわち、求電子的試薬の
作用はトランス−位において支配的に生ずる。
質に対する作用は一般に立体特異的に生する。出発物質
としてアゼチジノン環の炭素原子4において旦−位置を
有する式(Xa) アゼナジノンを用いる場合、アゼ
チジノン環の炭素原子4&こおいてニー配置を有しそし
て炭素原子3において旦−配置を有する式(Xb)の化
合物が支配的に生l戊する。すなわち、求電子的試薬の
作用はトランス−位において支配的に生ずる。
反応の後、反応生成物全陽子源、例えは水、アルコール
、例えばメタノールもしくはエタノール、有機酸もしく
は無機酸、例えば酢酸、溶酸、411に薗、又は陽子を
供する同様の化合物で処理する。この場合も低温にお−
て行うのが好ましい。
、例えばメタノールもしくはエタノール、有機酸もしく
は無機酸、例えば酢酸、溶酸、411に薗、又は陽子を
供する同様の化合物で処理する。この場合も低温にお−
て行うのが好ましい。
R2が水素である式(xb)の得られた化合物において
、ヒドロキシ基は、それ自体公知の方法で、例えばエー
テル化又はエステル化にょシ、特に前記のようにして保
護することができる。
、ヒドロキシ基は、それ自体公知の方法で、例えばエー
テル化又はエステル化にょシ、特に前記のようにして保
護することができる。
式(Xa)の光学的に活性な、又は光学的に不活性な出
発物質は、例えばヨーロッ・や特許出願第23887号
に記載されて−る。
発物質は、例えばヨーロッ・や特許出願第23887号
に記載されて−る。
段階2.2
式(X(りのスルホンは、式CXb)のチオ化合物を酸
化剤で処理し、そして所望により、R2がヒドロ苓シで
あるこうして得られた式(Xe)の化合物ヲR2が保、
11されたヒドロキシ基である式(Xc)の化合物に転
換することにょシ製造することができる。
化剤で処理し、そして所望により、R2がヒドロ苓シで
あるこうして得られた式(Xe)の化合物ヲR2が保、
11されたヒドロキシ基である式(Xc)の化合物に転
換することにょシ製造することができる。
適当な1′り化剤は、例えは、過醇化水素、有機過酸化
物、!1右て脂肪族もしくは芳香族過カルボン酸、例え
は過酢酸、過安息香酸、過クロロ安息香酸、例えば過3
−クロロ安息香酸、又はモノパーフタル酸、酸化性無機
酸及びその塩、例えば硝酸、クロム酸、過マンガン酸カ
リウム、又はアルカリ金属の次亜塩素塩、例えば次亜塩
累[jす) IJウムである。しかしながら、転換は陽
極酸化によりでも行うことができる。
物、!1右て脂肪族もしくは芳香族過カルボン酸、例え
は過酢酸、過安息香酸、過クロロ安息香酸、例えば過3
−クロロ安息香酸、又はモノパーフタル酸、酸化性無機
酸及びその塩、例えば硝酸、クロム酸、過マンガン酸カ
リウム、又はアルカリ金属の次亜塩素塩、例えば次亜塩
累[jす) IJウムである。しかしながら、転換は陽
極酸化によりでも行うことができる。
酸化は、適当な不活性浴剤、例えば−・ロケ゛ン化炭化
水素、例えは塩化メチレン、クロロホルムもしくは四塩
化炭素、アルコール、例えはメタノールもしくはエタノ
ール、ケトン、例えはアセトン、エーテル、例え&fノ
エチルエーテル、ジオキサンもしくはテトラヒドロフラ
ン、アミド、例えはジメチルホルムアミド、スルホン、
例えばジメチルスルホン、液体有機カルボン酸、l91
1えは酢藪、又は水、あるいはこれらの溶剤の混合物、
特に言水混合物、例えば酢酸水溶液中で、室温において
、又ね冷却してもしくは穏和に加熱してすなわち約−2
0℃〜約+90℃において、好址しくにおよそ室温にお
いて、行うのが好′ましい。酸化は又、まず低温Vこお
いて、すなわち約−20℃〜約O℃においてスルホキ7
ドVC酸化し、場合によってQユこれを分離し、そして
次にこれより高い温ahこおいて、例えば室温において
スルホキ7ド’に師化t。
水素、例えは塩化メチレン、クロロホルムもしくは四塩
化炭素、アルコール、例えはメタノールもしくはエタノ
ール、ケトン、例えはアセトン、エーテル、例え&fノ
エチルエーテル、ジオキサンもしくはテトラヒドロフラ
ン、アミド、例えはジメチルホルムアミド、スルホン、
例えばジメチルスルホン、液体有機カルボン酸、l91
1えは酢藪、又は水、あるいはこれらの溶剤の混合物、
特に言水混合物、例えば酢酸水溶液中で、室温において
、又ね冷却してもしくは穏和に加熱してすなわち約−2
0℃〜約+90℃において、好址しくにおよそ室温にお
いて、行うのが好′ましい。酸化は又、まず低温Vこお
いて、すなわち約−20℃〜約O℃においてスルホキ7
ドVC酸化し、場合によってQユこれを分離し、そして
次にこれより高い温ahこおいて、例えば室温において
スルホキ7ド’に師化t。
式(Xe)のスルホンを生成せしめることにより段階的
に行うこともできる。
に行うこともできる。
先に進めるために、まだ残留しているがもじれない過耶
1の酸化剤を、還元にょ9、特に還元剤、例えはチオ硫
酸塩、例えばチオ硫酸す) IJウムで処理することに
より分解することができる。
1の酸化剤を、還元にょ9、特に還元剤、例えはチオ硫
酸塩、例えばチオ硫酸す) IJウムで処理することに
より分解することができる。
反応においては、式(xb )の光学的に不活性な化合
物、及び対応する光学活性化合物、特にアゼチジノン環
に(3旦、4旦)−配置を有する化合物を使用すること
ができる。
物、及び対応する光学活性化合物、特にアゼチジノン環
に(3旦、4旦)−配置を有する化合物を使用すること
ができる。
段階2,3
式(Vla)の化合物は、式(Xe)の三稜アミド全適
当な加溶媒分解剤によジ加溶媒分指し、所望により、こ
れにより得られる式(Wa)の化合物中の遊離ヒドロキ
シ基R2を保護されたヒドロキシル基R2に転侯するこ
とによシ製造することができる。
当な加溶媒分解剤によジ加溶媒分指し、所望により、こ
れにより得られる式(Wa)の化合物中の遊離ヒドロキ
シ基R2を保護されたヒドロキシル基R2に転侯するこ
とによシ製造することができる。
適当な加溶媒分解剤は、例えは′、有機酸、例えは低級
アルカンカルボン酸、例えば&酸もしくは酢酸、又はス
ルホン酸、例えば4−トルエンスルホン酸もしくはメタ
ンスルホン酸、鉱酸、例えは硫酸もしくは塩酸、及びさ
らに低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエタ
ノール、又tよ低級アルカンジオール、例えばエチレン
グリコールである。
アルカンカルボン酸、例えば&酸もしくは酢酸、又はス
ルホン酸、例えば4−トルエンスルホン酸もしくはメタ
ンスルホン酸、鉱酸、例えは硫酸もしくは塩酸、及びさ
らに低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエタ
ノール、又tよ低級アルカンジオール、例えばエチレン
グリコールである。
上記の加溶媒分解剤tま、水で稀釈することなく、又は
水で稀釈して加える。加溶媒外胴は又、純粋な水Vこよ
り行うこともできる。献性剤食用いる加溶媒分解は、そ
の水溶液中で、そして約−20C〜約150℃、好まし
くは尾温〜11.0℃の温度において行うのが好ましい
。
水で稀釈して加える。加溶媒外胴は又、純粋な水Vこよ
り行うこともできる。献性剤食用いる加溶媒分解は、そ
の水溶液中で、そして約−20C〜約150℃、好まし
くは尾温〜11.0℃の温度において行うのが好ましい
。
反応においては、式(Xc )の光学的に不活性な化合
物、例えばラセミ混合ウメ(・ユノアステレオマー混合
物、及び対応する光学活性化合物の両者、特に、アゼチ
ジノン楓に(3旦、4旦)−配置を有する化合物を使用
することができる。
物、例えばラセミ混合ウメ(・ユノアステレオマー混合
物、及び対応する光学活性化合物の両者、特に、アゼチ
ジノン楓に(3旦、4旦)−配置を有する化合物を使用
することができる。
式(xh )、(Xc)及びCVi&)の化合物のイ(
Iられた異性体混合物、例えばラセミ体混合物又はノア
ステレオマ−混合物は、それ自体公知の方法により、例
えば前記のようにして個りの異性体、例えば対掌体に分
離することができる。
Iられた異性体混合物、例えばラセミ体混合物又はノア
ステレオマ−混合物は、それ自体公知の方法により、例
えば前記のようにして個りの異性体、例えば対掌体に分
離することができる。
この発明に従って使用することができる式(VDの光学
活性LΣ乙り一化合物は、次の反応方式[相]に従って
も製造することができる。
活性LΣ乙り一化合物は、次の反応方式[相]に従って
も製造することができる。
以下余白
反応方式1■
R1
弐αO〜(Xjl’)及び(Vib)の化合物において
、R2はヒドロキ/、又Qゴ特に保訛されたヒドロキシ
基を表わす・ 段階31 式へ1itO化は物は公知でQす、又はそれ自体公知の
方法により製造することができる。これらはさらに、新
規な方法ヴこ従って、式(Xl)の化合物をエピマー化
し、そして所望により、この方法によp得られる弐(u
Dの化合物中の保護されたヒドロキノ基R2ヶ異なる保
護てれたヒドロキン基R2に転煉することによっても製
造することができる。
、R2はヒドロキ/、又Qゴ特に保訛されたヒドロキシ
基を表わす・ 段階31 式へ1itO化は物は公知でQす、又はそれ自体公知の
方法により製造することができる。これらはさらに、新
規な方法ヴこ従って、式(Xl)の化合物をエピマー化
し、そして所望により、この方法によp得られる弐(u
Dの化合物中の保護されたヒドロキノ基R2ヶ異なる保
護てれたヒドロキン基R2に転煉することによっても製
造することができる。
エレマ−化は、例えば、塩承性虱薬、例えはアミン、1
〉1えはトリー低級アルギルアミン、例えばトリエチル
アミンもしくはエテルノイソゾロビルアミン 54’r
、 =、:アミン、例えばN、N−ツメチルアニリン、
芳香族アミン、例えはピリジノ、又は二環式−T ミン
、例えば1.5−ジアザビシクロ〔5゜4.0〕ウンデ
カ−5−エンもしくば1.5−ジアザビシクロ[4,3
,0]ノナ−5−エン、又はアルカリ釜属低扱アルコキ
ンド、例えはプートリウムメトキンド、ナトリウムアミ
ドンドもしくはカリウムtert−プトキンドの存在下
、不活性浴剤、例えはエーテル、例えばジエチルエーテ
ル、ノメトキシエタン、テトラヒドロフランもしくはジ
シ]キサン、アセトニトリル又(はツメチルホルムアミ
ド中で、場合によってはわ一トかに上昇した又は低下し
た温度、例えば0℃〜50℃、好ましくは室温において
行う。
〉1えはトリー低級アルギルアミン、例えばトリエチル
アミンもしくはエテルノイソゾロビルアミン 54’r
、 =、:アミン、例えばN、N−ツメチルアニリン、
芳香族アミン、例えはピリジノ、又は二環式−T ミン
、例えば1.5−ジアザビシクロ〔5゜4.0〕ウンデ
カ−5−エンもしくば1.5−ジアザビシクロ[4,3
,0]ノナ−5−エン、又はアルカリ釜属低扱アルコキ
ンド、例えはプートリウムメトキンド、ナトリウムアミ
ドンドもしくはカリウムtert−プトキンドの存在下
、不活性浴剤、例えはエーテル、例えばジエチルエーテ
ル、ノメトキシエタン、テトラヒドロフランもしくはジ
シ]キサン、アセトニトリル又(はツメチルホルムアミ
ド中で、場合によってはわ一トかに上昇した又は低下し
た温度、例えば0℃〜50℃、好ましくは室温において
行う。
この方法によって得られる式(IJDO化合物において
、保護きれたヒドロキン基R2は異なる保護された保d
−基R21/Cより +it @侠えあことができ、例
えば水素化により開裂され得る採設されたヒドロキン基
(ri加M媒分解により開裂さ]1.得6 % ffi
シされたヒドロキン基により置き換えることができる。
、保護きれたヒドロキン基R2は異なる保護された保d
−基R21/Cより +it @侠えあことができ、例
えば水素化により開裂され得る採設されたヒドロキン基
(ri加M媒分解により開裂さ]1.得6 % ffi
シされたヒドロキン基により置き換えることができる。
ヒドロキノ保護基は特に、水素化G・こよって除去する
ことができる前日己の保護基、怪0えぐユm1ni己の
ように置換されている1−フェニル−低、吸アルキルも
シくハフェニルー低級アルコキンン−・ルyf=、ル、
又は加溶媒分%により除去することかでさる保護基、例
えは前記のようにトリー置換されたンリルである。
ことができる前日己の保護基、怪0えぐユm1ni己の
ように置換されている1−フェニル−低、吸アルキルも
シくハフェニルー低級アルコキンン−・ルyf=、ル、
又は加溶媒分%により除去することかでさる保護基、例
えは前記のようにトリー置換されたンリルである。
反[1′Sは、まず水素化分解により除去し得るヒドロ
ギン保11基を除去し、そして次にR2がヒドロキンで
ある弐〇\1pの得られた化合物に加溶媒分解により除
去し得るヒドロキン保護基金尋人することにより行うこ
とができる。
ギン保11基を除去し、そして次にR2がヒドロキンで
ある弐〇\1pの得られた化合物に加溶媒分解により除
去し得るヒドロキン保護基金尋人することにより行うこ
とができる。
水素化分J管により除去し1讐)る保護基の除去は、例
えば、水素又は水素供与体、囲えばシクロヘキセン又は
ノクロヘキザソエンにより、水素化fm媒、例えはパラ
ジウム触媒、例えば炭素上パラジウムの任仕下で、不活
性メd媒、例えCよ−・ロケ゛ン化屍化水素、例えはメ
チレンクロリド、低級アルカノール、し]1えはメタノ
ールもしくはエタノール、エーテル、例えばノオキザン
もしくはテトラヒドロフラン、又はこれらに代えて水、
あるいはこれらの混合物中、約0′C〜約80℃、好ま
しくO」、¥温において行う。この除去は又、還元性金
属、例えは亜鉛、父は還元性合金、例えば銅/亜船合金
によジ、(、す子τ供する試薬、例えば有機酸、例えば
酢酸、又はこ)′Lに代えて低級アルカノール、例えば
エタノールの存在下において行うこともできる。
えば、水素又は水素供与体、囲えばシクロヘキセン又は
ノクロヘキザソエンにより、水素化fm媒、例えはパラ
ジウム触媒、例えば炭素上パラジウムの任仕下で、不活
性メd媒、例えCよ−・ロケ゛ン化屍化水素、例えはメ
チレンクロリド、低級アルカノール、し]1えはメタノ
ールもしくはエタノール、エーテル、例えばノオキザン
もしくはテトラヒドロフラン、又はこれらに代えて水、
あるいはこれらの混合物中、約0′C〜約80℃、好ま
しくO」、¥温において行う。この除去は又、還元性金
属、例えは亜鉛、父は還元性合金、例えば銅/亜船合金
によジ、(、す子τ供する試薬、例えば有機酸、例えば
酢酸、又はこ)′Lに代えて低級アルカノール、例えば
エタノールの存在下において行うこともできる。
加溶媒分解により除去し倚るヒドロキン保護基の導入は
、例えば、式R′2−X3(式中、−′2はヒドロキノ
保護基であり、そしてX5は例えは反応性エステル化ヒ
ドロキン基、例えは−・ロケ゛7、Hえば塩素、臭累も
しくはヨウ素、又はスルホニA・オキ7、iMえばメタ
ンスルホニルオキン、ペンセンスルホニルオキンモL<
ハ4− )ルエンスル月;ニルオキ/である、)を用い
て行うO 反応は、不活注溶ハ11、fUえはエーテル、例えはジ
エチルエーテル、ソオキサンもしぐ啜、テトラヒドロフ
ラン、炭化水素、例えはベンゼンもしくはトルエン、−
・ロケ゛ン化炭化水素、”+71JえはLjifi化メ
チレン、ジメチルスルホキンド又(・よアセトニトリル
中で、塩基性縮合剤、例えはアルカリ金庫の水階化物も
しくは炭酸塩、例えはナトリウムもしくはカリウムの水
酸化物もしくは炭rd hl、アルカリ金属アミドもし
くtユアルカリ金tq4ヒドリド、例えはナトリウムア
ミドもしくにナトリウムヒドリド、アルカリ金属低級ア
ルコキンド、例え(吐ナトリウムメトキノドもしくはナ
トリウムエトキッド、もしくはカリウムtert−ブト
キシド、又はアミン、例えはトリエチルアミン、ピリノ
ンもシくハイミダゾールの存在下で、室温において、又
Cユそれよシ高−もしくは低い温度に」?いて、例えば
約=20℃〜約80℃、好ましくは室温において行う。
、例えば、式R′2−X3(式中、−′2はヒドロキノ
保護基であり、そしてX5は例えは反応性エステル化ヒ
ドロキン基、例えは−・ロケ゛7、Hえば塩素、臭累も
しくはヨウ素、又はスルホニA・オキ7、iMえばメタ
ンスルホニルオキン、ペンセンスルホニルオキンモL<
ハ4− )ルエンスル月;ニルオキ/である、)を用い
て行うO 反応は、不活注溶ハ11、fUえはエーテル、例えはジ
エチルエーテル、ソオキサンもしぐ啜、テトラヒドロフ
ラン、炭化水素、例えはベンゼンもしくはトルエン、−
・ロケ゛ン化炭化水素、”+71JえはLjifi化メ
チレン、ジメチルスルホキンド又(・よアセトニトリル
中で、塩基性縮合剤、例えはアルカリ金庫の水階化物も
しくは炭酸塩、例えはナトリウムもしくはカリウムの水
酸化物もしくは炭rd hl、アルカリ金属アミドもし
くtユアルカリ金tq4ヒドリド、例えはナトリウムア
ミドもしくにナトリウムヒドリド、アルカリ金属低級ア
ルコキンド、例え(吐ナトリウムメトキノドもしくはナ
トリウムエトキッド、もしくはカリウムtert−ブト
キシド、又はアミン、例えはトリエチルアミン、ピリノ
ンもシくハイミダゾールの存在下で、室温において、又
Cユそれよシ高−もしくは低い温度に」?いて、例えば
約=20℃〜約80℃、好ましくは室温において行う。
式(至)の出発物質は、例え1.j:独国出願公開絹3
.039,504号及び英国W訂出願第2061930
号から知ることができる。
.039,504号及び英国W訂出願第2061930
号から知ることができる。
段階32
式(Xllしの化合物は、式(ハ)のペナム化合物を塩
基性M’l、及び基R1k 4人するエステル化剤と反
応せしめることによ!ll製造することかできる。
基性M’l、及び基R1k 4人するエステル化剤と反
応せしめることによ!ll製造することかできる。
適当な塩基性剤は、例えば、段階3.1において記i1
Xした塩基性剤の1つ、特に二環アミンの1つ、及びさ
らにアルカリ金属アミド又はヒドロキッド、例えばナト
リウムアミド又は水ば化ナトリウムである。
Xした塩基性剤の1つ、特に二環アミンの1つ、及びさ
らにアルカリ金属アミド又はヒドロキッド、例えばナト
リウムアミド又は水ば化ナトリウムである。
基R6は、例えば、段階1.1において訛戦した41俵
基の1つ、特に場合によっては置換されている低級アル
キル、例えばメチル、エチルもしくは2−ヒドロキシエ
チル、又Qよベンノルである。
基の1つ、特に場合によっては置換されている低級アル
キル、例えばメチル、エチルもしくは2−ヒドロキシエ
チル、又Qよベンノルである。
基R8全導入了るエステル化剤Qよ、’+f/IJえば
、X4カ活性エステル化ヒドロキン、例えば−・ロケ゛
ン、例えば塩素、臭素もしくはヨウ素、又3ニス/l、
ホ、=ルオキン、例えばメタンスルホニルオキノ、ペン
センスルホニルオキシもL<U4− )ルエンスルホニ
ルオキシである基R8−X4の化合物である。2−ヒド
ロキンエチル基の導入のためQご、エチレンオキノドも
過当である。
、X4カ活性エステル化ヒドロキン、例えば−・ロケ゛
ン、例えば塩素、臭素もしくはヨウ素、又3ニス/l、
ホ、=ルオキン、例えばメタンスルホニルオキノ、ペン
センスルホニルオキシもL<U4− )ルエンスルホニ
ルオキシである基R8−X4の化合物である。2−ヒド
ロキンエチル基の導入のためQご、エチレンオキノドも
過当である。
反LjL11よ、好ましくは2段階によって行う。すな
わち、稟1段階において成仏lのペナム化合物を少なく
とも等モル幇の塩基性ハリで処理し、そして生l戎した
次の式(■a)、 (式中、BoI−1:陽子化形(陽イオン)の塩基性剤
である、) で表わさiLる中間体を、好ましくeユ反応l昆合物か
ら分離することなくエステル化剤と反応せしめる。
わち、稟1段階において成仏lのペナム化合物を少なく
とも等モル幇の塩基性ハリで処理し、そして生l戎した
次の式(■a)、 (式中、BoI−1:陽子化形(陽イオン)の塩基性剤
である、) で表わさiLる中間体を、好ましくeユ反応l昆合物か
ら分離することなくエステル化剤と反応せしめる。
反応は、不活性溶剤、例えばエーテル、例えばジエチル
エーテル、ノメトキシエタン、テトラヒドロフラン又O
ユノオキサン甲、アセトニトリル、ツメチルホルムアミ
ド又はへキサメチル燐酸トリアミ1″中で、場合によっ
−Cはわずかeこ上昇せしめた、もしくCよ低−トぜし
めた温度、例えば約0℃〜50℃b′こおいて、シ〃・
シ好捷しくは呈温しこおいて行う。
エーテル、ノメトキシエタン、テトラヒドロフラン又O
ユノオキサン甲、アセトニトリル、ツメチルホルムアミ
ド又はへキサメチル燐酸トリアミ1″中で、場合によっ
−Cはわずかeこ上昇せしめた、もしくCよ低−トぜし
めた温度、例えば約0℃〜50℃b′こおいて、シ〃・
シ好捷しくは呈温しこおいて行う。
この方法の好−ましい態4J&こおいては、弐G’J[
lのペナム化合物(1、段階31に記載したように、ま
ず式(2)の化合物を触媒量の塩基性剤、例えば1.5
−ノアザピンクロし5.4.0]−ウンデカ−5−エン
と反Lr;せしめ、そして次Vここの生成物2少なくと
も等モル量の同じ塩基性剤及びエステル化剤と反応ゼー
しめて式(Xln)の化合物を生成せしめることにより
その場で装造する。
lのペナム化合物(1、段階31に記載したように、ま
ず式(2)の化合物を触媒量の塩基性剤、例えば1.5
−ノアザピンクロし5.4.0]−ウンデカ−5−エン
と反Lr;せしめ、そして次Vここの生成物2少なくと
も等モル量の同じ塩基性剤及びエステル化剤と反応ゼー
しめて式(Xln)の化合物を生成せしめることにより
その場で装造する。
以下余白
段階3.3
式(XIV)のオキザリルアゼチ・ジノンは、式(Xl
11)の化合物全オゾン化し、そして生成したオシニド
を還元によって開裂してオキソ化合物を生成せしめるこ
とによって製造することができる。
11)の化合物全オゾン化し、そして生成したオシニド
を還元によって開裂してオキソ化合物を生成せしめるこ
とによって製造することができる。
オゾン化は、一般にオゾンと酢素のt昆合物葡用いて、
不活性浴剤中、例えば低級アルカノール、例えばメタノ
ールもしくはエタノール、低級アルカノン、例えはアセ
トン、場合によってQま−・ロケ8ン化されている炭化
水素、例えQよ−・ロー低級アルカン、例えば塩化メチ
レンもしくは四基化炭集中で、又は溶剤混合物、例えは
水性715合物中で、好ましくは冷却して、例えば約−
80℃〜約O℃の温度において行う。
不活性浴剤中、例えば低級アルカノール、例えばメタノ
ールもしくはエタノール、低級アルカノン、例えはアセ
トン、場合によってQま−・ロケ8ン化されている炭化
水素、例えQよ−・ロー低級アルカン、例えば塩化メチ
レンもしくは四基化炭集中で、又は溶剤混合物、例えは
水性715合物中で、好ましくは冷却して、例えば約−
80℃〜約O℃の温度において行う。
中間体として得られたオシニド欠、通常は分離すること
なく、還元によって開裂せしめることにより式(XIV
)の化合物全生成せしめる。この、7、)合、触媒的に
活性化された水素、例えeま重金属水垢化触媒、例えば
ニッケル触媒、そしてさらにパラジウム触媒、好ましく
は適当な担体、例えば炭i夕カルシウム又は炭素に担持
された・やラジウム触媒の存在下での水素、あるいは化
学姐元剤、例えば、水素供与体、1シリえば酸、例えば
酢酸、又はアルコール、伺えは低級アルコールの存在下
での還元性無機塩、例えば足金Aj6合金又はアマルガ
ム、例えば亜鉛、水素供与体、例えば酸、例えば酢酸、
又は水の存在下での還元性無機塩、例えばアルカリ金属
のヨウ化物、例えはヨウ化ナトリウム、又はアルカリ金
属の亜硫酸塩、例えば亜硫酸す) IJウム、又はJA
元注性有機化合物例えば蟻酸を用いる。
なく、還元によって開裂せしめることにより式(XIV
)の化合物全生成せしめる。この、7、)合、触媒的に
活性化された水素、例えeま重金属水垢化触媒、例えば
ニッケル触媒、そしてさらにパラジウム触媒、好ましく
は適当な担体、例えば炭i夕カルシウム又は炭素に担持
された・やラジウム触媒の存在下での水素、あるいは化
学姐元剤、例えば、水素供与体、1シリえば酸、例えば
酢酸、又はアルコール、伺えは低級アルコールの存在下
での還元性無機塩、例えば足金Aj6合金又はアマルガ
ム、例えば亜鉛、水素供与体、例えば酸、例えば酢酸、
又は水の存在下での還元性無機塩、例えばアルカリ金属
のヨウ化物、例えはヨウ化ナトリウム、又はアルカリ金
属の亜硫酸塩、例えば亜硫酸す) IJウム、又はJA
元注性有機化合物例えば蟻酸を用いる。
還元剤としてさらに、対応するエポキシド又はオキシド
に容易Vこ転化し得る化合物全使用することができ、エ
ポキシドの形成はC−C二重結合の細朱として行わi’
1. 、そしてオキシドの形成はオキシド形成異原子、
例えは硫黄原子、燐原子又は窒素原子の存在により可能
となる。このような化合物は、例えば、適当に直、挑さ
れたエデン化合物(このものは反応においてエチレンオ
キ7ドに転換される)、例えばテトラシアノエチレン、
:又は特に過当なスルフエト化合物(反応においてスル
ホキシド化合物に転換される)、例えVよジー低級アル
キルスルフィド、特にジメチルスルフィド;過当なM機
燐化合物、例えは場合によってはフェニル及び/又は低
級アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピルもし
くばn−ブチルVこよりtdJAされているホスフィン
(このホスフィンは反応においてホスフィンオキシトに
転換される)、例えrヨ)ジー低級アルキルホスフィン
、例えばトリーn−ブチルホスフィン、又はトリフェニ
ルホスフィン:そしてさらに、通常は対しC)するアル
コールアダクト化合物の形であるトリー低級アルキルト
(このものは反応において燐酸トリ低級アルキルエステ
ルレこ転換される)、例えはトリメチルホスフィト、場
合によっては置換基として低級アルキルを貧有する亜燐
醐トリアミド、例えばヘキサ−低級アルキル亜燐酸トリ
アミド、例えばヘキサメチル亜IA醪トリアミド(仮名
は好ましくはメタノールアダクトの形である);そして
さらに、適当な窒素塩基(このものは反シlSvCおい
て対し6するN−オキシドに転換される〕、例えば芳香
族性の複素環蟹素塩基、例えばビリジンタイグの塩基、
特にピリジン自体である。オシニド(通常は分離しない
)の開裂は通常、その製造に使用したのと同一の条件、
すなわち過当な溶剤又は溶剤混合物の存在下で、そして
冷却しながら又は穏和に加熱しながら行い、この操作は
、好ましくは約−10℃〜約+25℃、通常は室温にお
いて行う。
に容易Vこ転化し得る化合物全使用することができ、エ
ポキシドの形成はC−C二重結合の細朱として行わi’
1. 、そしてオキシドの形成はオキシド形成異原子、
例えは硫黄原子、燐原子又は窒素原子の存在により可能
となる。このような化合物は、例えば、適当に直、挑さ
れたエデン化合物(このものは反応においてエチレンオ
キ7ドに転換される)、例えばテトラシアノエチレン、
:又は特に過当なスルフエト化合物(反応においてスル
ホキシド化合物に転換される)、例えVよジー低級アル
キルスルフィド、特にジメチルスルフィド;過当なM機
燐化合物、例えは場合によってはフェニル及び/又は低
級アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピルもし
くばn−ブチルVこよりtdJAされているホスフィン
(このホスフィンは反応においてホスフィンオキシトに
転換される)、例えrヨ)ジー低級アルキルホスフィン
、例えばトリーn−ブチルホスフィン、又はトリフェニ
ルホスフィン:そしてさらに、通常は対しC)するアル
コールアダクト化合物の形であるトリー低級アルキルト
(このものは反応において燐酸トリ低級アルキルエステ
ルレこ転換される)、例えはトリメチルホスフィト、場
合によっては置換基として低級アルキルを貧有する亜燐
醐トリアミド、例えばヘキサ−低級アルキル亜燐酸トリ
アミド、例えばヘキサメチル亜IA醪トリアミド(仮名
は好ましくはメタノールアダクトの形である);そして
さらに、適当な窒素塩基(このものは反シlSvCおい
て対し6するN−オキシドに転換される〕、例えば芳香
族性の複素環蟹素塩基、例えばビリジンタイグの塩基、
特にピリジン自体である。オシニド(通常は分離しない
)の開裂は通常、その製造に使用したのと同一の条件、
すなわち過当な溶剤又は溶剤混合物の存在下で、そして
冷却しながら又は穏和に加熱しながら行い、この操作は
、好ましくは約−10℃〜約+25℃、通常は室温にお
いて行う。
段階3.4
式(VJb)のアゼチクノンは4(XIY)のオキサリ
ルアゼチジノン全力面’a tN4分解することによっ
て製造jる。とができる。
ルアゼチジノン全力面’a tN4分解することによっ
て製造jる。とができる。
加溶媒分解は加水分解、アルコール分解又はそのIマか
にヒドラジン分解の形で行うことができる。
にヒドラジン分解の形で行うことができる。
加水分計は水を用いて、又は場合によっては水混和性溶
剤を用いて行う。アルコール分ル1.は一般に低級アル
コール、例えばメタノール又はエタノールを用いて、好
ましくは氷及び有1憑浴剤、例えばアルカンカルボンk
R iIL 61アルキルエステル、例えば酢酸エチル
の存在下で、好ましくは室温において、成型により冷却
又は加熱を行いながら、例えば約り℃〜約80℃の温度
において行う。ヒドラジン分解は、置映嘔れたヒドラジ
ン、例えばフェニルヒドラジン又はニトロフェニルヒド
ラノン、例,tば2−ニトロフェニルヒドラノン、4−
ニトロフェニルヒドラジン又U2.4−ジ=)aフェニ
ルヒドラジンを、好ましくはおよそ等モルilfiいて
、有機溶剤、例えばエーテル、例えtよテトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、芳香族炭化水素
、例えばベンゼンもしく&まトルエン、−・ログン化炭
化水素、例え#ri塩化メラーレン、クロロベンセンも
L<Uジクロロベンゼン、エステル、例えば酢酸エチル
、及びこれらに団するものの中で、お上七至温〜約65
℃の範0の1品度V?lおいて常法に従って行う。
剤を用いて行う。アルコール分ル1.は一般に低級アル
コール、例えばメタノール又はエタノールを用いて、好
ましくは氷及び有1憑浴剤、例えばアルカンカルボンk
R iIL 61アルキルエステル、例えば酢酸エチル
の存在下で、好ましくは室温において、成型により冷却
又は加熱を行いながら、例えば約り℃〜約80℃の温度
において行う。ヒドラジン分解は、置映嘔れたヒドラジ
ン、例えばフェニルヒドラジン又はニトロフェニルヒド
ラノン、例,tば2−ニトロフェニルヒドラノン、4−
ニトロフェニルヒドラジン又U2.4−ジ=)aフェニ
ルヒドラジンを、好ましくはおよそ等モルilfiいて
、有機溶剤、例えばエーテル、例えtよテトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、芳香族炭化水素
、例えばベンゼンもしく&まトルエン、−・ログン化炭
化水素、例え#ri塩化メラーレン、クロロベンセンも
L<Uジクロロベンゼン、エステル、例えば酢酸エチル
、及びこれらに団するものの中で、お上七至温〜約65
℃の範0の1品度V?lおいて常法に従って行う。
この方法の好ましい態様VCおいては、式(XIll)
の化合物を出発物質として使用し、そして=t.i @
己のようにしてオゾン化し、セして仄に磁性によって開
裂せしめることにより式(X1%’ )のオキサIJル
アゼチジノンを生成せしめ、これを反し6混合物力1ら
分離することなくさらに反応せしめて式(Vlb)のア
ゼチジノン全生成せしめる。
の化合物を出発物質として使用し、そして=t.i @
己のようにしてオゾン化し、セして仄に磁性によって開
裂せしめることにより式(X1%’ )のオキサIJル
アゼチジノンを生成せしめ、これを反し6混合物力1ら
分離することなくさらに反応せしめて式(Vlb)のア
ゼチジノン全生成せしめる。
オゾン分解において、加溶媒分解により容易に除去され
得る基R2、例えばトリー置換ンリル基の除去全行い得
る酸が少愉生成する場合がある。
得る基R2、例えばトリー置換ンリル基の除去全行い得
る酸が少愉生成する場合がある。
次の式CVIbつ、
で表わされる生成した化合物は、例えばクロマトグラフ
ィーによって保護されたアゼチジノン(Vlb)から分
離することができ、セしてヒドロキシ保護基R′2ヲ導
入する式R′2−X3の薬剤とあらたに反応せしめるこ
とによ9式(■b)のアゼチジノンに転換することがで
きる。
ィーによって保護されたアゼチジノン(Vlb)から分
離することができ、セしてヒドロキシ保護基R′2ヲ導
入する式R′2−X3の薬剤とあらたに反応せしめるこ
とによ9式(■b)のアゼチジノンに転換することがで
きる。
式(fl)、(1つ、(Ill)、(IV’)、(Vl
l) 〜(IX)、及び(All)〜(XJV)の化合
物において、保護されたカル、ぎキシ基R′3triそ
れ自体公知の方法によって異なる保護されたカルz1?
キン基R/に転換することができ、これ全行う場合、こ
nらの化合qグ中に汀まれている場合がある他の官能基
を考慮して、式(I)の化合物中のこの買換基の転換の
ために前記した方法と同じ方法を用いることができる。
l) 〜(IX)、及び(All)〜(XJV)の化合
物において、保護されたカル、ぎキシ基R′3triそ
れ自体公知の方法によって異なる保護されたカルz1?
キン基R/に転換することができ、これ全行う場合、こ
nらの化合qグ中に汀まれている場合がある他の官能基
を考慮して、式(I)の化合物中のこの買換基の転換の
ために前記した方法と同じ方法を用いることができる。
この発明(・よさらに、油焼な出発1ゾ貝、及びこの発
明の方法によシ得らnるり1規な中間体、例えは式(I
I) 〜[)、(X11[) 及び(XIV) 、並0
’ k コi+−らノ製造方法にも関する。
明の方法によシ得らnるり1規な中間体、例えは式(I
I) 〜[)、(X11[) 及び(XIV) 、並0
’ k コi+−らノ製造方法にも関する。
使用される出発物質及び亡択−さ1する反范、条件は、
%に好ましいとして後記する化合物を供するものである
ことが好ましい。
%に好ましいとして後記する化合物を供するものである
ことが好ましい。
式(1)の化合物は価値ある薬理学的性質を有し、又は
価値ある薬理学的性質をゼするそのような物質を製造す
るための中間体として使用することかできる。R4が水
垢又はメチルでめり、R2がヒドロキ/であジ、R5が
カルボキン又は生沖的銀件下で開裂され得るエステル化
カルfキ7基であり、セしてR4が式(I)について前
記した惹味を有する式(1)の化合物、及び塩形成−L
を有するこの化合物の薬理学的に訂゛容される塩は抗細
菌活性を有する。例えばこれらの化合物は試験管内にお
りて、ダラム陽性及びダラム陰性球菌、例えばZ乏に0
.02〜約64μg/mlの最小1…止。R1示す。生
pyogene!I) VCJ:るマウスの全身感染の
場合に、この発明の1ヒ合物は皮下投与又は経口投与に
おいて約8.5〜約100 m9AFlのED5o値を
有する。
価値ある薬理学的性質をゼするそのような物質を製造す
るための中間体として使用することかできる。R4が水
垢又はメチルでめり、R2がヒドロキ/であジ、R5が
カルボキン又は生沖的銀件下で開裂され得るエステル化
カルfキ7基であり、セしてR4が式(I)について前
記した惹味を有する式(1)の化合物、及び塩形成−L
を有するこの化合物の薬理学的に訂゛容される塩は抗細
菌活性を有する。例えばこれらの化合物は試験管内にお
りて、ダラム陽性及びダラム陰性球菌、例えばZ乏に0
.02〜約64μg/mlの最小1…止。R1示す。生
pyogene!I) VCJ:るマウスの全身感染の
場合に、この発明の1ヒ合物は皮下投与又は経口投与に
おいて約8.5〜約100 m9AFlのED5o値を
有する。
例えば試験管内試験において、(5旦、6斗)−2−[
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ゾロビ
ル」−6−ヒドロキノメチル−2−ペネム−3−カルボ
ン酸ナトリウム(化合物1)、(5旦、6旦)−2−(
3−(1−ジメチルアミノエチルテトラゾルー5−イル
チオ)−プロピルJ−6−ヒドロキシメチル−2−ベネ
ム−3−カルボン酸ナトリウム(化合物2)、及び(5
旦。
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ゾロビ
ル」−6−ヒドロキノメチル−2−ペネム−3−カルボ
ン酸ナトリウム(化合物1)、(5旦、6旦)−2−(
3−(1−ジメチルアミノエチルテトラゾルー5−イル
チオ)−プロピルJ−6−ヒドロキシメチル−2−ベネ
ム−3−カルボン酸ナトリウム(化合物2)、及び(5
旦。
6旦)−2−(3−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−エチル−6−ヒドロキシメチル−2−ペネム−
3−カルボン酸ナトリウム(化合物3)は次の活性を示
す。
チオ)−エチル−6−ヒドロキシメチル−2−ペネム−
3−カルボン酸ナトリウム(化合物3)は次の活性を示
す。
以下余白
マウスの全身感染における生体内試験において次のよう
な活性が認められる。
な活性が認められる。
注 s、c:皮下投与 pro :経ロ投与n、d:
測定されず。
測定されず。
新規化合物は経口投与又は非経口投与可能な抗細菌性抗
生物質として、例えは対応する医薬製剤の形で、感染の
治めIのために使用することができる。
生物質として、例えは対応する医薬製剤の形で、感染の
治めIのために使用することができる。
存在する官能基の少なくとも1つが保護された形であり
、保僅さ′i″Iたカルビキン基は生理的灸件下で開裂
されうるエステル化カルボキン基でない式(1)の化合
物は、前記の式(I)の薬理学的に活性な化合物の製造
のための中間体として使用することができる。
、保僅さ′i″Iたカルビキン基は生理的灸件下で開裂
されうるエステル化カルボキン基でない式(1)の化合
物は、前記の式(I)の薬理学的に活性な化合物の製造
のための中間体として使用することができる。
この発明の医薬として許容される化合物は、例えば、有
効量の活性成分を、経口投与又は非経口投与、すなわち
筋肉内投与、皮下投与もしくは腹腔内投与に適する無機
又は有機の同体又は液体の医薬として許容式れる担体と
一緒に又は混合して宮んで成る医薬製剤の製造のためQ
て使用することができる。
効量の活性成分を、経口投与又は非経口投与、すなわち
筋肉内投与、皮下投与もしくは腹腔内投与に適する無機
又は有機の同体又は液体の医薬として許容式れる担体と
一緒に又は混合して宮んで成る医薬製剤の製造のためQ
て使用することができる。
経口投与のためには錠剤又はゼラチンカプセルを用いる
ことができ、これらは活性成分と共に稀釈AL 例、t
Jf乳糖、グルコース、シー−クロース、マンニトール
、ソルビトール、セルロース及ヒ/又はグリンン、及び
滑剤、例えば/リカ、タルク、ステアリン酸もしくはそ
の塩、移すえシュステアリン酸マグネシウムもしくはス
テアリン叡カル/ウム、及び/又はポリエチレングリコ
ールを含み、錠剤はさらに、結合剤、例えば珪酸マグネ
シウム、アルミニウム、澱粉、例えばトウモロコシ、小
麦、米又はぐず澱粉、ゼラチン、トラガカント、メチル
セルロース、カルボキシメチルセルロースナトリウム及
び/又はン」セリビニルピロリドンヲ合有し、そして所
望により崩壊剤、例えば澱粉、寒天、アルギン酸もしく
はその塩、例えばアルギン酸ナトリウム、及び/又は起
屈剤又は吸着剤、着色剤、香味料又は甘味料を含有する
。
ことができ、これらは活性成分と共に稀釈AL 例、t
Jf乳糖、グルコース、シー−クロース、マンニトール
、ソルビトール、セルロース及ヒ/又はグリンン、及び
滑剤、例えば/リカ、タルク、ステアリン酸もしくはそ
の塩、移すえシュステアリン酸マグネシウムもしくはス
テアリン叡カル/ウム、及び/又はポリエチレングリコ
ールを含み、錠剤はさらに、結合剤、例えば珪酸マグネ
シウム、アルミニウム、澱粉、例えばトウモロコシ、小
麦、米又はぐず澱粉、ゼラチン、トラガカント、メチル
セルロース、カルボキシメチルセルロースナトリウム及
び/又はン」セリビニルピロリドンヲ合有し、そして所
望により崩壊剤、例えば澱粉、寒天、アルギン酸もしく
はその塩、例えばアルギン酸ナトリウム、及び/又は起
屈剤又は吸着剤、着色剤、香味料又は甘味料を含有する
。
非経口投与のためには!侍に注入溶液、好“ましくは等
張水性溶液又は懸濁液が適当であり、これは使用前Vこ
、例えば、活性成分のみ、又は活性成分と共に担体、例
えばマン二m−ルを含有する凍結乾゛凍製ハリから潤製
することができる。これらの製剤をま除菌さtLる場合
がありそして/又は添加物、例えば防腐剤、安定剤、湿
潤剤及び/又は乳化剤、溶解剤、1受、A圧調節塩及び
/又は緩1荷剤を首府する場合がある。
張水性溶液又は懸濁液が適当であり、これは使用前Vこ
、例えば、活性成分のみ、又は活性成分と共に担体、例
えばマン二m−ルを含有する凍結乾゛凍製ハリから潤製
することができる。これらの製剤をま除菌さtLる場合
がありそして/又は添加物、例えば防腐剤、安定剤、湿
潤剤及び/又は乳化剤、溶解剤、1受、A圧調節塩及び
/又は緩1荷剤を首府する場合がある。
この発明の医薬製剤は、所望により他の薬理学的に活性
な物質全含有することがあり、それ自体公知の方法によ
り、例えば常用の混合、溶解又は凍結乾燥技法により製
造され、そして約0.1〜100受、%に約1〜約50
%、あるいは凍結乾燥物の場合には100チまでの活性
成分をS′有する。
な物質全含有することがあり、それ自体公知の方法によ
り、例えば常用の混合、溶解又は凍結乾燥技法により製
造され、そして約0.1〜100受、%に約1〜約50
%、あるいは凍結乾燥物の場合には100チまでの活性
成分をS′有する。
感染のタイプ、及び感染を受けた生物の状jE5に応じ
て、約70kflの体M’r有する湿血勤r+//J(
ヒト又はその他の動物)の治療のための日用具ハ約0.
1g〜約5gである。
て、約70kflの体M’r有する湿血勤r+//J(
ヒト又はその他の動物)の治療のための日用具ハ約0.
1g〜約5gである。
次に例によりこの発明全具体的にi兄明する。温度(t
よ℃で示す。
よ℃で示す。
例において欠の略号全使用する。
TLC:薄層クロマトグラフ
■R:赤外線スペクトル
Uv:紫外線スペクトル
M、p:i触点
DB[J : i 、 5−ジアザピンクO[5,4,
OJタウンカ−5−エン THF :テトラヒドロフラン DMF :ノメチルホルムアミド 以下余白 91+ (38,4R−3−(tert−グチルー
ジ室温において攪拌しながら、720m9の4−(1−
メチルテトラゾルー5−イルチオ)−チオ酪酸、3、3
mgのIN水酸化ナトリウム溶液及び5.9 mlの
水の混合物を、6mlの純THF中880.2■の(3
旦。
OJタウンカ−5−エン THF :テトラヒドロフラン DMF :ノメチルホルムアミド 以下余白 91+ (38,4R−3−(tert−グチルー
ジ室温において攪拌しながら、720m9の4−(1−
メチルテトラゾルー5−イルチオ)−チオ酪酸、3、3
mgのIN水酸化ナトリウム溶液及び5.9 mlの
水の混合物を、6mlの純THF中880.2■の(3
旦。
4旦−3−(tart−ブチル−ジメチル−シリルオキ
シメチル)−4−メチルスルホニルアゼチジン−2−′
オ/の溶液に流加する。−が9〜10となるように水酸
化ナトリウム溶液を計量供給する。
シメチル)−4−メチルスルホニルアゼチジン−2−′
オ/の溶液に流加する。−が9〜10となるように水酸
化ナトリウム溶液を計量供給する。
室温にて35時間反応せしめた後、全体を塩化メチレン
で抽出する。有機抽出液を塩水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、そして蒸発乾燥する。
で抽出する。有機抽出液を塩水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、そして蒸発乾燥する。
相生酸物を、溶離液としてトルエン/酢酸エチル(2:
1)を用いて、50gのシリカダルによりクロマトグラ
フ処理する。
1)を用いて、50gのシリカダルによりクロマトグラ
フ処理する。
TLC(シリカゲル、トルエン/酢酸エチル(2: 3
)’]:R,=0.45 ; IR(塩化メチレン):2.93.5.67.5,96
7L。
)’]:R,=0.45 ; IR(塩化メチレン):2.93.5.67.5,96
7L。
出発物質である4−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−チオ酪酸は次のようにして製造することができ
る。
チオ)−チオ酪酸は次のようにして製造することができ
る。
5.34gのナトリウム(1−メチルテトラゾルー5−
イルチオレート)及び6.449の4−ブロモ酪酸エテ
ルエステルを、60rnlの純エタノール中で90℃に
て3時間攪拌する。次に反応混合物を蒸発濃縮し、そし
て得られた残渣を水及び酢酸エチルの間で分配する。有
機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧下で然発濃
縮し標記化合物を得る。
イルチオレート)及び6.449の4−ブロモ酪酸エテ
ルエステルを、60rnlの純エタノール中で90℃に
て3時間攪拌する。次に反応混合物を蒸発濃縮し、そし
て得られた残渣を水及び酢酸エチルの間で分配する。有
機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧下で然発濃
縮し標記化合物を得る。
TLC(溶剤:トルエン/酢酸エチル(1: 1 )]
:R,=0.4: IR(塩化メチレン):5.7B、7.3.8.62μ
。
:R,=0.4: IR(塩化メチレン):5.7B、7.3.8.62μ
。
(lab) 4− (1−メチルテトラゾルー5−イ
ルチオ)−酪酸 2.93gの4(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ
)−酪酸エチルエステルを50ntlのTHFに溶解し
、15m/!のI N NaOHを加え、そして全体を
室温にて3時間攪拌する。次にTHFのほとんどを減圧
下で蒸発濃縮し、そして残渣を酢酸エチルで洗浄する。
ルチオ)−酪酸 2.93gの4(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ
)−酪酸エチルエステルを50ntlのTHFに溶解し
、15m/!のI N NaOHを加え、そして全体を
室温にて3時間攪拌する。次にTHFのほとんどを減圧
下で蒸発濃縮し、そして残渣を酢酸エチルで洗浄する。
水溶液を、4NHC1を用いてPH3に調整し、そして
酢酸エチルにより3回抽出する。
酢酸エチルにより3回抽出する。
硫酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧下で蒸発濃縮した
後標記化合物を得る。
後標記化合物を得る。
TLC[:溶剤:トルエン/酢酸エチル/酢酸(10:
10:1):R,=0.29 :IR(塩化メチレン)
: 5.87.7,2.8.55μ。
10:1):R,=0.29 :IR(塩化メチレン)
: 5.87.7,2.8.55μ。
2.2gの4−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ
)−酪酸を、20m1の純ベンゼン中で、1.03m/
の塩化チオニル及び4滴のDMFと共に還流湿度にて2
0分間攪拌する。次に、溶剤を減圧下で蒸発濃縮する。
)−酪酸を、20m1の純ベンゼン中で、1.03m/
の塩化チオニル及び4滴のDMFと共に還流湿度にて2
0分間攪拌する。次に、溶剤を減圧下で蒸発濃縮する。
トルエンに溶解し、そしてさらに2回蒸発濃縮した後、
標記化合物を黄色油状物として得る。
標記化合物を黄色油状物として得る。
IR(塩化メチレン):5.6.7.2.8.6μ。
920肩?の4−(1−メチルテトラゾルー5−イルチ
オ)−酪酸クロリドを1.4mlの純メチレンクロリド
に溶解し、そして0℃にて、塩化メチレン中ピリジン/
H2S溶液(100m、lの塩化メチレン中30m1の
純ピリジン及び6gの1(2S ) 5.54−に流加
する。次に全体を、窒素雰囲気下O℃にて1時間攪拌す
る。反応混合物をクロロホルムに溶解し、2NH2S0
4を用いて水相のFJ(を2に酸性化t、、そしてクロ
ロホルムにより2回抽出を行う。
オ)−酪酸クロリドを1.4mlの純メチレンクロリド
に溶解し、そして0℃にて、塩化メチレン中ピリジン/
H2S溶液(100m、lの塩化メチレン中30m1の
純ピリジン及び6gの1(2S ) 5.54−に流加
する。次に全体を、窒素雰囲気下O℃にて1時間攪拌す
る。反応混合物をクロロホルムに溶解し、2NH2S0
4を用いて水相のFJ(を2に酸性化t、、そしてクロ
ロホルムにより2回抽出を行う。
−緒にした有機相を5dずつの10チN a HCOs
溶液により2回洗浄する。次に2NH8O4を用いてP
Hを3に調整し、そして標記化合物をクロロホルムによ
り数回抽出する。硫酸ナトリウムで乾燥し、そして濃縮
することにより標記化合物を得る。
溶液により2回洗浄する。次に2NH8O4を用いてP
Hを3に調整し、そして標記化合物をクロロホルムによ
り数回抽出する。硫酸ナトリウムで乾燥し、そして濃縮
することにより標記化合物を得る。
IR(塩化メチレン):3.9.5,9.7.1,7.
2.8.55μ。
2.8.55μ。
出発物質である(3旦、4旦) −3−(tert −
ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メチル
スルンj二ニルアゼチジン−2−オンハ次ノヨうにして
製造することができる。
ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メチル
スルンj二ニルアゼチジン−2−オンハ次ノヨうにして
製造することができる。
50rnl(r)ジメチルホルムアミド中23.6g(
85ミリモル)の(3旦、5μ、6旦)−2,2−ジメ
チル−6−ヒトロキシメチルベナムー3−カルボン酸メ
ヂルエステル−1,1−ジオキシドを、25.5g(1
70ミリモル)のtert−ブチルジメチルクロロシラ
ン及び11.5.!i’(170ミリモル)のイミダゾ
ールと共に、室温にて45分間攪拌する。
85ミリモル)の(3旦、5μ、6旦)−2,2−ジメ
チル−6−ヒトロキシメチルベナムー3−カルボン酸メ
ヂルエステル−1,1−ジオキシドを、25.5g(1
70ミリモル)のtert−ブチルジメチルクロロシラ
ン及び11.5.!i’(170ミリモル)のイミダゾ
ールと共に、室温にて45分間攪拌する。
溶剤を高真空下で留去し、そして残渣を酢酸エチルに溶
解する。溶液をIN硫酸及び次に水で洗浄し、そして水
溶液を酢酸エチルで2回抽出する。有機相を硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータで濃縮す
る。生成物を結晶として得る。
解する。溶液をIN硫酸及び次に水で洗浄し、そして水
溶液を酢酸エチルで2回抽出する。有機相を硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータで濃縮す
る。生成物を結晶として得る。
TLC[シリカゲル、トルエン/酢酸エチル(4:1)
):Rf= 0.56 ; I R(CH2Cl2) : 3.4.5.57.5.
65 fim 。
):Rf= 0.56 ; I R(CH2Cl2) : 3.4.5.57.5.
65 fim 。
9mlのDBUを、800m1のテトラヒドロフラン中
202g(0,51モル)の(3旦、5旦、6旦)−2
゜2−−)メチル−6−(tart−ブチル−・ジメチ
ル−シリルオキシメチル)−ベナム−3−カル?ン酸メ
チルエステル−1,1−ジオキシドの溶液に加え、そし
て全体を室温にて5分間攪拌する。次に、さらに95m
1のDBUを加え、そして全体を室温にて30分間攪拌
する。続いて、冷却しながら42.3m1(0,58モ
ル)のヨウ化メチルを加える。3時間の反応の後、結晶
化したDBU−ヒト%oイオジドを沖去し、そしてp液
を濃縮する。残渣を酢酸工チルに溶解し、そして溶液を
IN硫酸、水及び炭酸水素す) IJウム溶液で洗浄す
る。水相を酢酸エチルで2回抽出する。−緒にした有機
相を硫酸ナトリウムで乾燥し、そして溶液を粘稠な油状
に濃縮する。
202g(0,51モル)の(3旦、5旦、6旦)−2
゜2−−)メチル−6−(tart−ブチル−・ジメチ
ル−シリルオキシメチル)−ベナム−3−カル?ン酸メ
チルエステル−1,1−ジオキシドの溶液に加え、そし
て全体を室温にて5分間攪拌する。次に、さらに95m
1のDBUを加え、そして全体を室温にて30分間攪拌
する。続いて、冷却しながら42.3m1(0,58モ
ル)のヨウ化メチルを加える。3時間の反応の後、結晶
化したDBU−ヒト%oイオジドを沖去し、そしてp液
を濃縮する。残渣を酢酸工チルに溶解し、そして溶液を
IN硫酸、水及び炭酸水素す) IJウム溶液で洗浄す
る。水相を酢酸エチルで2回抽出する。−緒にした有機
相を硫酸ナトリウムで乾燥し、そして溶液を粘稠な油状
に濃縮する。
TLC(シリカダル、トルエン/酢酸エチル(4:1)
’):R,=0.42: IR(CH2Cl2) : 5.63.5.81.6.
171tm 。
’):R,=0.42: IR(CH2Cl2) : 5.63.5.81.6.
171tm 。
−2−オン
400m1の塩化メチL/7中25g(61,7ミリモ
ル)の2− ((3旦、4旦)−3−(tert−ブチ
ル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メチルスル
ホニル−2−オキソアゼテノン−1−イル〕−3−メチ
ルー2−ブテン酸メチルエステルの溶液を、−10℃に
おいてオゾン/酸素混合物により処理する。出発物質の
消失を薄層クロマトグラフィーにより監視する。反応が
完結したとき、30m1のジメチルスルフィドを加え、
そして全体を室温にてさらに3時間攪拌する。溶液を濃
縮し、そして残渣を、160m1のメタノール、24r
nlの酢酸エチル及び3mlの水の混合物に入れ、そし
て70℃にて40分間加熱する。溶剤を除去し、そして
残渣をトルエンの存在下で2回蒸発せしめる。
ル)の2− ((3旦、4旦)−3−(tert−ブチ
ル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メチルスル
ホニル−2−オキソアゼテノン−1−イル〕−3−メチ
ルー2−ブテン酸メチルエステルの溶液を、−10℃に
おいてオゾン/酸素混合物により処理する。出発物質の
消失を薄層クロマトグラフィーにより監視する。反応が
完結したとき、30m1のジメチルスルフィドを加え、
そして全体を室温にてさらに3時間攪拌する。溶液を濃
縮し、そして残渣を、160m1のメタノール、24r
nlの酢酸エチル及び3mlの水の混合物に入れ、そし
て70℃にて40分間加熱する。溶剤を除去し、そして
残渣をトルエンの存在下で2回蒸発せしめる。
結晶化する油状物を塩化メチレンに入れ、そして(3旦
、4旦)−3−ヒドロキンメチル−4−メチルスルホニ
ルアゼチジン−2−オンかう成る結晶を濾過により分離
する。p液を濃縮し、そしてトルエン/酢酸エチル(3
:1)を用いるシリカダルクロマトグラフィーにより、
(38,4R)−3−(tert−ブチル−ジメチル−
シリルオキシメチル)−4−メチルスルホニル−アゼチ
ジン−2−オンを純粋な形で得る。
、4旦)−3−ヒドロキンメチル−4−メチルスルホニ
ルアゼチジン−2−オンかう成る結晶を濾過により分離
する。p液を濃縮し、そしてトルエン/酢酸エチル(3
:1)を用いるシリカダルクロマトグラフィーにより、
(38,4R)−3−(tert−ブチル−ジメチル−
シリルオキシメチル)−4−メチルスルホニル−アゼチ
ジン−2−オンを純粋な形で得る。
TLC(シリカケ゛ル、トルエン/酢酸エチル(1:1
)):Rf=0.36; IR(CH2C42) : 2.96.3.54.5.
6111m aTLC(シリカゲル、トルエン/酢酸エ
チル(1:1)):R,=0.06゜ 249(183ミリモル)のtert−グチルジメチル
クロロシラン及び11,1it(163ミリモル)のイ
ミダゾールを、室温にて45分間にわたって、40m1
(Dジメチルホルムアミド中14.6 g(81,5ミ
リモル)の(38,4R)−3−ヒドロキシメチル−4
−メチルスルホニルアゼチジン−2−オンの溶液に加え
る。次に、溶剤を高真空下で除去し、そして残渣を酢酸
エチルに溶解する。有機相を、IN硫酸、水及び炭酸水
素ナトリウム溶液により次々と洗浄する。水相を酢酸エ
チルで2回抽出する。−緒にした有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータ中で濃縮す
る。結晶性残渣は純粋な(3S、4R)−3−(ter
t−ブチル−ジメチル)−シリルオキシメチル)−4−
メチル−スルホニルアゼチジン−2−オンである。
)):Rf=0.36; IR(CH2C42) : 2.96.3.54.5.
6111m aTLC(シリカゲル、トルエン/酢酸エ
チル(1:1)):R,=0.06゜ 249(183ミリモル)のtert−グチルジメチル
クロロシラン及び11,1it(163ミリモル)のイ
ミダゾールを、室温にて45分間にわたって、40m1
(Dジメチルホルムアミド中14.6 g(81,5ミ
リモル)の(38,4R)−3−ヒドロキシメチル−4
−メチルスルホニルアゼチジン−2−オンの溶液に加え
る。次に、溶剤を高真空下で除去し、そして残渣を酢酸
エチルに溶解する。有機相を、IN硫酸、水及び炭酸水
素ナトリウム溶液により次々と洗浄する。水相を酢酸エ
チルで2回抽出する。−緒にした有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータ中で濃縮す
る。結晶性残渣は純粋な(3S、4R)−3−(ter
t−ブチル−ジメチル)−シリルオキシメチル)−4−
メチル−スルホニルアゼチジン−2−オンである。
3(lの分子篩タイプ4 X 1/16 CDr、 −
sンダ−(Render ) & Dr、ホ々イン(H
obein )AG+ チューリッヒ〕を、60dのト
ルエン及び12rnlのN、N−ジメチルホルムアミド
中3.346gの(3旦、4旦) −3−(tert−
ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−[4−
(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−グチロイル
チオ〕−アゼチジン−2−オン及び3.417 gのグ
リオキシル酸2−トリメチルシリルエチルエステル−エ
チルへミケタールの混合物に加え、そして全体を保護気
体のもとで、100℃の浴温において、8時間攪拌する
。冷却した後、混合物をノ・イフロ上で沖過し、そして
濾過残渣をトルエンで洗浄する。
sンダ−(Render ) & Dr、ホ々イン(H
obein )AG+ チューリッヒ〕を、60dのト
ルエン及び12rnlのN、N−ジメチルホルムアミド
中3.346gの(3旦、4旦) −3−(tert−
ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−[4−
(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−グチロイル
チオ〕−アゼチジン−2−オン及び3.417 gのグ
リオキシル酸2−トリメチルシリルエチルエステル−エ
チルへミケタールの混合物に加え、そして全体を保護気
体のもとで、100℃の浴温において、8時間攪拌する
。冷却した後、混合物をノ・イフロ上で沖過し、そして
濾過残渣をトルエンで洗浄する。
涙液を蒸発8縮し、そして高真空下40℃にて乾燥する
ことにより黄色油状の生成物を得る。
ことにより黄色油状の生成物を得る。
TLC[シリカゾル、トルエン/酢酸エチル(2: 3
)]:Rf=0.55及び0.47; IR(塩化メチレン):2.87.5.65.5,78
.5,93μ。
)]:Rf=0.55及び0.47; IR(塩化メチレン):2.87.5.65.5,78
.5,93μ。
1、04 mlの塩化チオニル及び2.08 mlのト
リエチルアミンを、−15℃にて攪拌しながら10分間
にわたって次々と、35m1のテトラヒドロフラン中5
.2gの2−[(3旦、4旦) −3−(tert−プ
チルージメチルーシリルオキシメチル)−4−(4−(
1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチ
オ〕−2−オキソアゼピン−1−イル〕−2−ヒドロキ
シ酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルの溶液に加
える。次に、白色の懸濁液を0℃にて1時間にわたって
撹拌し、そしてハイフロ上で濾過する。残渣をトルエン
で洗浄した後、ロータリーエバポレータで濃縮しそして
高真空下で乾燥する。残渣を20meのジオキサンに溶
解し、2.25gのトリフェニルポスフィン及びl m
lの2,6−ルチジンを加え、そして全体を50℃にて
18時間攪拌する。混合物をノ・イフロ上で濾過し、と
の残渣をトルエンで洗浄する。−緒にしたr液を蒸発濃
縮し、そして残渣を、トルエン/酢酸エチル(4:1)
を用いて30(lのシリカゾルによりクロマトグラフ処
理し純生成物を得る。
リエチルアミンを、−15℃にて攪拌しながら10分間
にわたって次々と、35m1のテトラヒドロフラン中5
.2gの2−[(3旦、4旦) −3−(tert−プ
チルージメチルーシリルオキシメチル)−4−(4−(
1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチ
オ〕−2−オキソアゼピン−1−イル〕−2−ヒドロキ
シ酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルの溶液に加
える。次に、白色の懸濁液を0℃にて1時間にわたって
撹拌し、そしてハイフロ上で濾過する。残渣をトルエン
で洗浄した後、ロータリーエバポレータで濃縮しそして
高真空下で乾燥する。残渣を20meのジオキサンに溶
解し、2.25gのトリフェニルポスフィン及びl m
lの2,6−ルチジンを加え、そして全体を50℃にて
18時間攪拌する。混合物をノ・イフロ上で濾過し、と
の残渣をトルエンで洗浄する。−緒にしたr液を蒸発濃
縮し、そして残渣を、トルエン/酢酸エチル(4:1)
を用いて30(lのシリカゾルによりクロマトグラフ処
理し純生成物を得る。
TLC〔シリカゾル、トルエン/酢酸エチル(2:3)
〕二R,=0.49 ; IR(塩化メチレン):5.7.5.93.6.25μ
。
〕二R,=0.49 ; IR(塩化メチレン):5.7.5.93.6.25μ
。
男4. (5R,6S −2−(3−(1−メチル
テトラゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−(te
rt−ブチル−ジメチル−シリル2.16gの2− [
(3旦、4旦) −3−(tert−ブチル−ジメチル
−シリルオキシメチル)−4−(4−(1−メチルテト
ラゾルー5−イルチオ)−グチロイルチオ〕−2−オキ
ソアゼチノン−1−イル’)−2−)リフェニルホスホ
ラニリデン酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルを
so。
テトラゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−(te
rt−ブチル−ジメチル−シリル2.16gの2− [
(3旦、4旦) −3−(tert−ブチル−ジメチル
−シリルオキシメチル)−4−(4−(1−メチルテト
ラゾルー5−イルチオ)−グチロイルチオ〕−2−オキ
ソアゼチノン−1−イル’)−2−)リフェニルホスホ
ラニリデン酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルを
so。
mlのトルエンに溶解し、そして窒素雰囲気下で1.5
時間還流温度において攪拌する。溶剤を蒸発せしめるこ
とにより濃縮し、そして残渣を、溶離液としてトルエン
/酢酸エチル(5:1)を用いるシリカダルカラムクロ
マトグラフィーにより処理することにより純生成物を得
る。
時間還流温度において攪拌する。溶剤を蒸発せしめるこ
とにより濃縮し、そして残渣を、溶離液としてトルエン
/酢酸エチル(5:1)を用いるシリカダルカラムクロ
マトグラフィーにより処理することにより純生成物を得
る。
TLC[シリカゾル、トルエン/酢酸エチル(2:3)
):Rf=0.6; IR(塩化グチルy):5.63.5.92.6.35
.7.67.8.95μ。
):Rf=0.6; IR(塩化グチルy):5.63.5.92.6.35
.7.67.8.95μ。
邸5. (5R,6S)−2−(3−(1−メチルテ
トラゾルー5−イルチオ)−ゾロビル〕エステル 1gの(5旦、6旦)−2−(3−(1−メチルテトラ
ゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−tert−グ
チル−ツメチル−シリルオキ7メチル)−2−ペネム−
3−カルデン酸2−トリメチルンリルエチルエステルを
2Brnlの純THFに溶解し、そして−80℃に冷却
した後窒素雰囲気下で、1m6の酢酸を加える。THF
中0.1Mテトラグチルアンモニウムフルオリド溶液8
omlを流加し、そして混合物を室温まで自然昇温せし
め、そしてこの温度で2時間攪拌する。ロータリーエバ
ポレータ中で溶剤の体積を5mlに濃縮し、そして残渣
を、somlの水中147In9の炭酸水素ナトリウム
及び50m1の酢酸エチル間で分配する。有機相を分難
し、そして水相を酢酸エチルにより2回抽出する。
トラゾルー5−イルチオ)−ゾロビル〕エステル 1gの(5旦、6旦)−2−(3−(1−メチルテトラ
ゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−tert−グ
チル−ツメチル−シリルオキ7メチル)−2−ペネム−
3−カルデン酸2−トリメチルンリルエチルエステルを
2Brnlの純THFに溶解し、そして−80℃に冷却
した後窒素雰囲気下で、1m6の酢酸を加える。THF
中0.1Mテトラグチルアンモニウムフルオリド溶液8
omlを流加し、そして混合物を室温まで自然昇温せし
め、そしてこの温度で2時間攪拌する。ロータリーエバ
ポレータ中で溶剤の体積を5mlに濃縮し、そして残渣
を、somlの水中147In9の炭酸水素ナトリウム
及び50m1の酢酸エチル間で分配する。有機相を分難
し、そして水相を酢酸エチルにより2回抽出する。
有機抽出液を再度水で洗浄し、そして硫酸ナトリウムに
より乾燥する。高真空下で蒸発濃縮することにより粗生
成物を得、溶離液としてトルエン/酢酸エチル(1:1
)を用いて40gのシリカゲルによりクロマトグラフ処
理す。
より乾燥する。高真空下で蒸発濃縮することにより粗生
成物を得、溶離液としてトルエン/酢酸エチル(1:1
)を用いて40gのシリカゲルによりクロマトグラフ処
理す。
TLC[シリカダル、トルエン/酢酸エチル(2: 3
)):R,=0.2; IR(塩化メチレン) : 2.78.5.63.5.
92.6.35.7.67μ。
)):R,=0.2; IR(塩化メチレン) : 2.78.5.63.5.
92.6.35.7.67μ。
7701n9の(5R,6S)−2−43−(1−メチ
ルテトラゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−ヒト
90キ7メチル−2−ベネム−3−カルg:yfi12
−トリメチルシリルエチルエステルヲ14m1の純TH
Fに溶解し、そして−30℃に冷却する。
ルテトラゾルー5−イルチオ)−プロピル〕−6−ヒト
90キ7メチル−2−ベネム−3−カルg:yfi12
−トリメチルシリルエチルエステルヲ14m1の純TH
Fに溶解し、そして−30℃に冷却する。
THF中0.1 Mテトラプチルアンモニウムフルオリ
ド溶液67.3 mlを添加した後、温度を0℃に上昇
せしめる。どの温度で10分間攪拌した後、混合物に9
omlの酢酸エチル及びqOmlの水を加える。
ド溶液67.3 mlを添加した後、温度を0℃に上昇
せしめる。どの温度で10分間攪拌した後、混合物に9
omlの酢酸エチル及びqOmlの水を加える。
次に、水浴中で4NHC1を流加することにより溶液の
PI(を3に調整する。次に水相を分離し、そして酢酸
エチル相を71+++A!の0−05 M NaHCO
3溶液で抽出゛する。有機相を再度10m1のNaHC
O3((to 5M)及び10m1のH2Oで抽出する
。−緒tこした水相から残留溶剤を真空除去し、そして
凍結乾燥する。
PI(を3に調整する。次に水相を分離し、そして酢酸
エチル相を71+++A!の0−05 M NaHCO
3溶液で抽出゛する。有機相を再度10m1のNaHC
O3((to 5M)及び10m1のH2Oで抽出する
。−緒tこした水相から残留溶剤を真空除去し、そして
凍結乾燥する。
TLC〔逆相opt I −UPC1,アセトニトリル
/水(1:1)):Rf=0.78: UV(燐酸緩衝液pH7,4)二λr11aニー303
0m0例1と同様にして、出発物質として921mりの
(3旦、4旦) −3−[:(1旦) −1−tert
−ブチル−ジメチル−シリルオキシエチル]−4−メチ
ルスルホニルアゼチノン−2−オン、及び720■の4
−(1−メチルテトラゾルー5〜イルチオ)−チオ酪酸
を用いて標記化合物を製造する。
/水(1:1)):Rf=0.78: UV(燐酸緩衝液pH7,4)二λr11aニー303
0m0例1と同様にして、出発物質として921mりの
(3旦、4旦) −3−[:(1旦) −1−tert
−ブチル−ジメチル−シリルオキシエチル]−4−メチ
ルスルホニルアゼチノン−2−オン、及び720■の4
−(1−メチルテトラゾルー5〜イルチオ)−チオ酪酸
を用いて標記化合物を製造する。
IR(塩化メチレン)二2.9.5.65.5.95μ
。
。
出発物質である〔3旦、4旦)−3−C(1旦)−l
−tert−グチル−ツメチル−シリルオキシエチル〕
−4−メチルスルホニルアゼチジン−2−オンは次のよ
うにして製造することができる。
−tert−グチル−ツメチル−シリルオキシエチル〕
−4−メチルスルホニルアゼチジン−2−オンは次のよ
うにして製造することができる。
例(lha)〜(lbc)に記載した方法と同様にして
、(3旦、5旦、6R)−2,2−ジメチル−6−[(
IR)−1−ヒドロキシエチル]−ペナムー3−カルボ
ン酸インジルエステル1.1−ジオキシド(独国出願公
開3039504 )をtert−ブチルツメチルクロ
ロシラン及びイミダゾールと反応せしめることにより、
(3旦、5旦、6旦)−2,2−ツメチル−6−[(I
R)−1−tert−ブチル−・ジメチル−フリルオキ
シ)−エチル]−−E’ナムー3−カルボン酸々ンジル
エステル1.1−ジオキシド[IR(塩化メチレン):
3.42.5,56.5.63μ]を得、これをDBU
で処理し、そして次にDBU/ヨウ化メチルで処理する
。得られた2 −(38゜4R)−3−1:(lR)−
1−tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシ)−エ
チル)−4−メチルスルホニル−2−オキソアセチノン
−1−イル〕−3−メチル−2−ブテン酸々ンノルエス
テル[IR(塩化メチレン)二5.63.5.80.6
15μ〕をオゾン化し、そして次にメタノールで処理す
ることにより目的生成物を得る。
、(3旦、5旦、6R)−2,2−ジメチル−6−[(
IR)−1−ヒドロキシエチル]−ペナムー3−カルボ
ン酸インジルエステル1.1−ジオキシド(独国出願公
開3039504 )をtert−ブチルツメチルクロ
ロシラン及びイミダゾールと反応せしめることにより、
(3旦、5旦、6旦)−2,2−ツメチル−6−[(I
R)−1−tert−ブチル−・ジメチル−フリルオキ
シ)−エチル]−−E’ナムー3−カルボン酸々ンジル
エステル1.1−ジオキシド[IR(塩化メチレン):
3.42.5,56.5.63μ]を得、これをDBU
で処理し、そして次にDBU/ヨウ化メチルで処理する
。得られた2 −(38゜4R)−3−1:(lR)−
1−tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシ)−エ
チル)−4−メチルスルホニル−2−オキソアセチノン
−1−イル〕−3−メチル−2−ブテン酸々ンノルエス
テル[IR(塩化メチレン)二5.63.5.80.6
15μ〕をオゾン化し、そして次にメタノールで処理す
ることにより目的生成物を得る。
ルエステル
例2と同様にして、出発物質として3.45.5’の(
3旦−4R)−3−((IR)−1−tert−ブチル
−ジメチル−シリルオキシエチル)−4−[4−(1−
メチルテトラゾルー5−イルチオ)−グチロイルチオ]
−アゼチジン−2−オン、及び3.4251のグリオキ
フル酸2−トリメチルシリルエチルエステル−エチルへ
メタノールを用いて標記化合物を得る。
3旦−4R)−3−((IR)−1−tert−ブチル
−ジメチル−シリルオキシエチル)−4−[4−(1−
メチルテトラゾルー5−イルチオ)−グチロイルチオ]
−アゼチジン−2−オン、及び3.4251のグリオキ
フル酸2−トリメチルシリルエチルエステル−エチルへ
メタノールを用いて標記化合物を得る。
IR(塩化メチレン) : 2.85.5.66.5.
76.4.96μ。
76.4.96μ。
し113と同様にして、5.28gの2−[(3旦。
4R)−3−((IR)−1−tart−プチルーノメ
チルーシリルオキンエチル)−4−(4−(1−メチル
テトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチオ〕−2−
オキソアゼチノン−1−イル〕−2−ヒドロキシ酢酸2
−)リメチルンリルエチルエステルを標記化合物に転換
する。
チルーシリルオキンエチル)−4−(4−(1−メチル
テトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチオ〕−2−
オキソアゼチノン−1−イル〕−2−ヒドロキシ酢酸2
−)リメチルンリルエチルエステルを標記化合物に転換
する。
IR(塩化メチレン) : 5.73.5.91.6.
23μ。
23μ。
−3−カルビ/酸2−トリメチルシリルエ例4と同様に
して、2.27gの2− [(3旦、4旦)−3−((
IR) −1−tert−ブチン−ジメチル−シリルオ
キシエチル)−4−(4−(1−メチルテトラゾルー5
−イルチオ)−グチロイルチオ〕−2−オキソアゼチジ
ン−1−イル)−2−トリフェニルホスホラニリデン酢
酸2−トリメチルシリルエチルエステルを環化して標記
化合物を得る。
して、2.27gの2− [(3旦、4旦)−3−((
IR) −1−tert−ブチン−ジメチル−シリルオ
キシエチル)−4−(4−(1−メチルテトラゾルー5
−イルチオ)−グチロイルチオ〕−2−オキソアゼチジ
ン−1−イル)−2−トリフェニルホスホラニリデン酢
酸2−トリメチルシリルエチルエステルを環化して標記
化合物を得る。
IR(塩化メチレン):5.60.5.90.6.32
.7.63,8.95μ。
.7.63,8.95μ。
例5と同様にして、1.029の(5旦、6旦)−2−
(3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)ゾロビ
ル) −6−((IR) −1−tart−プチルージ
メチルークリルオ子ジエチル)−2−−?ネムー3−カ
ルTIξン酸2〜トリメチルシリルエチルエステルを室
温で100時間攪拌した後THF中041Mテトラプチ
ルアンモニウムフルオリド溶液80m1及びl mlの
酢酸と反応せしめることにより標記化合物を生成せしめ
る。
(3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)ゾロビ
ル) −6−((IR) −1−tart−プチルージ
メチルークリルオ子ジエチル)−2−−?ネムー3−カ
ルTIξン酸2〜トリメチルシリルエチルエステルを室
温で100時間攪拌した後THF中041Mテトラプチ
ルアンモニウムフルオリド溶液80m1及びl mlの
酢酸と反応せしめることにより標記化合物を生成せしめ
る。
IR(塩化メチレン):2.81.5.62.5.94
.6.33.7.67μ。
.6.33.7.67μ。
例6と同様にして、0.7gの(5μ、6月)−2−(
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ゾロビ
ル)−6−[(IR)−1−ヒドロキシエチル)−2−
ペネム−3−カルIIン酸2−トリメチル/リルエチル
エステルを反応せしめることにより標記化合物を生成せ
しめる。
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−ゾロビ
ル)−6−[(IR)−1−ヒドロキシエチル)−2−
ペネム−3−カルIIン酸2−トリメチル/リルエチル
エステルを反応せしめることにより標記化合物を生成せ
しめる。
UV(燐酸緩衝液p)17.4):λmaX=305n
m091113、 (3S、4R)−3−(tert
−ブチル−ジメチル−ノリルオキ7メチル)−4−トリ
フェニルメチルチオアゼチノン−2−オン12.5gの
トリフェニルメチルメルカメタンを0℃にて70m1の
メタノールに懸濁し、そして全量2.2gの油中50チ
ナトリウムヒドリド懸濁液を10分間にわたって少しず
つ加える。次に、70m1の7七ドア及び70m1の水
中11.1.!i’の3−tart−ブチル−ジメチル
−7リルオキシメチルー4−メチルスルホニルアゼチジ
ン−2−オンの乳濁液を、30分間にわたって流加する
。0℃にて30分間及び室温にて1時間4″J″L拌し
た後、反応混合物をロータリーエバポレータ中で濃縮し
、これに塩化メチレンを加え、そして水相を分離する。
m091113、 (3S、4R)−3−(tert
−ブチル−ジメチル−ノリルオキ7メチル)−4−トリ
フェニルメチルチオアゼチノン−2−オン12.5gの
トリフェニルメチルメルカメタンを0℃にて70m1の
メタノールに懸濁し、そして全量2.2gの油中50チ
ナトリウムヒドリド懸濁液を10分間にわたって少しず
つ加える。次に、70m1の7七ドア及び70m1の水
中11.1.!i’の3−tart−ブチル−ジメチル
−7リルオキシメチルー4−メチルスルホニルアゼチジ
ン−2−オンの乳濁液を、30分間にわたって流加する
。0℃にて30分間及び室温にて1時間4″J″L拌し
た後、反応混合物をロータリーエバポレータ中で濃縮し
、これに塩化メチレンを加え、そして水相を分離する。
有機溶液を塩水で洗浄し、そして硫酸ナトリウムで乾燥
する。濃縮した後、粗標記化合物をシリカゲルクロマト
グラフィー(溶離液:トルエン/酢酸エチル19:1)
によりa製する。
する。濃縮した後、粗標記化合物をシリカゲルクロマト
グラフィー(溶離液:トルエン/酢酸エチル19:1)
によりa製する。
TL、C[)ルエン/酢酸エチル(19:1)CRf=
0.64 IR(塩化メチレン):2.95.5,68.8.95
.12馬%J14.2二[(38,4R)−3−(te
rt−)fL −ジメチル−シリルオキシメチル)−4
−ト50m1の純トルエン中1.34 gの(38,4
R)−3−(terk−ブチル−ジメチル−シリルオキ
シメチル)−4−1リフエニルメチルチオアゼチノン−
2−オン及び0.887gのダリオキシル酸2−トリメ
チルシリルエチルエステル−エチルへミケタールを、窒
素中、水分離器(4X分子篩が充填されている)上還流
のもとて18時間加熱する。
0.64 IR(塩化メチレン):2.95.5,68.8.95
.12馬%J14.2二[(38,4R)−3−(te
rt−)fL −ジメチル−シリルオキシメチル)−4
−ト50m1の純トルエン中1.34 gの(38,4
R)−3−(terk−ブチル−ジメチル−シリルオキ
シメチル)−4−1リフエニルメチルチオアゼチノン−
2−オン及び0.887gのダリオキシル酸2−トリメ
チルシリルエチルエステル−エチルへミケタールを、窒
素中、水分離器(4X分子篩が充填されている)上還流
のもとて18時間加熱する。
減圧下口−タリーエバポレータ中で濃縮した後、粗生成
物を7リカrルクロマトグラフイーにより精製する。
物を7リカrルクロマトグラフイーにより精製する。
TLC〔溶剤:トルエン/酢酸エチル(1:1)):R
,=0.67; IR(塩化メチレン):2.85.5.67.5.78
.11.8μ。
,=0.67; IR(塩化メチレン):2.85.5.67.5.78
.11.8μ。
チジンー1−イル −2−トリフェニル−汐lI3と同
様にして、1.15 yの2−((3旦、4」)−3−
(tart−プチルージメチルーシリルオキンメチル)
−4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアセチノン
−1−イル〕−2−ヒドロキ7酢酸2−トリメチル7リ
ルエチルエステルを標記化合物に転換する。
様にして、1.15 yの2−((3旦、4」)−3−
(tart−プチルージメチルーシリルオキンメチル)
−4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアセチノン
−1−イル〕−2−ヒドロキ7酢酸2−トリメチル7リ
ルエチルエステルを標記化合物に転換する。
IR(塩化メチレン):5.75.6,23.9,05
.11.9μ。
.11.9μ。
以下余白
例16.2− 〔(38、4R)−,3−ヒドロキシメ
チル4、54 mgの2−[(3旦、4旦)−3−(t
ert −ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)
−4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチジン
−1−イル]−2−)リフェニルホスホラニリデン酢酸
2−トリメチルシリルエチルエステルヲ6mlの純TH
Fに溶解し、そしてこれに、−78℃にて0. ’2
mlの酢酸を滴加する。続いてこれに、THF中0.1
Mテトラプチルアンモニウムフルオリド(TBAF)溶
液15m1を滴加する。次に、混合物を攪拌しながら室
温まで自然昇温せしめ、1時間45分後さらに315m
gのTBAFを加え、そして17時間後さらに3151
ngを加える。室温に41時間14いた後、全体を15
0−の塩化メチレンで稀釈し、そして5Q+++lの飽
和NaHcO3溶液で1回、そして次に59m/!の塩
水で洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発
濃縮した後、粗標記化合物をシリカケ゛ルクロマトグラ
フィ−(溶離液;酢酸エチル)によp精製する。
チル4、54 mgの2−[(3旦、4旦)−3−(t
ert −ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)
−4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチジン
−1−イル]−2−)リフェニルホスホラニリデン酢酸
2−トリメチルシリルエチルエステルヲ6mlの純TH
Fに溶解し、そしてこれに、−78℃にて0. ’2
mlの酢酸を滴加する。続いてこれに、THF中0.1
Mテトラプチルアンモニウムフルオリド(TBAF)溶
液15m1を滴加する。次に、混合物を攪拌しながら室
温まで自然昇温せしめ、1時間45分後さらに315m
gのTBAFを加え、そして17時間後さらに3151
ngを加える。室温に41時間14いた後、全体を15
0−の塩化メチレンで稀釈し、そして5Q+++lの飽
和NaHcO3溶液で1回、そして次に59m/!の塩
水で洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発
濃縮した後、粗標記化合物をシリカケ゛ルクロマトグラ
フィ−(溶離液;酢酸エチル)によp精製する。
TLC(シリカゲル、溶剤:酢酸エチル) : Rf=
0.46;IR(塩化メチレン) : 2.7 、5.
78 、6.23 、9.05μ。
0.46;IR(塩化メチレン) : 2.7 、5.
78 、6.23 、9.05μ。
0.29gの2−[(3旦、4旦)−3−ヒト加キシメ
チルー4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル〕−2−)リフェニルホスホラニリデン
酢酸211Jメチルシリルエチルエステルを4mlのエ
ーテルに溶解し、そして室温にて2.9 mlの0.5
M硝酸銀水溶液を加える。次に、生成したペーノー色の
懸濁液を、0.36m4のトリブチルアミン、0.01
87dのトリフルオロ酢酸及び2.41Llのエーテル
の混合物0.84m1により処理する。室温にて20分
間撹拌した後固形物を沖取し、エーテル及び水で洗浄し
7、そして再度エーテルで洗浄し、そして高真空下で乾
燥する。
チルー4−トリフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル〕−2−)リフェニルホスホラニリデン
酢酸211Jメチルシリルエチルエステルを4mlのエ
ーテルに溶解し、そして室温にて2.9 mlの0.5
M硝酸銀水溶液を加える。次に、生成したペーノー色の
懸濁液を、0.36m4のトリブチルアミン、0.01
87dのトリフルオロ酢酸及び2.41Llのエーテル
の混合物0.84m1により処理する。室温にて20分
間撹拌した後固形物を沖取し、エーテル及び水で洗浄し
7、そして再度エーテルで洗浄し、そして高真空下で乾
燥する。
IR(塩化メチレン) : 2.95 、5.7 、6
.2 、9.05μ。
.2 、9.05μ。
と
1.2mlのトリエチルアミン、1.09m1のトリメ
チルクロロシラン及び50111S/のイミダゾールを
、−25℃にて、25m1(D純THF中1.41 &
(2,14ミリモル)の2−4(3旦、4旦)−3−
ヒドロキシメチル−4−メルカプト−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル]−2−トリフェニルホスホラニリデン
酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルの銀塩の溶液
に加える。−25℃にて30分間攪拌した後冷却浴を取
り去り、そして全体をさらに16時間投拌する。混合物
を0 ℃に冷却し、28m1の塩化メチレンで稀釈し、
そして0.365m1のピリジン、及び5mlの塩化メ
チレン中603.5ff19の4−クロロ酪酸クロリド
の溶液と次々に反応せしめる。反応混合物を0 ℃にて
1時間攪拌し、そして次にハイフロ上で沖過し、そし″
C室温において高真空下で注意深く濃縮する。残7nを
5 m、lのDMS Oに溶解し、そしてこれに742
m9の1−(N、N−ツメチルアミノエチル)−テトラ
ゾルー5−チオール及びQ、 5 mlのトリエチルア
ミンを加える。室温にて140時間攪拌[7た後、20
0m1の酢酸エチル及び120iJの水を加え、そして
全体を、飽和炭酸水素ナトリウム76液により塩基性に
する。有機相をMgSO4で乾燥し、そして濃縮する。
チルクロロシラン及び50111S/のイミダゾールを
、−25℃にて、25m1(D純THF中1.41 &
(2,14ミリモル)の2−4(3旦、4旦)−3−
ヒドロキシメチル−4−メルカプト−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル]−2−トリフェニルホスホラニリデン
酢酸2−トリメチルシリルエチルエステルの銀塩の溶液
に加える。−25℃にて30分間攪拌した後冷却浴を取
り去り、そして全体をさらに16時間投拌する。混合物
を0 ℃に冷却し、28m1の塩化メチレンで稀釈し、
そして0.365m1のピリジン、及び5mlの塩化メ
チレン中603.5ff19の4−クロロ酪酸クロリド
の溶液と次々に反応せしめる。反応混合物を0 ℃にて
1時間攪拌し、そして次にハイフロ上で沖過し、そし″
C室温において高真空下で注意深く濃縮する。残7nを
5 m、lのDMS Oに溶解し、そしてこれに742
m9の1−(N、N−ツメチルアミノエチル)−テトラ
ゾルー5−チオール及びQ、 5 mlのトリエチルア
ミンを加える。室温にて140時間攪拌[7た後、20
0m1の酢酸エチル及び120iJの水を加え、そして
全体を、飽和炭酸水素ナトリウム76液により塩基性に
する。有機相をMgSO4で乾燥し、そして濃縮する。
残渣な40mJの塩化メチレンに溶解し、そして2ml
の水及びQ、 l meのトリフルオロ酢酸で処理する
。室温にて1.5時間撹拌した後、有機相をNa HC
O3水溶液及び水で洗浄し、N a 2 SO4で乾燥
し、そして蒸発乾燥する。粗標記化合物をシリカゲルク
ロマトグラフィーによシ精判する。
の水及びQ、 l meのトリフルオロ酢酸で処理する
。室温にて1.5時間撹拌した後、有機相をNa HC
O3水溶液及び水で洗浄し、N a 2 SO4で乾燥
し、そして蒸発乾燥する。粗標記化合物をシリカゲルク
ロマトグラフィーによシ精判する。
IR(塩化メチレン) : 2.78 、5.75 、
5.95 、6.25μ。
5.95 、6.25μ。
例19.(5R,6S)−2−[3−(1−ジメチル例
4と同様にして、3gの2−[(3旦、4旦)−3−ヒ
ドロキシメチル−4−[:4−(1−ジメチルアミノエ
チルテトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチオクー
2−オキノアゼチゾンーj−イル〕−2−トリフェニル
ホスホラニリデン酢酸2− ) IJメチルシリルエチ
ルエステルヲトルエン中で力1熱することにより標記化
合物に転換する。
4と同様にして、3gの2−[(3旦、4旦)−3−ヒ
ドロキシメチル−4−[:4−(1−ジメチルアミノエ
チルテトラゾルー5−イルチオ)−ブチロイルチオクー
2−オキノアゼチゾンーj−イル〕−2−トリフェニル
ホスホラニリデン酢酸2− ) IJメチルシリルエチ
ルエステルヲトルエン中で力1熱することにより標記化
合物に転換する。
IR(塩化メチレン) : 2.76 、5.61 、
5.9 、6.33μ。
5.9 、6.33μ。
例5と同様にして、0.5gの(5i、6旦)−2−[
3−(1−ツメチルアミノエチルテトラゾルー5−(ル
チオ)−ノロqし〕−6−ヒドロキシメチル−2−イネ
ムー3−カルボン酸2−トリメチルシリルエチルエステ
ルを反応せしめることによシ標記化合物を生成せしめる
。
3−(1−ツメチルアミノエチルテトラゾルー5−(ル
チオ)−ノロqし〕−6−ヒドロキシメチル−2−イネ
ムー3−カルボン酸2−トリメチルシリルエチルエステ
ルを反応せしめることによシ標記化合物を生成せしめる
。
U■(燐酸緩衝液pH7,4) :λ’max ==3
03 nm +λ2 =237nmO ax ステル 例18と同様にして、1.4111の2−((3旦、4
且)−3−ヒドロキシメチル−4−メルカプト−2−オ
キソアゼチジン−1−イル) −2−) IJフェニル
ホスホラニリデン酢p2−1リメチルシリルエチルエス
テルの銀塩を、603.5#lyの4−クロロ酪酸クロ
ライドと反応せしめ、そして仄に475〃lの2−ビリ
ソノチオールと反応せしめることにより標記化合物を生
成せしめる。
03 nm +λ2 =237nmO ax ステル 例18と同様にして、1.4111の2−((3旦、4
且)−3−ヒドロキシメチル−4−メルカプト−2−オ
キソアゼチジン−1−イル) −2−) IJフェニル
ホスホラニリデン酢p2−1リメチルシリルエチルエス
テルの銀塩を、603.5#lyの4−クロロ酪酸クロ
ライドと反応せしめ、そして仄に475〃lの2−ビリ
ソノチオールと反応せしめることにより標記化合物を生
成せしめる。
IR(塩化メチレン) : 2.76 、5.74 、
5.94μ。
5.94μ。
例22.(5R,6S)、−2−[:3−ビリジ−2−
イ例4と同様にして、2I!の2−[(3旦、4旦)−
3−ヒドロキシメチル−4−[4−(2−ピリジルチオ
)−ブチロイルチオ〕−2−オキソ°アゼチジン−1−
イル)−2−)リフェニルホスホラニリデン酢酸2−ト
リメチルシリルエチルエステルをトルエン中で加熱する
ことによシ標記化合物に転換する。
イ例4と同様にして、2I!の2−[(3旦、4旦)−
3−ヒドロキシメチル−4−[4−(2−ピリジルチオ
)−ブチロイルチオ〕−2−オキソ°アゼチジン−1−
イル)−2−)リフェニルホスホラニリデン酢酸2−ト
リメチルシリルエチルエステルをトルエン中で加熱する
ことによシ標記化合物に転換する。
IR(塩化メチレン) : 2.77 、5.60 、
5.93 、6.31μ。
5.93 、6.31μ。
リウム
例6と同様にして、0.4gの(5旦、6旦)−2−[
:3−(ビリジ−2−イルチオ)−ゾロピル〕−2−ヒ
ドロキシメチル−2−ペネム−3−カルデン酸2−トリ
メチルシリルエチルエステルを反応せしめることにより
標記化合物を生成せしめる。
:3−(ビリジ−2−イルチオ)−ゾロピル〕−2−ヒ
ドロキシメチル−2−ペネム−3−カルデン酸2−トリ
メチルシリルエチルエステルを反応せしめることにより
標記化合物を生成せしめる。
UV(燐酸緩衝液):λmaX=304nm0100m
lの純塩化メチレン中2− [(3S、4R)−3−(
tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−
4−メルカプト−2−オキソアゼチジン−1−イル:]
−24リフェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステル
の銀塩4.5gを、1.26麻のピリジン及び20m9
の4−ジメチルアミノピリジンで処理し1.そして次に
0℃において、3−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−プロピオニルクロリドの溶液を滴加する・30
分間攪拌した後、沈澱した塩化銀をノ・イフロ上で沖去
し、p液を塩化メチレンで稀釈し、そして炭酸水素ナト
リウム水溶液、そして次に塩水によシ次々に洗浄する。
lの純塩化メチレン中2− [(3S、4R)−3−(
tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−
4−メルカプト−2−オキソアゼチジン−1−イル:]
−24リフェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステル
の銀塩4.5gを、1.26麻のピリジン及び20m9
の4−ジメチルアミノピリジンで処理し1.そして次に
0℃において、3−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−プロピオニルクロリドの溶液を滴加する・30
分間攪拌した後、沈澱した塩化銀をノ・イフロ上で沖去
し、p液を塩化メチレンで稀釈し、そして炭酸水素ナト
リウム水溶液、そして次に塩水によシ次々に洗浄する。
Na2SO4で乾燥した後、真空濃縮する。
残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(溶離剤:トルエ
ン/酢酸エチル9:1〜4:1)にょシ精製する。
ン/酢酸エチル9:1〜4:1)にょシ精製する。
IR(塩化メチレン):5.71,5.93μ。
出発物質である3−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−プロピオニルクロリドハ次のようにして製造さ
れる。
チオ)−プロピオニルクロリドハ次のようにして製造さ
れる。
と
3.62gの3−ブロモゾロピオン酸エチルエステルを
30dのエタノールに溶解し、そして35m1のエタノ
ール中3.56Fの1−メチルテトラゾルー5−イルチ
オル酸ナトリウムの溶液を滴加し、そして次に全体を保
護気体のもとて18時間攪拌する。エタノールを蒸発せ
しめることによシ濃縮した後、残渣を水及び酢酸エチル
の間で分配する。
30dのエタノールに溶解し、そして35m1のエタノ
ール中3.56Fの1−メチルテトラゾルー5−イルチ
オル酸ナトリウムの溶液を滴加し、そして次に全体を保
護気体のもとて18時間攪拌する。エタノールを蒸発せ
しめることによシ濃縮した後、残渣を水及び酢酸エチル
の間で分配する。
有機相を分離し、乾燥し、そして蒸発濃縮する。
シリカゲルクロマトグラフィー(溶離剤:トルエン/酢
酸エチル]0:1)の後、純標記化合物を得る。
酸エチル]0:1)の後、純標記化合物を得る。
IR(塩化メチレン) : 5.78 、7.30 、
8.4μ。
8.4μ。
5.43.9の3−(1−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−ノロピオン酸エチルエステルra= 20ml
の酢酸、4mlの濃塩酸及び8mlの水に溶解し、そし
て全体を100℃にて3.5時間攪拌する。反応混合物
を蒸発乾燥した後、残渣を酢酸エチル及び炭酸水素ナト
リウム水溶液の間で分配する。水相を分離し、4NI−
Ictで酸性化し、そして酢酸エチルによ92回抽出す
る。乾燥し、そして蒸発濃縮した後標記化合物を得る。
チオ)−ノロピオン酸エチルエステルra= 20ml
の酢酸、4mlの濃塩酸及び8mlの水に溶解し、そし
て全体を100℃にて3.5時間攪拌する。反応混合物
を蒸発乾燥した後、残渣を酢酸エチル及び炭酸水素ナト
リウム水溶液の間で分配する。水相を分離し、4NI−
Ictで酸性化し、そして酢酸エチルによ92回抽出す
る。乾燥し、そして蒸発濃縮した後標記化合物を得る。
NMR(DMSO−d6) :δ=2.8(2HIt)
、3.5(4H,t)。
、3.5(4H,t)。
4 、ppm (3H,8>。
1、46 gの3−(l−メチルテトラゾルー5−イル
チオ)−ソロピオン酸を18m1の純塩化メチレンに懸
濁し、ぞして0.19m1の1−クロロ−l−ジメチル
アミノイソブテンを加える。保護気体のもとて60分間
攪拌した後、粗酸塩化物溶液[:IR(塩化メチレン)
:5.59μ〕をその次の反応(前記を参照)に直接使
用する。
チオ)−ソロピオン酸を18m1の純塩化メチレンに懸
濁し、ぞして0.19m1の1−クロロ−l−ジメチル
アミノイソブテンを加える。保護気体のもとて60分間
攪拌した後、粗酸塩化物溶液[:IR(塩化メチレン)
:5.59μ〕をその次の反応(前記を参照)に直接使
用する。
出発物質である2−[(3旦、4旦)−3−(tert
−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メル
カプト−2−オキンアゼチジンー1−イル]−2−トリ
フェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステル(銀塩)
は次のようにして製造する。
−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−メル
カプト−2−オキンアゼチジンー1−イル]−2−トリ
フェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステル(銀塩)
は次のようにして製造する。
27g(D分子篩(4X)を、170mgo純トルエン
中8,4Iの(3S、4R)−3−(tert−グチル
−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−)!Jフェニ
ルメチルチオアゼチジン−2−オン(例13)及び8.
23.9のグリオキシル酸アリルエステル−エチル−・
ミアセタールに加え、そして全体を55℃にて10時間
攪拌する。濾過し、そして減圧下でロータリーエバポレ
ーターにより濃縮した後、粗生成物をシリカゲルクロマ
トグラフィー(溶離液:トルエン/酢酸エチル955)
により精製する。
中8,4Iの(3S、4R)−3−(tert−グチル
−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−)!Jフェニ
ルメチルチオアゼチジン−2−オン(例13)及び8.
23.9のグリオキシル酸アリルエステル−エチル−・
ミアセタールに加え、そして全体を55℃にて10時間
攪拌する。濾過し、そして減圧下でロータリーエバポレ
ーターにより濃縮した後、粗生成物をシリカゲルクロマ
トグラフィー(溶離液:トルエン/酢酸エチル955)
により精製する。
TLC[シリカダル、トルエン/酢1竣工千ル(10:
] )] :R,=0.37及び0.27; IR(CH2Cl2) : 2.84 、5.68
、5.73μ。
] )] :R,=0.37及び0.27; IR(CH2Cl2) : 2.84 、5.68
、5.73μ。
(24bb) 2−[(3S、4R)−3−(ter
t −ブチル−ツメチル−シリルオキシメチ 2− ) リフェニルホスホラニリデン酢−15℃にて
攪拌しながら5分間にわたって、8011ノの塩化チオ
ニル及び88μlのピリジンを、5mlのテトラヒドロ
フラン中604 m112の2−〔(3旦、4匹) −
3−(tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチ
ル)−4−)ジフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル]−2−ヒトOキシ酢酸アリルエステル
の溶液に加える。
t −ブチル−ツメチル−シリルオキシメチ 2− ) リフェニルホスホラニリデン酢−15℃にて
攪拌しながら5分間にわたって、8011ノの塩化チオ
ニル及び88μlのピリジンを、5mlのテトラヒドロ
フラン中604 m112の2−〔(3旦、4匹) −
3−(tert−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチ
ル)−4−)ジフェニルメチルチオ−2−オキソアゼチ
ジン−1−イル]−2−ヒトOキシ酢酸アリルエステル
の溶液に加える。
次に、白色の懸濁液を一10℃にて1時間攪拌し、そし
てハイクロ上で濾過する。残渣をトルエンによって洗浄
した後、ロータリーエバポレーター中で濃縮する。残渣
を3mlのジオキサンに溶解し、293m9のトリフェ
ニルホスフィン及□o、13m1の2,6 ルチジンを
加え、そして全体を115℃の浴温にて2時間攪拌する
。混合物をハイフロ上て濾過し、そして残渣をトルエン
で洗浄する。
てハイクロ上で濾過する。残渣をトルエンによって洗浄
した後、ロータリーエバポレーター中で濃縮する。残渣
を3mlのジオキサンに溶解し、293m9のトリフェ
ニルホスフィン及□o、13m1の2,6 ルチジンを
加え、そして全体を115℃の浴温にて2時間攪拌する
。混合物をハイフロ上て濾過し、そして残渣をトルエン
で洗浄する。
−緒にしたp液を蒸発濃縮する。残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーチ エチル95:5)により処理することKよって純生成物
を得る。
マトグラフィーチ エチル95:5)により処理することKよって純生成物
を得る。
TLC[シリカケ゛ル、トルエン/酢酸エチル(CI)
):Rf=0.18 ; IR(CH2Cl2) : 5.73 、6.23μ。
):Rf=0.18 ; IR(CH2Cl2) : 5.73 、6.23μ。
−4−メルカプト−2−オキンアゼチ
の銀塩
7.5gの2−((3旦r 4R) −3−(tert
−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−44リフ
ェニルメチルチオー2−オキソアゼチジン−J−イル)
−2−1リフエニルホスホラニリデン酢酸アリルエステ
ルを87m1のエーテルに導入し、そして室温にて70
dの0.5M硝酸銀水溶液を加える。次にこれに、3.
6mlのトリブチルアミン。
−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−44リフ
ェニルメチルチオー2−オキソアゼチジン−J−イル)
−2−1リフエニルホスホラニリデン酢酸アリルエステ
ルを87m1のエーテルに導入し、そして室温にて70
dの0.5M硝酸銀水溶液を加える。次にこれに、3.
6mlのトリブチルアミン。
o、15m1のトリフルオロ酢酸及び25m1のエーテ
ルの混合物を滴力uし、そして次に反応混合物を20分
間攪拌する。固形物を吸引炉取し、そしてエーテル及び
水、そして再度エーテルで洗浄する。
ルの混合物を滴力uし、そして次に反応混合物を20分
間攪拌する。固形物を吸引炉取し、そしてエーテル及び
水、そして再度エーテルで洗浄する。
精製のため固形物を最後に4Qmlのエーテル及び4Q
mA!の水に懸濁し、そして全体を吸引濾過し、そして
乾燥する。
mA!の水に懸濁し、そして全体を吸引濾過し、そして
乾燥する。
IR(CH2Cl2) : 5.68 、6.17μ。
トラゾル−5−イルチオ)−エチル〕−6例4と同様に
して、1.6gの2−((3旦、4旦)−3−(ter
t−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−4
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−プロピ
オニルチオ〕−2−オキソアゼチジン−1−イル)−2
−)リフェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステルを
標記化合物に転換する。
して、1.6gの2−((3旦、4旦)−3−(ter
t−ブチル−ジメチル−シリルオキシメチル)−4−4
3−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−プロピ
オニルチオ〕−2−オキソアゼチジン−1−イル)−2
−)リフェニルホスホラニリデン酢酸アリルエステルを
標記化合物に転換する。
Ilt’(塩化メチレン) : 5.62 、5.88
、6.22μ。
、6.22μ。
例5と同様にして、0.71gの(5旦、6旦)−24
2−(1−メチルテトラゾルー5−・イルチオ)−エチ
ル) −6−(tart−ブチル−ジメチル−シリルオ
キシメチル)−2−ぺJムー3−カル?ン酸アリルエス
テルを標記化合物に転換する。
2−(1−メチルテトラゾルー5−・イルチオ)−エチ
ル) −6−(tart−ブチル−ジメチル−シリルオ
キシメチル)−2−ぺJムー3−カル?ン酸アリルエス
テルを標記化合物に転換する。
IR(塩化メチレン) : 2.78 、5.62 、
5.88 、6.35μ。
5.88 、6.35μ。
0.265gの(5旦、6且)−2−(2−(] −]
メチルテトラゾルー5−イルチオ−エチル〕−6−ヒド
ロキシメチル−2−−′−2ネムー3−カルボン酸アリ
ルエステルを10mAの純Tl(Fに溶解し、そして−
10℃に冷却する。15m17の)Rラジウムテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)及び0、22 tulノ
ドリプチル錫ヒドリドを加えた後、反応混合物を一10
℃にてさらに20分間4ft拌する。
メチルテトラゾルー5−イルチオ−エチル〕−6−ヒド
ロキシメチル−2−−′−2ネムー3−カルボン酸アリ
ルエステルを10mAの純Tl(Fに溶解し、そして−
10℃に冷却する。15m17の)Rラジウムテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)及び0、22 tulノ
ドリプチル錫ヒドリドを加えた後、反応混合物を一10
℃にてさらに20分間4ft拌する。
次に0.0471nlの酢酸を〃口え、そして次に全体
をロータリーエバポレーター中で濃縮する。残渣を水及
び酢酸エチルの間で分配した後、水相のPHをNa H
COs水溶液により8.5に調整する。ロータリーエバ
ポレーター中で水相を濃縮した後、物質をXAD−2ク
ロマトグラフイー(溶離液:水)により精製する。
をロータリーエバポレーター中で濃縮する。残渣を水及
び酢酸エチルの間で分配した後、水相のPHをNa H
COs水溶液により8.5に調整する。ロータリーエバ
ポレーター中で水相を濃縮した後、物質をXAD−2ク
ロマトグラフイー(溶離液:水)により精製する。
UV(水):λ =305nm0
ax
1.2gのヨウ化ナトリウムを3.7Mのアセトンに溶
解し、そして0.275m1の炭酸エチル−1−クロロ
エチルを加える。混合物を室温にて3時間攪拌する。次
に、この溶液を15m1の塩化メチレンに歯割し、そし
て沈澱した無機塩を炉去する。
解し、そして0.275m1の炭酸エチル−1−クロロ
エチルを加える。混合物を室温にて3時間攪拌する。次
に、この溶液を15m1の塩化メチレンに歯割し、そし
て沈澱した無機塩を炉去する。
塩化メチレン溶液を2mlKm縮し、セして0℃におい
て、4mlのジメチルアセトアミド中0.3659の(
5旦、6旦)−2−[2−(1−メチルテトラツルー5
−イルチオ)−エチル〕−6−ヒドロキシメチル−2−
波不ムー3−カルデン酸(ナトリウム塩)の溶液に加え
る。次に、全体を0′Cにて3時間攪拌し、絖いて酢酸
エチルで稀釈し、そして水で3回洗浄する。有機相を硫
酸ナトリウムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータ
で濃縮する。粗生成物を、溶離液として酢酸エチルを用
いながらIOFのシリカゲルによシ精製する。標記化合
物を白色泡状物としてイ4Iる。
て、4mlのジメチルアセトアミド中0.3659の(
5旦、6旦)−2−[2−(1−メチルテトラツルー5
−イルチオ)−エチル〕−6−ヒドロキシメチル−2−
波不ムー3−カルデン酸(ナトリウム塩)の溶液に加え
る。次に、全体を0′Cにて3時間攪拌し、絖いて酢酸
エチルで稀釈し、そして水で3回洗浄する。有機相を硫
酸ナトリウムで乾燥し、そしてロータリーエバポレータ
で濃縮する。粗生成物を、溶離液として酢酸エチルを用
いながらIOFのシリカゲルによシ精製する。標記化合
物を白色泡状物としてイ4Iる。
IRスペクトル(塩化メチレン):吸収バンド559及
び5.75μm0 0.6gのヨウ化ナトリウムを21nlのアセトンに溶
解し、そしてO,1,5Mのピパリン酸クロロメチルエ
ステルを加える。混合物を室温にて3時間撹拌し、そし
て次に7.5 mlの塩化メチレンに崗加する。沈澱し
た無機塩を戸去する。塩化メチレン溶液を1mlに濃縮
し、そして0℃において、4m!3のN、N−ジメチル
アセトアミド中0.146gの(5旦、6旦)−2−[
2−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−エチル
シー6−ヒドロキシメチル−2−−2ネムー3−カルボ
ン酸(ナトリウム塩)及び0.(17mlのジイソフロ
ビルエチルアミンの溶液に加える。次に、全体を0℃に
て3時間檀拌し、そして水で3回洗浄する。有機相を硫
酸ナトリウムで乾燥し、そしてロータリー エバポレー
ター中で濃縮する。粗生成物を、溶離液として酢酸エチ
ルを用いて]、 0.9のシリカゲルにより精製する。
び5.75μm0 0.6gのヨウ化ナトリウムを21nlのアセトンに溶
解し、そしてO,1,5Mのピパリン酸クロロメチルエ
ステルを加える。混合物を室温にて3時間撹拌し、そし
て次に7.5 mlの塩化メチレンに崗加する。沈澱し
た無機塩を戸去する。塩化メチレン溶液を1mlに濃縮
し、そして0℃において、4m!3のN、N−ジメチル
アセトアミド中0.146gの(5旦、6旦)−2−[
2−(1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−エチル
シー6−ヒドロキシメチル−2−−2ネムー3−カルボ
ン酸(ナトリウム塩)及び0.(17mlのジイソフロ
ビルエチルアミンの溶液に加える。次に、全体を0℃に
て3時間檀拌し、そして水で3回洗浄する。有機相を硫
酸ナトリウムで乾燥し、そしてロータリー エバポレー
ター中で濃縮する。粗生成物を、溶離液として酢酸エチ
ルを用いて]、 0.9のシリカゲルにより精製する。
標記化合物を白色泡状物として得る。
IRスペクトル(塩化メチレン):吸収バンド5,59
及び5.78μm0 例30゜ (5旦、6旦)−2−[3−(1−メチルテトラゾルー
5−イルチオ)−フロビル)−6−ヒドロキシメチル−
2−被ネムー3−カルボン酸す) IJウムを活性成分
として0.5gずつ含有する乾燥アンプル又はバイアル
を次のようにして製造する。
及び5.78μm0 例30゜ (5旦、6旦)−2−[3−(1−メチルテトラゾルー
5−イルチオ)−フロビル)−6−ヒドロキシメチル−
2−被ネムー3−カルボン酸す) IJウムを活性成分
として0.5gずつ含有する乾燥アンプル又はバイアル
を次のようにして製造する。
活性成分 0.1
マンニトール 0.05Ii活性成分及び
マンニトールの無菌水溶液を、5mlのアンプル又はバ
イアル中で無菌的に凍結乾燥し、そしてアンプル又はバ
イアルを密閉(−1そして試験する。
マンニトールの無菌水溶液を、5mlのアンプル又はバ
イアル中で無菌的に凍結乾燥し、そしてアンプル又はバ
イアルを密閉(−1そして試験する。
特許出願人
チノ々−ガイギー アクチェンゲリレンヤフト特許出願
代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 福 本 槙 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 福 本 槙 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の式(1) ( R,は水素又はメチルであり、 R2は保護されている場合がおるヒドロキシ基であり、 R3はカルボキシ又は保護されたカルボキシR3’ テ
あり、 R4jJ炭素原子を介して硫黄原子に結合している不飽
和単環式へテロシクリル基であυ、そしてn]ば2.3
、又は4である、) で表わされる2−へテロシクリルチオ−低級アルキル−
2−ベネム化合物、並ひに酸形成基を有する式(1)の
化合物の塩、式(I)の化合物の光学異付体及び該光学
異性体の混合物。 2、R1が水素又はメチルであり;R2がヒドロキシ又
は保護されたヒドロキシであp : R,がカルボキシ
又は保護されたカルボキシR5′、%に、生理的条件下
で開裂され得るエステル化カルボキシIt3′であシ;
R4が、環炭素原子を弁して硫黄原子に結合しておシ、
そして1〜4個の窒素原子及び場合によってはさらに酸
素及び硫黄からなる群から選ばれた追加の環異原子を有
する単環式5員又は6員ヘテロアリール基、又は部分的
に飽和されたヘテロアリール基であシ、これらの基は置
換されておらず、又はヒドロキシ、低級アルコキシ、低
級アルカノイルオキシ、ノ10ダン、メルカプト、低級
アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキルヒドロキシ
−低級アルキル、低級アルコキシ−低級アルキル、カル
ボキシ低級アルキル、アミノ−低級アルギル、ジ−低級
アルキルアミノ−低級アルキfiv、スルポー低級アル
キル、アミノ、低級アルキルアミノ、ノー低級アルギル
アミノ、低級アルキレンアミノ、低級アルカノイルアミ
ノ、カルボキシ、低級アルコキンカルボニル、場合によ
ってはN−モノ−もしくはN、N−ジー低級アルキル化
されているカルバモイル、シアン、スルホモジくはスル
ファモイル、場合によっては低級アルキル、ニトロ、低
級アルコキシ及び/もしくはハロダンによシ11“5゛
換されているフェニル、シクロアルキル、ニトロ、オキ
ソ、並びに/又はオキシドによシ16換されておシ;そ
してmが2.3又は4である牛′j訂り請求のNtiΣ
囲第1項記戦の式(1)の化合物、並びに塩形成基を有
する式(1)の化少物の塩、及び式(1)の化合物の光
学異性体及びこれらの光学異性体の混合物。 3、R4が環炭素原子を介して硫黄原子に結合している
芳香族性の単環5員アザ−、ジアザ−、トリアザ−、テ
トラアザ−、オキサアザ−、オキサジアゾル、チアザ−
、チアジアザ−もしくはチアトリアザ−環基又は対応す
るジヒドロ基、あるいは対応する芳香族性の6員アザ−
、ジアザ−もしくはトリアザ−環基、又は対応するジヒ
ドロもしくはテトラヒドロ基であシ、この基が置換され
ておらず又は特許請求の範囲第2 Jj4にi山1、シ
のごとく置換されている%許iJs求の範囲第1項記載
式(1)の化合物。 4、R1が水素又はメチルであり、R2がヒドロキシで
、1、R5がカルぎキン、低級アルカノイルオキシメト
キシカル キシ力ル?ニルオキシ低級アルコキシカルd?ニルであ
り、R4が1.2.3−テアジアゾル−4−イル、J,
2.3−チアノアゾル−5−イル、1,3.4−チアノ
アゾル−2−イルもしくは1,2.4−チアノアゾル−
5−イル(これらはそれぞれ場合によっては低級アルキ
ルによシa(=されている)、1、2.4−オキサノア
ゾル−5−イルもしくは1、3.4−オキサノアゾル−
2−イル(これらはそれぞれ場合によっては低級アルキ
ルによりItX換されている)、IH−もしくは2H−
テトラゾルー5−イル(これらは場合によっては低級ア
ルキル、カルゼキシー低級アルキル、スルホ−低級アル
キル、もしくはノー低級アルキルアミノ−低級アルキル
によシミ置換されている)、又はビリゾルであり、そ”
してmが2又は3である特許請求の範囲第1項記載の化
合物、並びに塩形成基を有する式(1)の化合物の医薬
として許容される塩、光学異性体、例えば(5暴,6旦
)−異性体、及びこれらの光学異性体の混合物。 5、 R4が1.3.4−テアジアゾル−2−イル、
2−メチル−1 、3 、4−チアノアゾル−5−イル
、2−メチル−1.3.4−オキサジアゾル−5−イル
、IH−テトラゾルー5−イル、■ーメチルーI H−
テトラゾルー5−イル、l−力ルボキシメチル−IH−
テトラゾルー5−イル、1−スルホメチル−IH−テト
ラゾルー5−イル、l−(2−ツメチルアミノエチル)
−1H−テトラゾルー5−イル、2−メチル−2H−テ
トラゾルー5−イル、又は2−ピリジルである%訂藺求
の範囲第1項記載の式(1)の化合物。 6、R,が水素でめシ、R2がヒドロキシであり、1蝿
がカルボキシであり、R4が低級アルキルによシ又はノ
ー低級アルキルアミノ−低級アルキルにより置換されて
いるIH−テトラゾルー5−イルであり、そしてmが2
又は3である時計請求の範囲第1項1己載の(5旦.6
冬)−配置化合物、及びその医薬として許容される鳩。 7、(5旦,6且)−2−[3−(1−メチル−IH−
テトラゾルー5−イルチオ)−7°ロビル〕−6−ヒド
ロキシメチル−2−−=ネムー3ーカルボン唯である特
許請求の範囲第1項記載の化合物、及びその医薬として
W’Mされる塩。 8、(5旦,6旦)−2−(3−(1−ツメチルアミノ
エチル−IH−テトラゾルー5−イルチオ)−プロピル
クー6−ヒドロキシメチル−2−−′ー!!ネムー3ー
カルボン酸である特許請求の範囲第1項記載の化合・吻
、及びその医薬としで許容される塊。 9、 (5R.6下) − 2 − ( 2 − (
1−メチルテトラゾルー5−イルチオ)−エテルクー
6−ヒドロキシメチル−2−−2ネムー3−カルピン師
である特許請求の範囲第1項記載の化合物、及びその医
薬として許容される塩。 10、次の式(I) 町 (式中、 R1は水素又はメチルであシ、 R2は保Hfiされている場合があるヒドロキシ基であ
シ、 R3はカルボキシ又は保護されたカルボキシR,/であ
り、 R4は環炭素原子を介して硫黄原子に結合している不飽
和単環式へテロシクリル基であシ、そしてmは2.3、
又は4である、) で表わされる2−へテロシクリルチオ−低級アルキル−
2−ペネム化合物又は塩形成基を有するこの化合物の医
薬として許容される塩を営んで成る医薬。 11、次の式(1)、 k’−5 (式中、 R1は水素又はメチルであり、 R2は保護されている場合があるヒドロキシ基であり、 R3ハカルボキシ又は保護されたカルボキシR5′であ
り、 R4は環炭素原子を介してイーを黄原子に結合している
不飽和単環式へテロシクリル基であり、そしてmは2.
3、又は4である、) で表わされる2−へテロシクリルチオ−低級アルキル−
2−ペネム化合物又は塩形成基を有するこの化合物の医
薬として許容される塩の医薬として有効な量を咄乳動物
に投与することから成る咄乳動物における細菌感染の治
療方法。 12、次の式(I)、 (式中、 Itlは水素又はメチルであり、 R2は保みされている場合があるヒドロキシ基であシ、 R3はカルボキシ又は保護されたカルボキシR3/であ
り、 Rは環炭素原子を介りて雫黄原子に結合している不飽和
単環式へテロシクリル基であり、そしてmは2.3、又
は4である、) で表わされる2−へテロシクリルチオ−低級アルキル−
2−ペネム化合物、並びに酸形成基を有する式(1)の
化合物の塩、式(1)の化合物の光学異性体及び該光学
異性体の混合物の製造方法であって、(a) 次の式
(II)、 以下余rト (式中、R1、R2、R5/、R4及びmは式(1)に
ついて前記した意味を翁し、ヒドロキシ基R2及び基R
4中に存在する場合がある官能基は好ましくは保護され
た形であシ、2は0夕索又は(鑞黄であり、そしてXo
はトリ置換ホスホニオ基、又は悶イオンと一緒に、ノエ
ステル化ホスホノ基である0で表わされるイリド化合物
f’J化し、あるいは(b) 次の式(lit)、 R3′ (式中、R1、R2、R5′、R4及びmは式(1)に
ついて前記した意味をMし、そしてヒドロキシ基R2及
び基R4中に存在する場合がある官能基は好ましくは保
護された形である、) で表わされる化合物を三価燐の有機化合物にょ9処理し
、あるいtよ (c)次の式(IV)、 R,′ (式中、R1、R2、R,l及びmは前記の意味を有し
、そしてQは求核性反応によって16き換えることがで
きる基である、) で表わされる化合物を、弐R4−8Hのメルカプタンに
より処理し、そして、n[望によp又は必要的に、式(
1)の得られた化合物中の保祷されたヒドロキシ基R2
を遊離ヒドロキシ基に転換し、セして/又は所望により
、式(1)の得られた化合物の中の保護されたカルボキ
シ基R3′を遊離力ルボギシ基にもしくは他の保護され
たカルボキシ基R、’に転1y!シ、そして/又は7−
9r望によシ、基R4中の・11!!、の保りされた官
能基を遊離官能基に転’!7% L/ 、そして/又は
ノツ白イによジ、式(1)の得られた化合物中の基R4
を仙の基R4に転換し、そして/又(riF”JT望に
より、塩形)J′y、基を有する得られた化合物を鳩に
転」(ミし、又は得られた福を遊−J′化合物もしくは
仙の塙に転換し、そして/又は所望により、得られ/ζ
異性体化合物の混合物を個々の異件体に分?Jtするこ
とを’I’l’ it′J、とする方法。 以下余白
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH667182 | 1982-11-16 | ||
CH6671/828 | 1982-11-16 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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