JPS59100536A - マイクロ波処理装置 - Google Patents
マイクロ波処理装置Info
- Publication number
- JPS59100536A JPS59100536A JP21012582A JP21012582A JPS59100536A JP S59100536 A JPS59100536 A JP S59100536A JP 21012582 A JP21012582 A JP 21012582A JP 21012582 A JP21012582 A JP 21012582A JP S59100536 A JPS59100536 A JP S59100536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- metallic film
- quartz window
- waveguide
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はマイクロ波を用い半導体基板等の試料を熱又は
プラズマ処理するマイクロ波処理装置の改良に関する。
プラズマ処理するマイクロ波処理装置の改良に関する。
（ｂ） 技術の背景
通常半導体基板の表面は多数の凹凸を有するのでこの上
に蒸着、或いはスパッタ等により形成される金属膜の厚
さは特に凹凸の段差部で極端に不均一となり回路パター
ンの断線等信頼性の低下を招く。この段差部における金
属膜の被覆状態即ちステップカバレッジの改善は段差部
にあたる下地材料に緩やかな勾配をつけることにより実
現できるが、この方法では素子の集積度をあげられなく
なる。このため通常は被処理基板を加熱することにより
蒸着原子の表面拡散を活発にさせなだらかな膜表面を形
成させることが多い。表面拡散促進によるこの効果を顕
著とならしめるためにはアルためにも熱処理は必要とさ
れる。加熱方法としては誘電体からなる被処理物以外の
金属部分を加熱しないマイクロ波加熱方式は有効なもの
である。
に蒸着、或いはスパッタ等により形成される金属膜の厚
さは特に凹凸の段差部で極端に不均一となり回路パター
ンの断線等信頼性の低下を招く。この段差部における金
属膜の被覆状態即ちステップカバレッジの改善は段差部
にあたる下地材料に緩やかな勾配をつけることにより実
現できるが、この方法では素子の集積度をあげられなく
なる。このため通常は被処理基板を加熱することにより
蒸着原子の表面拡散を活発にさせなだらかな膜表面を形
成させることが多い。表面拡散促進によるこの効果を顕
著とならしめるためにはアルためにも熱処理は必要とさ
れる。加熱方法としては誘電体からなる被処理物以外の
金属部分を加熱しないマイクロ波加熱方式は有効なもの
である。
（ｃ）従来技術と問題点
第１図は従来のマイクロ波処理装置を示す構成図である
。図においてマグネトロン２によシ励起される２、４’
５ ＧＨＺのマイクロ波はアンテナ３を介して導波管４
を伝播し、更に誘電体の石英窓５を透過して熱処理室６
に導入される。この窓材は真空処理室６を大気から分離
させる役割もある。排気口６ａにより減圧に排気される
処理室６に半導体ウェハ７を配設し、高周波電界（マイ
クロ波）の誘電加熱により半導体ウェハ７の熱処理を行
なう。このように構成されるマイクロ波熱処理装置１で
あって、石英窓５周辺部は窓材を破損させないための保
護バッキイグ８及びフランジ９を介して導波管４に接し
、一方ではＯＩＪソング０を介して熱処理室６の外壁に
接して固定される。しかしこのような取付構造では機械
的精度を出しにくい為、接合部である矢印Ａ、Ｂで示す
位置でマイクロ波が洩れる。更にバッキングシールは露
出しており、熱の影響を受は易くこの劣化によってマイ
クロ波の漏洩が長時間使用の場合には問題となる。
。図においてマグネトロン２によシ励起される２、４’
５ ＧＨＺのマイクロ波はアンテナ３を介して導波管４
を伝播し、更に誘電体の石英窓５を透過して熱処理室６
に導入される。この窓材は真空処理室６を大気から分離
させる役割もある。排気口６ａにより減圧に排気される
処理室６に半導体ウェハ７を配設し、高周波電界（マイ
クロ波）の誘電加熱により半導体ウェハ７の熱処理を行
なう。このように構成されるマイクロ波熱処理装置１で
あって、石英窓５周辺部は窓材を破損させないための保
護バッキイグ８及びフランジ９を介して導波管４に接し
、一方ではＯＩＪソング０を介して熱処理室６の外壁に
接して固定される。しかしこのような取付構造では機械
的精度を出しにくい為、接合部である矢印Ａ、Ｂで示す
位置でマイクロ波が洩れる。更にバッキングシールは露
出しており、熱の影響を受は易くこの劣化によってマイ
クロ波の漏洩が長時間使用の場合には問題となる。
即ち被処理物の昇温効率が低下するだけでなく作条の安
全面でも問題となる。高い稼動率を維持させると同時に
長期使用に耐えられる熱処理装置が要求される。
全面でも問題となる。高い稼動率を維持させると同時に
長期使用に耐えられる熱処理装置が要求される。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑み、マイクロ波洩れを防止する
に有効な遮蔽機構を備えたマイクロ波処理装置の提供を
目的とする。
に有効な遮蔽機構を備えたマイクロ波処理装置の提供を
目的とする。
（ｅ）発明の構成
上記目的は本発明によればマイクロ波を伝播させる導波
管と処理室との間がマイクロ波透過窓で仕切られたマイ
クロ波処理装置に於いて、該マイクロ波透過窓の周囲を
金属で被覆することによって達せられる。
管と処理室との間がマイクロ波透過窓で仕切られたマイ
クロ波処理装置に於いて、該マイクロ波透過窓の周囲を
金属で被覆することによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。第２図は本
発明の一実施例であるマイクロ波洩れを防止する石英窓
取付構造を示す要部側面図である。
発明の一実施例であるマイクロ波洩れを防止する石英窓
取付構造を示す要部側面図である。
図において誘電体をなす石英窓１１の周辺にスパッタ又
は蒸着等によシフローム（Ｃｒ）等の金属膜１４を数ミ
クロンの厚さで被着させる。或いは薄い金属枠を形成し
石英窓１１の周辺に図のように装着してもよい。このよ
うに形成した石英窓１１を導波管１２と熱処理室の外壁
１３との間に取付は固定する。上記の石英窓１１は導波
管１２とはバッキング１５及び７ランジ１６、更に金属
膜、１４を介して固定され、一方処理室の外壁１３とは
０リング１７及び金属膜１４を介して固定される。この
とき金属膜１４を接地する。このような取付構造とする
ことにより石英窓１１の両端は金属膜１４により被覆さ
れるから、従来に比してマイクロ波の洩れは大幅に減少
し、しかもバッキング１５及びＯリング１７も熱の影響
を受けにくい構造とすることができる。シリコン基板の
ように誘電率の大きい半導体ウェハに高周波電磁界を印
加して加熱処理する誘導加熱法は被加熱試料自体が発熱
し加熱が均一に行なわれ、温度上昇が高速であり、しか
も入力電力を任意に制御できるから半導体プロセスに施
される各種の熱処理例えば熱酸化法や、イオン打込によ
って生ずる格子欠陥の活性化を行なうアニール等に利用
できその応用範囲は広い。装置構成は簡易であり高速処
理が可能であるため自動化に有利である。本実施例では
マイクロ波を用いた加熱方法について説明を行ったがそ
れ以外の応用としてマイクロ波を用いてプラズマを発生
させるマイクロ波エツチング装置にも同様の効果がある
。
は蒸着等によシフローム（Ｃｒ）等の金属膜１４を数ミ
クロンの厚さで被着させる。或いは薄い金属枠を形成し
石英窓１１の周辺に図のように装着してもよい。このよ
うに形成した石英窓１１を導波管１２と熱処理室の外壁
１３との間に取付は固定する。上記の石英窓１１は導波
管１２とはバッキング１５及び７ランジ１６、更に金属
膜、１４を介して固定され、一方処理室の外壁１３とは
０リング１７及び金属膜１４を介して固定される。この
とき金属膜１４を接地する。このような取付構造とする
ことにより石英窓１１の両端は金属膜１４により被覆さ
れるから、従来に比してマイクロ波の洩れは大幅に減少
し、しかもバッキング１５及びＯリング１７も熱の影響
を受けにくい構造とすることができる。シリコン基板の
ように誘電率の大きい半導体ウェハに高周波電磁界を印
加して加熱処理する誘導加熱法は被加熱試料自体が発熱
し加熱が均一に行なわれ、温度上昇が高速であり、しか
も入力電力を任意に制御できるから半導体プロセスに施
される各種の熱処理例えば熱酸化法や、イオン打込によ
って生ずる格子欠陥の活性化を行なうアニール等に利用
できその応用範囲は広い。装置構成は簡易であり高速処
理が可能であるため自動化に有利である。本実施例では
マイクロ波を用いた加熱方法について説明を行ったがそ
れ以外の応用としてマイクロ波を用いてプラズマを発生
させるマイクロ波エツチング装置にも同様の効果がある
。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明ではマイクロ波漏洩を
阻止する遮蔽構造としたマイクロ波処理装置とすること
によシ昇温効率を向上させバッキングシール部の長寿命
化が期待できるから装置の稼動率を向上させる等大きな
効果がある。
阻止する遮蔽構造としたマイクロ波処理装置とすること
によシ昇温効率を向上させバッキングシール部の長寿命
化が期待できるから装置の稼動率を向上させる等大きな
効果がある。
第１図は従来のマイクロ波処理装置を示す構成図、第２
図は本発明の一実施例であるマイクロ波洩れを防止する
石英窓取付構造を示す要部側面図である。図中１１・・
・石英窓、１２・・・導波管、１３・・・外壁、１４・
・・金属膜、１５・・・バッキング、１６・・・７ラン
ジ、１７・・・０リング。
図は本発明の一実施例であるマイクロ波洩れを防止する
石英窓取付構造を示す要部側面図である。図中１１・・
・石英窓、１２・・・導波管、１３・・・外壁、１４・
・・金属膜、１５・・・バッキング、１６・・・７ラン
ジ、１７・・・０リング。
Claims (1)
- マイクロ波を伝播させる導波管と処理室との間がマイク
ロ波透過窓で仕切られたマイクロ波処理装置に於いて、
該マイクロ波透過窓の周囲を金属で被覆したことを特徴
とするマイクロ波処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012582A JPS59100536A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マイクロ波処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012582A JPS59100536A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マイクロ波処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100536A true JPS59100536A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16584204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21012582A Pending JPS59100536A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マイクロ波処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100536A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132826A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波処理装置 |
| KR100557990B1 (ko) * | 1999-11-18 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 종형 확산로의 진공 누설 방지용 플랜지 |
| JP2007331040A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Oks Co Ltd | 治具装置 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21012582A patent/JPS59100536A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132826A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波処理装置 |
| KR100557990B1 (ko) * | 1999-11-18 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 종형 확산로의 진공 누설 방지용 플랜지 |
| JP2007331040A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Oks Co Ltd | 治具装置 |
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