JPS5898914A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5898914A JPS5898914A JP19683281A JP19683281A JPS5898914A JP S5898914 A JPS5898914 A JP S5898914A JP 19683281 A JP19683281 A JP 19683281A JP 19683281 A JP19683281 A JP 19683281A JP S5898914 A JPS5898914 A JP S5898914A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- wafer
- semiconductor device
- main surface
- empty
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3178—Coating or filling in grooves made in the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特Ｋ。
メサ型ガラス被種半導体装置に好適な製造方法に関する
。
。
従来のメサ型ガラス被覆半導体装置はガラスとシリコン
の熱膨張係数の菱により生じるウェハのそりを低減する
丸めに第１図に示すように表面のガラスを形成する溝１
１に対応する個所の裏面にも＄１２を設け１表面と同じ
熱膨張係数のガラス２０を形成していた。しかし１本構
造ではウエノ・の両面の同じ位置に＃１ｌｔ−形成する
ために、この位置のウェハ残り厚さが薄くなり、Ｓ形成
後の工程でウェハが割れ１歩留りが低いという欠点があ
った。また、第２図のように片面のみに＃１１１を設け
、ガラス２１を形成した構造ではウェハのそりが大きく
、以降のホトレジスト工程が通らないという欠点がある
。
の熱膨張係数の菱により生じるウェハのそりを低減する
丸めに第１図に示すように表面のガラスを形成する溝１
１に対応する個所の裏面にも＄１２を設け１表面と同じ
熱膨張係数のガラス２０を形成していた。しかし１本構
造ではウエノ・の両面の同じ位置に＃１ｌｔ−形成する
ために、この位置のウェハ残り厚さが薄くなり、Ｓ形成
後の工程でウェハが割れ１歩留りが低いという欠点があ
った。また、第２図のように片面のみに＃１１１を設け
、ガラス２１を形成した構造ではウェハのそりが大きく
、以降のホトレジスト工程が通らないという欠点がある
。
本発明の目的はそりが少なく、われの生じ難い多数のメ
サ型ガラス被覆半導体装１１を有するウェハを提供する
にある。
サ型ガラス被覆半導体装１１を有するウェハを提供する
にある。
本発明の特徴はウェハの裏面の素子倉形成しない周辺に
欠損領域を設け１．その部分に表面に形成するガラスと
同じか、またはこれより大きい熱膨張係数をもつガラス
を形成することにより、主表面のガラスとシリコンの熱
膨張係数の差により生じるそりを、裏面のガラスとシリ
コンの熱膨張係数の差によ）生じるそりＫより補償する
ことによ９、ウェハのそりを低減することにめる＠以下
５本発明の一実施例を第３図により説明する。例えば拡
散によって所定のｐｎ接合を形成した厚さ２２０μｍの
ウェハには、＃！さ８０μｍの＃１１１及び欠損ｓ３０
が形成されている。欠損部３０ｒｉ歪や蜘シ込会拡散が
め）、所望の特性の得らｎなめウェハ端から０．５−１
での輪に形成されている。溝１１及び欠損部３０には各
々ガラス２１及び２２が形成さｎている。実施例１では
ガラス２１．２２ｒｉ同じもので熱膨張係数が３６Ｘ１
０ ”’／Ｃの旭硝子社裂Ａ８Ｆ１４４０ガラスが用い
らｎている。＊趨ｔＲ２ではガラス２１は熱膨張係数が
３６Ｘ１０−’／Ｃ’の旭硝子社製１４２０ガラスが用
いられる。本発明構造を直径７６斃のウェハに通用した
場合のウェハのそシは従来の第２図の構造では３００μ
ｍと大きく、以後のホトレジスト工程が通らない。一方
１本発明の実施例１．２ではそりはそれぞれ７０４ｍ、
５０μｍと小さく。
欠損領域を設け１．その部分に表面に形成するガラスと
同じか、またはこれより大きい熱膨張係数をもつガラス
を形成することにより、主表面のガラスとシリコンの熱
膨張係数の差により生じるそりを、裏面のガラスとシリ
コンの熱膨張係数の差によ）生じるそりＫより補償する
ことによ９、ウェハのそりを低減することにめる＠以下
５本発明の一実施例を第３図により説明する。例えば拡
散によって所定のｐｎ接合を形成した厚さ２２０μｍの
ウェハには、＃！さ８０μｍの＃１１１及び欠損ｓ３０
が形成されている。欠損部３０ｒｉ歪や蜘シ込会拡散が
め）、所望の特性の得らｎなめウェハ端から０．５−１
での輪に形成されている。溝１１及び欠損部３０には各
々ガラス２１及び２２が形成さｎている。実施例１では
ガラス２１．２２ｒｉ同じもので熱膨張係数が３６Ｘ１
０ ”’／Ｃの旭硝子社裂Ａ８Ｆ１４４０ガラスが用い
らｎている。＊趨ｔＲ２ではガラス２１は熱膨張係数が
３６Ｘ１０−’／Ｃ’の旭硝子社製１４２０ガラスが用
いられる。本発明構造を直径７６斃のウェハに通用した
場合のウェハのそシは従来の第２図の構造では３００μ
ｍと大きく、以後のホトレジスト工程が通らない。一方
１本発明の実施例１．２ではそりはそれぞれ７０４ｍ、
５０μｍと小さく。
以後のホトレジスト工程も問題なく通る。
なお、図中１０はシリコンウェハである。
本発明によｎは、ガラス被榎ウェハのそ９が低減できる
ので、以降の工程でのウェハのわれがなくなり１歩留り
が向上する。
ので、以降の工程でのウェハのわれがなくなり１歩留り
が向上する。
＃ｉ１．２図は従来構造のウェハの縦断面図、１４３図
は本発明構造のウェハの縦断面図でるる。
は本発明構造のウェハの縦断面図でるる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一方の主表面にｐｎ接合の塵出し丸溝をガラスで被
覆し、電極を形成し、ベレットに分離する半導体装置の
製造方法に於いて、素子を形成しないウニ八周辺の裏面
に欠損部を設け、ガラスで被覆し、ペレタイズの際、こ
の欠損部を除去することを特徴にする半導体装置の製造
方法。 ２ 欠損部を被覆するガラスを主表面の溝に形成するガ
ラスと熱膨張係数と同じかまたは熱膨張係数の大きいガ
ラスとしたことを特徴とする特許請求の範−第１項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683281A JPS5898914A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683281A JPS5898914A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898914A true JPS5898914A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16364403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19683281A Pending JPS5898914A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898914A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4914045A (en) * | 1985-12-19 | 1990-04-03 | Teccor Electronics, Inc. | Method of fabricating packaged TRIAC and trigger switch |
| US5087239A (en) * | 1982-12-23 | 1992-02-11 | Tampax Limited | Tampon applicator |
| JPH04106396U (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-14 | 藤倉電線株式会社 | 線条体の集合装置 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP19683281A patent/JPS5898914A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087239A (en) * | 1982-12-23 | 1992-02-11 | Tampax Limited | Tampon applicator |
| US4914045A (en) * | 1985-12-19 | 1990-04-03 | Teccor Electronics, Inc. | Method of fabricating packaged TRIAC and trigger switch |
| JPH04106396U (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-14 | 藤倉電線株式会社 | 線条体の集合装置 |
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