JPS589877A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS589877A JPS589877A JP56107257A JP10725781A JPS589877A JP S589877 A JPS589877 A JP S589877A JP 56107257 A JP56107257 A JP 56107257A JP 10725781 A JP10725781 A JP 10725781A JP S589877 A JPS589877 A JP S589877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- weight
- dielectric constant
- high dielectric
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 8
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 7
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 240000008067 Cucumis sativus Species 0.000 description 2
- 235000010799 Cucumis sativus var sativus Nutrition 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 241000287531 Psittacidae Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主体とし
、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）％酸化ニオブ（
Ｎｂ２０５）等を添加して得られる高誘電率磁器組成物
に関するものである。
、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）％酸化ニオブ（
Ｎｂ２０５）等を添加して得られる高誘電率磁器組成物
に関するものである。
従来より、チタン酸バリウムを主体とする高誘電率磁器
組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コンデンサに
使用されてきている。
組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コンデンサに
使用されてきている。
チタン酸バリウムは強電電性を有する材料であり、その
キューリ一点は１２０°Ｃ付近にある。この１２０°Ｃ
を境にして低温側では正方晶、高温側では立方晶になる
。そして、正方晶の領域では強電電性を示し、立方晶の
領域では常誘電性を示すことはよく知られている。
キューリ一点は１２０°Ｃ付近にある。この１２０°Ｃ
を境にして低温側では正方晶、高温側では立方晶になる
。そして、正方晶の領域では強電電性を示し、立方晶の
領域では常誘電性を示すことはよく知られている。
かかるチタン酸バリウム単独での磁器の誘電率は、常温
付近の温度範囲において極めて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいため、単独でコンデンサとして使用さ
れることはｆｌとんどなく、従来種々の添加物を加えて
キューリ一点を常温付近に移動させ、また温度変化を少
なくする工夫がなされている。この代表的な添加物とし
て、ＣａＴｉＯ３，ＢａＺｒＯ３，８ｒＴｉ０３． Ｂ
ａ８ｎＯ３等が知られている。これらを適当に添加し、
さらに微量成分により補正することにより、ＸＩム規格
に基づ（Ｘ７Ｒ、ＹｓＴ 、ＹｓＶ 、Ｚ４Ｖ等の特性
材料として供されている。これらの材料については、従
来一般に素子厚みが０．５〜１′ＩＩＩＬと厚い円板型
の磁器コンデンサ゛とし・て利用されているのが実状で
ある０ 近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化に呼応し
て、コンデンサの小型化が進んでおり、積層セラミック
コンデンサについてはその最たるものである。積層セラ
ミックコンデンサは磁器誘電体を２６〜１０．０μｍ程
度に薄膜化し、クシ型電極を挾んだ多層構造をなすもの
であり、電極面積および電極間距離の比率を捧めて大き
くすることが可能なため、体積当りの容量が磁器円板型
コンデンサに比して１００倍以上も大きくすることがで
き、同一静電容量を１／１゜以下と小さい体積で確保で
きるため、非常に小型化が容易である。
付近の温度範囲において極めて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいため、単独でコンデンサとして使用さ
れることはｆｌとんどなく、従来種々の添加物を加えて
キューリ一点を常温付近に移動させ、また温度変化を少
なくする工夫がなされている。この代表的な添加物とし
て、ＣａＴｉＯ３，ＢａＺｒＯ３，８ｒＴｉ０３． Ｂ
ａ８ｎＯ３等が知られている。これらを適当に添加し、
さらに微量成分により補正することにより、ＸＩム規格
に基づ（Ｘ７Ｒ、ＹｓＴ 、ＹｓＶ 、Ｚ４Ｖ等の特性
材料として供されている。これらの材料については、従
来一般に素子厚みが０．５〜１′ＩＩＩＬと厚い円板型
の磁器コンデンサ゛とし・て利用されているのが実状で
ある０ 近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化に呼応し
て、コンデンサの小型化が進んでおり、積層セラミック
コンデンサについてはその最たるものである。積層セラ
ミックコンデンサは磁器誘電体を２６〜１０．０μｍ程
度に薄膜化し、クシ型電極を挾んだ多層構造をなすもの
であり、電極面積および電極間距離の比率を捧めて大き
くすることが可能なため、体積当りの容量が磁器円板型
コンデンサに比して１００倍以上も大きくすることがで
き、同一静電容量を１／１゜以下と小さい体積で確保で
きるため、非常に小型化が容易である。
しかしながら、このような磁器誘電体薄膜を使用した場
合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長当りの電圧が従来の１０
倍以上負荷されることになるため、磁器誘電率および誘
電損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った
。また、最近プリント基板への直付は方式によシ、プリ
ント基板のたわみにより破壊しないような強い材料が要
・求されている。さらに、周波数が感度のよい高周波
帯へ移行してきているため、高周波特性のよいものが必
要となってきている。特に、ＪＩＳ規格でＹＤ特性ある
いはＲＸム規格でＹ５Ｔ特性のもす のが電子チュー７関係に多数必要とされており、誘電率
が３０００以上、−δが２．０ ％以下で、１〜１００
ＭＨｚの周波数帯で等価直列抵抗の低いものが要求され
ている。
合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長当りの電圧が従来の１０
倍以上負荷されることになるため、磁器誘電率および誘
電損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った
。また、最近プリント基板への直付は方式によシ、プリ
ント基板のたわみにより破壊しないような強い材料が要
・求されている。さらに、周波数が感度のよい高周波
帯へ移行してきているため、高周波特性のよいものが必
要となってきている。特に、ＪＩＳ規格でＹＤ特性ある
いはＲＸム規格でＹ５Ｔ特性のもす のが電子チュー７関係に多数必要とされており、誘電率
が３０００以上、−δが２．０ ％以下で、１〜１００
ＭＨｚの周波数帯で等価直列抵抗の低いものが要求され
ている。
本発明は上記にかんがみ、種々実験を積み重ねた結果、
電圧依存性が小さく、曲げ強度の大きい、しかも高周波
特性の良好な高誘電率磁器組成物を提供できたものであ
る。
電圧依存性が小さく、曲げ強度の大きい、しかも高周波
特性の良好な高誘電率磁器組成物を提供できたものであ
る。
以下、実施例に基づき本発明を説明する。
（実施例）
ＢａＴｉ０５ （純度ｓｓ％以上）１００重量部に対し
、各種添加量を加えてボールミルにて十分に混合する。
、各種添加量を加えてボールミルにて十分に混合する。
この混合粉末に６４ＰＶム水溶液を少量−添加してライ
カイ機で混合し、３０メツシユのフルイを通過させて造
粒する。この造粒粉を１３ｍ５内径の金型で、圧力１
ｗＴ４．を≠・けて１３鵡φ×０．５１１１ｔの形状に
成型する。また、同様に４．７襲Ｘ １２，５１１１の
角型の金型で、４．６１ＥＩＩ Ｘ １２，５襲×１．
６−の形状の成型体を作製する。これらの成型体を１２
６０Ｘ１４００℃で１〜６時間焼成する。この後円板状
の焼結体の両生面に銀電極を設ける。
カイ機で混合し、３０メツシユのフルイを通過させて造
粒する。この造粒粉を１３ｍ５内径の金型で、圧力１
ｗＴ４．を≠・けて１３鵡φ×０．５１１１ｔの形状に
成型する。また、同様に４．７襲Ｘ １２，５１１１の
角型の金型で、４．６１ＥＩＩ Ｘ １２，５襲×１．
６−の形状の成型体を作製する。これらの成型体を１２
６０Ｘ１４００℃で１〜６時間焼成する。この後円板状
の焼結体の両生面に銀電極を設ける。
下記の第１表は各種添加物組成に対して得た焼結体の特
性を示す。表中、ε２５は２６℃で１ＫＨｚ、五Ｃ１ｖ
にて測定した静電容量より求めた誘電率、−δはこのと
きの誘電損失を示す。また、工・ＲはＤｃ ６０Ｖで測
定した絶縁抵抗率、ｊＤ、Ｖは昇圧破壊電圧、ムＣ−Ｖ
は実効値６０ｖ／ｍのムＣ電圧下、１ＫＨｚにて測定し
たーδの値を示す。さらに、ＴＯは２０°Ｃを基準とし
て測定した静電容量の一３０°Ｃおよび＋８６°Ｃにお
ける変化率を示すＯ （以 下 余 白ン この第１表から明らかなように、本発明の組成物はムＣ
電圧による容量変化が小さく、また曲げ強度が強いこと
が認められる。従来、ＢａＺｒＯ３やＢａ５ｎＯ）ある
いは５ｒＴｉＯ，等を添加した組成では、ムＣ電圧特性
が５ｏｖ／、、下の−δ値にして約３〜７程度と高く、
曲げ強度も６００〜７００ ’ｆ／−と低かったことか
らすると、極めて良好な特性結果と考えられる。
性を示す。表中、ε２５は２６℃で１ＫＨｚ、五Ｃ１ｖ
にて測定した静電容量より求めた誘電率、−δはこのと
きの誘電損失を示す。また、工・ＲはＤｃ ６０Ｖで測
定した絶縁抵抗率、ｊＤ、Ｖは昇圧破壊電圧、ムＣ−Ｖ
は実効値６０ｖ／ｍのムＣ電圧下、１ＫＨｚにて測定し
たーδの値を示す。さらに、ＴＯは２０°Ｃを基準とし
て測定した静電容量の一３０°Ｃおよび＋８６°Ｃにお
ける変化率を示すＯ （以 下 余 白ン この第１表から明らかなように、本発明の組成物はムＣ
電圧による容量変化が小さく、また曲げ強度が強いこと
が認められる。従来、ＢａＺｒＯ３やＢａ５ｎＯ）ある
いは５ｒＴｉＯ，等を添加した組成では、ムＣ電圧特性
が５ｏｖ／、、下の−δ値にして約３〜７程度と高く、
曲げ強度も６００〜７００ ’ｆ／−と低かったことか
らすると、極めて良好な特性結果と考えられる。
第１表の試料＆１６の組成物を使用し、第１図のような
積層セラミックコンデンサを試作し、特性を調べた結果
を下記の第２表に示す。第２表にはＢａＴｉＯ３１００
重量部に対して、ＢａＺｒ０．を３重量部、ＭｇＴｉＯ
３を０．４重量部、ＭｎＯ２を０．２重量部添加してな
る従来の代表的な組成物を用いて試作したコンデンサの
特性を併せて示している。
積層セラミックコンデンサを試作し、特性を調べた結果
を下記の第２表に示す。第２表にはＢａＴｉＯ３１００
重量部に対して、ＢａＺｒ０．を３重量部、ＭｇＴｉＯ
３を０．４重量部、ＭｎＯ２を０．２重量部添加してな
る従来の代表的な組成物を用いて試作したコンデンサの
特性を併せて示している。
この場合、素体形状は３．０７１１１Ｘ １．５６１１
Ｘ Ｏ，５６鵡である。尚、第１図において、１は試料
屋１５の組成物からなる磁器誘電体、２はパラジウム電
極、３は端子電極（ムｇ電極）である。また、第２表で
Ｃおよび−δは１ＫＨｚ、ムＣ１ｖで測定した値である
。工・ＲｅはＤＣ５０Ｖにて測定した絶縁抵抗値、Ｂ、
Ｄ、Ｗｅは昇圧破壊電圧値である。また、抗折力は２．
６襲のスノくンで素体を支持し、素体中央部をＱ、５１
１刃巾のナイフで押さえたときの素子破壊直前の圧力で
ある。
Ｘ Ｏ，５６鵡である。尚、第１図において、１は試料
屋１５の組成物からなる磁器誘電体、２はパラジウム電
極、３は端子電極（ムｇ電極）である。また、第２表で
Ｃおよび−δは１ＫＨｚ、ムＣ１ｖで測定した値である
。工・ＲｅはＤＣ５０Ｖにて測定した絶縁抵抗値、Ｂ、
Ｄ、Ｗｅは昇圧破壊電圧値である。また、抗折力は２．
６襲のスノくンで素体を支持し、素体中央部をＱ、５１
１刃巾のナイフで押さえたときの素子破壊直前の圧力で
ある。
（以 下 余 白う
数特性を示す。従来組成によるコンデンサの物性ムに比
し、本発明の試料屋１５で試作したコンデンサの特性Ｂ
は極めて高周波領域の特性が良いことが明らかである。
し、本発明の試料屋１５で試作したコンデンサの特性Ｂ
は極めて高周波領域の特性が良いことが明らかである。
また、第３図は同じく本発明で試作したコンデンサの静
電容量の温度変化率を示す０ 以上、述べたように本発明の組成は、積層セラミックコ
ンデンサのような薄膜状の誘電体として良好な特徴を有
する。即ち、誘電率３０００以上の高誘電率を有し、電
圧依存性が小さく、高周波において等価直列抵抗が小さ
いといった点で、最近の市場ニーズに合致する組成であ
り、特に電子チューナ等の領域において極めて利用価値
が高いものである。
電容量の温度変化率を示す０ 以上、述べたように本発明の組成は、積層セラミックコ
ンデンサのような薄膜状の誘電体として良好な特徴を有
する。即ち、誘電率３０００以上の高誘電率を有し、電
圧依存性が小さく、高周波において等価直列抵抗が小さ
いといった点で、最近の市場ニーズに合致する組成であ
り、特に電子チューナ等の領域において極めて利用価値
が高いものである。
第１図は本発明の組成物を′用いて試作した積層セラミ
ックコンデンサを示す一部断面正面図、第２図は同セラ
ミックコンデンサにおける等価直列抵抗の周波数特性を
示す図、第３図は同じく静電容量の温度変化率を示す図
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１２図 −Ｍ）良扶（朋Ｚ） ＠ ３ 図 → う＋Ｌ ７Ｋ ｔｌｃ）
ックコンデンサを示す一部断面正面図、第２図は同セラ
ミックコンデンサにおける等価直列抵抗の周波数特性を
示す図、第３図は同じく静電容量の温度変化率を示す図
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１２図 −Ｍ）良扶（朋Ｚ） ＠ ３ 図 → う＋Ｌ ７Ｋ ｔｌｃ）
Claims (3)
- （１） ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、ＣａＴ
ｉ０，１〜６重量部、Ｎｂ２０５２〜３重量部を添加含
有させてなることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 - （２） ＢａＴｉ０．１００重量部に対して、ＣａＴ
ｉＯ３１〜６重量部、Ｎｂ２０５２〜３重量部、ＭｎＯ
２０，２重量部以下（ただし、０は含まず）およびｃｅ
＋０２０．３重量部以下（ただし、０は含まず）を添加
含有させてなることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 - （３） ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、ＣａＴ
ｉＯ３１〜６重量部、Ｎｂ２０５２〜３重量部、ＭｎＯ
２０，２重量部以下（ただし、０は含まず）、ＣｅＯ２
０，３重量部以下（ただし、０は含まず）および５ｉｎ
２０．５重量部以下（ただし、０は含まず）１添加含有
させてなることを特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107257A JPS589877A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 高誘電率磁器組成物 |
| EP82901982A EP0086840B1 (en) | 1981-07-08 | 1982-07-02 | Porcelain composition having high dielectric constant |
| PCT/JP1982/000252 WO1983000145A1 (en) | 1981-07-08 | 1982-07-02 | Porcelain composition having high dielectric onstant |
| DE8282901982T DE3270746D1 (en) | 1981-07-08 | 1982-07-02 | Porcelain composition having high dielectric constant |
| US06/474,680 US4558020A (en) | 1981-07-08 | 1982-07-02 | Ceramic high dielectric composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107257A JPS589877A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589877A true JPS589877A (ja) | 1983-01-20 |
| JPH0137350B2 JPH0137350B2 (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=14454457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107257A Granted JPS589877A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4558020A (ja) |
| EP (1) | EP0086840B1 (ja) |
| JP (1) | JPS589877A (ja) |
| DE (1) | DE3270746D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983000145A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984000076A1 (en) * | 1982-06-18 | 1984-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porcelain composition with high dielectric constant |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE35064E (en) * | 1988-08-01 | 1995-10-17 | Circuit Components, Incorporated | Multilayer printed wiring board |
| FR2663634B1 (fr) * | 1990-06-22 | 1992-09-04 | Adir | Nouvelles acyl benzoxazolinones, leur procede de preparation et les compositions pharmaceutiques qui les contiennent. |
| US5162977A (en) * | 1991-08-27 | 1992-11-10 | Storage Technology Corporation | Printed circuit board having an integrated decoupling capacitive element |
| US6268054B1 (en) | 1997-02-18 | 2001-07-31 | Cabot Corporation | Dispersible, metal oxide-coated, barium titanate materials |
| US6616794B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Tpl, Inc. | Integral capacitance for printed circuit board using dielectric nanopowders |
| US20040109298A1 (en) * | 1998-05-04 | 2004-06-10 | Hartman William F. | Dielectric material including particulate filler |
| US6608760B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-08-19 | Tpl, Inc. | Dielectric material including particulate filler |
| US20030059366A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-27 | Cabot Corporation | Dispersible barium titanate-based particles and methods of forming the same |
| US20030215606A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-20 | Clancy Donald J. | Dispersible dielectric particles and methods of forming the same |
| US20060074164A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-04-06 | Tpl, Inc. | Structured composite dielectrics |
| US20060074166A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-04-06 | Tpl, Inc. Title And Interest In An Application | Moldable high dielectric constant nano-composites |
| US20080128961A1 (en) * | 2003-12-19 | 2008-06-05 | Tpl, Inc. | Moldable high dielectric constant nano-composites |
| TWI268522B (en) * | 2004-07-29 | 2006-12-11 | Rohm And Haas Electronic Materials L L C | Dielectric structure |
| US7230817B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-06-12 | Ferro Corporation | Y5V dielectric composition |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB755860A (en) * | 1953-12-12 | 1956-08-29 | George Victor Planer | Improvements in or relating to electrical ceramics |
| US4073989A (en) * | 1964-01-17 | 1978-02-14 | Horizons Incorporated | Continuous channel electron beam multiplier |
| FR1592107A (ja) * | 1968-05-08 | 1970-05-11 | ||
| DE2054653C3 (de) * | 1970-11-06 | 1975-11-27 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Dielektrikums |
| JPS5035222B1 (ja) * | 1970-12-29 | 1975-11-14 | ||
| JPS5319617B2 (ja) * | 1973-07-16 | 1978-06-22 | ||
| JPS5520613B2 (ja) * | 1973-11-26 | 1980-06-04 | ||
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| JPS5741042B2 (ja) * | 1974-12-27 | 1982-09-01 | ||
| JPS5220291A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Tdk Corp | Semiconductor porcelain composition |
| JPS5270398A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-11 | Murata Manufacturing Co | Dielectriccceramic composition |
| JPS5272499A (en) * | 1975-12-15 | 1977-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric ceramic composition |
| JPS54105113A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-17 | Ngk Insulators Ltd | Barium titanate base positive characteristic porcelain |
| JPS5553006A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-18 | Suwa Seikosha Kk | Dielectric material and method of manufacturing same |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56107257A patent/JPS589877A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-02 WO PCT/JP1982/000252 patent/WO1983000145A1/ja active IP Right Grant
- 1982-07-02 DE DE8282901982T patent/DE3270746D1/de not_active Expired
- 1982-07-02 US US06/474,680 patent/US4558020A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-02 EP EP82901982A patent/EP0086840B1/en not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984000076A1 (en) * | 1982-06-18 | 1984-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porcelain composition with high dielectric constant |
| US4558021A (en) * | 1982-06-18 | 1985-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic high dielectric composition |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0086840A4 (en) | 1984-09-19 |
| EP0086840B1 (en) | 1986-04-23 |
| EP0086840A1 (en) | 1983-08-31 |
| DE3270746D1 (en) | 1986-05-28 |
| JPH0137350B2 (ja) | 1989-08-07 |
| US4558020A (en) | 1985-12-10 |
| WO1983000145A1 (en) | 1983-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS589877A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| EP0104257B1 (en) | High dielectric constant porcelain composition | |
| JP2626620B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS58142704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3114886B2 (ja) | 圧電セラミックス | |
| US4558021A (en) | Ceramic high dielectric composition | |
| JPS58155601A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6134207B2 (ja) | ||
| JPS6055924B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3333017B2 (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JPH037621B2 (ja) | ||
| JPS58108606A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| KR100246243B1 (ko) | 엠엘씨씨용 고유전율계 자기조성물 | |
| JPS58108605A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6051203B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS58223668A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS58223666A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS58223665A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS62226857A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS58223667A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS61256971A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH029742A (ja) | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 | |
| JPH1029856A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS6097507A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS58223670A (ja) | 高誘電率磁器組成物 |