JPS58223667A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58223667A JPS58223667A JP57105917A JP10591782A JPS58223667A JP S58223667 A JPS58223667 A JP S58223667A JP 57105917 A JP57105917 A JP 57105917A JP 10591782 A JP10591782 A JP 10591782A JP S58223667 A JPS58223667 A JP S58223667A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- composition
- ceramic composition
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ ｉＯ３） ′
ｆ！：主体と腰チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、
三二酸化アンチモン（Ｓｂ２０３）に酸化ネオジウム（
Ｎｄ２０３）等を添加して得られる高誘電率磁器組成物
に関するものである。
ｆ！：主体と腰チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、
三二酸化アンチモン（Ｓｂ２０３）に酸化ネオジウム（
Ｎｄ２０３）等を添加して得られる高誘電率磁器組成物
に関するものである。
従来より、チタン酸バリウムを主体とする高誘電体磁器
組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コンデンサに
使用されている。 ・チタン酸バリウムは強誘電
性を有する月別であり、そのキーーリ一点は１２０’Ｃ
付近にある。この１２０’Ｃを境にして低温側では正方
品、高１’！＋、１１側では立方晶になる。そして、正
方晶の領域では當誘電性を示すことはよぐ知られている
。この」、つなチタン酸バリウム単独での磁器の誘電率
は常温付近の湯度特性において極めて温度による変化が
犬きく誘電損失も太きいため、単独でコンテンツとして
使用されることはほとんどなく、従来から種々の添加物
を加えてキー−リ一点を常温イて１近に移動させ、また
温度変化を少なくする工夫がなされている。この代表的
なものとして、ＣａＴｉＯ３゜ＢａＺｒ０ ５ｒＴｉ
ＯＢａＳｎＯ３，ＣａＳｎＯ３３’
３１ 等が知られている。これらを適量添加し、さらに微風成
分により補正することＶこより、ＥＩＡ規格に基づ（Ｘ
７Ｒ、ＹｓＴ 、Ｙ６Ｖ 、Ｚ４Ｖ等の牛１性制料とし
て供給されている。これらのｉｉ ａ＋・Ｉｉ／こりい
ては従来一般に素子厚みが０．５〜１．０胴とノヮい円
板の磁器コンデンサとして利用されているのが実状であ
る６、 近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化が進歩し
ており、積層セラミックコンデンサについてＣ１その最
たるものである１、積層セラミノクコンデンザは磁器誘
電体を２５〜１００ ／Ｊ ｍ程度に薄膜化し、クン型
電極を挾んだ多層構造をなすものであり、電極面積及び
電極間距離の比率を極めて小さくすることが可能なため
、体積当りの容量が磁器コンデンサに比して１００倍以
上も太き（することができ、同一静電容量ｉ１ ／１０
以下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容
易である。
組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コンデンサに
使用されている。 ・チタン酸バリウムは強誘電
性を有する月別であり、そのキーーリ一点は１２０’Ｃ
付近にある。この１２０’Ｃを境にして低温側では正方
品、高１’！＋、１１側では立方晶になる。そして、正
方晶の領域では當誘電性を示すことはよぐ知られている
。この」、つなチタン酸バリウム単独での磁器の誘電率
は常温付近の湯度特性において極めて温度による変化が
犬きく誘電損失も太きいため、単独でコンテンツとして
使用されることはほとんどなく、従来から種々の添加物
を加えてキー−リ一点を常温イて１近に移動させ、また
温度変化を少なくする工夫がなされている。この代表的
なものとして、ＣａＴｉＯ３゜ＢａＺｒ０ ５ｒＴｉ
ＯＢａＳｎＯ３，ＣａＳｎＯ３３’
３１ 等が知られている。これらを適量添加し、さらに微風成
分により補正することＶこより、ＥＩＡ規格に基づ（Ｘ
７Ｒ、ＹｓＴ 、Ｙ６Ｖ 、Ｚ４Ｖ等の牛１性制料とし
て供給されている。これらのｉｉ ａ＋・Ｉｉ／こりい
ては従来一般に素子厚みが０．５〜１．０胴とノヮい円
板の磁器コンデンサとして利用されているのが実状であ
る６、 近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化が進歩し
ており、積層セラミックコンデンサについてＣ１その最
たるものである１、積層セラミノクコンデンザは磁器誘
電体を２５〜１００ ／Ｊ ｍ程度に薄膜化し、クン型
電極を挾んだ多層構造をなすものであり、電極面積及び
電極間距離の比率を極めて小さくすることが可能なため
、体積当りの容量が磁器コンデンサに比して１００倍以
上も太き（することができ、同一静電容量ｉ１ ／１０
以下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容
易である。
しかしながら、このような磁器誘電体薄膜を使Ｊｉｌ＋
、／こ場合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用でき
ないのが実状である。すなわち、単位長さ当りの電圧が
従来の１０倍以上負荷されていることになるため、磁器
誘電率及び誘電損失の電圧依存性の小さい月利が要求さ
れるに至った。
、／こ場合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用でき
ないのが実状である。すなわち、単位長さ当りの電圧が
従来の１０倍以上負荷されていることになるため、磁器
誘電率及び誘電損失の電圧依存性の小さい月利が要求さ
れるに至った。
゛まだ、最近プリント基板への直付は方式により、プリ
ント基板のたわみにより破壊しないＪ：うな強度を持っ
た月利が要求されている。さらに、周波数が感度のよい
高周波帯へ移行してきているため、高周波特性のよいも
のが必要となってきている。
ント基板のたわみにより破壊しないＪ：うな強度を持っ
た月利が要求されている。さらに、周波数が感度のよい
高周波帯へ移行してきているため、高周波特性のよいも
のが必要となってきている。
特に、ＪＩＳ規格てＹＤ特性あるいｉ７ｉ Ｅ Ｉ Ａ
規格でＹ５Ｔ特性のものが電子チー−す関係に多数必要
とされており、誘電率が８０００以上、ｆａｎδが２．
０係以下では１〜１００比の周波数帯で等価１ｒ−１列
抵抗の低いものが要求されている。
規格でＹ５Ｔ特性のものが電子チー−す関係に多数必要
とされており、誘電率が８０００以上、ｆａｎδが２．
０係以下では１〜１００比の周波数帯で等価１ｒ−１列
抵抗の低いものが要求されている。
本発明は上記に鑑みて電圧依存性が小さく、曲げ強度が
犬きく、しかも高周波特性の良好な高誘電率磁器組成物
の提供全目的とするものである１、本発明は、この目的
を達成するため種々実験を重ねた結果、Ｂ ａ Ｔ １
０３１００重置部に対して、ＣａＴｉＯ３１〜１０重量
部、５ｂ２ｏ３１〜４重１７１部、Ｎｄ２０３１〜６重
量部を添加させてなる高誘電率磁気組成物を提供するに
至ったものである０さらに、好適な実施態様としては、
Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ。
犬きく、しかも高周波特性の良好な高誘電率磁器組成物
の提供全目的とするものである１、本発明は、この目的
を達成するため種々実験を重ねた結果、Ｂ ａ Ｔ １
０３１００重置部に対して、ＣａＴｉＯ３１〜１０重量
部、５ｂ２ｏ３１〜４重１７１部、Ｎｄ２０３１〜６重
量部を添加させてなる高誘電率磁気組成物を提供するに
至ったものである０さらに、好適な実施態様としては、
Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ。
Ｎｉ、Ｃｏの酸化物のうち少なくとも−ｆ−ｉｆｉ ｆ
ｆｉ主成分に対し０．０１〜０．５ｗｔ％含有させてな
る高誘電率磁器組成物全提供するものである。
ｆｉ主成分に対し０．０１〜０．５ｗｔ％含有させてな
る高誘電率磁器組成物全提供するものである。
以ト＼実施例に基づき本発明を説明する。
実施例
Ｂ ａ Ｔ １０ ｓ （純度９８％）１００重量部
に対して、各（Ｉト添加物金力１１えてボールミルにて
十分に混合する１、この混合物に５係ＰＶＡ（ポリビニ
ルアルコール）水溶液全少量添力］１してらいかい機で
混合し、３０メツシユのふるいを通過さぜ造粒する。
に対して、各（Ｉト添加物金力１１えてボールミルにて
十分に混合する１、この混合物に５係ＰＶＡ（ポリビニ
ルアルコール）水溶液全少量添力］１してらいかい機で
混合し、３０メツシユのふるいを通過さぜ造粒する。
この造粒粉を１３＋Ｍｌの内径の金型で圧力１七”’／
Ｃａ金かけ直径１３ｍｍ、厚さ０．５咽の形状の成型体
を作製する。これらの成型体を１２５０〜１４００ＣＴ
１〜２時間焼成する。この後、円板の焼結体の両円曲に
銀電極を設ける。
Ｃａ金かけ直径１３ｍｍ、厚さ０．５咽の形状の成型体
を作製する。これらの成型体を１２５０〜１４００ＣＴ
１〜２時間焼成する。この後、円板の焼結体の両円曲に
銀電極を設ける。
−Ｆ記の第１表は各種添加物組成に対して得られた焼結
体の特性を示す。表中ε （１２６″Ｃで１５ ＫＨｚ 、 Ａ ＣＩ Ｖにて測定した静電容量より求
めた誘電率、ｔａｎδはこのときの誘電損失を示す。ま
た、ＩＲはＤＣ５０Ｖで測定した絶縁抵抗率、ＢＤＶは
ｙ１圧破壊電圧、ＡＣ−Ｖは実効値のＡＣ電圧下でＩ
ＫＨｚ にて測定したｔ；ｌｎδの値を示す。さらに、
ＴＣは２０゛Ｃを基準とした静電容量の一３０’Ｃ及び
８５゛Ｃにおける変化率を示す。
体の特性を示す。表中ε （１２６″Ｃで１５ ＫＨｚ 、 Ａ ＣＩ Ｖにて測定した静電容量より求
めた誘電率、ｔａｎδはこのときの誘電損失を示す。ま
た、ＩＲはＤＣ５０Ｖで測定した絶縁抵抗率、ＢＤＶは
ｙ１圧破壊電圧、ＡＣ−Ｖは実効値のＡＣ電圧下でＩ
ＫＨｚ にて測定したｔ；ｌｎδの値を示す。さらに、
ＴＣは２０゛Ｃを基準とした静電容量の一３０’Ｃ及び
８５゛Ｃにおける変化率を示す。
（以 下 余 白）
この第１表からも明らかなように本発明の組成物口調電
率が犬きく、ＡＣ電圧による容置変化が小さく、捷だ曲
げ強度が強いことが認められる。
率が犬きく、ＡＣ電圧による容置変化が小さく、捷だ曲
げ強度が強いことが認められる。
従来、Ｂ ａ Ｚ ｒ ０３やＢ ａ Ｓ ｎ Ｏ３あ
るいはＳ ｒ Ｔ ｉｏ３等を添加した組成でにＡＣ電
圧特性が５０ Ｖ ／ ｍｍトの１・１０δ値にして約
３〜７％程度と高く、曲げ強度も６００〜７００ ｌ（
７／ ｃ、’と低かったことからすると極めて良好な特
性結果と考えられる。
るいはＳ ｒ Ｔ ｉｏ３等を添加した組成でにＡＣ電
圧特性が５０ Ｖ ／ ｍｍトの１・１０δ値にして約
３〜７％程度と高く、曲げ強度も６００〜７００ ｌ（
７／ ｃ、’と低かったことからすると極めて良好な特
性結果と考えられる。
第１表の試料筋１３の組成物を使用し、第１図のような
積層セラミノクコンテンザ全試作し、特１’ｌを調へた
結果を下記の第２表に示す。第２表にＢａＴｉＯ３１０
０重敬部に対してＢａＺｒ０３ｆ ３重置ｉ’＜ＩＳ、
Ｍ（Ｊ Ｔ ｉ ０３ ｋ ０．４重量部、Ｍ ｎ
Ｏ２ｆ Ｏ−２軍歌部添加してなる従来の代表的な組成
物を用いて試作したコンデンサの特性を合せて示してい
る。
積層セラミノクコンテンザ全試作し、特１’ｌを調へた
結果を下記の第２表に示す。第２表にＢａＴｉＯ３１０
０重敬部に対してＢａＺｒ０３ｆ ３重置ｉ’＜ＩＳ、
Ｍ（Ｊ Ｔ ｉ ０３ ｋ ０．４重量部、Ｍ ｎ
Ｏ２ｆ Ｏ−２軍歌部添加してなる従来の代表的な組成
物を用いて試作したコンデンサの特性を合せて示してい
る。
この場合の素体形状は３．０７ Ｘ １．６６ Ｘｏ、
５６胴である。尚、第１図において、１は試料筋１３の
組成物からなる磁器誘電体、２はパラジウム電極、３は
端子電極（Ａｑ電極）である。また、第２表でＣおよび
ｔａｎδはＩ ＫＨｚ、 八Ｃ１■で測定した値で
ある。ＩＲｅばＤＣ５０Ｖにて測定し／ζ絶縁抵抗値、
ＢＤＶｅは昇圧破壊電圧値である。
５６胴である。尚、第１図において、１は試料筋１３の
組成物からなる磁器誘電体、２はパラジウム電極、３は
端子電極（Ａｑ電極）である。また、第２表でＣおよび
ｔａｎδはＩ ＫＨｚ、 八Ｃ１■で測定した値で
ある。ＩＲｅばＤＣ５０Ｖにて測定し／ζ絶縁抵抗値、
ＢＤＶｅは昇圧破壊電圧値である。
捷だ、抗折力は２．６駒のスパンで素体を支持し、素体
中央部を０．５Ｍ刃ＩＩＪのナイフで押えたときの素子
破壊直前の圧力である。
中央部を０．５Ｍ刃ＩＩＪのナイフで押えたときの素子
破壊直前の圧力である。
（以 下 余 白）
第２図はこの場合における等価直列抵抗の周波数特性金
示す。従来組成によるコンデンサの特性Ａに比して、本
発明の試料歿１３で試作したコンデンサの特性Ｂは極め
て高周波領域の特性が良いことが明らかである。捷だ、
第３図は同じく本発明で試作したコンデンサの静電容置
の湯度変化率を示す。
示す。従来組成によるコンデンサの特性Ａに比して、本
発明の試料歿１３で試作したコンデンサの特性Ｂは極め
て高周波領域の特性が良いことが明らかである。捷だ、
第３図は同じく本発明で試作したコンデンサの静電容置
の湯度変化率を示す。
以」二、述べたように本発明の組成は積層士うミックコ
ンデンザのような薄膜状の誘電体として良好な特＠を有
する。すなわち、誘電率３０００以」−の高誘電率を有
し、電圧依存性が小さく高周波において等価直列抵抗が
小さいといった点で最近の市場ニーズに合致する組成で
あり、特Ｖこｍ７チー−す等の領域において極めてオＩ
Ｊ用価値の高いものである。
ンデンザのような薄膜状の誘電体として良好な特＠を有
する。すなわち、誘電率３０００以」−の高誘電率を有
し、電圧依存性が小さく高周波において等価直列抵抗が
小さいといった点で最近の市場ニーズに合致する組成で
あり、特Ｖこｍ７チー−す等の領域において極めてオＩ
Ｊ用価値の高いものである。
第１図は本発明の組成物を用いて試作し／こ積層セラミ
ックコンデンザを示す一部断面ＩＦ面図、第２図は同セ
ラミックコンデンザにおける等価直列抵抗の周波数特性
を示す図、第３図に同じく静電容重の温度変化を示す図
である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・パラジウム
電極、３・・・・・・端子電極。 代理人の氏名 弁理Ｊ二 中 尾 敏 男 ほか１名
３４８ 第１図 一＠液教（ＮＨ幻 第３図
ックコンデンザを示す一部断面ＩＦ面図、第２図は同セ
ラミックコンデンザにおける等価直列抵抗の周波数特性
を示す図、第３図に同じく静電容重の温度変化を示す図
である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・パラジウム
電極、３・・・・・・端子電極。 代理人の氏名 弁理Ｊ二 中 尾 敏 男 ほか１名
３４８ 第１図 一＠液教（ＮＨ幻 第３図
Claims (2)
- （１） ＢａＴ １ｏ３１００重量部に対して、Ｃａ
Ｔ ＩＯｓ１〜１０重量部、５ｂ２０３１〜４重量部
、Ｎｄ２０３１〜６重滑部を添加させてなる高誘電率磁
器組成物。 - （２）Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物のうち少
なくとも一種を主成分に対して０．０１〜０．６ｗｔチ
含有させてなる特許請求の範囲第１項記載の高誘電率磁
器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105917A JPS58223667A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
| PCT/JP1983/000194 WO1984000076A1 (en) | 1982-06-18 | 1983-06-17 | Porcelain composition with high dielectric constant |
| US06/582,570 US4558021A (en) | 1982-06-18 | 1983-06-17 | Ceramic high dielectric composition |
| DE19833390046 DE3390046C2 (de) | 1982-06-18 | 1983-06-17 | Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizit{tskonstante |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105917A JPS58223667A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223667A true JPS58223667A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14420211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57105917A Pending JPS58223667A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223667A (ja) |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP57105917A patent/JPS58223667A/ja active Pending
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