JPS5898333A - Modification of surface of polyacetylene film - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To form a new surface with an extremely excellent bondability, by putting an adhesive tape on or sticking a substrate with an adhesive on the surface of a polyacetylene film and then removing the tape or the substrate from the surface. CONSTITUTION:Either an adhesive tape is put on the surface of a polyacetylene film in vacuum or a stream of an inert gas, or a substrate is sticked on the surface in a stream of an inert gas with an adhesive, which is then allowed to cure. Then the adhesive tape or the substrate is slowly removed from the surface of the polyacetylene film to cause the surface layer of the film to be peeled in layers, with the result that the surface of the film is modified. Bond formed to the resulting surface is exceedingly great as compared with one formed directly to the non-treated surface.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ポリアセチレンフィルムの表面＆質方法に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for surface and quality of polyacetylene films.

ポリアセチレンは、１０−１〜１０−１Ω−１・ｆｆ１
−”ｒゝ の電気伝導度を有する高分子半導体であシ、最近におい
ては、不純物をドーピングすることＫよりポリアセチレ
ンの電気伝導度を大幅に増加させ且つ！１型、ｐ型等の
導ｗｍを制御する方法（例えばＪｏｔｌｒｎａｌ　ｏｆ
　Ａｍ＠ｒｉｃａｎ　Ｃｈ＠ｍ１ｃａｌ　５ｏｃｉ＠ｔ
ｙ　第１００巻第１０１３頁（１９７８））が開発され
ている。そしてポリアセチレンをフィルム状に重合する
方決（特開昭４５−３４４０６号）が知られていること
もあって、最近においては、ポリアセチレンのフィルム
を用いて半導体紫子を構成することの研究がなされてお
り、例えばドープしたポリアセチレンフィルムの表面に
適当な仕事関数を有する金属層を設けて接合を形成する
ことにょクシヨツトキー接合素子を得ること←Ｊａｐａ
ｎハ篭ｒｍａｌ・ｆ　ＡＰＰｌｌ・纏Ｐｈｙｓｌｅｉ第
２０巻第１２７頁（１９８１）　）　、ｘ＊ＷＩｉのポ
リアセチレンフィルムＫｐ型のポリアセチレンフィルム
を１ｌＩ１層せしめてｐ−＊ｔ１合素子を得ること（ム
ｐｐｌ−Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ−第３３巻第１８頁（１
９７８））、ｌびｐ型のポリアセチレンフィルムとｌ１
Ｍのシリコンとによシヘテロｐ−＊ｔｌ１合素子を得る
こと（昭和５５年電子通信学会光電波部門全国大会講演
要旨集３８４ページ）などが報告されてψる。Polyacetylene is 10-1 to 10-1Ω-1・ff1
- It is a polymer semiconductor having an electrical conductivity of 1-type, p-type, etc., and recently, doping with impurities has greatly increased the electrical conductivity of polyacetylene than K, and has increased the conductivity of 1-type, p-type, etc. method of control (e.g. Jotlrnal of
Am@rican Ch@m1cal 5oci@t
y Vol. 100, p. 1013 (1978)) has been developed. Since a method of polymerizing polyacetylene into a film is known (Japanese Patent Application Laid-open No. 45-34406), research has recently been conducted into constructing semiconductor violets using polyacetylene films. For example, it is possible to obtain a key junction element by forming a junction by providing a metal layer with an appropriate work function on the surface of a doped polyacetylene film.
Physlei Vol. 20, p. 127 (1981)), x*WIi polyacetylene film Kp type polyacetylene film is layered to obtain a p-*t1 composite element (mu ppl- Phys, Lett-Volume 33, Page 18 (1)
978)), lp-type polyacetylene film and l1
It has been reported that a heterogeneous p-*tl1 composite device can be obtained with silicon of M (1984 Institute of Electronics and Communication Engineers National Conference Abstracts, Photo-Radio Division, p. 384).

このようなシロットキー接合緊子、Ｐ−１１１合薫子、
ヘテａ接合素子等はいずれも整流作用を有−し、光−電
気エネルギー変換効率としての機能を有するものである
。Such a Shirot key joint Kyoko, P-111 joint Kunko,
All of the hetero-A junction elements and the like have a rectifying effect and function as light-to-electrical energy conversion efficiency.

ポリアセチレンフィルムの表面に以上の如き種々の接合
を形成［て光−電気エネルギー変換素子として利用する
ことは、従来がら知られている無機半導体によ勺＃ｌＩ
戚された同様の素子に比べて、比較的安価にかつ容易に
作製することができ、特に大ｒｋＪ檜のポリアセチレン
フィルムを容Ｊｉｔ１に合成或いは入手することができ
ることから、素子の面積を大きくすることが容易であや
、例えば太ｓｎｉ池として利用する場合に極めて有利で
ある。Forming various types of bonding as described above on the surface of polyacetylene film and using it as a light-to-electrical energy conversion element has been achieved by using conventionally known inorganic semiconductors.
Compared to similar devices, it can be produced relatively cheaply and easily, and in particular, a polyacetylene film of large size can be synthesized or obtained, making it possible to increase the area of the device. It is easy to do this, and is extremely advantageous when used as a thick pond, for example.

しかしながら、ポリアセチレンフィルムを構成要素とす
る前述の如き種々の接合素子は、必ずし７も良好な接合
特性を有するものではない。すなわち、ショットキー接
合素子の場合を例にとってみると、その接合の良否を示
すクォリティファクターｏｎはｍ　＝２．１であって理
想的なものにおけるｎ　＝　１．０に比べてかなシ低い
特性値を示すことが報告されている（電気通信学会誌論
文ＡＭ１０１者＄１！１０４頁（１９８１））。However, the above-mentioned various bonding elements having polyacetylene films as constituent elements do not necessarily have good bonding properties. In other words, taking the case of a Schottky junction element as an example, the quality factor on, which indicates the quality of the junction, is m = 2.1, which is a much lower characteristic value than n = 1.0 in an ideal device. (Journal of the Institute of Electrical Communication, paper AM101, $1! p. 104 (1981)).

勿論、ポリアセチレンフィルムによる半導体素子におい
ても、その接合特性を向上させることは、当該素子を例
支げ光−電気エネルギー変換素子として用いた場合に大
きなエネルギー変換効率が得られることとなるので、強
く望まれていることである。そして上記の接合特性の良
否は、表面状態に関係することが推定されてはいるか、
明Ｗな因果関係は従来側も知られていな′い〇 一般にシリコン等の無機半導体結晶によシ上述の如き接
合を形成せしめる場合において、その結晶の表面状態を
改善するためＫは、通常化学的なエツチング処理が行な
われるが、このエツチング処理に用−られるエツチング
液は主としてフッ酸等の強酸から成るものであり、この
方法をポリアセチレンフィルムに応用した場合には当該
ポリアセチレンが強１１１によってドープされるように
な夛、その良好な特性が犠牲にされる゛ので好ましくな
い。Of course, it is highly desirable to improve the bonding properties of semiconductor devices made of polyacetylene films, as this will result in greater energy conversion efficiency when the device is used, for example, as a light-to-electrical energy conversion device. This is something that is rare. Is it presumed that the quality of the bonding characteristics mentioned above is related to the surface condition?
A clear cause-and-effect relationship is not known to the conventional side. In general, when forming the above-mentioned junction with an inorganic semiconductor crystal such as silicon, K is usually used in chemical treatments to improve the surface condition of the crystal. The etching solution used in this etching process mainly consists of a strong acid such as hydrofluoric acid, and when this method is applied to a polyacetylene film, the polyacetylene is doped with strong 111. This is undesirable because its good properties are sacrificed as it increases.

本発明者らは以上の様な間懲点を解決すべく鋭意研究し
た結果、ポリアセチレンフィルムの表面を層状に剥離す
ることＫよって他の特゛性を犠牲にする仁となく表面状
態が改質されたポリアセチレンフィルムが得られること
を見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに到
った。As a result of intensive research to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have found that by peeling the surface of a polyacetylene film in layers, the surface condition can be improved without sacrificing other properties. The present inventors have discovered that a polyacetylene film can be obtained, and based on this knowledge, they have completed the present invention.

即ち本発明は、半導体素子を構成せしめたときに良好力
特性が得られるよう、ポリアセチレンフィルムの表面状
Ｗを改質する方法を提供するものであって、その特徴と
する２ころは、ポリアセチレンフィルムの１１ｍＫ、粘
着テープを貼付しまたは支持体を接着剤を用いて接着し
、該粘着テープまたＦｉ該型支持体前記ポリアセチレン
フィルムから剥離させることにより、前記ポリアセチレ
ンフィルムの表面層を層状に剥離せしめる点にある。That is, the present invention provides a method for modifying the surface condition W of a polyacetylene film so that good force characteristics can be obtained when a semiconductor device is constructed. At 11 mK, the surface layer of the polyacetylene film is peeled off in layers by pasting an adhesive tape or adhering a support using an adhesive, and peeling the adhesive tape or the support from the polyacetylene film. It is in.

以下本発明方法について具体的に説明する。The method of the present invention will be specifically explained below.

本発明においては、その表面状態を改質すべきポリアセ
チレンフィルムの当該表面に、窒素或いはアルゴン等の
不活性ガス気流下若しく’１１１０−４Ｔ＠ｒｒ以下の
真空中において粘着テープを貼付し、または同様の不活
性ガス気流下に支持体を接着剤により接着してそのＷ１
着着剤後化させた後、前記粘着テープ着たは前記支持体
を徐々にポリアセチレンフィルムの表面から剥離せしめ
ることによって’［ポリアセチレンフィルムの表面層を
層状に剥離せしめ、以って当該表面を改質する。In the present invention, an adhesive tape is attached to the surface of the polyacetylene film whose surface condition is to be modified in a stream of an inert gas such as nitrogen or argon or in a vacuum of '1110-4T@rr or less, or a similar process is applied. The support is bonded with an adhesive under an inert gas flow of W1.
After the adhesive is cured, the adhesive tape or the support is gradually peeled off from the surface of the polyacetylene film, thereby peeling off the surface layer of the polyacetylene film in layers, thereby modifying the surface. ask a question

以上の本発明方決が適用されるポリアセチレンフィルム
は、一般的にアセチレンをチーグラー触媒などを用いて
重合せしめて得られる、フィルム吠の形態を有するもの
である。ポリアセチレンはその重合時の重合温度によっ
て、２重結合の立体配位の興彦るシス体及びＦランス体
の割合が１４なったものとな）、低温で重合させたもの
稈シス体含有量が多くなるが、本発明方法は、シス体含
有量などの立体配位の状態に無関係にすべてのぎりアセ
チレンフィルムに適用することができる・また既にドー
プ処理が施されていてｎ型若しくはｐｍ等特定の導電型
を有するポリアセチレンフィルムに対しても何ら支障な
く適用することができる０本発明方法におφて、粘着テ
ープを使用する場合の粘着テープとしては、当該粘着テ
ープＣ基材と粘着層間及び粘着層とボりアセチレンフィ
ルム間を剥離せしめるのに必要な強度が、当該ポリア七
チレンフイルムの組織における凝集破壊強度より大きい
ものであればよい。この粘着テープのポリアセチレンフ
ィルムからの剥離作ａは、ＩＩＦ建。The polyacetylene film to which the above-described method of the present invention is applied generally has the form of a film obtained by polymerizing acetylene using a Ziegler catalyst or the like. Depending on the polymerization temperature during polymerization, polyacetylene has a ratio of cis isomer and F lance isomer that changes the steric coordination of double bonds. However, the method of the present invention can be applied to all types of acetylene films regardless of the steric coordination state such as the cis content. Also, the method of the present invention can be applied to all types of acetylene films that have already been doped and have specific characteristics such as n-type or pm. When an adhesive tape is used in the method of the present invention, which can be applied without any problem to a polyacetylene film having a conductivity type of It is sufficient that the strength required to separate the adhesive layer from the wrinkled acetylene film is greater than the cohesive failure strength of the structure of the poly(7ethylene film). The peelability of this adhesive tape from polyacetylene film is IIF.

ようＫ　１０−’　Ｔｏｒｒ以下の真空中において行な
われる場合があるので、揮発性成分含有量の少ない粘５
ｆｔｌを有する粘着テープを使用することが好ましい。Since the process may be carried out in a vacuum of K 10-' Torr or less, viscous
Preferably, adhesive tapes with ftl are used.

このような好ましい粘着テープとしては、飼えば市販の
「スコッチメンディングテープ」（登録商標、住友スリ
ーエム社製）を挙げることができる。An example of such a preferable adhesive tape is "Scotch Mending Tape" (registered trademark, manufactured by Sumitomo 3M), which is commercially available for domestic animals.

本発明方法において、接着剤により支持体を接着する場
合に使用する接着剤としては、ポリアセチレンフィルム
に対する接着力が、当該ポリアセチレンフィルムの組織
における凝集破壊力よ）大きいものであれけよいが、更
に揮発性成分の含有量の少ないものか好ましい。また、
ポリアセチレンフィルムの組織は微細かフィブリルの集
合体よシ成り、°全体としては多孔性のフィルムである
ので、硬化前の粘度が低−接着剤はポリアセチレンフィ
ルムの組織内部に浸透した後に硬化することとなシ、表
面層を層状に剥離することを確実に行なうことができな
い場合がある。このため、本発明に用いる１１１着剤は
、粘度が高くて事実上にぎりアセチレンフィルムに対し
て不浸透性のものであることが好ましい。このような接
着剤としては、例えば市販の「セメダインハイス−パー
Ｊ　　（？ｉｌ商榛、セメダイン社製）を好適なものと
して挙けることができる。また支持体としては、一般的
に金属片、プラスチック片、布片など上述の接着剤によ
り強固に接着され得るものであってしかもポリアセチレ
ンフィルムの組織における凝集破壊力より強い破壊強度
を有する材質より成るものであればよく、好適に用いる
ことのできるものとしては、例えはポリエステル′フィ
ルム片を挙けることができる。In the method of the present invention, the adhesive used when bonding the support with an adhesive may be any adhesive that has a greater adhesive force to the polyacetylene film (than the cohesive failure strength of the structure of the polyacetylene film), Preferably, it has a low content of sexual components. Also,
The structure of polyacetylene film is made up of aggregates of fine fibrils, and the film is porous as a whole, so the viscosity before curing is low - the adhesive will harden after penetrating into the structure of the polyacetylene film. However, it may not be possible to reliably peel off the surface layer layer by layer. For this reason, the 111 adhesive used in the present invention preferably has a high viscosity and is virtually impermeable to the acetylene film. A suitable example of such an adhesive is commercially available Cemedine High Super J (manufactured by Cemedine Co., Ltd.).The support is generally a metal piece, Any material, such as a plastic piece or a cloth piece, which can be firmly bonded with the above-mentioned adhesive and has a breaking strength stronger than the cohesive breaking force of the structure of the polyacetylene film, can be suitably used. For example, a piece of polyester film may be mentioned.

本発明方法は以上の通）であって次のような効果が得ら
れる。即ち本発明によれけ、ポリアセチレンフィルムの
表面層が層状に剥離されて新しい表面か形成され、表面
上に接合を形成、すると、その接合の接合特性は、後述
する実施例の説明からも明かなように、従来のポリアセ
チレンフィルムの表面上Ｋｌｌ影形成た接合の接合特性
に比べて遥かに良好なものとなる。The method of the present invention is as described above, and the following effects can be obtained. That is, according to the present invention, the surface layer of the polyacetylene film is peeled off in layers to form a new surface, and a bond is formed on the surface. As a result, the bonding properties are much better than those of conventional polyacetylene film with Kll shadow formed on the surface.

更に本発明方法によって改質されたポリアセチレンフィ
ルムの表面上に形成した接合の接合抵抗は、改質を行な
わないものに比べて約　１／１０程度と小さい値を有す
るものとなる。このような効果が得られる理由は、改質
前のポリアセチレンフィルムの表面状態が第１図に示す
ように組織が緻密ないわば平滑面状態であるのに対し、
本発明方法の、いわｄ＠面状態であり、当該ポリアセチ
レンフィルムと接合を形成する半導体物質との実効の接
合面積が、改質を行なっていない場合に比べて棲めて太
きくなシ、この結果見掛は上の接合抵抗が小さくなるも
のと推定される。Furthermore, the bonding resistance of the bond formed on the surface of the polyacetylene film modified by the method of the present invention has a value as small as about 1/10 of that of the non-modified film. The reason for this effect is that the surface state of the polyacetylene film before modification is a smooth surface with a dense structure, as shown in Figure 1.
This is the so-called d@-plane state of the method of the present invention, in which the effective bonding area between the polyacetylene film and the semiconductor material forming the bond is larger than in the case where no modification is performed. As a result, it is estimated that the upper junction resistance appears to be smaller.

このように接合抵抗が減少することにより、当該接合素
子管例えば光−電気エネルギー変換素子として用いる場
合には、当該素子はその内部での抵抗による電流損失が
小さいものとなシ、この結果、大きなエネルギー変換効
率を有するものとなる。By reducing the junction resistance in this way, when the junction element tube is used, for example, as a light-electrical energy conversion element, the element has a small current loss due to internal resistance. It has energy conversion efficiency.

以上の如き本発明方法は、ポリアセチレンフィルムの同
一の表面に対して任意の回数に亘って締り返して適用す
ることができ、これによってその改質の程度を制御する
ことも可能である。The method of the present invention as described above can be applied repeatedly to the same surface of a polyacetylene film any number of times, thereby making it possible to control the degree of modification.

以上に加え、本発明によるポリアセチレンフィルムの表
面改質方法は、特定の設備を必要とすることなく炉時間
のうちに極めて容易に且つ確実に行なうことができ、工
業的にも棲めて有利である。In addition to the above, the method for surface modification of polyacetylene film according to the present invention can be carried out extremely easily and reliably within the furnace time without requiring any special equipment, and is industrially advantageous. be.

以下本発明の実施例につい−て説明するが本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではな一０尚実施例におい
て使用したポリアセチレンフィルムは次のようにして調
製されたものである・ポリアセチレンフィルムの調製 窒素零囲気下で容量５００−のガーラス容器内のトルエ
ン３０ｗｔ中に１．７−のチタニウムテトラブトキサイ
ドを加えて溶解し、これに２．７−のトリエチルアルミ
ニウムを攪拌しながら加えて反応させ、この容器を重合
装■にとりつけて内部の触媒溶液を液体窒素で凝固させ
た上で真空ポンプで容器中の窒素を抜きとった。その後
触蝉浴液を室温にもど［て溶解していた窒素を気化させ
、再び液体窒素で凝固させ脱気した。次いでこの容器を
ドライアイス−メタノール混合物の温度に保ち、静止し
たままでガス溜に保存しておいた精製アセチレンを大気
圧以下でこの容器内Ｋ１１人した・盲ちに溶液表面で重
合が起り、フィルム状ポリアセチレンが生成した。アセ
チレン導入ｔＩｋ３０分間を経過したときに容器を重合
装置−・らけずして窒素を導入した。そして窒素雰囲気
下で触媒溶液を注射器で除いた後、続けて、乾燥及び脱
気処理したトルエンでフィルム状ポリアセチレン會十分
洗′浄し、以ってポリアセチレンフィルムを得り。Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.The polyacetylene film used in the examples was prepared as follows.Polyacetylene Preparation of film 1.7-titanium tetrabutoxide was added and dissolved in 30 wt of toluene in a 500-volume glass container under a nitrogen atmosphere, and 2.7-triethylaluminum was added with stirring. After the reaction was carried out, this container was attached to a polymerization reactor (1), the catalyst solution inside was solidified with liquid nitrogen, and the nitrogen in the container was removed using a vacuum pump. Thereafter, the cicada bath solution was returned to room temperature to vaporize the dissolved nitrogen, and was again solidified with liquid nitrogen and degassed. Next, this container was kept at the temperature of the dry ice-methanol mixture, and purified acetylene, which had been stored in a gas reservoir, was poured into this container under atmospheric pressure while it remained stationary. Polymerization occurred blindly on the surface of the solution. A film of polyacetylene was produced. When the acetylene introduction time tIk of 30 minutes had elapsed, the container was opened from the polymerization apparatus and nitrogen was introduced. After removing the catalyst solution with a syringe under a nitrogen atmosphere, the polyacetylene film was thoroughly washed with toluene that had been dried and degassed, thereby obtaining a polyacetylene film.

このポリアセチレンフィルムは、その電気伝導度が１０
−１Ω−８傷−１１シス体含有量はその赤外線＠収スペ
クトルによる測定で８５％のものであった０そしてこれ
を真空中で２時間温度１８０℃に加熱することによって
トランス体含有量９５弧のポリアセチレンフィルムが得
られ、その１！気伝導度は１〇−修Ω″″１α−１、厚
さけ約１２０−ｍであった。This polyacetylene film has an electrical conductivity of 10
-1 ohm A polyacetylene film was obtained, part 1! The air conductivity was 10-Omega''''1α-1, and the thickness was about 120-m.

実施例１ ）ランス体熱異性化後のポリアセチレンフィルムから、
窒素ガス気流下で２ｃｍ１四方のポリアセチレンフィル
ム片を試料として切）出し、窒素ガス気流下において、
この試料の表面の一線部分を診い九Ｗ、分に粘着テープ
「スコッチメンディングテープ」　（登録商欅、住友ス
リーエム社製）を貼付してＩＫｒ／ａＩＩの圧力で擦過
押圧した咎、その−縁から徐々に粘着テープを剥離した
。表面層が剥離された試料面Ｆ１黒ずんだ褐色を示し、
表面層が剥離されない場合の金属光沢とは明ＷＩＫ判別
することができた。Example 1) From a polyacetylene film after lance body thermal isomerization,
A 2 cm square piece of polyacetylene film was cut out as a sample under a nitrogen gas flow, and under a nitrogen gas flow,
After inspecting a line on the surface of this sample, I applied an adhesive tape "Scotch Mending Tape" (registered commercial product, manufactured by Sumitomo 3M) and rubbed it with a pressure of IKr/aII. The adhesive tape was gradually peeled off from the edges. The sample surface F1 shows a dark brown color with the surface layer peeled off,
It was possible to clearly distinguish WIK from the metallic luster when the surface layer was not peeled off.

このように本発明方法によって表面改質がなされた試料
を窒素ガス気流下において真空蒸着用ペルジャー内に移
し、直ちに排気を開始して約３０分間で１０−・Ｔ・ｒ
ｒｏ真空度とし、この状態で、黒ずんだ褐色を示す改質
された表面部分領域内にアル１＝ウムを筒径ｔｏｍｃ、
円形に蒸着して厚さ釣５００　Ａのアルミニウム蒸着層
を形成した。次にこのペルジャー内で試料を反転せしめ
、試料の裏面における前記アルミニウム蒸着層の位曹す
る領域に金を直径１０１１ｍの円形に蒸着して厚さ約５
ｏｏＸの金蒸着層を形成して素子を作製し、これを窒素
ガス気流下において取り出し、金蒸着層面とアルミニウ
ム蒸着層との関にバイアス電圧をアルミニウム蒸着層が
貴となるよう印加し、この時に流れる電流を測定して電
圧電流特性を求めた。The sample surface-modified by the method of the present invention was transferred to a Pelger for vacuum evaporation under a nitrogen gas stream, and evacuation was immediately started and the temperature was increased to 10 - T·r in about 30 minutes.
ro vacuum degree, and in this state, Al 1=U was added to the modified surface region showing a dark brown color with a cylinder diameter tomc,
An aluminum vapor deposited layer having a thickness of about 500 A was formed by vapor deposition in a circular shape. Next, the sample was inverted in this Pelger, and gold was vapor-deposited in a circular shape with a diameter of 1011 m to a thickness of about 5 m on the area on the back side of the sample where the aluminum vapor-deposited layer was located.
A device is prepared by forming a gold vapor-deposited layer of ooX, which is taken out under a nitrogen gas flow, and a bias voltage is applied between the surface of the gold vapor-deposited layer and the aluminum vapor-deposited layer so that the aluminum vapor-deposited layer becomes noble. The flowing current was measured and the voltage-current characteristics were determined.

得られた電圧電流特性は、接合にお妙る電圧電流特性を
表わす式 ％式％ ｔｌ　ｓＫ　／ｋ　ツＹン定敞、↑は温度Ｃケルビン）
、！。The obtained voltage-current characteristics are expressed by the formula %, which expresses the voltage-current characteristics depending on the junction.
,! .

は飽和電流ｓ＊Ｆｉクォリティファクターである・）Ｋ
良く一致しておシ、このことから、本発明方法によって
改質された試料表面とアルミニウム蒸着層の関にけシ冒
ツシキーｉＩＯ捗合が形成されたものと考えられる。更
にこの電圧電流特性から素子のクォリティファクターを
求め、更に接合抵抗の大きさを求めた。is the saturation current s*Fi quality factor・)K
The results are in good agreement, and it is considered from this fact that an aggressive iIO ratio was formed between the sample surface modified by the method of the present invention and the aluminum vapor deposited layer. Furthermore, the quality factor of the element was determined from this voltage-current characteristic, and the magnitude of the junction resistance was also determined.

このような操作を、ロットの異なる合計１０ＩＰのポリ
アセチレンフィルムの試料について行なったところ、何
れの試料による素子においてもショットキー型の接合が
形成されている仁とが確認され九〇 またこれら合計１０回の測定から求められた素子のクォ
リティファクターは、平均１．９±０．３　　と良好な
値を示し、また接合抵抗の大きさは１．５　ｉｏ、２　
ｈΩであった。When such operations were performed on a total of 10 IP polyacetylene film samples from different lots, it was confirmed that Schottky-type junctions were formed in the elements of each sample. The quality factor of the device determined from the measurements showed a good value of 1.9±0.3 on average, and the junction resistance was 1.5 io, 2
It was hΩ.

比較例１ 本発明による表面改質會行なわないほかは実施例１と全
く同様にして合計１０個の素子を作シ、実施例１と同様
の測定を行なったところ、ショットキー接合型の接合特
性を示したものＦＪ７＠に留ｔシ、他の２個はオーム性
の電圧電流特性を示し、残シの１ｌｌｔ！゛絶縁性であ
った◎そしてショットキー接合型の接合特性を示した７
個の素子の特性から求められたクォリティファクターは
３．８±１．２と不良であシ、更に接合抵抗Ｆ１２８１
７にΩと大きいものであった。Comparative Example 1 A total of 10 devices were fabricated in the same manner as in Example 1, except that the surface modification according to the present invention was not carried out, and the same measurements as in Example 1 were performed. The one that showed this was FJ7@, the other two showed ohmic voltage-current characteristics, and the remaining ones showed 1llt!゛It was insulating ◎ and exhibited Schottky junction type junction characteristics7
The quality factor determined from the characteristics of each element was 3.8±1.2, which was poor, and the junction resistance was F1281.
It was as large as 7Ω.

実施例２ １０−”−Ω″″１傷−１の電気伝導度を有するポリア
セチレンに対し、（ＣＨＩ　Ｈａ　ＣＮ）ＩＰｄｃｚ、
をドープ剤として特開昭５６−１１９４０号公報ＫＩＦ
！載された方法に従ってドープを行ない、以って２Ｘ１
０−ａΩ−１国−１０ｍ１伝導度を有するポリアセチレ
ンフィルムを得た。このポリアセチレンフィルムを４３
１ＧｌｌＦＫ切シ取って試料とし、窒素ガス気流下でこ
の試料の表＠［ｌＫその−１１部分を除いて接着剤「セ
メダインハイス−パー」（登録商標、セメダイン社製）
を均一に塗布し、この上に厚さ１００　ｐｖａのポリエ
ステルフィルムを密接せしめ１騨／−の圧力で擦過押圧
して接着し、約６０分間窒素ガス気流下に放置して接着
剤を硬化せしめた後、雰囲気を１Ｏ−４Ｔ・ｔｒの真空
状態とした。この真空状態下で試料からポリアセチレン
７、イルムを徐々にその一縁から引１１１１！Ｌ、実施
例１と同様の改質されて黒ずんだ表面部分を形成した。Example 2 For polyacetylene having an electrical conductivity of 10-"-Ω""1 flaw-1, (CHI Ha CN)IPdcz,
JP-A No. 56-11940 KIF as a doping agent
! Dope according to the method listed, so 2X1
A polyacetylene film having a conductivity of 0-aΩ-1-10 m1 was obtained. This polyacetylene film is 43
1GllFK was cut out as a sample, and the surface of this sample was glued under a nitrogen gas stream with the adhesive "Cemedine High Super" (registered trademark, manufactured by Cemedine Co., Ltd.) except for the -11 part.
was applied uniformly, a polyester film with a thickness of 100 pva was placed on top of the film, and the adhesive was bonded by rubbing and pressing with a pressure of 1/-, and the adhesive was left under a stream of nitrogen gas for about 60 minutes to harden the adhesive. After that, the atmosphere was made into a vacuum state of 1O-4T.tr. Under this vacuum condition, the polyacetylene 7 and ilm were gradually pulled from one edge of the sample. L, the same modification as in Example 1 resulted in the formation of a darkened surface area.

この表面部分の領域に実施例１と同様にして、アルミニ
ウムを蒸着すると共に裏面に金を蒸着して素子を作製し
た。In the same manner as in Example 1, aluminum was vapor-deposited on this surface region and gold was vapor-deposited on the back surface to produce an element.

この素子の接合特性は、クォリティファクター２．０、
接合抵抗ｔｊ８．０Ωであシ、何れも良好なものであっ
た。The bonding characteristics of this element are quality factor 2.0,
The junction resistance tj was 8.0Ω, and all were good.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

１１図及び第２図はそれぞれポリアセチレンフィルムの
−ｆ！ｉＩ４について本発明方法によって表面改質を行
なう前及び改質を行なった後の表面状態を走査型電子顕
微鏡で撮影した写真である。 第１図 第　２　図Figures 11 and 2 show -f! of the polyacetylene film, respectively. These are photographs taken with a scanning electron microscope of the surface state of iI4 before and after surface modification by the method of the present invention. Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ｌ）？り了七チレンフイルムの表面に、粘着テープを貼
付しまたは支持体を接着剤を用いて接着し、該粘着テー
プまたは該支持体を前記ポリアセチレンフィルムから剥
離させることにより、前記ポリアセチレンフィルムの表
面層を層状に剥離せしめることを特徴とするポリアセチ
レンフィルムの表面改質方法。l)? The surface layer of the polyacetylene film is removed by pasting an adhesive tape or adhering a support using an adhesive to the surface of the polyacetylene film, and peeling the adhesive tape or the support from the polyacetylene film. A method for surface modification of polyacetylene film characterized by peeling it off in layers.