JPS5896729A - グロ−放電装置 - Google Patents
グロ−放電装置Info
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- JPS5896729A JPS5896729A JP19497181A JP19497181A JPS5896729A JP S5896729 A JPS5896729 A JP S5896729A JP 19497181 A JP19497181 A JP 19497181A JP 19497181 A JP19497181 A JP 19497181A JP S5896729 A JPS5896729 A JP S5896729A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow discharge
- gas
- electrode
- discharge device
- films
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２つの電極か互いに平行で平板であるクロー放
電装置に関する。
電装置に関する。
従来、アモ／ＬファスφシリコンｔＣトの（’Ｆ 成性
、１’【て、グロー放電法により発生したプラズマ中で
ガスを分解して作成する方法か主流とｉｔつている。
、１’【て、グロー放電法により発生したプラズマ中で
ガスを分解して作成する方法か主流とｉｔつている。
グロー放電法は大別して、（′１）直Ｍｆグロー放電法
、Ｃ）容１結合型高周波グロー放電法、■誘導結合型高
周波グロー放電法などかある。また、グロー放電法は、
■プラズマ状態の把握かまだ十分にζねていｔｒい、■
各機関で用いられている装置の構造がｐ ｆｒろプ・ど
の理由で作成φ伺を統一的に規定でｌ ｔｒい。作成条
件の一つであるガスの供給方法にも４々ｔｒ Ｊ夫がｆ
ｒこれているか、静ｔｔＣ型でかつカス密度を灼−に保
つこと旧１く、作成膜の均−情が保たねなかっ六−０一
般的り容部結合型高周波グロー放電装置に例を２るなら
ば、第１図に示すとと＜ ｔＷ ｔＦｉ ｉかち流出し
たガスは排出口４に自Ｉって加わ、分解ζねる。この時
に電極１−電極２間でガス密度が均一であるこＬが望ま
しいが、従来の装置ではこの点が不十分である。高周波
グロー放電によって分解ζわだガスは、妻板５に達する
前に排出口４に向うっけ出し、カス密度は不均一になる
と同時にｌ＾の成長連間は遅くなる。
、Ｃ）容１結合型高周波グロー放電法、■誘導結合型高
周波グロー放電法などかある。また、グロー放電法は、
■プラズマ状態の把握かまだ十分にζねていｔｒい、■
各機関で用いられている装置の構造がｐ ｆｒろプ・ど
の理由で作成φ伺を統一的に規定でｌ ｔｒい。作成条
件の一つであるガスの供給方法にも４々ｔｒ Ｊ夫がｆ
ｒこれているか、静ｔｔＣ型でかつカス密度を灼−に保
つこと旧１く、作成膜の均−情が保たねなかっ六−０一
般的り容部結合型高周波グロー放電装置に例を２るなら
ば、第１図に示すとと＜ ｔＷ ｔＦｉ ｉかち流出し
たガスは排出口４に自Ｉって加わ、分解ζねる。この時
に電極１−電極２間でガス密度が均一であるこＬが望ま
しいが、従来の装置ではこの点が不十分である。高周波
グロー放電によって分解ζわだガスは、妻板５に達する
前に排出口４に向うっけ出し、カス密度は不均一になる
と同時にｌ＾の成長連間は遅くなる。
本発明はかかる欠点を除去［たもので、その目的１７１
２つの電極が互いに平行で平板であるグロー放電ν装置
でカス留守を均一に稈も均−ｔ〔作成膜を得る方法を枦
律するものである。
２つの電極が互いに平行で平板であるグロー放電ν装置
でカス留守を均一に稈も均−ｔ〔作成膜を得る方法を枦
律するものである。
以下実施例に基づいて本発哄１を詳しく説明する。
第２図は本発明のガス済制御板を含む容量結合型窩周波
グロー放電装置であり、１け電接１（ガス流出口）、２
け電極２．３はヒーター、４けガス排出口、５け基板、
６１Ｌ＋反応室、７けガス流制御板である。電極１から
流出またガスはグロー放電によって分解はねヒーターに
よって加熱シわた基板５上に膜が形成ζねる。嘩の均一
性は土質の膜であるための埴−条件であれ、膜の成長速
度は遅くないことが望ましい。ガス流制御板７けかかる
条件を満足するために置かねたもので、拐質は石英ガラ
ス、ステンレスｉｔどで、プラズマの影豐ｆ受けに？ぐ
膜作成温咬に嗣えらｈる材質が適当である。形状２して
該制御板７け電極外周を覆う様な形１例えば電接ＬＥで
円板を用いるｔｒらば制御板は円筒状のものとなるのが
適当である。また制御板にガス流通用の穴をあはること
で、ざらに細かいガス流側Ｎが可能である。ガス流制御
板７を入ねることで、分解されたガスは直接に＃）出口
４に向らことはｈ （なｈ−母基板５に向らことにか乙
。
グロー放電装置であり、１け電接１（ガス流出口）、２
け電極２．３はヒーター、４けガス排出口、５け基板、
６１Ｌ＋反応室、７けガス流制御板である。電極１から
流出またガスはグロー放電によって分解はねヒーターに
よって加熱シわた基板５上に膜が形成ζねる。嘩の均一
性は土質の膜であるための埴−条件であれ、膜の成長速
度は遅くないことが望ましい。ガス流制御板７けかかる
条件を満足するために置かねたもので、拐質は石英ガラ
ス、ステンレスｉｔどで、プラズマの影豐ｆ受けに？ぐ
膜作成温咬に嗣えらｈる材質が適当である。形状２して
該制御板７け電極外周を覆う様な形１例えば電接ＬＥで
円板を用いるｔｒらば制御板は円筒状のものとなるのが
適当である。また制御板にガス流通用の穴をあはること
で、ざらに細かいガス流側Ｎが可能である。ガス流制御
板７を入ねることで、分解されたガスは直接に＃）出口
４に向らことはｈ （なｈ−母基板５に向らことにか乙
。
したか〜１−１膜成長速ｌｖ及び膜均一性が著（〈向上
する。また、ガス流制御板の高濾に傾斜を付ｉ＋排出口
４側を高くまたものも同様Ｋｍ好な結果をイｎる。
する。また、ガス流制御板の高濾に傾斜を付ｉ＋排出口
４側を高くまたものも同様Ｋｍ好な結果をイｎる。
第１図は従来の容量結合型高周波グロー放電装慣、第２
図は本発明による装置である。 １・・・・・・電極１（ガス浦出口） ２・・・・・・電極２（基板支持板） ３・・・・・・ヒーター ４・・・・・・ガス排出口 ５・・・・・・基板 ６・・・・・・グロー放電堆積室 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 伏理人 弁理士 培土 務 ４− 第１図 第２図
図は本発明による装置である。 １・・・・・・電極１（ガス浦出口） ２・・・・・・電極２（基板支持板） ３・・・・・・ヒーター ４・・・・・・ガス排出口 ５・・・・・・基板 ６・・・・・・グロー放電堆積室 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 伏理人 弁理士 培土 務 ４− 第１図 第２図
Claims (1)
- ２つの電極が互いに平行で平板であるグロー放電装置に
於いて、電極１と電、椿２間に什切枦を該平板に垂直に
人ねたごとを特徴さするグロー放電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19497181A JPS5896729A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | グロ−放電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19497181A JPS5896729A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | グロ−放電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896729A true JPS5896729A (ja) | 1983-06-08 |
Family
ID=16333386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19497181A Pending JPS5896729A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | グロ−放電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896729A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111414A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法およびその製造装置 |
| JPS6196724A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 容量結合型プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH09115836A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-05-02 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP19497181A patent/JPS5896729A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111414A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法およびその製造装置 |
| JPH0244141B2 (ja) * | 1983-11-22 | 1990-10-02 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS6196724A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 容量結合型プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH09115836A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-05-02 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
| US5948167A (en) * | 1995-09-29 | 1999-09-07 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
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