JPS5895874A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5895874A
JPS5895874A JP56194715A JP19471581A JPS5895874A JP S5895874 A JPS5895874 A JP S5895874A JP 56194715 A JP56194715 A JP 56194715A JP 19471581 A JP19471581 A JP 19471581A JP S5895874 A JPS5895874 A JP S5895874A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
providing
wirings
layers
solar battery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56194715A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Mizuguchi
一男 水口
Masahiro Yoneda
昌弘 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS5895874A publication Critical patent/JPS5895874A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は積層構造の半導体集積回路素子において、少
なくとも一つの層に太陽電池を設けることによって電源
を供給するようにした半導体装置に関するものである。
積層構造の半導体集積回路素子を構成する際各層間の配
線を形成する−が最も困難である。各層間の配線には電
源の配線と各層間の信号の伝達配線とがある。このうち
電源の配線は各層又はいくつかの層に太wJWt池を設
ける事によって1層内の配線のみで1層間の配線が必要
なくなり、配線が絃らせる参になる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図において、(1)〜(3)は積層構造の半導体集
積回路の各層、例えば(1)は光電変換素子をHするイ
メージ七ンサー/d、(2)は論理機能を有する層、(
3)は記憶機能を有する層、(4)は各層又はそのうち
のい(つかの層において、太陽電池機能を有する部分、
(5)は光(例えば太陽光、又は蛍光灯から?りらnる
)である。
このように積層構造の内部に太ix池(4)を備える事
により各層間の電気的接続部が少なくなり配線の数も減
少する。又、電源が必要ない事からこの素子を光が存在
する場所ならばいかなる場所においても使用できる。
なお、この太陽電池(4)は必ずしも各層に設ける必要
はなく、少なくとも一つの層に設けるものであってもよ
い。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図であ
る。内申(υはイメージセンサ層、(2〕は論mm能層
、(31)ハ記憶機能層、(4)ハ太li#!lvt池
、(5)ハ光源である。 代地人 sth信−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 積層構造の半導体集積回路素子において、その中の一層
    又は複数の層において太陽電池を具備し。 電圧を流を各層に供給する事により、各層間の電源の配
    線を減らす事を特徴とする半導体装置。
JP56194715A 1981-11-30 1981-11-30 半導体装置 Pending JPS5895874A (ja)

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JPS5895874A true JPS5895874A (ja) 1983-06-07

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5483386A (en) * 1977-12-15 1979-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5483386A (en) * 1977-12-15 1979-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device

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