JPS5893009A - 撮像用ストライプフイルタ - Google Patents
撮像用ストライプフイルタInfo
- Publication number
- JPS5893009A JPS5893009A JP56190592A JP19059281A JPS5893009A JP S5893009 A JPS5893009 A JP S5893009A JP 56190592 A JP56190592 A JP 56190592A JP 19059281 A JP19059281 A JP 19059281A JP S5893009 A JPS5893009 A JP S5893009A
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- Japan
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- filter
- stripe
- film
- torr
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は撮像用ストライプフィルタの改良、特にイエａ
−フィルタの材料の改良に関する。
−フィルタの材料の改良に関する。
発明の技術的背景及びｌｌｌｌＩ点
撮像咽ストライブフィルタは８１Ｑ、 の様な低屈折
率物質とＴＩＯ，の様な高屈折率物を薄膜状に交互に積
層して所望の分光特性を得た後に所定のピッチを持った
ストライプ状に微細加工を施して第１のストライプフィ
ルタを得て、さらにＩｌｌのストライプフィルタとは異
なる分光特性のストライプフィルタを＠１のストライプ
フィルタと交叉するように配置した無機ストライプーフ
ィルタが知られている。
率物質とＴＩＯ，の様な高屈折率物を薄膜状に交互に積
層して所望の分光特性を得た後に所定のピッチを持った
ストライプ状に微細加工を施して第１のストライプフィ
ルタを得て、さらにＩｌｌのストライプフィルタとは異
なる分光特性のストライプフィルタを＠１のストライプ
フィルタと交叉するように配置した無機ストライプーフ
ィルタが知られている。
この無機ストライプフィルタは一般に分光特性の設計の
自由度が大きいために分光透過率の立上り特性が急峻な
優れたフィルタが得られやすいので色再現性が良い。又
使用する材料が高融点物質であるために耐熱性が良い。
自由度が大きいために分光透過率の立上り特性が急峻な
優れたフィルタが得られやすいので色再現性が良い。又
使用する材料が高融点物質であるために耐熱性が良い。
然し乍ら、多層膜構造であるため蒸着時間が極めて長く
、且つ高融点物質であるために、レジストをマスクとし
て直接にウェットエツチングすることは困難で、間接的
なエツチング法が採用されている。このためＣ二製造工
程が長くなり、歩留りが低下する欠点を有する。
、且つ高融点物質であるために、レジストをマスクとし
て直接にウェットエツチングすることは困難で、間接的
なエツチング法が採用されている。このためＣ二製造工
程が長くなり、歩留りが低下する欠点を有する。
工程短縮を計った製造方法としてガスプラズマを利用し
た直接エツチング法、即ちドライエツチング法が完成さ
れているが、この方法にしてもま゛だ十分工程が短縮さ
れたとは言えない。
た直接エツチング法、即ちドライエツチング法が完成さ
れているが、この方法にしてもま゛だ十分工程が短縮さ
れたとは言えない。
一方フィルタ材料の面からも改良が試みられている。そ
の一つとして、イエａ−フィルタとしてＺｍｘＣｄｌ−
１８を用いるものである。 ＺｓｘＣｄＩＸ８の形成は
従来の８１０．とＴＩＯ，の組合せ程の積層ではないの
で薄膜の形成は比較的短時間に行える利点がある。
の一つとして、イエａ−フィルタとしてＺｍｘＣｄｌ−
１８を用いるものである。 ＺｓｘＣｄＩＸ８の形成は
従来の８１０．とＴＩＯ，の組合せ程の積層ではないの
で薄膜の形成は比較的短時間に行える利点がある。
然し乍らＺｎｘＣｄ、−１８はガラス基板との屈折率の
差が大きいので七〇ま−では透過率が低くなるという欠
点がある。これを避けるためにガラス基板と中間的な屈
折率をもつＺｒＯ，のような中間層を、ＺｍｘＣｄ、
Ｘ ８の下面（ガラス基板の上面）と上面に設ける必要
がある。従ってこの場合にも中間層を設けるための余分
な工程が必要となる。
差が大きいので七〇ま−では透過率が低くなるという欠
点がある。これを避けるためにガラス基板と中間的な屈
折率をもつＺｒＯ，のような中間層を、ＺｍｘＣｄ、
Ｘ ８の下面（ガラス基板の上面）と上面に設ける必要
がある。従ってこの場合にも中間層を設けるための余分
な工程が必要となる。
発明の目的
本発明は上記状況に鑑みなされたもので、構造が簡単で
、短い製造工程により得ることが出来る撮像用ストライ
プフィルタを提供することを目的とする。
、短い製造工程により得ることが出来る撮像用ストライ
プフィルタを提供することを目的とする。
発明の概要
発明者等は撮像用ストライプフィルタの製造工５１１ｇ
１總化を研究す−る中でイエａ−フィルタに着目し、中
間層のような余分な工程を必要としない材料な糧々試作
した。掻傷用フィルタとして用いるためには、目的とす
る中間層を不゛要とするだけではなく種々の条件を満足
するものｙｆ−ｅｑばならない。
１總化を研究す−る中でイエａ−フィルタに着目し、中
間層のような余分な工程を必要としない材料な糧々試作
した。掻傷用フィルタとして用いるためには、目的とす
る中間層を不゛要とするだけではなく種々の条件を満足
するものｙｆ−ｅｑばならない。
試作研究の結果、発明者らはイエロフィルタとしてアモ
ルファス水素化シリコン窒化膜ｃ以下ａ −８１： Ｈ
： Ｎ膜と称す）を用いることにより目的が達成される
ことを究明し、本発明を完成した。
ルファス水素化シリコン窒化膜ｃ以下ａ −８１： Ｈ
： Ｎ膜と称す）を用いることにより目的が達成される
ことを究明し、本発明を完成した。
すなわち本１１発明は透光性基板上に少なくともイエロ
フィルタを含む２種類以上の無機ストライプフィルタを
積層する構造の撮像用ストライブフィルタにおいて、前
記イエａ−フィルタはアモルファス水素化シリコン窒化
膜でなることを特徴とする掻傷用ストライプフィルタで
ある。
フィルタを含む２種類以上の無機ストライプフィルタを
積層する構造の撮像用ストライブフィルタにおいて、前
記イエａ−フィルタはアモルファス水素化シリコン窒化
膜でなることを特徴とする掻傷用ストライプフィルタで
ある。
本発明の撮像用ストライプフィルタ構造によれば例えば
ガラス基板上Ｃａ −８ｌ ： Ｈ： ’Ｎ膜のイエａ
−ストライプフィルタが形成され、これを屈折率の観点
からみれば、ガラスの屈折率が１．５Ｏｆ’：対し鳳−
８１： Ｈ： Ｎ膜のそれが２．０でガラスの屈折率に
近いために干渉効果が少なくなるのでＺｒＯ。
ガラス基板上Ｃａ −８ｌ ： Ｈ： ’Ｎ膜のイエａ
−ストライプフィルタが形成され、これを屈折率の観点
からみれば、ガラスの屈折率が１．５Ｏｆ’：対し鳳−
８１： Ｈ： Ｎ膜のそれが２．０でガラスの屈折率に
近いために干渉効果が少なくなるのでＺｒＯ。
のような中間層を設けなくても分光特性のツップルの低
下、透過率の低下は起こらない。従って本発明によれば
従来のＺｎｘ Ｃｄ１Ｘ ８の場合と同程度の特性を維
持しなから７中間層を必要としｒか分だけ製造工程が簡
素化されること「；なる。
下、透過率の低下は起こらない。従って本発明によれば
従来のＺｎｘ Ｃｄ１Ｘ ８の場合と同程度の特性を維
持しなから７中間層を必要としｒか分だけ製造工程が簡
素化されること「；なる。
発明の実施例
実施例により本発明を説明する。
最初にト４１ ： Ｎ ： Ｈ膜の製造方法及びその吸
収端特性について述べ番。
収端特性について述べ番。
マグネトロンスパッタ装置のチャンバ内を高真空にした
後、アルゴン、水素、窒素の３元系混合ガスを導入し、
全圧が３ Ｘ １Ｇ−” Ｔｏｒｒになる様に■箇する
。ガラス基板温度を意ＯＯ℃に維持し、約ｓＷ／−の電
力密度で純度９１１１９９ ％のポリシリコｙをターゲ
ラＦとしてスパッタすることにより約ｓ〜ｓＬ／ｗの堆
積１１１［ｅ ａ −８ｉ ： Ｎ ： １１１ｇカ得
られる。
後、アルゴン、水素、窒素の３元系混合ガスを導入し、
全圧が３ Ｘ １Ｇ−” Ｔｏｒｒになる様に■箇する
。ガラス基板温度を意ＯＯ℃に維持し、約ｓＷ／−の電
力密度で純度９１１１９９ ％のポリシリコｙをターゲ
ラＦとしてスパッタすることにより約ｓ〜ｓＬ／ｗの堆
積１１１［ｅ ａ −８ｉ ： Ｎ ： １１１ｇカ得
られる。
さてこの条件下では水素分圧は全圧の６０％に相当する
１、 ８０ Ｘ １＠−” Ｔｏｒｒ である。この水
素分圧を一定として残りの１．２０ Ｘ １Ｏ−ｊＴｏ
ｒｒの分圧をアルゴン及び窒素の比率を変え６．ことに
より吸収端波長を変えることができるー。この様にして
得られたａ −８１： Ｎ ： Ｈ膜の吸収−轢首を１
１１図に示す。図にお□いてａｌ）は水素分圧’＃１１
．８０’ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧＋窒素分圧
−Ｌ ２０ Ｘ Ｉ Ｑ−Ｔｏｒｒ窒素分圧／（アルゴ
ン分圧十窒素分圧）〜［０の条件で得たものである。以
下（１２、（１３、、ａｌは（ＩＤと同様に窒素分圧／
（アルゴン分圧＋窒素分圧）→、２０゛０．３０．０．
４０の場合を示す。膜厚は夫々的１．０ｉｍである。
１、 ８０ Ｘ １＠−” Ｔｏｒｒ である。この水
素分圧を一定として残りの１．２０ Ｘ １Ｏ−ｊＴｏ
ｒｒの分圧をアルゴン及び窒素の比率を変え６．ことに
より吸収端波長を変えることができるー。この様にして
得られたａ −８１： Ｎ ： Ｈ膜の吸収−轢首を１
１１図に示す。図にお□いてａｌ）は水素分圧’＃１１
．８０’ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧＋窒素分圧
−Ｌ ２０ Ｘ Ｉ Ｑ−Ｔｏｒｒ窒素分圧／（アルゴ
ン分圧十窒素分圧）〜［０の条件で得たものである。以
下（１２、（１３、、ａｌは（ＩＤと同様に窒素分圧／
（アルゴン分圧＋窒素分圧）→、２０゛０．３０．０．
４０の場合を示す。膜厚は夫々的１．０ｉｍである。
１３１図かられかる様に吸収端特性は可視光の広い領域
にわたって制御が可能で、且つ単層でも透過率が９６％
近傍と高いものが得られた。
にわたって制御が可能で、且つ単層でも透過率が９６％
近傍と高いものが得られた。
さて次に上記のａ−８１：Ｈ：Ｎ膜をストライプフィル
ターに適用□した具体例を第２図に示す。エツチング手
段としてはり前述したドライエツチングの範ちゅうの一
形態である反応性スパッタエツチング法を採用した。
− １）ガラス基板２１に１−８１ ： Ｎ ： Ｈ２２を
水素圧力１，５Ｑｘｔｏ−テｏｒｒ、窒素圧力３．０Ｘ
１Ｇ一番テｏｒｒ 、アルゴン圧力Ｌ！１４Ｘ１Ｇ４
Ｔｏｒｒ ４Ｆ）混合ガスの条件で約１０，１１１１
ｍ 堆積させた。前記の各ガス圧比は全圧力３．ＯＸ
１０″Ｔｏｒｒに対してアルゴン６０％、水素１０％
、窒素ＳＯ％でありン窒素分圧／（アルゴン分圧十窒素
分圧）−０，２５である。
ターに適用□した具体例を第２図に示す。エツチング手
段としてはり前述したドライエツチングの範ちゅうの一
形態である反応性スパッタエツチング法を採用した。
− １）ガラス基板２１に１−８１ ： Ｎ ： Ｈ２２を
水素圧力１，５Ｑｘｔｏ−テｏｒｒ、窒素圧力３．０Ｘ
１Ｇ一番テｏｒｒ 、アルゴン圧力Ｌ！１４Ｘ１Ｇ４
Ｔｏｒｒ ４Ｆ）混合ガスの条件で約１０，１１１１
ｍ 堆積させた。前記の各ガス圧比は全圧力３．ＯＸ
１０″Ｔｏｒｒに対してアルゴン６０％、水素１０％
、窒素ＳＯ％でありン窒素分圧／（アルゴン分圧十窒素
分圧）−０，２５である。
このときの吸収端波長は４１３ｎｍであった。
幻 レジストｚ３で所望のピッチを持つストライプパタ
ーンを形成する。
ーンを形成する。
１） ８弗化炭素（ＣＦ４）ガスを用いて、レジスト
の被着していない部分を反応性スパッタエツチング法に
よって直接エツチングを行う。
の被着していない部分を反応性スパッタエツチング法に
よって直接エツチングを行う。
４）レジスＦの除去を行ってイエａ−フィルターが完成
する。
する。
次にシアンフィルターは吸収端特性は利用できないので
、Ｔｉｅ、 と８１Ｏ１から成る多層膜横用をＩＩｔ
Ｌｆｅ・ 、１゜ Ｓ） Ｖアンフィルター意４は電子ビーム蒸着法によ
って直接にａ −８１： Ｎ ： Ｈ膜に堆積させた。
、Ｔｉｅ、 と８１Ｏ１から成る多層膜横用をＩＩｔ
Ｌｆｅ・ 、１゜ Ｓ） Ｖアンフィルター意４は電子ビーム蒸着法によ
って直接にａ −８１： Ｎ ： Ｈ膜に堆積させた。
次に前述のイエａ−フィルターの作製工程と同様な工程
手順を経て、 ６）ストライプフィルターを得る。
手順を経て、 ６）ストライプフィルターを得る。
以上の説明から明らかなように−１本発明の撮像である
。従って構造が簡単で、製造工程が非常に簡素化される
。
。従って構造が簡単で、製造工程が非常に簡素化される
。
又得られるａ −８１： Ｈ： Ｎは緻密であるからド
ライエツチングにも十分に耐え、ドライエツチングによ
る特性の劣化が少ない。
ライエツチングにも十分に耐え、ドライエツチングによ
る特性の劣化が少ない。
本発明の撮像用ストライプパターンタを撮像管（−採用
して実装試験した結果、従来のＺｎｘＣｄｌ−１８をイ
エローフィルタとして用いた掻傷用ストライブフィルタ
とはソ同等の特性が得られ、実用性がある−ことが確認
できた。
して実装試験した結果、従来のＺｎｘＣｄｌ−１８をイ
エローフィルタとして用いた掻傷用ストライブフィルタ
とはソ同等の特性が得られ、実用性がある−ことが確認
できた。
発明の詳細
な説明した通り本発明の撮像用ストライプフィルタは構
造が簡単！、製造工程が非常に簡素化されるという効果
を奏する。
造が簡単！、製造工程が非常に簡素化されるという効果
を奏する。
第１図は本発明に係るアモルファス水素化シリコン窒化
膜の吸収端特性を示す図、第２図は本発明の撮像用スト
ライプフィルタの製造方法を説明する図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名） 第１図
膜の吸収端特性を示す図、第２図は本発明の撮像用スト
ライプフィルタの製造方法を説明する図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名） 第１図
Claims (1)
- （１） 透光性基板上に少なくともイエロフィルタを
含む雪積類以上の無機ストライプフィルタを積層する構
造の撮像用ストライブフィルタにおいて。 前記イエロフィルタはアモルファス水素化シリプｙ膜で
なることを特徴とする撮像用ストライプフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190592A JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190592A JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893009A true JPS5893009A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16260626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190592A Pending JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893009A (ja) |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56190592A patent/JPS5893009A/ja active Pending
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