JPS5893009A - 撮像用ストライプフイルタ - Google Patents
撮像用ストライプフイルタInfo
- Publication number
- JPS5893009A JPS5893009A JP56190592A JP19059281A JPS5893009A JP S5893009 A JPS5893009 A JP S5893009A JP 56190592 A JP56190592 A JP 56190592A JP 19059281 A JP19059281 A JP 19059281A JP S5893009 A JPS5893009 A JP S5893009A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- stripe
- film
- torr
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は撮像用ストライプフィルタの改良、特にイエa
−フィルタの材料の改良に関する。
−フィルタの材料の改良に関する。
発明の技術的背景及びllllI点
撮像咽ストライブフィルタは81Q、 の様な低屈折
率物質とTIO,の様な高屈折率物を薄膜状に交互に積
層して所望の分光特性を得た後に所定のピッチを持った
ストライプ状に微細加工を施して第1のストライプフィ
ルタを得て、さらにIllのストライプフィルタとは異
なる分光特性のストライプフィルタを@1のストライプ
フィルタと交叉するように配置した無機ストライプーフ
ィルタが知られている。
率物質とTIO,の様な高屈折率物を薄膜状に交互に積
層して所望の分光特性を得た後に所定のピッチを持った
ストライプ状に微細加工を施して第1のストライプフィ
ルタを得て、さらにIllのストライプフィルタとは異
なる分光特性のストライプフィルタを@1のストライプ
フィルタと交叉するように配置した無機ストライプーフ
ィルタが知られている。
この無機ストライプフィルタは一般に分光特性の設計の
自由度が大きいために分光透過率の立上り特性が急峻な
優れたフィルタが得られやすいので色再現性が良い。又
使用する材料が高融点物質であるために耐熱性が良い。
自由度が大きいために分光透過率の立上り特性が急峻な
優れたフィルタが得られやすいので色再現性が良い。又
使用する材料が高融点物質であるために耐熱性が良い。
然し乍ら、多層膜構造であるため蒸着時間が極めて長く
、且つ高融点物質であるために、レジストをマスクとし
て直接にウェットエツチングすることは困難で、間接的
なエツチング法が採用されている。このためC二製造工
程が長くなり、歩留りが低下する欠点を有する。
、且つ高融点物質であるために、レジストをマスクとし
て直接にウェットエツチングすることは困難で、間接的
なエツチング法が採用されている。このためC二製造工
程が長くなり、歩留りが低下する欠点を有する。
工程短縮を計った製造方法としてガスプラズマを利用し
た直接エツチング法、即ちドライエツチング法が完成さ
れているが、この方法にしてもま゛だ十分工程が短縮さ
れたとは言えない。
た直接エツチング法、即ちドライエツチング法が完成さ
れているが、この方法にしてもま゛だ十分工程が短縮さ
れたとは言えない。
一方フィルタ材料の面からも改良が試みられている。そ
の一つとして、イエa−フィルタとしてZmxCdl−
18を用いるものである。 ZsxCdIX8の形成は
従来の810.とTIO,の組合せ程の積層ではないの
で薄膜の形成は比較的短時間に行える利点がある。
の一つとして、イエa−フィルタとしてZmxCdl−
18を用いるものである。 ZsxCdIX8の形成は
従来の810.とTIO,の組合せ程の積層ではないの
で薄膜の形成は比較的短時間に行える利点がある。
然し乍らZnxCd、−18はガラス基板との屈折率の
差が大きいので七〇ま−では透過率が低くなるという欠
点がある。これを避けるためにガラス基板と中間的な屈
折率をもつZrO,のような中間層を、ZmxCd、
X 8の下面(ガラス基板の上面)と上面に設ける必要
がある。従ってこの場合にも中間層を設けるための余分
な工程が必要となる。
差が大きいので七〇ま−では透過率が低くなるという欠
点がある。これを避けるためにガラス基板と中間的な屈
折率をもつZrO,のような中間層を、ZmxCd、
X 8の下面(ガラス基板の上面)と上面に設ける必要
がある。従ってこの場合にも中間層を設けるための余分
な工程が必要となる。
発明の目的
本発明は上記状況に鑑みなされたもので、構造が簡単で
、短い製造工程により得ることが出来る撮像用ストライ
プフィルタを提供することを目的とする。
、短い製造工程により得ることが出来る撮像用ストライ
プフィルタを提供することを目的とする。
発明の概要
発明者等は撮像用ストライプフィルタの製造工511g
1總化を研究す−る中でイエa−フィルタに着目し、中
間層のような余分な工程を必要としない材料な糧々試作
した。掻傷用フィルタとして用いるためには、目的とす
る中間層を不゛要とするだけではなく種々の条件を満足
するものyf−eqばならない。
1總化を研究す−る中でイエa−フィルタに着目し、中
間層のような余分な工程を必要としない材料な糧々試作
した。掻傷用フィルタとして用いるためには、目的とす
る中間層を不゛要とするだけではなく種々の条件を満足
するものyf−eqばならない。
試作研究の結果、発明者らはイエロフィルタとしてアモ
ルファス水素化シリコン窒化膜c以下a −81: H
: N膜と称す)を用いることにより目的が達成される
ことを究明し、本発明を完成した。
ルファス水素化シリコン窒化膜c以下a −81: H
: N膜と称す)を用いることにより目的が達成される
ことを究明し、本発明を完成した。
すなわち本11発明は透光性基板上に少なくともイエロ
フィルタを含む2種類以上の無機ストライプフィルタを
積層する構造の撮像用ストライブフィルタにおいて、前
記イエa−フィルタはアモルファス水素化シリコン窒化
膜でなることを特徴とする掻傷用ストライプフィルタで
ある。
フィルタを含む2種類以上の無機ストライプフィルタを
積層する構造の撮像用ストライブフィルタにおいて、前
記イエa−フィルタはアモルファス水素化シリコン窒化
膜でなることを特徴とする掻傷用ストライプフィルタで
ある。
本発明の撮像用ストライプフィルタ構造によれば例えば
ガラス基板上Ca −8l : H: ’N膜のイエa
−ストライプフィルタが形成され、これを屈折率の観点
からみれば、ガラスの屈折率が1.5Of’:対し鳳−
81: H: N膜のそれが2.0でガラスの屈折率に
近いために干渉効果が少なくなるのでZrO。
ガラス基板上Ca −8l : H: ’N膜のイエa
−ストライプフィルタが形成され、これを屈折率の観点
からみれば、ガラスの屈折率が1.5Of’:対し鳳−
81: H: N膜のそれが2.0でガラスの屈折率に
近いために干渉効果が少なくなるのでZrO。
のような中間層を設けなくても分光特性のツップルの低
下、透過率の低下は起こらない。従って本発明によれば
従来のZnx Cd1X 8の場合と同程度の特性を維
持しなから7中間層を必要としrか分だけ製造工程が簡
素化されること「;なる。
下、透過率の低下は起こらない。従って本発明によれば
従来のZnx Cd1X 8の場合と同程度の特性を維
持しなから7中間層を必要としrか分だけ製造工程が簡
素化されること「;なる。
発明の実施例
実施例により本発明を説明する。
最初にト41 : N : H膜の製造方法及びその吸
収端特性について述べ番。
収端特性について述べ番。
マグネトロンスパッタ装置のチャンバ内を高真空にした
後、アルゴン、水素、窒素の3元系混合ガスを導入し、
全圧が3 X 1G−” Torrになる様に■箇する
。ガラス基板温度を意OO℃に維持し、約sW/−の電
力密度で純度911199 %のポリシリコyをターゲ
ラFとしてスパッタすることにより約s〜sL/wの堆
積111[e a −8i : N : 111gカ得
られる。
後、アルゴン、水素、窒素の3元系混合ガスを導入し、
全圧が3 X 1G−” Torrになる様に■箇する
。ガラス基板温度を意OO℃に維持し、約sW/−の電
力密度で純度911199 %のポリシリコyをターゲ
ラFとしてスパッタすることにより約s〜sL/wの堆
積111[e a −8i : N : 111gカ得
られる。
さてこの条件下では水素分圧は全圧の60%に相当する
1、 80 X 1@−” Torr である。この水
素分圧を一定として残りの1.20 X 1O−jTo
rrの分圧をアルゴン及び窒素の比率を変え6.ことに
より吸収端波長を変えることができるー。この様にして
得られたa −81: N : H膜の吸収−轢首を1
11図に示す。図にお□いてal)は水素分圧’#11
.80’xlO−”Torr、アルゴン分圧+窒素分圧
−L 20 X I Q−Torr窒素分圧/(アルゴ
ン分圧十窒素分圧)〜[0の条件で得たものである。以
下(12、(13、、alは(IDと同様に窒素分圧/
(アルゴン分圧+窒素分圧)→、20゛0.30.0.
40の場合を示す。膜厚は夫々的1.0imである。
1、 80 X 1@−” Torr である。この水
素分圧を一定として残りの1.20 X 1O−jTo
rrの分圧をアルゴン及び窒素の比率を変え6.ことに
より吸収端波長を変えることができるー。この様にして
得られたa −81: N : H膜の吸収−轢首を1
11図に示す。図にお□いてal)は水素分圧’#11
.80’xlO−”Torr、アルゴン分圧+窒素分圧
−L 20 X I Q−Torr窒素分圧/(アルゴ
ン分圧十窒素分圧)〜[0の条件で得たものである。以
下(12、(13、、alは(IDと同様に窒素分圧/
(アルゴン分圧+窒素分圧)→、20゛0.30.0.
40の場合を示す。膜厚は夫々的1.0imである。
131図かられかる様に吸収端特性は可視光の広い領域
にわたって制御が可能で、且つ単層でも透過率が96%
近傍と高いものが得られた。
にわたって制御が可能で、且つ単層でも透過率が96%
近傍と高いものが得られた。
さて次に上記のa−81:H:N膜をストライプフィル
ターに適用□した具体例を第2図に示す。エツチング手
段としてはり前述したドライエツチングの範ちゅうの一
形態である反応性スパッタエツチング法を採用した。
− 1)ガラス基板21に1−81 : N : H22を
水素圧力1,5Qxto−テorr、窒素圧力3.0X
1G一番テorr 、アルゴン圧力L!14X1G4
Torr 4F)混合ガスの条件で約10,1111
m 堆積させた。前記の各ガス圧比は全圧力3.OX
10″Torrに対してアルゴン60%、水素10%
、窒素SO%でありン窒素分圧/(アルゴン分圧十窒素
分圧)−0,25である。
ターに適用□した具体例を第2図に示す。エツチング手
段としてはり前述したドライエツチングの範ちゅうの一
形態である反応性スパッタエツチング法を採用した。
− 1)ガラス基板21に1−81 : N : H22を
水素圧力1,5Qxto−テorr、窒素圧力3.0X
1G一番テorr 、アルゴン圧力L!14X1G4
Torr 4F)混合ガスの条件で約10,1111
m 堆積させた。前記の各ガス圧比は全圧力3.OX
10″Torrに対してアルゴン60%、水素10%
、窒素SO%でありン窒素分圧/(アルゴン分圧十窒素
分圧)−0,25である。
このときの吸収端波長は413nmであった。
幻 レジストz3で所望のピッチを持つストライプパタ
ーンを形成する。
ーンを形成する。
1) 8弗化炭素(CF4)ガスを用いて、レジスト
の被着していない部分を反応性スパッタエツチング法に
よって直接エツチングを行う。
の被着していない部分を反応性スパッタエツチング法に
よって直接エツチングを行う。
4)レジスFの除去を行ってイエa−フィルターが完成
する。
する。
次にシアンフィルターは吸収端特性は利用できないので
、Tie、 と81O1から成る多層膜横用をIIt
Lfe・ 、1゜ S) Vアンフィルター意4は電子ビーム蒸着法によ
って直接にa −81: N : H膜に堆積させた。
、Tie、 と81O1から成る多層膜横用をIIt
Lfe・ 、1゜ S) Vアンフィルター意4は電子ビーム蒸着法によ
って直接にa −81: N : H膜に堆積させた。
次に前述のイエa−フィルターの作製工程と同様な工程
手順を経て、 6)ストライプフィルターを得る。
手順を経て、 6)ストライプフィルターを得る。
以上の説明から明らかなように−1本発明の撮像である
。従って構造が簡単で、製造工程が非常に簡素化される
。
。従って構造が簡単で、製造工程が非常に簡素化される
。
又得られるa −81: H: Nは緻密であるからド
ライエツチングにも十分に耐え、ドライエツチングによ
る特性の劣化が少ない。
ライエツチングにも十分に耐え、ドライエツチングによ
る特性の劣化が少ない。
本発明の撮像用ストライプパターンタを撮像管(−採用
して実装試験した結果、従来のZnxCdl−18をイ
エローフィルタとして用いた掻傷用ストライブフィルタ
とはソ同等の特性が得られ、実用性がある−ことが確認
できた。
して実装試験した結果、従来のZnxCdl−18をイ
エローフィルタとして用いた掻傷用ストライブフィルタ
とはソ同等の特性が得られ、実用性がある−ことが確認
できた。
発明の詳細
な説明した通り本発明の撮像用ストライプフィルタは構
造が簡単!、製造工程が非常に簡素化されるという効果
を奏する。
造が簡単!、製造工程が非常に簡素化されるという効果
を奏する。
第1図は本発明に係るアモルファス水素化シリコン窒化
膜の吸収端特性を示す図、第2図は本発明の撮像用スト
ライプフィルタの製造方法を説明する図である。 (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1
名) 第1図
膜の吸収端特性を示す図、第2図は本発明の撮像用スト
ライプフィルタの製造方法を説明する図である。 (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1
名) 第1図
Claims (1)
- (1) 透光性基板上に少なくともイエロフィルタを
含む雪積類以上の無機ストライプフィルタを積層する構
造の撮像用ストライブフィルタにおいて。 前記イエロフィルタはアモルファス水素化シリプy膜で
なることを特徴とする撮像用ストライプフィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56190592A JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56190592A JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5893009A true JPS5893009A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16260626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56190592A Pending JPS5893009A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 撮像用ストライプフイルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5893009A (ja) |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56190592A patent/JPS5893009A/ja active Pending
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