JPS5892742U - 静電破壊防止素子 - Google Patents

静電破壊防止素子

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JPS5892742U
JPS5892742U JP18723881U JP18723881U JPS5892742U JP S5892742 U JPS5892742 U JP S5892742U JP 18723881 U JP18723881 U JP 18723881U JP 18723881 U JP18723881 U JP 18723881U JP S5892742 U JPS5892742 U JP S5892742U
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JP
Japan
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conductivity type
diffusion layer
layer
semiconductor
semiconductor layer
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JP18723881U
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JPS645899Y2 (ja
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宅間　俊則
弘一 酒井
北原　慎二
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東光株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の静電破壊防止素子の断面図、第２図はダ
イオードによる保護回路、第３図は本考案の静電破壊防
止素子の平面図、第４図は第３図のＹ−Ｙ方向の断面図
、第５図は本考案の静電破壊防止素子の等節回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 該第１導電型の半導体基板に第２導電型の半導体層が形
    成された半導体基体に於て、該第２導電型の半導体層に
    形成された第１導電型の第１拡散層と前記第１導電型の
    半導体基板とによって分離された第２導電型の半導体層
    と、該第２導電型の半導体層に形成された第１導電型の
    第２拡散層と、該第１導電型の第２拡散層に形成された
    第２導電型の第１拡散層とを有し、前記分離された第２
    導電型の半導体層の表面の一部に電源電圧が供給される
    オーミック接触、並びに第１導電型の第２拡散層と第２
    導電型の第１拡散層との接合部の両端部露呈面に形成さ
    れたオーミック接触を除く該半導体基体を覆う絶縁膜と
    、該オーミック接触に接続され該絶縁膜上に延在する配
    線導体とを含み、該接合部の両端部間の該第１導電型の
    第２拡散層と該第２導電型の第１拡散層を抵抗体とした
    ことを特徴とする静電破壊防止素子。
JP18723881U 1981-12-16 1981-12-16 静電破壊防止素子 Granted JPS5892742U (ja)

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JPS5892742U true JPS5892742U (ja) 1983-06-23
JPS645899Y2 JPS645899Y2 (ja) 1989-02-14

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50103292A (ja) * 1974-01-11 1975-08-15
JPS50110583A (ja) * 1974-02-08 1975-08-30
JPS5138227A (ja) * 1974-09-30 1976-03-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Chuzoigatayobatsukuatsupuzai
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JPS5764960A (en) * 1980-10-08 1982-04-20 Nec Corp Semiconductor device

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